「Flash Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

A monitoring part 102f monitors the life of a storage device 2 according to the cumulative rewrite count recorded in the cumulative rewrite count management table 22b and a rewrite count limit value recorded in the flash memory.例文帳に追加

監視部１０２ｆは、ストレージ装置２の寿命を、累計書換え回数管理テーブル２２ｂに記録された累計書換え回数と、フラッシュメモリに記録された書換え回数制限値とに基づいて監視する。 - 特許庁

To provide a gate electrode forming method of a flash memory element, in which CD (critical dimensions) of a gate electrode can be secured by controlling the thickness of a sidewall oxidation film formed in a sidewall of the gate electrode so as to be uniform.例文帳に追加

ゲート電極側壁に形成される側壁酸化膜の厚さを均一に制御してゲート電極のＣＤ(critical dimension)を確保可能にするフラッシュメモリ素子のゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a means capable of preventing destruction of data other than data under writing by the disconnection of the power supply under writing, in a nonvolatile storage device using a multivalue flash memory.例文帳に追加

多値フラッシュメモリを用いた不揮発性記憶装置において、書込み中の電源断で書込み中データ以外のデータが破壊されることを防止し、かつ高い記憶密度を保持できる手段を提供する。 - 特許庁

A CPU 10 transfers the line data stored in the image memory 20 to a USB interface 22 at the line data unit of the number of lines prestored in a flash ROM 11 for every color component.例文帳に追加

ＣＰＵ１０は、画像メモリ２０に記憶させてあるラインデータを各色成分毎にフラッシュＲＯＭ１１に予め格納してあるライン数のラインデータ単位でＵＳＢインタフェース２２へ転送する。 - 特許庁

In a bit line contact of a NAND type flash memory, a first contact opening CH1, a second contact opening CH2a, and a third contact opening CH2b are provided, constituting a stacked contact.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのビット線コンタクトには、スタックドコンタクトを構成する第１のコンタクト開口部ＣＨ１、第２のコンタクト開口部ＣＨ２ａ、及び第３のコンタクト開口部ＣＨ２ｂが設けられる。 - 特許庁

To provide a method for operating a flash memory so that high speed property of deletion processing and that of write processing may be improved and promoted and sufficient durability and data-retention capability may be secured at the same time.例文帳に追加

消去処理と書き込み処理との高速性を改善・促進するようフラッシュメモリを動作させる方法であって、同時に、十分な耐久性とデータ保持能力と確保する方法を提供する。 - 特許庁

When the device is started, power interruption information is read from the flash memory, and the control is performed so that information recorded in the optical disk before power interruption is assured in a sector unit by performing the prescribed processing based on the power interruption information.例文帳に追加

そして、前記停電情報に基づいて所定の処理を行うことにより、停電が発生するまでに当該光ディスクに記録した情報をセクタ単位で保証するように制御を行う。 - 特許庁

When the data of the flash memory are in an erasure state even when the comparison result does not show the matching, the rewrite circuit 105 only rewrites the rewriting data in the RAM 104 without performing erasure processing.例文帳に追加

また、書換え回路１０５は、比較結果が一致しない場合でも、フラッシュメモリのデータが消去状態のとき、消去処理を行わずＲＡＭ１０４上の書換えデータの書換えのみ行う。 - 特許庁

An A/D converter section 206 and a signal processing circuit 208 apply a prescribed signal processing to each photographing image, an expansion/compression processing section 210 compresses the processed image and stores the compressed image to a flash memory 212.例文帳に追加

各撮像画像はＡ／Ｄ変換部２０６及び信号処理回路２０８で所定の信号処理が行われ後、伸長／圧縮処理部２１０で圧縮されてフラッシュメモリ２１２に記録される。 - 特許庁

In the start of erasure production of the flash memory, the erasure time of a sector 1 is measured (S 11) and the erasure time of the sector 1 is fetched (S 12), The magnitude of both the erasure times is compared (S 13).例文帳に追加

フラッシュメモリの消去処理開始で、セクタ１の消去時間を測定し（Ｓ１１）、テーブルデータからセクタ１の消去時間を取り出し（Ｓ１２）、両消去時間の大小を比較する（Ｓ１３）。 - 特許庁

When adjustment processing before shipping the device to which the flash memory is mounted is completed, the adjustment/inspection program at the region 15 is rewritten to another program, and then the device is shipped.例文帳に追加

なお、当該フラッシュメモリを取付けられた装置の出荷前の調整処理が終了すると、領域１５の調整・検査プログラムが別のプログラムに書換えられた後に、当該装置が出荷される。 - 特許庁

The temperature sensor is composed of a label 131 which is stuck on the surface of the flash memory 120 and varies in reflection factor with the temperature and an optical sensor 121 which decides the reflection factor of the label 131.例文帳に追加

温度センサは、フラッシュメモリ１２０の表面に貼付された、温度に応じて反射率が変化するラベル１３１と、ラベル１３１の反射率を判別する光センサ１２１とから構成されている。 - 特許庁

The MPU 3 also stores in the memory chips 14_1, 14_2 other operating histories such as the cumulative number of times that the flash disk 1 is powered, the timer values, a history of command processes, internal error numbers, and a history of alternative processes.例文帳に追加

また、ＭＰＵ３は、フラッシュディスク１における累計の電源ＯＮ回数、タイマ値、コマンド処理履歴、内部エラー番号、および代替処理履歴などの処理履歴もメモリチップ１４_1 ，１４_2 に格納する。 - 特許庁

The boot program 10 is stored in a first particular area inside the flash memory, and a storage area for a boot rewriting control program 11 is provided in a second particular area different from the first particular area.例文帳に追加

フラッシュメモリ内部の第１特定領域にブートプログラム１０が格納され、第１特定領域とは別の第２特定領域にブート書き換え制御プログラム１１格納領域を有する。 - 特許庁

When reading credit information stored in an IC card, and for making a storage part (flash memory) store it, an onboard unit generates an authenticator (S225), and writes the authenticator in the IC card and the storage part (S230).例文帳に追加

車載装置は、ＩＣカードに記憶されたクレジット情報を読み出して記憶部（フラッシュメモリ）に記憶させる際、認証子を生成し（Ｓ２２５）、ＩＣカードと記憶部に認証子を書き込む（Ｓ２３０）。 - 特許庁

Accordingly, even during the state where the GPS unit 45 is being used, the captured image data are recorded on the built-in flash memory 51, so that a photographer is allowed to perform photographing without interruption.例文帳に追加

このため、ＧＰＳユニット４５を使用した状態でも、撮影画像データが内蔵フラッシュメモリ５１に記録されることとなり、撮影者は撮影を中断することなく撮影を行うことが可能となる。 - 特許庁

When an interface part 15 receives consumption amount information, an IC card 1 updates balance information, records it in a flash memory 14 and starts the timer of a timer processing part 13 in accordance with the program of ROM 12.例文帳に追加

ＩＣカード１は、インターフェース部15が消費金額情報を受信すると、ＲＯＭ12のプログラムにしたがって、残高情報を更新してフラッシュメモリ14に記録すると共に、タイマー処理部13のタイマーを起動する。 - 特許庁

A flash memory in which initialization information is stored in fuse cell arrays 110-112 is provided with a read-out control circuit 13 performing read-out of initialization information at the time of initialization operation of a chip dividing into plural times.例文帳に追加

初期化情報をフューズセルアレイ110 〜112 に記憶させているフラッシュメモリにおいて、チップの初期化動作時に初期化情報の読み出しを複数回に分割して行う読み出し制御回路13を設けている。 - 特許庁

To provide a video/audio accumulation apparatus which increases capacity of an expensive flash memory and further enables a temporal or locational relationship of a motion picture and a still picture to be easily grasped.例文帳に追加

高価なフラッシュメモリの容量を増加することができ、しかも、動画と静止画との時間的或いは位置的な関連も容易に把握することが可能な画像音声蓄積装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing flash memory device with which a cell area can be miniaturized and highly integrated by making an etching process for defining a floating gate into anisotropic etching process.例文帳に追加

フローティングゲートを定義するためのエッチング工程を非等方性エッチング工程とすることにより、セル面積を最小化し且つ高集積化できるようにしたフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

A flash memory 15 prepares LTPb 152-i that has a group of entries to register physical addresses information of blocks which are assigned as logical block addresses of every zone 154-i to which the blocks belong.例文帳に追加

論理ブロックアドレスが割り当てられるブロックの物理アドレス情報を登録するためのエントリの群を有するＬＴＰｂ１５２-iを、そのブロックが属するゾーン１５４-i毎にフラッシュメモリ１５に用意する。 - 特許庁

A resistance element 22 and an N-channel MOS transistor 26 are connected in series between an output terminal 8.1a of a voltage generating circuit included in a flash memory and a line for a grounding potential GND.例文帳に追加

フラッシュメモリに含まれる電圧発生回路８．１の出力端子８．１ａと接地電位ＧＮＤのラインとの間に、抵抗素子２２およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ２６を直列接続する。 - 特許庁

Even when a flash memory of the microcomputer B4 is replaced with a mask ROM or the like, a correction of a boot program for each microcomputer is unnecessary, and the processing system can be used immediately for various purposes.例文帳に追加

これにより、マイコンＢ４のフラッシュメモリをマスクＲＯＭ等に変更しても、各マイコンのブートプログラムの修正は不要となり、本処理システムを様々な用途に即座に利用することが可能となる。 - 特許庁

The page in the block is divided into a plurality of sub-blocks, and a storing order is changed by a unit of each group, thus the flash memory system 1 can be improved in its rewriting efficiency.例文帳に追加

このようにブロック内のページを複数のサブブロックに分割して、各グループ単位で記憶順序を変更することによって、フラッシュメモリシステム１は、その書替効率を向上させることができる。 - 特許庁

To discharge a dummy capacitor with a constant current until a lower voltage level is achieved when a sense time of a sense amplifier is controlled using the dummy capacitor in a NAND flash memory.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、ダミーキャパシタを用いてセンスアンプのセンス時間を制御する場合に、より低い電圧レベルまでダミーキャパシタを定電流放電させることができるようにする。 - 特許庁

To enable suppressing occurrence of a program disturb failure and also degradation in an error correction capability of an ECC circuit in a NAND type flash memory with the ECC circuit.例文帳に追加

本発明は、ＥＣＣ回路を備えたＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、Ｐｒｏｇｒａｍ Ｄｉｓｔｕｒｂ不良の発生のみならず、ＥＣＣ回路のエラー訂正能力の低下を抑制できるようにする。 - 特許庁

During read operation, a NAND type flash memory 100 makes a p type semiconductor substrate Psub of a block 1a made unselected by a row decoder 2 into grounding potential VSS.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１００は、読み出し動作時に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１００は、ロウデコーダ２により非選択とされたブロック１ａのｐ型半導体基板Ｐｓｕｂを接地電位ＶＳＳにする。 - 特許庁

To provide a microcomputer in which an operation frequency at the writing time can be reduced approximately to 32 kHz without needing a timer for measuring the time required for writing data in an incorporated flash memory.例文帳に追加

搭載するフラッシュ・メモリへの書き込み時間を計測するタイマを持たず、書き込み時の動作周波数を３２ＫＨｚ程度まで落とせるマイクロコンピュータと、そのフラッシュ・メモリへのデータ書き込みライタを提供する。 - 特許庁

By division into the plurality of blocks 1b, the number of rewriting of data per sector 1a is increased by N times compared to a conventional method, and the number of deletion is 1/N times, thus lengthening the service life of the flash memory 1.例文帳に追加

また、複数のブロック１ｂに分割することにより、セクタ１ａ当たりのデータ書換回数は従来に比しＮ倍に増へ、消去回数は１／Ｎとなり、フラッシュメモリ１の寿命を延ばす。 - 特許庁

To solve the problem of a flash memory to be used in place of a large-capacity storage device such as a hard disk drive, while appropriately putting emphasis on a lifetime of the device or its access speed.例文帳に追加

ハードディスクドライブなどの大容量記憶装置の代替使用に際し、フラッシュメモリの課題を解決しつつ、記憶装置の意味づけを装置寿命かアクセス速度かの最適な状態に設定する。 - 特許庁

When the normal operation program is not correctly held inside the SDRAM 34, the processor 32 transfers the initial operation program inside a flash memory 33 into the SDRAM 34 based on the initial operation program.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭ３４内に通常動作プログラムが正しく保持されていない場合は、プロセッサ３２は、初期動作プログラムに基づいて、フラッシュメモリ３３内の初期動作プログラムをＳＤＲＡＭ３４内に転送する。 - 特許庁

In the case of a telephone mode, since the communication unit has only a telephone transmission reception function, the unit transmits an image denoting 'image transfer in preparation' that is able to find out prepared in advance in a flash memory 213.例文帳に追加

ＴＥＬモードである場合、電話の発着信の機能しか持たないので、あらかじめフラッシュメモリ２１３に用意しておいた「画像転送準備中」と表示した画像を送信する（Ｓ６０３）。 - 特許庁

A JPEG companding circuit controlled by an image processing CPU 252 in a video recording block compresses a received video signal and a flash memory stores the signal to which a start mark and an end mark are attached.例文帳に追加

入力された映像信号は、録画ブロックの画像処理ＣＰＵ２５２によって制御されるＪＰＥＧ圧縮・伸張回路で圧縮され、スタートマーク及びエンドマークが付加されてフラッシュメモリに保存される。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device which can solve the problem of lowering of reliability of the device to be caused in a process of forming drain contacts, while simplifying the process.例文帳に追加

工程を単純化させるとともに、ドレインコンタクトを形成するための工程過程で発生する素子の信頼性の低下問題を解消することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

When the electronic flash is used, in addition, the picked-up image (the image picked up when a shutter is operated) is stored and recorded in a memory for recording after the image is again inverted to its proper. direction.例文帳に追加

また、ストロボ撮像が行われた場合には撮像画像（シャッター操作時に取り込まれた画像）の上下を反転して正しい向き（被写体と鏡像関係）に直した後に記録用メモリに保存記録する。 - 特許庁

To provide a storage control device for controlling a storage destination of data between storage devices differed in power consumption such as a hard disk and a flash memory device by use of the time zone-based change of power rate.例文帳に追加

本発明の記憶制御装置は、電力料金の時間帯による変化を利用し、ハードディスクとフラッシュメモリデバイスのような消費電力の異なる記憶デバイスの間で、データの格納先を制御する。 - 特許庁

Related to a method for manufacturing a flash memory, a low-voltage transistor part constituting a peripheral circuit goes through many etching processes, so an isolation oxide film 101a in that region is eroded for degraded isolation characteristics.例文帳に追加

フラッシュメモリの製造方法では、周辺回路を構成する低電圧トランジスタ部がエッチング工程を多く経るため、その領域の分離酸化膜１０１ａが浸食され、分離特性が悪くなっていた。 - 特許庁

When motion picture photographing and recording processing is performed, motion picture data imaged by a CCD 4 are recorded in a flash memory 11 (S44) and the distance of an object is detected from a present position of a focus lens (S45).例文帳に追加

動画撮影記録処理が行われると、ＣＣＤ４により撮像された動画データをフラッシュメモリ１１に記録していき（Ｓ４４）、現在のフォーカスレンズの位置から被写体の距離を検出してく（Ｓ４５）。 - 特許庁

After a silicon nitride film is deposited on the entire surface, an opening is made at a desire position for forming the flash memory 1 and a part of the polysilicon film 6 is etched before a third insulation film 10a is formed.例文帳に追加

次にシリコン窒化膜を全面に付した後、フラッシュメモリ１を形成する所望位置に、開口部を設けてポリシリコン膜６の一部をエッチングした後に、第３の絶縁膜１０ａを形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory device improving a margin in a photo process, preventing defects in pattern, and preventing defects such as photo mask collapse by decreasing aspect ratio of photo mask.例文帳に追加

フォト工程のマージンを向上させること、パターン不良を防止すること、及びフォトマスクのアスペクト比を減らしてフォトマスク崩壊などの不良を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

In the event of failure to correct an error by an error detection and correction module, re-reading out of a flash memory cell is attempted at least once by using one or more correction reference voltages.例文帳に追加

エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した場合、エラー訂正が成功するまで、少なくとも一度、一つ以上の修正基準電圧を用いて、フラッシュメモリ・セルの再読み出しを行う。 - 特許庁

To provide a multi-plane type flash memory for improving operation speed and data throughput by simultaneously performing programming and read operations for plural planes in response to a chip enable signal containing plural bits.例文帳に追加

マルチプレーン型フラッシュメモリにおいて、複数のビットを含むチップイネーブル信号によって複数のプレーンのプログラムおよび読出し動作を同時に実行することにより、その動作速度とデータ処理量を増加させる。 - 特許庁

To provide the rewriting method of program data for surely rewriting existing program data with new program data without setting many storage areas in a flash memory 28, and an equipment control system.例文帳に追加

フラッシュメモリ２８に多くの記憶領域を設けること無く、且つ、確実に既存のプログラムデータを新規のプログラムデータに書き換えることが可能なプログラムデータの書き換え方法及び機器制御システムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device capable of improving a programming speed by increasing the phosphorus concentration of a polysilicon film used as the control gate without reducing a coupling ratio.例文帳に追加

コントロールゲートとして用いられるポリシリコン膜のリン濃度を増加させながらカップリング比を低めないで、プログラム速度を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A logic LSI is integrated into one chip together with a logic FET wherein a high-permittivity insulation film as a gate insulation film and a gate electrode are provided, so as to constitute the charge-trap type flash memory.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜としての高誘電率絶縁膜及びゲート電極を有するロジックＦＥＴと共に、１チップ内に混載することによりロジックLSIを半導体基板上に構成する。 - 特許庁