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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > C 領域の意味・解説 > C 領域に関連した英語例文

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C 領域の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2149



例文

When a foot surface area per circumferential length of a region 12A of the tread 12 is called a, a foot surface area per circumferential length of a region 12B is called b, and a foot surface area per circumferential length of a region 12C is called c, they are set to be a:b:c=1:1:1.例文帳に追加

トレッド12の領域12Aの単位周方向長さ当たりの踏面面積をa、領域12Bの単位周方向長さ当たりの踏面面積をb、領域12Cの単位周方向長さ当たりの踏面面積をcとしたときに、a:b:c=1:1:1に設定する。 - 特許庁

The photographic image is divided to a plurality of divided regions and for each divided region, horizontal and vertical contrast components (C_H[i, j]) and C_V[i, j] are computed so as to compute a region evaluation value (α[i, j]) by weighting and adding them.例文帳に追加

撮影画像を複数の分割領域に分割し、分割領域ごとに、水平及び垂直コントラスト成分(C_H[i,j]及びC_V[i,j])を算出して、それらを加重加算(重み付け加算)することにより領域評価値(α[i,j])を算出する。 - 特許庁

As a result, lateral dispersion of the p-type impurity is suppressed to the limit of the depth where C is ion-implanted, and lateral dispersion is enlarged in the region deeper than the depth where C is ion-implanted, resulting in constitution of p-type gate region, in such a manner as to creep into under the source region.例文帳に追加

これにより、Cが注入された深さまでにおいては、p型不純物の横方向拡散が抑制され、Cが注入された深さよりも深い領域においては、p型不純物が横方向拡散され、ソース領域の下方まで入り込むようにp型ゲート領域4が形成される。 - 特許庁

A GaN-base semiconductor layer 12 forming a laser structure is made to grow on an n-type GaN substrate 11 including as main surfaces: first plane region 11a composed of a C surface; a second plane region 11b composed of a semipolar surface; and a third plane region 11c composed of a C surface.例文帳に追加

C面からなる第1の平面領域11aと半極性面からなる第2の平面領域11bとC面からなる第3の平面領域11cとを主面に有するn型GaN基板11上にレーザ構造を形成するGaN系半導体層12を成長させる。 - 特許庁

例文

The heterobipolar transistor has laminated on a Si substrate 10 a Si collector-embedded layer 11; a first base region 12, formed of an SiGeC layer containing C with high content; a second base region 13, formed of an SiGeC layer containing C with low content or SiGe layer; and an Si-capping layer 14, inclusive of an emitter region 14a.例文帳に追加

Si基板10に、Siコレクタ埋め込み層11と、C含有率の高いSiGeC層からなる第1ベース領域12と、C含有率の低いSiGeC層又はSiGe層からなる第2ベース領域13と、エミッタ領域14aを含むSiキャップ層14とを積層している。 - 特許庁


例文

The conveyor 100 comprises a press mechanism 110 configured to press at least one of a center region C in the cross direction CD of the web 7 perpendicular to a conveyance direction MD of the web 7 and side edge regions S located on the side edge sides rather than the center region C in the cross direction CD of the web 7.例文帳に追加

搬送装置100は、ウェブ7の搬送方向MDに直交するウェブ7の幅方向CDにおける中央領域C、または、ウェブ7の幅方向CDに対して中央領域Cよりも側縁側に位置する側縁領域Sの少なくとも一方を押し付ける押付機構110を備える。 - 特許庁

The magnetoresistive effect is measured for the center area C where the magnetization of a free magnetizing layer 12 is unfixed by the magnetic domain control layer 3; therefore, regardless of the size of the control power of the magnetic domain control layer 3, the magnetoresistive effect can be measured constantly from the prescribed area (center area C).例文帳に追加

磁区制御層3によって自由磁化層12の磁化が固着されない中央領域Cの磁気抵抗効果を測定するようになっているので、磁区制御層3の制御力の大きさによらず、常に、所定の領域(中央領域C)から磁気抵抗効果を測定することが可能である。 - 特許庁

No area where all the pusle signals A, B, C are brought into a High-condition exists by the arrangement hereinbefore, no area where all the pulse signals A, B, C are brought into Low-condition, and an area where a condition of one pulse signal is different from anyone of conditions of the two other pulse signals exists all the time.例文帳に追加

この配置により、パルス信号A,B,Cの全てがHigh状態になる領域がなく、またパルス信号A,B,Cの全てがLow状態になる領域もなく、しかも1つのパルス信号の状態が他の2つのパルス信号の状態の何れとも異なる領域が必ず存在している。 - 特許庁

In the tire 2, a tread 4 is located at an axial-direction center and includes: the center region C in which a belt 12 is located at a radial-direction inside of the tread; and a pair of shoulder regions S located at the axial-direction outside of the center region C.例文帳に追加

タイヤ2では、トレッド4は、軸方向中央に位置してその半径方向内側にベルト12が位置するセンター領域Cと、このセンター領域Cの軸方向外側に位置する一対のショルダー領域Sとを備えている。 - 特許庁

例文

After a source region, a drain region, and a channel region are formed by doping a dopant to a polysilicon film and activating the dopant by heat treatment, a substrate temperature is maintained within a range of 350°C to 420°C, and a substrate is exposed to hydrogen gas plasma for a processing time of 3 to 60 minutes.例文帳に追加

ポリシリコン膜にドーパントを注入し、加熱処理によって注入したドーパントを活性化し、ソース領域及びドレイン領域、及びチャネル領域を形成した後、基板温度を、350℃〜420℃の範囲内に保って、3分〜60分の処理時間、基板を水素ガスによるプラズマに晒す。 - 特許庁

例文

An Si-collector embedded layer 11, a first base region 12 of an SiGeC layer having a high C content, a second base region 13 of an SiGeC or SiGe layer having a low C content and an Si gap layer 14 containing an emitter region 14a are stacked on an Si substrate 10.例文帳に追加

Si基板10に、Siコレクタ埋め込み層11と、C含有率の高いSiGeC層からなる第1ベース領域12と、C含有率の低いSiGeC層又はSiGe層からなる第2ベース領域13と、エミッタ領域14aを含むSiキャップ層14とを積層している。 - 特許庁

A two-dimensional Fourier space is divided into plural symmetrical areas A, A'-D, D' concerning a frequency axis kx and data to peripheral areas B, B', C, C', D and D' are successively collected by sandwiching data collection to center areas A and A' every time.例文帳に追加

2次元フーリエ空間を周波数軸kxに関して対称的な複数の領域A,A’〜D,D’に区分し、周囲領域B,B’,C,C’,D,D’へのデータ収集を、間に中央領域A,A’へのデータ収集を毎回挟みながら順次に行う。 - 特許庁

Also, write request data is obtained by a single continuous area write command (a BlockWrite equivalent command of ISO18000-6Type C) by splitting a storage area in the IC tag into two areas, a prime area and a postscript area, and allowing writing to the tail of postscript area after adding an identification code to writing target data when newly writing data.例文帳に追加

また,ICタグ内の記憶領域を,基本領域と追記領域の2つに分割し,新たにデータを書き込む際には,書き込み対象のデータへ識別のための符号を付加した後,追記領域の末尾へ連続するように書込を行うことで,書込要求データを一回の連続領域書込コマンド(ISO18000−6Type CのBlockWrite相当のコマンド)で実現する。 - 特許庁

More specifically, the process sets a limit region pattern 262 for specifying a limit region 40 (a), the process sets a dummy pattern 310 for specifying a dummy projection region 32 (b), and the process synthesizes the limit region and dummy patterns 262 and 310 and completely eliminates the dummy pattern 310 that at least partially overlaps with the limit region pattern 262 (c).例文帳に追加

(a)制限領域40を規定する制限領域パターン262を設定する工程、(b)ダミー凸部領域32を規定するダミーパターン310を設定する工程、(c)制限領域パターン262とダミーパターン310とを合成する工程であって、制限領域パターン262に少なくとも部分的に重なる、ダミーパターン310は、完全に排除される。 - 特許庁

When a mouse 22 is moved toward an A area, a straight ball is selected, when toward a C area, a shoot ball, when toward a D area, a sinker ball, when toward a E area, a fork ball, and when moved toward G area, a slider ball is selected.例文帳に追加

マウス22が、A領域に向けて移動された場合にはストレートが選択され、C領域に向けて移動された場合にはシュートが選択され、D領域に向けて移動された場合にはシンカーが選択され、E領域に向けて移動された場合にはフォークが選択され、G領域に向けて移動された場合にはスライダーが選択される。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming an n-type semiconductor region 2 partially on a p-type semiconductor substrate 1, a step for forming an anti-oxidation layer 3 by lowering n-type carrier concentration above the n-type semiconductor region, and a step for forming a base region B, an emitter region E and a collector region C above the anti-oxidation layer 3.例文帳に追加

本発明は、p型半導体基板1上部に部分的にn型半導体領域2を形成する工程と、前記n型半導体領域上部のn型キャリア濃度を下げて酸化防止層3を形成する工程と、前記酸化防止層3上にベース領域Bとエミッタ領域Eとコレクタ領域Cを形成する工程を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The reaction tube 11 of the vapor-phase growth device 10 includes, successively, a gaseous starting material mixing region A for supplying the gaseous starting material to the substrate 13, a reaction region B for thermally decomposing the gaseous starting material from the gaseous starting material mixing region A on the substrate, and a discharging region C for discharging a gas discharged from the reaction region B.例文帳に追加

気相成長装置10の反応管11は、原料ガスを基板13に供給する原料ガス混合領域Aと、該原料ガス混合領域Aからの原料ガスを基板上で熱分解させる反応領域Bと、該反応領域Bから排出されるガスを排気する排気領域Cとを連続して備える。 - 特許庁

The leakproof wall 7 has a high wall part 71 where the height of the leakproof wall 7 is partially high in at least one of an area b from an excretion part area (a) to the rear part and an area c from the excretion part area (a) to the front part including the excretion part area (a) to be abutted on the body fluid excretion part of the wearer.例文帳に追加

防漏壁7は、装着者の体液排泄部に当接される排泄部領域aを含む、排泄部領域aからその後方にかけての領域b及び該排泄部領域aからその前方にかけての領域cの少なくとも何れか一方に、該防漏壁7の高さが部分的に高い高壁部71を有している。 - 特許庁

In this method, a hologram showing an additional information signal is recorded in the two-dimensional area a, b:101 on the face of an optical recording medium 100 having a spiral or concentric track, and the contents information is encoded in variable length and recorded in the areas A, B, C other than the two-dimensional area so that it becomes a user data area.例文帳に追加

付加情報信号を表すホログラムを、スパイラル状又は同心円状のトラックを有する光記録媒体100の記録面上の2次元領域a,b:101に記録するとともに、2次元領域がユーザデータ領域になるようにコンテンツ情報を可変長符号化して2次元領域以外の領域A、B、Cに記録する。 - 特許庁

From a prestate (a) before a new area is secured on a virtual address to a state (b) that an area across the pages V1 and V2 on the virtual address space is being secured as a secured area, a virtual area is secured in an area across the pages V1 and V2 on a virtual address space (c).例文帳に追加

仮想アドレス空間上で新規の領域が確保される前の状態(a)から、仮想アドレス空間上においてページV1,V2を跨ぐ領域が確保領域として確保されようとしている状態(b)のとき、仮想アドレス空間上において、ページV1,V2を跨ぐ領域に仮領域を確保する(c)。 - 特許庁

In a non-volatile memory 14 to be used for an IC card C, an alternate area is preliminarily prepared for the storage area of data whose rewrite frequency is high, and when the writing error of data is occurred in the storage area, the area in which the data are recorded is changed to the alternate area so that the data can be recorded.例文帳に追加

ICカードCに用いられる不揮発性メモリ14において、予め書換え頻度の高いデータの記憶領域に対して代替領域を用意しておき、上記記憶領域へのデータの書込みエラーが発生した場合には当該データを記録する領域を代替領域に変更して記録するようにしたものである。 - 特許庁

This Act extends to: (a) each external Territory; and (b) the Australian continental shelf; and (c) the waters above the Australian continental shelf; and (d) the airspace above Australia, each external Territory and the Australian continental shelf. 例文帳に追加

本法の効力は,次の範囲に及ぶ。 (a) 各外部領域,及び (b) オーストラリア大陸棚,及び (c) オーストラリア大陸棚上の水域,及び (d) オーストラリア,各外部領域及びオーストラリア大陸棚上の空域 - 特許庁

The medicinal composition contains a polypeptide containing at least the C-region of a galactosylceramide-expression factor-1 and not containing the Q-region thereof, or a polynucleotide encoding the polypeptide.例文帳に追加

ガラクトシルセラミド発現因子−1のC領域を少なくとも含み、Q領域を含まないポリペプチド又は当該ポリペプチドをコードするポリヌクレオチドを含む医薬組成物。 - 特許庁

A band layer 9 forms ply 9A by winding belt-like ply 10 of a band cord 11 by having a parallel area J parallel to the tire equator C and an inclined area K inclined to the tire equator C.例文帳に追加

バンド層9は、バンドコード11の帯状プライ10を、タイヤ赤道Cに対して平行な平行領域Jとタイヤ赤道Cに対して傾く傾斜領域Kとを有して巻回することによりプライ9Aを形成している。 - 特許庁

Completion of carrying to the specified sorting region (c) of the produce A of the same class corresponding to the sorting region (c), is dynamically made to be recognized by a worker E.例文帳に追加

指定の選別領域cに、その選別領域cと対応する等階級の農産物Aが搬送されたことを作業者Eに対して動的に認識させる。 - 特許庁

The result of C-OTDR measurement of the wavelength λa is stored in the region 52a of a memory 52, and the result of C-OTDR measurement of the wavelength λb is stored in a region 52b.例文帳に追加

メモリ52の領域52aには、波長λaのC−OTDR測定結果が格納され、領域52bには、波長λbのC−OTDR測定結果が格納される。 - 特許庁

While, an air passage for generating an air flow A turning to the corner area C of the combustion board 16 is formed in the air guiding ring 50 or the vicinity, and air can be actively supplied to the corner area C.例文帳に追加

この一方、送気案内リング50若しくはその近傍には、燃焼盤16のコーナー領域Cに向かう空気流Aを発生する空気流路が形成され、コーナー領域Cに空気が積極的に供給できるようになっている。 - 特許庁

To provide a planar heating element which can be used over a wide temperature range that includes high temperatures from 250°C to 1,000°C and which can be easily manufactured in a desired shape and size, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

250℃〜1000℃の高温の領域を含む広い温度領域で使用することが可能で、しかも所望の形状及び大きさで容易に製造することができる面状発熱体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A performance display device can be divided into a plurality of areas A to C capable of displaying predetermined performance contents, and executes a performance different in each of the plurality of areas A to C.例文帳に追加

演出表示装置が所定の演出内容を表示可能な複数の領域A〜Cに分割可能であり、複数の領域A〜Cにおいてそれぞれ異なる演出を実行する。 - 特許庁

During a common performance, a performance display device 9 can be divided into a plurality of A to C capable of displaying predetermined performance contents, and executes a performance different in each of the plurality of areas A to C.例文帳に追加

共通演出中に、演出表示装置9が所定の演出内容を表示可能な複数の領域A〜Cに分割可能であり、複数の領域A〜Cにおいてそれぞれ異なる演出を実行する。 - 特許庁

The active engine C reads input signals written in regions A, B and F by an input device, performs signal processing, and writes output signals into a region C of the transmission frame.例文帳に追加

運用系エンジンCは、入力装置により領域A,B,Fに書き込まれた入力信号を読み出して信号処理し、伝送フレームの領域Cに出力信号を書き込む。 - 特許庁

A performance display device 9 can divide a performance display screen into a plurality of regions A-C for displaying a prescribed performance content and executes mutually different performances in the plurality of regions A-C.例文帳に追加

演出表示装置9が所定の演出内容を表示可能な複数の領域A〜Cに分割可能であり、複数の領域A〜Cにおいてそれぞれ異なる演出を実行する。 - 特許庁

For example, a sheet of high-tensile steel plate B1 is divided into a right region and a left region, so that they can be respectively heated at two different temperatures such as 1,000°C and 300°C.例文帳に追加

例えば、1枚の高張力鋼板B1を右側領域と左側領域に分けて、それぞれ1000℃、300℃というように、2つの別の温度に加熱することができる。 - 特許庁

For a common area c of both images photographed by the first and the second cameras 22, 24, the respective pixel information values of the common area c are determined by a value obtained by multiplying a coefficient which changes by using distance from a prescribed position as a parameter.例文帳に追加

第1、第2のカメラ22,24により撮影した両画像の共通領域cについて、所定位置からの距離をパラメータとして変化する係数を乗じた値により、共通領域cの各画素情報値を決定する。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層RMによりPチャネル型MISFETを覆いつつ、Nチャネル型MISFETのN型ソース領域およびN型ドレイン領域に、イオン(F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む)を注入する。 - 特許庁

By irradiating the single crystal with X rays and evaluating glow peak intensity, a small peak can be confirmed around 80°C (low temperature region), and a large peak can be confirmed around 400°C (high temperature region).例文帳に追加

この単結晶にX線を照射し、グローピーク強度を評価したところ、80℃付近(低温領域)に小さいピークと、400℃付近(高温領域)に大きいピークが確認できた。 - 特許庁

The method comprises a polymorphism detection step of detecting the presence or absence of D sequences in a C-terminal region of a CagA protein and the number of the D sequences in the C-terminal region.例文帳に追加

CagAタンパク質のC末端領域中のD配列の有無、および前記C末端領域中のD配列の数を検出する多型検出工程を有する。 - 特許庁

Then, by setting a size of the posterior probability P'(Ck(f)|X(f,τ)) as the index, the observation signal Xm of the frequency domain which is determined to belong to a class Ck(f) is extracted as a separation signal Yn(f,τ) of the frequency domain.例文帳に追加

そして、事後確率P’(C_k(f)|X(f,τ))の大きさを指標とし、クラスC_k(f)に属すると判定される周波数領域の観測信号X_m(f,τ)を周波数領域の分離信号Y_n(f,τ)として抽出する。 - 特許庁

The image input face 10a of an image scanner 20 is positioned and set in a prescribed game area C of the game board of the pachinko machine, and the obstruction nails arranged in the game area C are read by the image scanner 20.例文帳に追加

パチンコ機の遊技盤の所定の遊技領域Cにイメージスキャナ20の画像入力面10aを位置決め設定し、遊技領域Cに設けられた障害釘をイメージスキャナ20で読み取るようにした。 - 特許庁

A silicide technique is used in this state so that a silicide film 29 can be formed on the gate electrode 17 in the first, second, and third regions A, B, and C, and on the source/drain in the second and third regions B and C.例文帳に追加

この状態でサイリサイド技術を適用し、第1、第2および第3領域A、B、Cのゲート電極17上および第2および第3領域B、Cのソース・ドレイン上にシリサイド膜29を形成する。 - 特許庁

In the area C, only when the present operating condition is in the special area C and a deceleration condition is detected, the opening of the exhaust control valve is regulated to the intermediate opening instead of the maximum opening.例文帳に追加

C領域において、現在運転状態が特殊C領域にあり且つ減速状態が検出されている場合にのみ、排気制御弁の開度を最大に代えて中間に調整する。 - 特許庁

The target area having the outline passing the reference points from the set distinction area T and including the optional point C is extracted based on the set optional point C, the detected reference points, and the calculated outline likeness of each pixel.例文帳に追加

設定された任意の点C、検出された基準点、および算出された各画素の輪郭らしさに基づいて、設定された判別領域Tから基準点を通る輪郭を有し、かつ任意の点Cを含む対象領域を抽出する。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層RMによりPチャネル型MISFETを覆いつつ、Nチャネル型MISFETのN型ソース領域およびN型ドレイン領域に、イオン(F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む)を注入する。 - 特許庁

During a common performance, a performance display device 9 can be divided into a plurality of areas A to C capable of displaying predetermined performance contents, and executes a performance different in each of the plurality of areas A to C.例文帳に追加

共通演出中に、演出表示装置9が所定の演出内容を表示可能な複数の領域A〜Cに分割可能であり、複数の領域A〜Cにおいてそれぞれ異なる演出を実行する。 - 特許庁

When length of an edge component in a width direction in the shoulder area 16A is made to S and length of an edge component in a width direction in the central area 16B is made to C, it is made to a relationship of S/C≥2.例文帳に追加

ショルダー領域16Aにおける幅方向エッジ成分長さをSとし、センター領域16Bにおける幅方向エッジ成分長さをCとしたとき、S/C≧2の関係とされる。 - 特許庁

A recording material P having a small size is passed, the spouting holes 6a corresponding to a paper-passing region B are closed, and the spouting holes 6a corresponding to paper non-passing regions C and C' are opened.例文帳に追加

そして、小サイズの記録材Pが通紙されると、通紙領域Bに対応する噴出し口6aは閉鎖し、非通紙領域C・C´に対応する噴出し口6aは開放される。 - 特許庁

To provide a light-modifying sheet which exhibits light-shielding properties because of its ability to show a large haze (%) variation in a relatively low temperature region (40-50°C) and exhibits its effect in a practical temperature region (25-50°C).例文帳に追加

比較的低温(40〜50℃)領域において、ヘーズ値(%)の変化量が大きくなることによって、光遮蔽性を発揮し、実用温度領域(25〜50)において効果を発揮する調光性シートを提供すること。 - 特許庁

It is decided that dew condensation does not occur when the number (m) of out-of-focus character areas (the number of out-of-focus areas) is equal to or smaller than a threshold C and occurs when larger than the threshold C.例文帳に追加

ぼやけている文字領域の数(ぼやけ領域数)mが閾値C以下の場合は、結露が発生していないと判定し、閾値Cよりも大きい場合は、結露が発生していると判定する。 - 特許庁

In the conveying area E1, the space between the projecting parts adjacent to each other in the direction of the central axis C is smaller than that of the projecting parts adjacent to each other in the direction of the central axis C in the stirring area E2.例文帳に追加

搬送領域E1において中心軸C方向に隣り合う突出部Pの間隔は、撹拌領域E2において中心軸C方向に隣り合う突出部Pの間隔よりも小さい。 - 特許庁

例文

Since the listening area 1 on trial of a reproduction time B and the listening area 2 on trial of a reproduction time C are shifted to the front of the frame string, the reproduction time described in the header of the listening data 73 on trial subjected to the frame order change is 'B+C'.例文帳に追加

再生時間Bの試聴領域1と再生時間Cの試聴領域2がフレーム列の先頭に移動されているので、フレーム順変更後試聴データ73のヘッダに記載される再生時間は”B+C”となる。 - 特許庁

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