「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(136ページ目) - Weblio英語例文検索

Second conductor wires 111-116 are positioned on a plane opposite to a plane whereon a first insulating layer 101 and a second insulating layer 102 come close to each other and to a plane of a fourth insulating layer 104 that comes close to a third insulating layer 103.例文帳に追加

第２の導体配線１１１〜１１６は、第１番目の絶縁層１０１と第２番目の絶縁層１０２とが隣接する面、及び、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第３番目の絶縁層１０３と隣接する面とは反対側の面に位置している。 - 特許庁

To prevent impurities from diffusing into an element isolation insulating film when a blocking insulating film is formed, and to suppress a bird's beak from occurring at a tunnel insulating film due to the diffusion of an oxidant into the element isolation insulating film, thereby preventing transistor characteristics of a memory cell from being deteriorated.例文帳に追加

ブロック絶縁膜の形成に伴う素子分離絶縁膜中への不純物拡散を抑制することができ、且つ素子分離絶縁膜中への酸化剤の拡散に起因するトンネル絶縁膜のバーズビーク発生を抑制することができ、メモリセルのトランジスタ特性の劣化を防止する。 - 特許庁

A substrate for suspension includes: a metal substrate; a first insulating layer provided on the metal substrate; a first wiring layer 10 provided on the first insulating layer; a second insulating layer provided on the first wiring layer 10; a second wiring layer 12 provided on the second insulating layer.例文帳に追加

サスペンション用基板は、金属基板と、金属基板上に設けられた第１絶縁層と、第１絶縁層上に設けられた第１配線層１０と、第１配線層１０上に設けられた第２絶縁層と、第２絶縁層上に設けられた第２配線層１２と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an insulating layer, a recess formed in a region that excludes an element isolation region in the insulating layer, the element isolation region consisting of the insulating layer between the recesses and an insulating film formed thereon, and a silicon semiconductor layer formed on the bottom surface of the recess surrounded with the element isolation layer.例文帳に追加

半導体素子が、絶縁層と、絶縁層の素子分離領域を除く領域に形成された凹部と、この凹部の間の絶縁層とその上に形成された絶縁膜からなる素子分離層と、素子分離層に囲まれた凹部の底面上に形成されたシリコン半導体層とを備える。 - 特許庁

After patterning the metal conductive film 6 and the polycrystalline semiconductor film 5, a first gate insulating film 7 is formed on the metal conductive film 6, and then a second gate insulating film 8 which grows faster than the first gate insulating film 7 is formed on the first gate insulating film 7.例文帳に追加

そして、金属性導電膜６及び多結晶半導体膜５をパターニングした後、金属性導電膜６上に第１のゲート絶縁膜７を形成し、第１のゲート絶縁膜７上に第１のゲート絶縁膜７に比べて成長速度が速い第２のゲート絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

A heat insulating mat 3 is provided so as to cover an outer circumference face of a collapsible duct body 2, connection heat insulating parts 3c wherein the heat insulating mat 3 protrudes more outward than a flange 2b are provided on both flange 2b sides, and a wire netting 4 is arranged on an outer circumference of the heat insulating mat 3.例文帳に追加

折り畳み可能なダクト本体２の外周面を覆うように断熱マット３が配設され、両フランジ２ｂ側に断熱マット３がフランジ２ｂよりも外側に突出した接続断熱部３ｃが設けられ、断熱マット３の外周に金網４が配設されている。 - 特許庁

To provide a photosensitive insulating resin composition for suppressing warpage and extension of a substrate when an insulating film is formed and having excellent resolution, sensitivity, electric insulation and the like, to provide a cured product such as the insulating film formed by curing the composition and to provide a method for producing the insulating film.例文帳に追加

絶縁膜を形成する際の基板の反りや伸びが抑えられ、且つ優れた解像性、感度、電気絶縁性等を有する感光性絶縁樹脂組成物、及びこの組成物が硬化されてなる絶縁膜等の硬化物、並びに絶縁膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The heat insulating material 1 is equipped with a core material 10 having heat insulating layers 12, 13 and the plastic-deformable shape retention member 11 laminated on the heat insulating layers 12, 13, having higher stiffness than the heat insulating layers 12, 13 and a vacuum pack 20 for covering around the core material member 10 for tightly sealing inside in a vacuum state.例文帳に追加

断熱材１は、断熱層１２、１３と、断熱層１２、１３に積層され断熱層１２、１３より剛性が高く且つ塑性変形自在な形状保持部材１１と、を有する芯材１０と、芯材１０の周囲を覆って内部を真空に密閉する真空パック２０と、を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with gate insulating films and a manufacturing method thereof, wherein gate insulating films and gate electrodes each connected to the gate insulating films are continuously formed on the same substrate, and the gate insulating films are enhanced in reliability.例文帳に追加

同一基板上に複数のゲート絶縁膜と夫々のゲート絶縁膜に接続されるゲート電極を連続的に形成することができると共に、ゲート絶縁膜の信頼性を向上させることができる複数のゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid developer contains an insulating liquid and toner particles dispersed in the insulating liquid, characterized in that the insulating liquid contains a fatty acid monoester that is ester of a fatty acid and monohydric alcohol, and that the aniline point of the insulating liquid is 5°C to 80°C.例文帳に追加

本発明の液体現像剤は、絶縁性液体と、絶縁性液体中に分散したトナー粒子とを含み、絶縁性液体は、脂肪酸と１価のアルコールとのエステルである脂肪酸モノエステルを含み、かつ絶縁性液体のアニリン点が５℃〜８０℃であることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device includes a first insulating film 1 formed on a substrate and having a first wiring 2, a second insulating film 3 formed on the first insulation film 1 and the first wiring 2, and a third insulating film 4 formed on the second insulating film 3.例文帳に追加

半導体装置は、基板の上に形成され、第１の配線２を有する第１の絶縁膜１と、第１の絶縁膜１及び第１の配線２の上に形成された第２の絶縁膜３と、第２の絶縁膜３の上に形成された第３の絶縁膜４とを有している。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first wiring layer insulating film, a plurality of first copper wiring lines 8 buried and formed in the first wiring layer insulating film, and an interlayer insulating film (second dielectric constant film 10) formed on the first copper wiring lines 8 and the first wiring layer insulating film.例文帳に追加

第１の配線層絶縁膜と、第１の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第１の銅配線８と、第１の銅配線８上及び第１の配線層絶縁膜上に形成されている層間絶縁膜（第２の低誘電率膜１０）と、を有する。 - 特許庁

A notch 4 is formed on the upper face side of the connection portion of the heat insulating waterproof panel, and the notch 4 is connected to a heat insulating waterproof panel adjacent to this heat insulating waterproof panel to form a V-shaped joint groove 5 between it and the notch 4 of the adjacent heat insulating waterproof panel.例文帳に追加

断熱防水パネルの接合部分の上面側に切欠部４を形成し、切欠部４は、断熱防水パネルが隣接する断熱防水パネルと接合されると、その隣接する断熱防水パネルの切欠部４との間でＶ字型の目地溝５を形成する。 - 特許庁

When a transparent pixel electrode is arranged above an inorganic insulating film and an organic insulating film across a contact hole 8 formed in both of the films, the edge of the inorganic insulating film is arranged at the contact part between a drain electrode 6 and the pixel electrode 10 inside the edge of the organic insulating film 9.例文帳に追加

無機絶縁膜と有機絶縁膜に設けたコンタクトホール８を介して上部に透明画素電極を配置する場合、ドレイン電極６と画素電極１０のコンタクト部分において無機絶縁膜のエッジを有機絶縁膜９のエッジよりも内側に配置する。 - 特許庁

Thus, while securing highly heat insulating performance by the vacuum heat insulating material 11, installation by the nail and a machine screw can be performed by being covered with the synthetic resin foam heat insulating body 12, and workability is improved by cutting a part of the synthetic resin foam heat insulating body 12.例文帳に追加

これにより、真空断熱材１１による高い断熱性能を確保しながら、合成樹脂フォームの断熱体１２で覆うことで、釘やビスによる取り付けを可能とするとともに、合成樹脂フォームの断熱体１２部分の裁断を可能とするなどで施工性を向上するようにしている。 - 特許庁

A connector has formed with first insulating yarns 12 and wefts formed with conductive yarns 14 of metal conductive material and second insulating yarns 16, so that a fabric is formed by alternately weaving the conductive yarns 14 and the second insulating yarns 16 in the first insulating yarns 12.例文帳に追加

縦糸を第１の絶縁性糸12で構成し、横糸を金属導電材より成る導電性糸14と第２の絶縁性糸16とで構成し、第１の絶縁性糸12に、上記導電性糸14と第２の絶縁性糸16とを交互に織り込んで形成される織物体18でコネクタを構成する。 - 特許庁

To provide a coating solution for forming an insulating film, which uses siloxanes, an insulating film having a low dielectric constant without containing water and useful for a high-speed wiring, that is to say, the insulating film having excellent film properties, in particular, and which is capable of forming an insulating film for semiconductor equipment.例文帳に追加

水を含まず誘電率の低い、高速配線に有利な絶縁膜、すなわち膜特性に優れた絶縁膜、特に半導体製造装置用絶縁膜を形成することのできる、シロキサン類を用いる、絶縁膜形成用塗布液を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The laminate manufacturing method includes the process (1) of forming the insulating resin layer on the insulating substrate, the process (2) of forming the metal membrane on the insulating resin layer and the process (3) of forming the metal oxide to the interface of the metal membrane and the insulating resin layer.例文帳に追加

及び、絶縁基板上に、絶縁性樹脂層を形成する工程（１）と、前記絶縁性樹脂層の上に金属薄膜を形成する工程（２）と、前記金属薄膜と前記絶縁性樹脂層との界面に金属酸化物を形成する工程（３）とを含む積層体の製造方法。 - 特許庁

To provide a vacuum switch and its insulating spacer in which the jointing strength of the insulating spacer is improved and has high reliability by reducing the residual stress at the jointing of the metal member and the insulating material of the insulating spacer of the vacuum breaker and disconnector.例文帳に追加

本発明の目的は、真空遮断器部、断路器部の絶縁スペーサの金属部材と絶縁物との接合時の残留応力を低減させることにより絶縁スペーサの接合強度を向上させ、信頼性の高い真空スイッチとその絶縁スペーサを提供することにある。 - 特許庁

To develop a sound insulating material by which a sound insulating layer is intensively formed as required in arbitrary places of a sound absorbing layer without requiring fabrication equipment such as trim and press equipment, and which is light in weight as a whole, compared with a sound insulating material in which the sound insulating layer such as a rubber sheet is stacked to a conventional sound absorbing layer.例文帳に追加

トリム、プレス等の成形設備を必要とせず、吸音層の任意の場所に必要なだけ遮音層を重点的に形成することが可能であり、従来の吸音層にゴムシート等の遮音層を積層した防音材に比較して、全体として軽量な防音材を開発する。 - 特許庁

The wiring pattern forming method includes an insulating wiring step in which an insulating droplet which satisfies a predetermined property value is discharged by an ink-jet method to form an insulating wiring whose cross section is groove-like, and a conductive wiring step for forming a conductive wiring in the cross-sectional groove formed in the insulating wiring step.例文帳に追加

インクジェット法により所定の物性値を満たす絶縁性の液滴を吐出し、断面凹溝状の絶縁性の配線を形成する絶縁配線工程と、絶縁配線工程で形成された断面凹溝状の溝内に導電性の配線を形成する導電配線工程とを含む。 - 特許庁

On a side surface of a memory gate electrode 12, an insulating film 10 is formed between a charge storage film 9 and an insulating film 11, and a total thickness of the insulating films 10 and 11 on the side surface of the memory gate electrode 12 is made larger than a thickness of the insulating film 11 under the memory gate electrode 12.例文帳に追加

メモリゲート電極１２の側面において、電荷蓄積膜９と絶縁膜１１との間に絶縁膜１０を形成し、メモリゲート電極１２側面の絶縁膜１０および１１の合計の厚さを、メモリゲート電極１２下部の絶縁膜１１の厚さよりも厚く形成する。 - 特許庁

The third insulating layer and the electrically conductive layer are etched at nearly the same etching rate until the second insulating layer formed on the first insulating layer or the first insulating layer is exposed to make the electrically conductive layer remain in the region where the semiconductor layer is thinned, thereby the gate electrode is formed.例文帳に追加

第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層、又は第１の絶縁層が露出するまで、第３の絶縁層と導電層を略同じエッチング速度でエッチングすることにより、半導体層の薄膜化した領域に導電層を残存させてゲート電極を形成する。 - 特許庁

The laminated magnetic thin film 10 comprises a granular layer 18 with a microscopic magnetic particle 14 wrapped around by an insulating material (or an insulating layer 16), a granular magnetic material layer 12 with a first insulating layer 20 laminated on the order of nanometer, and a second insulating layer 22 alternately laminated on a substrate 30.例文帳に追加

積層磁性薄膜１０は、微細な磁性粒子１４を絶縁体（ないし絶縁層１６）で包み込んだグラニュラ層１８と第１の絶縁層２０をｎｍオーダーで積層したグラニュラ磁性体層１２と、第２の絶縁層２２を、基板３０上に交互に積層した構造となっている。 - 特許庁

To provide a method capable of forming an insulating layer which permits the removal of foreign matters adhered to an insulating film and ensures high reliability, in the forming method of the insulating layer based on a procedure of peeling a cover film from the insulating film with the cover film, crimped on a body to be crimped.例文帳に追加

被圧着体の上に圧着されたカバーフィルム付絶縁フィルムからカバーフィルムを剥離することに基づいて絶縁層を形成する方法において、絶縁フィルムに付着する異物を除去できて信頼性の高い絶縁層を形成できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat insulating device for a fuel tank of a motorcycle for enhancing economical efficiency by utilizing heat insulating materials formed continuously into sheet-shapes and effectively insulating heat for the fuel tank with an engine without providing thick or stuck parts according to heat insulating portions.例文帳に追加

シート状に連続形成した断熱素材を利用可能にして経済性を高め、かつ、断熱部位に合わせて肉厚部を設けなくてもあるいは貼り合わせなくても効果的に燃料タンクのエンジンとの断熱ができるようにする自動二輪車の燃料タンクの断熱装置を提供する。 - 特許庁

Thus, it is possible to prevent excessive etching caused by the variation of a process by the dummy gate wiring 52 on which the insulating film 21 is formed and the sidewall insulating film 4, and to prevent the insulating film 21 from being dug down in advance by the sidewall insulating film 4.例文帳に追加

これにより、絶縁膜２１をその上に形成されたダミーゲート配線５２およびサイドウォール絶縁膜４によってプロセスばらつきによる過度のエッチングを防止し、また、事前に発生した絶縁膜２１の掘れ下がりをサイドウォール絶縁膜４によって埋め戻すことができる。 - 特許庁

An insulating layer 31 made of epoxy resin etc., is formed on the top surface of the lower insulating film 1 at a periphery of the semiconductor construct 2, and an upper insulating film 32 made of epoxy resin etc., is formed on top surfaces of the semiconductor construct 2 and insulating layer 31.例文帳に追加

次に、半導体構成体２の周囲における下層絶縁膜１の上面にエポキシ系樹脂等からなる絶縁層３１を形成し、且つ、半導体構成体２および絶縁層３１の上面にエポキシ系樹脂等からなる上層絶縁膜３２を形成する。 - 特許庁

The beverage container holder is provided with a holding part for holding a beverage container, a Peltier element capable of heat-insulating and cold-insulating a beverage inside the beverage container held by the holding part, and a control part for selectively controlling the carrying out of one of a heat insulating operation and a cold insulating operation by the Peltier element and operation stoppage.例文帳に追加

飲料容器を保持する保持部と、前記保持部に保持された飲料容器内の飲料を保温及び保冷することが可能なペルチェ素子と、ペルチェ素子による保温動作、保冷動作及び動作停止のいずれかの実行を選択的に制御する制御部と、を備える。 - 特許庁

The gate insulating film 13 of the NMOS transistor 11 and the gate insulating film 23 of the PMOS transistor 21 are formed of different materials, and the gate insulating film 13 of the NMOS transistor 11 and the upper layer film 33a of the gate insulating film 33 of the NMOS transistor 31 are formed of the same materials.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ１１のゲート絶縁膜１３と、ＰＭＯＳトランジスタ２１のゲート絶縁膜２３とは異なる材料から成り、ＮＭＯＳトランジスタ１１のゲート絶縁膜１３と、ＮＭＯＳトランジスタ３１におけるゲート絶縁膜３３の上層膜３３ａとは同じ材料から成る。 - 特許庁

The semiconductor device has a metal-insulating film-semiconductor (MIS) structure wherein the deuterium-element concentration is not smaller than 1×10^19/cm^-3 present near such films or layers formed in a semiconductor device as a semiconductor substrate, a gate insulating film, an interlayer insulating film, a wiring layer, and a protective insulating film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

This core insulator 14 has an insulating unit comprising a cylinder part 14a, core end surface insulating parts 14b, and slot insulating parts 14c which covers predetermined parts with which windings 16 applied to a core 12 of a rotor 10 can be brought into contact; and an axle part 14a of a commutator 17 which is formed integrally with the insulating unit.例文帳に追加

コアインシュレータ１４は、ロータ１０のコア１２に巻装する巻線１６が接触し得る所定部分を被覆する絶縁部（円筒部１４ａ、コア端面絶縁部１４ｂ、スロット絶縁部１４ｃ）と、該絶縁部に一体形成される整流子１７の軸芯部１４ｅとを備えている。 - 特許庁

In a single gate type nonvolatile semiconductor memory, a gate insulating film 41 between a substrate 20 and a gate electrode 42 is formed to a three-layer structure of a silicon oxide film 41a (tunnel insulating film), an Al_2O_2 film 41b (trap insulating film) and a silicon oxide film 41c (top insulating film), starting from the substrate 20 side.例文帳に追加

単ゲート型不揮発性半導体メモリにおいて、基板２０とゲート電極４２との間のゲート絶縁膜４１を、基板２０側からシリコン酸化膜４１ａ（トンネル絶縁膜）、Ａｌ_２ Ｏ_２ 膜４１ｂ（トラップ絶縁膜）及びシリコン酸化膜４１ｃ（トップ絶縁膜）の３層構造とする。 - 特許庁

To provide an iron core to which insulating film treatment extremely excellent in insulating properties, adhesion, corrosion resistance or the like is applied as an insulating film treatment technique for the end surface or surface of the iron core in the production of the iron core using an electromagnetic steel plate, and an insulating film treatment method for the end surface of the iron core.例文帳に追加

電磁鋼板を用いる鉄心の製造において、鉄心端面又はさらに表面の絶縁被覆処理技術として、絶縁性、密着性、耐蝕性等に極めて優れる絶縁被膜処理を施した鉄心と、その絶縁被膜処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polyamide-imide resin insulating coating in which partial discharge deterioration is suppressed by suppressing agglomeration of inorganic insulating material particles and by dispersing them highly homogeneously, and also to provide an insulating electric wire in which coating is formed on a conductor by using such an insulating coating, and their manufacturing methods.例文帳に追加

無機絶縁物粒子の凝集を抑制して高度に均一分散させることにより、部分放電劣化を抑制できるポリアミドイミド樹脂絶縁塗料、そのような絶縁塗料を用いて導体上に被膜を形成した絶縁電線、及びそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, after a fifth insulating film is deposited by a CVD method on a fourth insulating film covering the laminated gate electrode 20, anisotropic etching is performed for the fifth insulating film and the fourth insulating film and a first side wall 27 is formed on the side of the laminated gate electrode 20.例文帳に追加

次に、積層型ゲート電極２０を覆う第４の絶縁膜の上にＣＶＤ法により第５の絶縁膜を堆積した後、第５の絶縁膜及び第４の絶縁膜に対して異方性エッチングを行なって積層型ゲート電極２０の側面に第１のサイドウォール２７を形成する。 - 特許庁

An insulating resin layer with an insulating coated conductive particle covered by an insulating resin layer composed of an insulation resin of which the surface of a conductive particle has a functional group is surface-treated with a polyfunctional compound having other functional groups which can react with a functional group of insulating resin.例文帳に追加

導電粒子の表面が官能基を有する絶縁性樹脂からなる絶縁性樹脂層で被覆されてなる絶縁被覆導電粒子の当該絶縁性樹脂層を、絶縁性樹脂の官能基と反応しうる他の官能基を有する多官能性化合物で表面処理する。 - 特許庁

In the double-sided copper-clad board in which copper foil is laminated on both sides of an insulating substrate, the insulating substrate is composed of at least two layers of a first insulating substrate made of a thermoplastic resin composition and a second insulating substrate made of a mixture of an alkenyl phenol compound and a maleimide.例文帳に追加

絶縁基材の両面に銅箔を積層してなる両面銅張板において、絶縁基材を、熱可塑性樹脂組成物からなる第１絶縁基材、および、アルケニルフェノール化合物およびマレイミド類の混合物からなる第２絶縁基材の少なくとも二層の基材により構成する。 - 特許庁

A laminate insulating film constituted by laminating a tunnel insulating layer 11, a charge storage insulating layer 12 and a charge block insulating layer 13 in this order is provided on a semiconductor substrate 10 having a protruded curved surface, and further a control gate electrode 14 is formed to constitute the MONOS type nonvolatile memory cell.例文帳に追加

凸状曲面を有する半導体基板１０上に、トンネル絶縁層１１、電荷蓄積絶縁層１２、電荷ブロック絶縁層１３が順次積層されてなる積層絶縁膜を設け、さらに制御ゲート電極１４を形成してＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルを構成する。 - 特許庁

In the insulating method for the squirrel-cage induction motor formed by casting a conductor into the slot 2 after insulating treatment for forming the insulating film is performed at the slot 2 of a rotor iron core 1, the insulating film is formed on the inner surface of the slot 2 by means of electrodeposition coating.例文帳に追加

回転子鉄心１のスロット２に絶縁皮膜を形成させる絶縁処理が行われた後に導体がスロット２内に鋳込まれてなるかご形誘導電動機の絶縁処理の方法であって、電着塗装によってスロット２の内表面に絶縁皮膜を形成させるようにする。 - 特許庁

The storage electrode 7 of a capacitor 15 buried in a third interlayer insulating film 14 through the intermediary of a first interlayer insulating film 12 and a second interlayer insulating film is formed above the transistor 3, and a protective film 16 is formed on the third interlayer insulating film 16.例文帳に追加

トランジスタ３の上方には第１の層間絶縁膜１２、第２の層間絶縁膜１３を介して第３の層間絶縁膜１４の内部に埋め込まれた形のキャパシタ１５の蓄積電極７が形成され、第３の層間絶縁膜１４上に保護膜１６が形成されている。 - 特許庁

As a double thermal insulating line arranged in the interior and exterior direction of the first and second thermal insulating member 12E, 12F is formed in the lower frame 12, the thermal insulation performance and the antisweating performance can be improved in comparison with conventional thermal insulating sash windows having only a single thermal insulating line.例文帳に追加

下枠１２に、第１および第２断熱部材１２Ｅ，１２Ｆの室内外方向に配置された二重の断熱ラインが形成されるため、一重の断熱ラインのみを有する従来の断熱サッシ窓に比べて断熱性能を向上でき、防露性能も向上できる。 - 特許庁

First patterned wiring layers 2 are formed on an insulating board 1, a first insulating layer 3 is formed on the top surfaces of the first wiring layers 2 and the top surface of the insulating board 1 between the first wiring layers 2, and a second wiring layer 5 is formed on the top surface of the first insulating layer 3.例文帳に追加

絶縁基板１上にパターン化された第１配線層２を形成し、第１配線層２の上面、及び、第１配線層の間の絶縁基板１の上面に第１絶縁層３を形成し、第１絶縁層３の上面に第２配線層５を形成する。 - 特許庁

The flat rectangular electric wire is constituted of a conductor 1 of which the cross-sectional shape is composed of a flat rectangular copper wire, and an insulating layer 2 consisting of a first insulating layer 2a covering the outer periphery of the conductor 1, and a second insulating layer 2b covering the outer periphery of the first insulating layer 2a.例文帳に追加

平角電線は、断面形状が矩形の銅線よりなる導体１と、導体１の外周に被覆された第１絶縁層２ａと該第１絶縁層２ａの外周に被覆された第２絶縁層２ｂとからなる絶縁皮膜２とにより構成されている。 - 特許庁

The auxiliary capacitance elements 27 are formed by laminating, in the following order, an interlayer insulting layer (2nd insulating layer) 29 formed by laminating a lower electrode 28, an inorganic insulating film 30 and an organic insulating film 31 on the insulating layer 24, and an upper electrode which is a pixel electrode 26.例文帳に追加

補助容量素子２７は絶縁層２４上に下部電極２８、無機絶縁膜３０と有機絶縁膜３１とを積層して構成される層間絶縁層（第２の絶縁層）２９および画素電極２６である上部電極をこの順番に積層して構成される。 - 特許庁