「C 領域」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The flow rate of a cooling medium is set so that the cooling passage (a) existing in the region A with a large heat load becomes larger than the cooling passage (c) existing in the region C with a smaller heat load.例文帳に追加

冷却媒体の流量は，熱負荷が大なる領域Ａに存する冷却路ａの方が，熱負荷が小なる領域Ｃに存する冷却路ｃよりも大となるように設定される。 - 特許庁

In this piston 20, regions S1-S3 where the wear resisting film C is formed and a region where the film C is not formed exist on a head peripheral surface 22a which is in sliding contact with the inner circumferential surface 26a of a cylinder bore 26.例文帳に追加

ピストン２０においてシリンダボア２６の内周面２６ａと摺接する頭部外周面２２ａには、耐摩耗性皮膜Ｃが形成された領域Ｓ1 〜Ｓ3 と形成されない領域とが存在する。 - 特許庁

Therefore, the predetermined final end region C does not require a buffer having a buffer performance corresponding to the emergency stop brake operation speed in hoisting out of the predetermined final end region C.例文帳に追加

したがって、所定終端領域Ｃにおいて所定終端領域Ｃ以外を昇降するときの非常止め制動動作速度に対応した緩衝性能を有する緩衝器が不要になる。 - 特許庁

When a resist pattern that covers areas c and d is formed, a resist pattern 22 is formed by displacing a mask pattern such that the groove of the area c is completely covered even in the case that a alignment error occurs (step 3).例文帳に追加

領域ｃ，ｄを覆うレジストパターンを形成する場合、位置合わせ誤差が生じても領域ｃの溝が完全に覆われるように、マスクパターンの位置をずらしてレジストパターン２２を形成する（工程３）。 - 特許庁

Further, 100×a/(a+b+c)=A, 100×b/(a+b+c)=B, and 100×c/(a+b+c)=C.例文帳に追加

突起分布：Ａ領域（２０ｎｍ以上３０ｎｍ未満）の突起高さの突起個数ａが５２．５〜９２．５％（Ａ）、Ｂ領域（３０ｎｍ以上４０ｎｍ未満）の突起高さの突起個数ｂが９〜２９％（Ｂ）、Ｃ領域（４０ｎｍ以上）の突起高さの突起個数ｃが０〜１８．５％（Ｃ）、ここで、１００×ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝Ａ、１００×ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝Ｂ、１００×ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝Ｃである。 - 特許庁

When a p-type base region 3 is formed, ions obtained by bonding molecules B and C are implanted to implant B and C at the same time.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の形成時に、ＢとＣとの結合分子をイオン注入することで、Ｂ及びＣを同時にイオン注入する。 - 特許庁

In an ultrasonic image zone A1, an ultrasonic image P and a cursor C are displayed, and the cursor C is not moved even when touched.例文帳に追加

超音波画像領域Ａ１は超音波画像Ｐ及びカーソルＣが表示されるのみであり、タッチしてもカーソルＣは移動しない。 - 特許庁

The oxide ion conductive material is stable without decomposing or phase transition even in a low temperature ranging from ≤600°C to ≥500°C and exhibits the high oxide ion conduction of ≥10^-2 S cm^-1.例文帳に追加

６００℃以下５００℃までの低温領域でも分解や相転移することなく安定であり、10^-2S cm^-1以上の高い酸化物イオン伝導を呈する。 - 特許庁

In a case where a significant pixel is included in a region C, banding can be surely suppressed by using an error diffusion parameter C.例文帳に追加

Ｃ領域に有意な画素が含まれている場合、誤差拡散パラメータＣを用いることにより、バンディングを確実に抑制できる。 - 特許庁

Crimping failure is decided in accordance with the characteristic waveform in each of split areas in A-B, B-C and C-D.例文帳に追加

Ａ−Ｂ間、Ｂ−Ｃ間、Ｃ−Ｄ間の分割領域毎に特性波形に基づいて圧着不良の判定を行う。 - 特許庁

To provide an electrode catalyst layer for fuel cell capable of obtaining excellent output property in a wide temperature range from 0°C to 150°C.例文帳に追加

０℃以上１５０℃以下の幅広い温度領域において、良好な出力特性が得られる燃料電池用の電極触媒層の提供。 - 特許庁

A P-type second well region 6C is formed in the epitaxial layer 2 located in a circumferential part R_C.例文帳に追加

外周部Ｒ_C に位置するエピタキシャル層２にはＰ型の第２ウェル領域６Ｃが形成されている。 - 特許庁

The method has the step of locally heating a specific region in the semiconductor substrate to 300 °C to 600 °C by using laser.例文帳に追加

半導体基板内の所定領域をレーザを利用して300〜600℃の温度に局所的に加熱する工程を備えている。 - 特許庁

The hardening accelerator (b) has a melt point of not less than 120°C, and includes phosphines having an active region at a temperature of not less than 120°C.例文帳に追加

そして、（ｂ）硬化促進剤が、１２０℃以上の融点を有し、活性領域が１２０℃以上であるホスフィン類を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Gases in the quartz vibrator are eliminated after that, and spot resistance welding is applied to areas C, C not welded in this state to complete the air-tight sealing.例文帳に追加

その後水晶振動子内のガスを除去し、この状態で前記未溶接領域Ｃ、Ｃをスポット抵抗溶接し、気密封止の完了となる。 - 特許庁

The sector number of a user data area 109 is divided by the sector number per cluster to obtain an effective cluster number T_c.例文帳に追加

ユーザデータ領域１０９のセクタ数をクラスタ当たりのセクタ数で割って有効クラスタ数Ｔ_cとする。 - 特許庁

The MCU1 reads out the image data from the memory 34 and obtains the luminance values BV2(a) to BV2(c) corresponding to the respective image pickup areas from the image data.例文帳に追加

ＭＣＵ１は、メモリ３４から画像データを読み出し、画像データから各撮像領域に対応する輝度値BV2(a)〜BV2(c)を求める。 - 特許庁

Furthermore, when the finger is released (R) at the position 5, a processing operation D (C screen display) assigned to the screen region C is decided.例文帳に追加

さらに、その位置５でリリース（Ｒ）されると、その画面領域Ｃに割り当てられた処理動作（Ｃ画面表示）が確定する。 - 特許庁

The heating body 2 is so formed as to heat in a temperature range of 38.0°C±2°C, at least, for one or more hours.例文帳に追加

発熱体２は、３8.０℃±２℃の温度領域で少なくとも１時間以上にわたり発熱するようにしてある。 - 特許庁

To achieve a high-temperature thermistor having an extremely stable resistance change rate when being used in a temperature range of ≤1,000°C, in particular 200 to 800°C.例文帳に追加

１０００℃以下、特に２００℃〜８００℃の温度領域での使用に際して、抵抗変化率が極めて安定した高温サーミスタを実現する。 - 特許庁

As a result, minute regions 31 subjected to alignment processing in directions (a) to (c) are present in intersections between directions (b) and (c).例文帳に追加

その結果、ｂ方向及びｃ方向の交差した部分には、ａ〜ｃの方向に配向処理された微小領域３１が存在することとなる。 - 特許庁

To the respective dedicated areas A, B, C, and D of the image display table 12, users A, B, C, and D are seated individually.例文帳に追加

画像表示テーブル１２の各専有領域Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤにはそれぞれ利用者（Ａさん、Ｂさん、Ｃさん及びＤさん）が着席している。 - 特許庁

A second rough floating area M_OUT in which a large number of the exhaust nozzles 12 are exclusively disposed is mounted on a carry-out stage block SB_C at the right edge.例文帳に追加

また、右端の搬出用ステージブロックＳＢ_Cには、専ら噴出口１２を多数配設した第２のラフ浮上領域Ｍ_OUTが搭載される。 - 特許庁

When a user writes characters 'C', 'D', 'E' and 'F' in the areas 221, 222, 223 and 224 respectively, the characters 'C', 'D', 'E' and 'F' are displayed with the fist gradation value.例文帳に追加

ユーザが、領域２２１，２２２，２２３，２２４にそれぞれ文字「Ｃ」「Ｄ」「Ｅ」「Ｆ」を書き込むと、文字「Ｃ」「Ｄ」「Ｅ」「Ｆ」は第一階調値で表示される。 - 特許庁

A conductive part C is arranged in the peripheral area of the opening H and the conductive part C is connected to the ground layer of an LCD board 21.例文帳に追加

開口部Ｈの周辺領域に、導電部Ｃを配置するとともに、導電部ＣをＬＣＤ基板２１のグランド層に接続する。 - 特許庁

Further, the curing promoter (b) has a melting point of 120°C or higher, and an active area of the curing promoter (b) is 120°C or higher.例文帳に追加

そして、（ｂ）硬化促進剤が１２０℃以上の融点を有し、（ｂ）硬化促進剤の活性領域が１２０℃以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a heat pipe for low temperature, functioning as a heat medium which is active in a specific temperature range between +50°C and -50°C.例文帳に追加

＋５０℃〜−５０℃の間の所定の温度領域で活発な熱媒体としての機能を発揮する低温用ヒートパイプの提供。 - 特許庁

Then, after subjecting the Si single-crystal substrate to a temperature rise to 460-480°C, a holding time τapproximated by a function of the temperature of the substrate is provided (C region).例文帳に追加

次に、Ｓｉ単結晶基板を４６０〜４８０℃まで昇温させた後、基板温度の関数で近似される保持時間τを設ける（Ｃ領域）。 - 特許庁

Accordingly, the continuous data (a), (b) and (c) are eventually written into the continuos sectors A', B' and C' within the same alternate sector X.例文帳に追加

したがって、連続するデータａ、ｂおよびｃは、同じ代替セクタ領域Ｘ内の連続するセクタＡ'、Ｂ'およびＣ'に書込まれることになる。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium wherein electromagnetic conversion characteristics, especially a C/N ratio in a high-density recording area, are greatly improved.例文帳に追加

電磁変換特性、特に高密度記録領域でのC/N比が格段に改良された磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

The display device 10 is arranged along the column P with a corner C and is provided with a bent area 11 round the corner C.例文帳に追加

陳列装置１０は、コーナーＣを有する支柱Ｐに沿って配置されるとともに、コーナーＣを回り込む屈曲領域１１を備えている。 - 特許庁

In a culture vessel 1 where liquid mixture C of the photosynthetic microalgae and culture solution flows, the photosynthetic microalgae are retained in a region occupying a part of the culture vessel 1, which is a concentrated culture region 3 adjusted to easily retain the photosynthetic algae in the liquid mixture C compared with other regions except for the concentrated culture region.例文帳に追加

光合成微細藻類と培養液の混合液Ｃが流動する培養槽１において、培養槽１の一部を占める領域であって、当該領域以外の他の領域と比べ混合液Ｃ中の光合成微細藻類が滞留しやすくなるように調整された集中培養領域３に光合成微細藻類を滞留させる。 - 特許庁

An electrification control roller 11 is arranged as a toner electrification quantity changing means for changing the electrified quantity of toner on a developing roller 6 passing through the developing area A so that the toner on the developing roller 6 can move toward a magnet roller 7 in a toner supply area C on the moving path where the surface of the developing roller 6 moves from the developing area A to the toner supply area C.例文帳に追加

現像ローラ６の表面が現像領域Ａからトナー供給領域Ｃまで移動する移動経路上で、現像領域Ａを通過した現像ローラ６上のトナーの帯電量を、現像ローラ６上のトナーがトナー供給領域Ｃでマグネットローラ７側に移動可能な程度まで変化させるトナー帯電量変更手段として、帯電制御ローラ１１を設ける。 - 特許庁

Further, a performance to be executed at least in any area of the plurality of areas A to C can be changed on condition that operation has been performed by a stick controller, and a super ready-to-win performance is executed which is different in response to a variable mode of performance in an area where the performance has been changed among the plurality of areas A to C.例文帳に追加

また、スティックコントローラによる操作が行われたことを条件として、複数の領域Ａ〜Ｃのうち少なくともいずれか１つの領域において実行する演出を変化させることが可能であり、複数の領域Ａ〜Ｃのうち演出が変化された領域における演出の変化態様に応じて異なるスーパーリーチの演出を実行する。 - 特許庁

If a polynomial having no zero point in an area D exists in a complex interval polynomial F(x), one point c (representative point c) on the boundary C of the area D is selected and a check is made as to whether or not a polynomial whose zero point is the representative point c exists in the complex interval polynomial F(x) (step S4).例文帳に追加

複素区間多項式Ｆ（ｘ）中に、領域Ｄに零点を持たない多項式が存在する場合に、領域Ｄの境界Ｃ上の一点ｃ（代表点ｃ）を選択して、この代表点ｃを零点とする多項式が複素区間多項式Ｆ（ｘ）の中に存在するか否かを調べる（ステップＳ４）。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a drain region 22 and a source region 23, formed with interval between each other on the top surface of a semiconductor substrate 21, a protrusion 25 formed on a channel layer C between the regions 22 and 23, a gate electrode 24 formed on the protrusion 25, and a drain electrode 26 and a source electrode 27 each being formed on the drain region 22 and the source region 23.例文帳に追加

本発明は半導体基板２１の上面に間隔を置いて形成されるドレイン領域２２およびソース領域２３と、このドレイン領域２２およびソース領域２３の間のチャネル層C上に形成される凸状部２５と、この凸状部２５の上部に形成されるゲート電極２４と、ドレイン領域２２およびソース領域２３の上部に形成されるドレイン電極２６およびソース電極２７とを備えたものである。 - 特許庁

An upward or downward arrow on an upper hem and a lower hem of a cursor Wp is displayed because an information display area A exists over an information display area B, which displays the cursor Wp, and an information display area C exists below that.例文帳に追加

いまカーソルＷｐが表示されている情報表示領域Ｂの上側には情報表示領域Ａが存在し、その下側には情報表示領域Ｃが存在するので、カーソルＷｐの上辺および下辺に上方向または下方向の矢印が表示される。 - 特許庁

In the metallic hollow golf club head, a sole part 1 is provided into three in the toe-heel direction and the thickness of a toe part area A and a heel part area C is made thicker than that of a central part area B.例文帳に追加

金属中空製のゴルフクラブヘッドにおいて、ソール部１をトウ−ヒール方向に３分割し、トウ部領域Ａとヒール部領域Ｃの肉厚を中央部領域Ｂの肉厚よりも厚くしたことを特徴とするゴルフクラブヘッドである。 - 特許庁

A bank portion 2c formed in a boundary area C can prevent the inflow of underfill 6 to be adhesive resin formed between a substrate 1 and flip-chip bonded IC chip 5 from a circuit area B into a piezoelectric area A.例文帳に追加

基板１とフリップチップボンディングされたＩＣチップ５との間に形成された接着樹脂としてのアンダーフィル６が、回路領域Ｂから圧電領域Ａへ流れ込むことを、境界領域Ｃに形成された堤部２ｃにより防ぐことができる。 - 特許庁

In order that collisional cooling of ions are sufficiently carried out while passing-through in the region #1, and that the ions are sufficiently converged in the vicinity of an ion light axis C near the end of the region #1, the direct current electric field to appropriately accelerate the ions is formed in the region #1.例文帳に追加

領域＃１を通過する間にイオンの衝突冷却が十分に行われ、領域＃１の終点付近でイオンがイオン光軸Ｃ近傍に十分に収束するように、領域＃１には適度にイオンを加速する直流電場を形成する。 - 特許庁

In a first triple well functional cell TW1-L (C) without a circuit function, a region of the DNW region 7 protruded to a well region 5a is arranged in a shape of L from a second side 1b to a third side 1c of a cell frame.例文帳に追加

回路機能をもたない第１トリプルウェル用セルＴＷ１−Ｌ（Ｂ）で、ウェル領域５ａに対するＤＮＷ領域７のはみ出し領域はセル枠の第２辺１ｂから第３辺１ｃにわたってＬ字型に配置されている。 - 特許庁

The connection region C in the lead plate 101a is in a truncated chevron shape or U shape where an upper part is connected in a state escaping from a virtual straight line A_X3 for connecting centers P_1, P_2 of the regions A, B, respectively.例文帳に追加

リード板１０１ａにおける連結領域Ｃは、領域Ａと領域Ｂとの中心Ｐ_１，Ｐ_２を結ぶ仮想直線Ａ_Ｘ３から逃げる状態に、上部が連結されたハの字状、またはコの字状、またはＵ字状の形状となっている。 - 特許庁

The method also includes subsequently conducting hot isostatic pressing and/or diffusion bonding so that the arrangement forms a single solid component having first, second and third regions 16, 18, 20 having first, second and third compositions A, B, C, respectively.例文帳に追加

次いで、第１組成物Ａの第１領域１６、第２組成物Ｂの第２領域１８、及び第３組成物Ｃの第３領域２０を持つ単一の固体の構成部品を形成するように熱間等方圧加圧および／または拡散結合を行う。 - 特許庁

Further, the plurality of insulating columns 22a to 22d are positioned in a region B different from an arrangement region A of the semiconductor element 10, and arranged at irregular intervals (a) and (b) in a rotating direction of the semiconductor element 10 in a region C which comes into contact with the semiconductor element 10 when the semiconductor element 10 rotates.例文帳に追加

また、複数の支柱２２ａ〜２２ｄは、半導体素子１０の配置領域Ａと異なる領域Ｂに位置し、且つ、半導体素子１０が回転した場合に半導体素子１０に接触する領域Ｃにおいて回転方向に不均一な間隔ａ，ｂでそれぞれが配置されている。 - 特許庁

Data of the radio encryption key is recorded in a non-disclosed area for the partially non-disclosed code C, then if a decryption means decrypts the non-disclosed area, data recorded in the non-disclosed area is set as the radio encryption key, and a radio connection processing with an access point AP is performed.例文帳に追加

更に、一部非公開コードＣの非公開領域には、無線暗号キーのデータが記録されており、解読手段によって非公開領域が解読された場合には、当該非公開領域に記録されたデータを無線暗号キーとして設定し、アクセスポイントＡＰとの無線接続処理を行っている。 - 特許庁