「HIGH-RIDGE」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a large-scaled hipped roof-like folding tent capable of high installing the central strut without being in danger of bending ridge materials even if it is a framing structure with the high ceiling.例文帳に追加

天井の高い骨組構造であっても棟材が撓む恐れがなく中央支柱を高く設置することが可能な大型の寄棟状折畳式テントを提供する。 - 特許庁

Outside the ridge part 20A at the central portion in the direction of a resonator, an insulating film of high refractive index (high refractive index layer 32) is used as the insulating film closer to the active layer 22.例文帳に追加

共振器方向の中央部分のリッジ部２０Ａ外において、活性層２２に近い方の絶縁膜として、屈折率の高いもの（高屈折率層３２）が用いられている。 - 特許庁

To provide a high-reliability semiconductor laser element, in which a kink level is improved by cutting of a primary transverse mode without making the ridge width narrow.例文帳に追加

リッジ幅を狭くすることなく、１次横モードをカットオフして、キンクレベルを向上させ、且つ信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which has a ridge structure and an edge current non-injection region and can improve reliability under high output oscillation.例文帳に追加

リッジ構造と端面電流非注入領域を有する半導体レーザ素子において、高出力発振下での信頼性を向上する。 - 特許庁

To provide a ridge type semiconductor laser device that can be made low in cost and high in output and suppress power supply deterioration.例文帳に追加

低コスト化及び高出力化を図ることができるとともに、通電劣化を抑制することができるリッジ型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Width W of the ridge optical waveguide 14 is set at a dimension satisfying a high-order propagating mode cut-off condition, with respect to the wavelength converted light.例文帳に追加

このリッジ型光導波路14の幅Wは、被波長変換光に対して高次伝播モードカットオフ条件を満たす寸法に形成されている。 - 特許庁

To achieve a high-output and long-life semiconductor light-emitting device with a ridge stripe type wave guide structure, by improving the production yield depending on the cleavage and assembling of the semiconductor light-emitting device, and reducing the stress to the ridge-stripe part when the semiconductor light-emitting device is assembled in a j-down manner.例文帳に追加

リッジストライプ型導波路構造半導体発光装置の劈開、組立による歩留まりを向上させ、ｊ−ｄｏｗｎで組み立てた場合にリッジストライプ部分へのストレスを軽減し、高出力、長寿命を達成する。 - 特許庁

The lowering of height of the ridge portion 108 near the light-emitting edge allows the effect of stress, applied to the ridge portion 108, to be small, keeping the loss in waveguide small, and high output and the improvement in the polarization ratio become compatible.例文帳に追加

このように、光出射端近傍のリッジ部１０８の高さを低くすることにより、低導波損失を維持しつつ、リッジ部１０８に加わる応力の影響を小さくすることができ、高出力化と偏光比改善との両立が可能となる。 - 特許庁

The inner peripheral surface helicoid part is provided all over the periphery of the inner peripheral surface and respective helicoid ridges 315 constituting the inner peripheral surface helicoid part are equipped with a 1st high ridge part 315a and a 2nd low ridge part 315b and continuously formed.例文帳に追加

内周面ヘリコイド部は上記内周面の全周に渡って設けられ、当該内周面ヘリコイド部を構成する各ヘリコイド山315は、背の高い第１山部分315ａと背の低い第２山部分315ｂとを備えて連続的に形成されている。 - 特許庁

To provide a laser diode of a nitride semiconductor in which a ridge structure is formed by an n-type layer, instead of a ridge structure of a p-type layer which is high in resistance in comparison with the n-type layer, and has a difficulty of ohmmic contact formation, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ｎ-タイプ層に比べて抵抗が大きく、オーミックコンタクト形成の難しさを持っているｐ-タイプ層のリッジ構造の代わりに、ｎ-タイプ層にリッジ構造を製作する窒化物半導体のレーザダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To carry out seedling sorting of high accuracy while young seedlings is prevented from being damaged by collapse of ridge soil, by allowing a CCD camera to move without movement of cell trays in the vertical and transverse directions.例文帳に追加

セルトレイを縦横に移動させずにＣＣＤカメラを移動させ、培土の崩れによる幼苗の損傷を防止しつつ、高精度な苗選別を行う。 - 特許庁

To achieve a ridge having a vertical side surface, and obtain high power from a semiconductor laser, and further suppress any kink of an optical output-current characteristic.例文帳に追加

側面が垂直形状のリッジ部を実現することができ、半導体レーザの高出力化をはかると共に光出力—電流特性のキンクを抑制する。 - 特許庁

To provide a ridge pole-directionally banked construction which can be constructed easily and at a low cost, and inhibiting the elevation of temperature by a high air-ventilating capacity.例文帳に追加

高い換気能力で温度上昇を抑制することができる、簡易かつ安価に建設可能な棟方向傾斜建築物を提供すること。 - 特許庁

To provide an aeration operation machine capable of performing improvement operation of soil with high efficiency, and especially obtain a higher improvement effect inside a ridge.例文帳に追加

高能率で土壌の改善作業を行うことができるエアレーション作業機、なかでも畝内部に対する改善効果の高いエアレーション作業機を提供する。 - 特許庁

For this reason, the equivalent refractive index of the high mesa ridge type modulator 14 becomes 0.998 times to 1.0 times that of the buried-type semiconductor laser 12.例文帳に追加

これにより、ハイメサリッジ型変調器１４の等価屈折率は、埋め込み型半導体レーザ１２の等価屈折率の０．９９８倍から１．０倍になる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ridge semiconductor laser having high oscillation efficiencies without making an etching stop layer exist between blocking layers and a first upper clad layer.例文帳に追加

ブロック層と第１上クラッド層との間にエッチングストップ層が存在せず、発振効率の高いリッジ型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ridge-waveguide semiconductor optical element that has a single wavelength property and can carry out high-speed and low-threshold operation, and a method for manufacturing the semiconductor light element.例文帳に追加

単一波長性を有し、高速動作と、低閾値動作の可能なリッジ導波路型の半導体光素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a ridge waveguide semiconductor laser diode which maintains an optical output/injection current characteristic at a linear relation up to its very high optical output.例文帳に追加

非常に高い光出力まで、光出力／注入電流特性が線形関係を維持するリッジ導波路型半導体レーザダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element of high reliability by preventing release of P from an InP layer which takes place with oxidation at a high temperature, and preventing a ridge side surface and a bottom part from being roughened.例文帳に追加

高温での酸化処理時に発生するＩｎＰ層からのＰの脱離を防ぎ、リッジ側面や底部の荒れを防いで、信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide such a semiconductor laser in a normal mesa ridge buried waveguide semiconductor laser that can reduce a resistance in elements on the top of the normal mesa ridge pinched by current block layers and realize a high output, by ensuring the stability in the horizontal mode by reducing a width of the bottom of the normal mesa ridge and by eliminating optical absorption loss by ensuring enough thickness of a clad layer.例文帳に追加

順メサリッジ埋込導波型半導体レーザにおいて、順メサリッジの基底部の幅を狭くして横モードの安定性を確保し、かつ上クラッド層の厚みを充分確保して光の吸収ロスを少なくしつつ、電流ブロック層で挟まれた順メサリッジ頂上部の素子抵抗の少ない高出力の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a group III-V compound semiconductor that enables the base width W of a ridge and the thickness d of a residual film to be set high in dimensional accuracy and a current block layer formed sandwiching in the ridge of a second clad layer to grow, and prevents generation of a void.例文帳に追加

リッジ底辺の幅Ｗおよび残し膜厚ｄを高寸法精度で形成でき、さらにリッジの側壁にも電流ブロック層が成長するとともに、ボイドの発生も抑制可能なIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The center area 32 of the ridge constitutes an almost circular and non-oxidized core layer having a high refractive index and is functioned as an optical waveguide and the peripheral area of the ridge constitutes a light enclosing structure consisting of an Al oxide layer having a low refractive index.例文帳に追加

リッジ中央領域３２は、ほぼ円形の非酸化の屈折率の高いコア層を構成して光導波路として機能し、リッジ中央領域以外のリッジ周辺領域は、屈折率の低いＡｌ酸化層からなる光閉じ込め構造を構成する。 - 特許庁

Use is made of gas in which ratio of carbon to fluorine is large, and selectivity to the resist is increased by using a high density plasma/large flow rate/high vacuum process, so that ridge working whose width is 3 μm and height is 1.5 μm is enabled.例文帳に追加

フッ素に対する炭素の比の大きいガスを使用し、高密度プラズマ・大流量・高真空プロセスを使用することで対レジスト選択比を向上させ、幅３μｍ、高さ１．５μｍのリッジ加工が可能となる。 - 特許庁

To generate an accurate, strong, and appropriate initial control mesh (ICM) of a loop subdivided curved surface at high speed for a group of high density measuring points having an intricate shape including a characteristic ridge line part obtained from scanning a three-dimensional model.例文帳に追加

３次元モデルのスキャニングから得た特徴稜線部を含む複雑な形状の高密度測定点群に対して、高精度かつ頑健、高速に適切なLoop細分割曲面の初期制御メッシュ（ICM）を生成する。 - 特許庁

Ridge working whose width is 3 μm and height is 1.5 μm is achieved by using gas whose ratio of carbon to fluorine is large, and increasing the selectivity to the resist by using high density plasma, a large flow rate, high vacuum process.例文帳に追加

フッ素に対する炭素の比の大きいガスを使用し、高密度プラズマ・大流量・高真空プロセスを使用することで対レジスト選択比を向上させ、幅３μｍ、高さ１．５μｍのリッジ加工が可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device of ridge waveguide type which exhibits a low driving voltage, a large θ_// and satisfactory optical power- injection current characteristics up to the high-power region, namely exhibits a high kink level.例文帳に追加

駆動電圧が低く、かつθ_//が大きく、しかも高出力域まで光出力−注入電流特性が良好な、つまり高いキンクレベルを有するリッジ導波路型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To realize a display device in which high reflective performance is exhibited, brightness variations due to a shade of a ridge region or generation of a lamp image are suppressed, and uniform and high brightness is shown when it is used for the display device.例文帳に追加

表示装置に用いた場合に、高い反射性能を発揮して、稜線領域の陰による輝度ムラあるいはランプイメージの発生を抑制し、かつ均一で高い輝度を示す表示装置を実現できること。 - 特許庁

To provide a positioning method of a panel member capable of positioning a panel member having butting ridge parts formed in two directions at a predetermined butting position with high accuracy.例文帳に追加

本発明は、高精度に、２方向に突き合わせの辺部が形成されたパネル部材を所定の突き合わせ位置に位置決められるパネル部材の位置合わせ方法を提供する。 - 特許庁

To disclose a plain-ridge tile, in which labor required for binding works by a binding wire is reduced and which has a binding structure being not shaken and broken and having high reliability, and its manufacturing method.例文帳に追加

緊結線による緊結作業にかかる手間を減らし、且つ、ぐらつきや折損等がない信頼性の高い緊結構造を持つのし瓦およびその製造方法を開示する。 - 特許庁

The ends of the quenching line are set off from the ridge part 12, and a crush mode control part 15 is formed as extended from the ends of the high strength parts to between the external wall surfaces 11.例文帳に追加

さらに、焼き入れ線の端部を稜線部１２から外し、高強度部１３の端部から外壁面１１間に延出された圧壊モード制御部１５を形成する。 - 特許庁

To suppress a DC drift phenomenon of a light control element having a ridge structure and to provide the light control element which has high driving stability even in a wide band.例文帳に追加

リッジ構造を有する光制御素子におけるＤＣドリフト現象を抑制すると共に、広帯域においても駆動安定性の高い光制御素子を提供すること。 - 特許庁

To carry out cap attaching work easily by even a worker not having a high level of welding skill, when closing an opening end of a ridge part on a keystone plate by a cap.例文帳に追加

キーストンプレートにおける山部の開口端をキャップで塞ぐにあたり、高い溶接技能を持たない作業員でも簡単にキャップの取り付け作業を行い得るようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device and a producing method therefor, with which capacitance outside a ridge part is small, a response speed is high and a pulse can be oscillated with a proper pulse waveform.例文帳に追加

リッジ部外部の容量が小さくて応答速度が速く、良好なパルス波形でパルス発振ができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element, exhibiting high element reliability and proper polarization characteristics by forming a support portion after the formation of ridge, thereby optimizing the profile of the support portion.例文帳に追加

リッジ形成後にサポート部を形成することでサポート部の形状を最適化し、素子信頼性が高く偏光特性の良い半導体レーザ素子を提供することである。 - 特許庁

Since the dielectric film 7 is formed at both side of the ridge shaped clad layer 6, the leakage current from this area does not increase at high temperatures (about +70°C or higher).例文帳に追加

リッジ状のクラッド層６の両脇には誘電膜７が形成されているので高温（＋７０℃程度以上）でもこの部分からのリーク電流が増大しない。 - 特許庁

Since the cap layer is provided, the current rejected by the current rejecting layer can be guided effectively to the ridge and thereby a high output semiconductor laser can be obtained.例文帳に追加

キャップ層を設けることにより、電流阻止層で阻止された電流を効率的にリッジ部分に導くことができ、高出力の半導体レーザを提供することができる。 - 特許庁

This method for composting woody materials comprises adding high temperature bacteria and cellulose-decomposing bacteria and/or lignin- decomposing bacteria to a ridge with piled woody materials.例文帳に追加

木質材料を堆積した畝に高温菌および、セルロース分解菌および／またはリグニン分解菌を添加してなることを特徴とする木質材料の堆肥化方法。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser diode, having a ridge shape in which ripples are not generated, regardless of low output or high output.例文帳に追加

リッジ形状を有する窒化物半導体レーザーダイオードであって、低出力、高出力に関係なくリップルの発生しない窒化物半導体レーザダイオードを得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide an apparatus of manufacturing a semiconductor thin film capable of forming a semiconductor thin film so that the final crystal does not include crystal having a high ridge height.例文帳に追加

最終結晶においてリッジ高さが高い結晶が含まれないように半導体薄膜を形成することが可能な半導体薄膜の製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a grooved ridge structure type optical waveguide which has high reliability not to vary birefringence even in a high-temperature high-humidity test (85°C 85%) and not to vary a polarization dependent frequency difference (PDf) for a long period of time.例文帳に追加

本発明の目的は、溝を形成したリッジ構造型光導波路において、高温高湿試験（８５℃８５％）でも、複屈折が変動せず、偏波依存周波数差（ＰＤｆ）が長期間で変動しない、信頼性の高い光導波路を提供する。 - 特許庁

Consequently, the problem of deterioration of shape accuracy of a ridge line part in shape mesh data obtained by three-dimensional shape measurement can be effectively solved, and accurate analysis mesh data holding a face or ridge line shape of the analysis object with high accuracy can be generated.例文帳に追加

したがって３次元形状測定で得られた形状メッシュデータにおける稜線部分の形状精度悪化の問題を有効に解消することができ、解析対象物の面や稜線の形状を高い精度で保持した高精度な解析メッシュデータの生成が可能となる。 - 特許庁

To provide a portable ridge mower which can safely and smoothly mow weeds, for example, even when a ground surface (the upper surface of a high ridge or a slope) is a soft foundation or a largely uneven waste land, and can effectively reduce the labor of a worker.例文帳に追加

地面（高畔上面及び法面）が大きな凹凸を有する荒地である場合や軟弱地盤である場合等にも、草を安全かつ円滑に刈り取ることができるとともに、作業者の労力負担を効果的に軽減できるようにされた携帯型畔用草刈機を提供する。 - 特許庁

The semiconductor optical element of the waveguide type with the high mesa ridge structure has a semi-insulating substrate and a ridge part which is formed on the semi-insulating substrate and includes a lower clad layer, a core layer, and an upper clad layer layered in order on the semi-insulating substrate.例文帳に追加

ハイメサリッジ構造を有する導波路型の半導体光素子が、半絶縁性基板と、半絶縁性基板上に形成されたリッジ部であって、半絶縁性基板上に順次積層された下部クラッド層、コア層、及び上部クラッド層とを含むリッジ部とを備える。 - 特許庁

To provide an analysis mesh generation device, capable of generating accurate analysis mesh data holding a face or ridge line shape of an analysis object with high accuracy by effectively solving the problem of deterioration of shape accuracy of a ridge line part in shape mesh data obtained by three-dimensional shape measurement.例文帳に追加

３次元形状測定で得られる形状メッシュデータにおける稜線部分の形状精度悪化の問題を有効に解消することで、解析対象物の面や稜線の形状を高い精度で保持した高精度な解析メッシュデータの生成を可能とする解析メッシュ生成装置の提供。 - 特許庁

Then, a part of the second conductive semiconductor layer group, the layers 112 to 114, are eliminated to expose the low-concentration semiconductor layers to form a ridge portion 130 having the high-concentration semiconductor layer 114 on the top thereof.例文帳に追加

そして、低濃度半導体層が露出するまで第２導電型の半導体層群の一部114〜112を除去して、高濃度半導体層を最上部に有するリッジ部130を形成する。 - 特許庁