「Isolation Field」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The isolation structure and method include forming a biased gate over a field isolation region and adjacent a pixel of an image sensor.例文帳に追加

分離装置及び方法では、電界分離領域上に且つイメージセンサのピクセルに隣接させて、バイアスされるゲートを形成する。 - 特許庁

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING TRENCH ISOLATION REGION AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

トレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

Field shield isolation region including a field shield gate 44 is formed for separating elements on a SOI substrate 10.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０上に、フィールドシールドゲート４４を含むフィールドシールド分離領域が素子分離のために形成される。 - 特許庁

A field insulating film 75 for isolation is formed so that the field insulating film may surround the impurity regions 71a and 71b.例文帳に追加

不純物領域７１ａおよび７１ｂを取囲むように、素子分離用のフィールド絶縁膜７５が形成される。 - 特許庁

To prevent deterioration in overcurrent protecting power even in the case where a shallow trench isolation(STI) structure is used as a field isolation structure.例文帳に追加

フィールド分離構造としてシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造を適用した場合においても、過電流保護能力が低下しないようにする。 - 特許庁

Furthermore, a memory device having an isolation collar 400 and a capacitor is provided, and when a field effect switch is at an off-state, a depletion region is superposed on the isolation collar 400, and the depletion region will not be superposed on the isolation collar, when the field effect switch is at an on-state.例文帳に追加

さらに、分離カラー４００およびキャパシタを有する記憶デバイスを備え、電界効果スイッチがオフ状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重なり、電界効果スイッチがオン状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重ならない。 - 特許庁

To control centering of transistor gate electric field, which is formed in an active region divided by element isolation, around the element isolation.例文帳に追加

素子分離によって区画される活性領域において形成されるトランジスタのゲート電界が、当該素子分離の近傍での集中することを抑制する。 - 特許庁

The field isolation layers 2, 4 are provided to both parts adjacent to the region of the diffusion layer 3.例文帳に追加

拡散層３領域の両隣にフィールド分離層２及びフィールド分離層４が設けられている。 - 特許庁

Consequently, an electric charge 220 is not allowed to build up in the upper isolation layer but rather bleeds from the field shield into the lower isolation layer and into the substrate below.例文帳に追加

その結果、電荷は、上側絶縁分離層内に蓄積されるのではなく、フィールド・シールドから下側絶縁分離層内へ、そしてその下の基板内に流れ込む。 - 特許庁

To provide a shallow trench element isolation method of a nonvolatile memory, which modifies the negative inclination of a field region in the memory.例文帳に追加

フィールド領域のネガティブ傾斜を改善する不揮発性メモリの浅いトレンチ素子分離方法を提供する。 - 特許庁

A RESURF (reduced surface field) isolation region is demarcated by a p-impurity region 3 in an n^--semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ不純物領域３によってｎ^−半導体層２内にＲＥＳＵＲＦ分離領域が区分されている。 - 特許庁

Atsuaki became Crown Prince, but as with his father he suffered from pressure from Michinaga and isolation within the political field. 例文帳に追加

敦明は皇太子にはなったものの、やはり父同様に道長からの圧迫と政界での孤立に悩むことになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Then, the photoresist layer is removed, and a field oxidizing process is advanced, so that a field oxide film can be formed at the lower side of the field oxide mask layer on the surface of the exposed semiconductor substrate and the isolation region.例文帳に追加

そして、フォトレジスト層を除去し、フィールド酸化工程を進行することにより、露出された半導体基板の表面と分離領域上において、フィールド酸化マスク層の下側にフィールド酸化膜が形成される。 - 特許庁

To provide a high-speed MIS field-effect transistor which has a low capacitance and includes element isolation regions having fine high-temperature characteristics.例文帳に追加

低容量且つ高温特性が良好な素子分離領域を有する高速なＭＩＳ電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

This field shield further provides a protective barrier against any electric charge that becomes trapped within the lower isolation layer or substrate.例文帳に追加

このフィールド・シールドはさらに、下側絶縁分離層または基板内に閉じ込められた電荷に対する防護障壁を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation film for preventing a liner insulation film or the like from remaining on the sidewall of a conductive film for a floating gate in an etching process for performing the adjustment of effective field height of the element isolation film.例文帳に追加

素子分離膜の有効高調整を行うためのエッチング工程時、フローティングゲート用導電膜の側壁にライナ絶縁膜などを残留させない素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rubber bearing mounting fixture which is for use in base isolation of an existing column, allows correct application of load to a base isolation member during execution of work in the field, and contributes to execution of earthquake-resisting repair work that brings about sufficient strength.例文帳に追加

既設柱の免震化を行うに際し、現場での施工時に免震部材に対して荷重を正確に載荷でき、また強度的にも安心感のある耐震改修工事を可能とする。 - 特許庁

An area of a semiconductor substrate 13 which is under the clock signal line 12 is used for a field oxide film or an element isolation area 17 such as a trench isolation area without using it as a device area such as a transistor.例文帳に追加

また、半導体基板１３の、クロック信号線１２の下の領域を、トランジスタなどのデバイス領域とせずに、フィールド酸化膜やトレンチアイソレーション領域などの素子分離領域１７とする。 - 特許庁

The dummy metal oxide field effect transistor may be formed simultaneously with a metal oxide semiconductor field effect transistor located over a semiconductor substrate that includes the isolation region.例文帳に追加

ダミー金属酸化物電界効果トランジスタは、分離領域を含む半導体基板の上に配置された金属酸化物半導体電界効果トランジスタと同時に形成することができる。 - 特許庁

This dual-gate field-effect transistor reduces the parasitic capacity in the DGFET structure by being provided with a self-aligned isolation region 44.例文帳に追加

本発明では、自己整合分離領域４４を備えることにより、ＤＧＦＥＴ構造体における寄生容量を低減している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of modified trench isolation capable of releasing the electric field at corner part.例文帳に追加

コーナー部での電界を緩和することができるように改良された、トレンチ分離の製造方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

An element isolation section includes the element isolating film formed on two regions and made of a silicon oxide film formed on a surface of a silicon substrate, and a field channel isolation layer formed between element isolation films, formed on the two regions and made of a reverse conductivity type layer to the conductivity type of an active element.例文帳に追加

素子分離部が、２つの領域に形成され、シリコン基板表面に形成されたシリコン酸化膜より成る素子分離膜と、２つの領域に形成された素子分離膜間に形成され、前記能動素子の導電型とは逆の導電型層から成るフィールドチャネル分離層よりなる。 - 特許庁

The electric field intensity of the insulating film 44a is thus decreased to prevent the drop in breakdown voltage of the high-breakdown-voltage NMOSFET 20, the breakage of the inter-layer insulating film 5, and the isolation breakdown voltage deterioration of the element isolation groove (trench 4a).例文帳に追加

絶縁膜４４ａの電界強度を低下させることで、高耐圧ＮＭＯＳＦＥＴ２０の耐圧低下や層間絶縁膜５の破壊および素子分離溝（トレンチ４ａ）の分離耐圧劣化を防止できる。 - 特許庁

Element isolation between a cell region R1 and a diode forming region R2 is performed by a PN isolation portion composed of a p-type region 9b and an n-type region 8b disposed on an electric field relaxation region R3.例文帳に追加

電界緩和領域Ｒ３に備えたｐ型領域９ｂとｎ型領域８ｂとにより構成されるＰＮ分離部により、セル領域Ｒ１とダイオード形成領域Ｒ２の間の素子分離を行う。 - 特許庁

N type electrically conductive films 4n which being field shield electrodes are formed in isolation trenches 2 specifying the active regions 40 of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の活性領域４０を規定する分離トレンチ２内にはフィールドシールド電極であるＮ型導電性膜４ｎが形成される。 - 特許庁

To provide a translucent sound isolation wall constructed by mounting a translucent sound insulation panel to a support so as to widely open the field of vision to the outside.例文帳に追加

外界への視界が開けるように支柱へ透光性の遮音パネルを取り付けて構築された透光性遮音壁を提供する。 - 特許庁

In this way, a side surface portion 12a of a field oxide film 12 constituting an element isolation region 12 is exposed and the recess portion 13a gets surrounded by the side surface portion 12a of the field oxide film.例文帳に追加

これにより、素子分離領域１２を構成するフィールド酸化膜１２の側面部分１２ａが露出し、凹部１３ａの周囲がフィールド酸化膜の側面部分１２ａで囲まれた状態となる。 - 特許庁

Consequently, the side portions 12a of field oxide layers 12, which compose element isolation regions 12 is exposed and the circumferences of the recesses 13a, are surrounded by the side portions 12a of the field oxide layers.例文帳に追加

これにより、素子分離領域１２を構成するフィールド酸化膜１２の側面部分１２ａが露出し、凹部１３ａの周囲がフィールド酸化膜の側面部分１２ａで囲まれた状態となる。 - 特許庁

With such an arrangement, electric field is relaxed in the vicinity of the isolation region 4 under the wiring layer 18 and breakdown voltage characteristics of the LDMOSFET 1 are enhanced.例文帳に追加

この構造により、配線層１８下方では、分離領域４近傍での電界が緩和され、ＬＤＭＯＳＦＥＴ１の耐圧特性が向上する。 - 特許庁

The N-diffused layer 35 and N+ region 37 are formed away from a field oxide film 26 for element isolation, with a P-diffused layer 27 below it.例文帳に追加

Ｎ拡散層３５及びＮ^+領域３７は素子分離用のフィールド酸化膜２５及びその下のＰ拡散層２７から離れて形成されている。 - 特許庁

To provide a small-sized and light-weight bus-bar conductor connection device capable of simplifying the structure of and facilitating manufacture of a field shield of a conductor connection part of a gas isolation switching device.例文帳に追加

ガス絶縁開閉装置の導体接続部の電界シールドを簡単で製造が容易で小型軽量の母線導体接続装置を提供する。 - 特許庁

To enable obtaining proper isolation characteristic, even when a high-frequency signal is inputted in which off-capacitance of a field effect transistor that becomes a problem.例文帳に追加

電界効果トランジスタのオフ容量が問題となる高周波信号が入力される場合でも、良好なアイソレーション特性が得られるようにする。 - 特許庁

Wherein, the group of through-holes 26 are for assuring isolation by guiding an electric field between the patch electrodes 23, 24 and may be metal pins, etc.例文帳に追加

ここで、スルーホール２６群は、パッチ電極２３，２４間の電界を誘導してアイソレーションを確保するためのものであり、金属ピン等であってもよい。 - 特許庁

It is found that isolation of a field-resistant gene pi21 of rice plants is succeeded by a chain analysis and the possibility of modifying the rice blast field resistance of the plant can be modified by transfer of the gene or expression control thereof.例文帳に追加

連鎖解析によりイネの圃場抵抗性遺伝子pi21を単離することに成功し、該遺伝子の導入や発現制御により植物のいもち病圃場抵抗性を改変し得る可能性を見出した。 - 特許庁

A field region 15 surrounding the insulated isolation trench 13 is provided thereon with an electrode pad 16 electrically connected to the field region 15, an electrode pad 17 electrically connected to the element forming region 12a, and an electrode pad 19 electrically connected to buried polysilicon filled into the insulated isolation trench 13.例文帳に追加

絶縁分離トレンチ１３の周囲のフィールド領域１５上には、フィールド領域１５と電気的に接続された電極パッド１６、素子形成領域１２ａと電気的に接続された電極パッド１７並びに絶縁分離トレンチ１３内に充填された埋込ポリシリコンと電気的に接続された電極パッド１９が設けられる。 - 特許庁

Electric power resulting from electric power coupling is decreased by providing a line 21b different in line width in a subsidiary line 2b to be offset by electric power generated by magnetic field coupling, so that electric power flowing into an isolation port 20c is restrained to obtain the high isolation.例文帳に追加

副線路２ｂに線路幅の異なる線路２１ｂを設けることにより電界結合による電力を小さくし、磁界結合による電力と相殺させることによりアイソレーションポート２０ｃへ流れ込む電力を抑え高いアイソレーションを得る。 - 特許庁

To improve gate breakdown voltage and reliability by relaxing concentration of electric field at a step part formed near a boundary between an active region and a field region trench, and suppressing production of a parasitic MOS in manufacture of a trench element isolation.例文帳に追加

トレンチ素子分離の製造において、アクティブ領域とフィールド領域トレンチの境界付近に生じる段差部への電界集中を緩和し、寄生ＭＯＳの生成を抑制して、ゲート耐圧の向上、信頼性の向上を図る。 - 特許庁

The gate region 3 of a junction type field effect semiconductor element is provided on the inner region 15 of the N type epitaxial layer 10 serving as the source-drain region of the junction type field effect semiconductor element while being surrounded by the internal isolation region 1.例文帳に追加

内部分離領域１で囲まれて接合型電界効果半導体素子のソース／ドレイン領域となるＮ型エピタキシャル層１０の内側領域１５上に接合型電界効果半導体素子のゲート領域３を設ける。 - 特許庁

To provide a method of forming a high-reliability element isolation structure capable of filling a field insulating film even in a narrow trench having a large aspect ratio without a failure.例文帳に追加

アスペクト比の大きな狭幅のトレンチ内にもフィールド絶縁膜を不良無く充填することが可能な、信頼性の高い素子分離構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

A tunnel oxide layer 102 and a first conductive layer 103 are formed in an active region on a semiconductor substrate 101, an element isolation structure 104 is formed in a field region.例文帳に追加

半導体基板１０１上のアクティブ領域にトンネル酸化層１０２と第１導電層１０３を形成し、フィールド領域には素子分離構造１０４を形成する。 - 特許庁

Field oxide areas (21) for isolation are first formed over a semiconductor substrate subsequent to which transistor trenches (22) are patterned and etched in a silicon nitride layer (18).例文帳に追加

まず、絶縁用のフィールド酸化物領域（２１）が半導体基板上に形成され、ついで、窒化シリコン層（１８）にパターン形成が行われ、エッチングによりトランジスタトレンチ（２２）が得られる。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with an isolation insulating film 4 formed over the main surface of a semiconductor substrate 1 comprising a first conductivity type region 2 and a field-effect transistor 38a.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型領域２を含む半導体基板１の主表面に形成された分離絶縁膜４と、電界効果型トランジスタ３８ａとを備える。 - 特許庁

A rectifying/smoothing circuit that comprises a diode D102 and a field capacitor C103 rectifies/smoothes alternating voltage generated in secondary wiring of an isolation transformer T101.例文帳に追加

ダイオードＤ１０２および電界コンデンサＣ１０３により構成された平滑整流回路は、絶縁トランスＴ１０１の２次巻線に発生する交番電圧を平滑整流する。 - 特許庁

Therefore, it is possible to avoid the problems of electromagnetic field coupling and isolation lowering generated between a circuit inside a package and a circuit on a device (mounting substrate).例文帳に追加

従って、パッケージ内部の回路と装置（実装基板）上の回路との間で発生する電磁界カップリング及びアイソレーション低下の問題を回避することができる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device comprising MISFETs and a field shield gate electrode for isolation formed on a semiconductor substrate in which irregularities of the gate electrode is suppressed.例文帳に追加

半導体基板に形成されたＭＩＳＦＥＴと素子分離用のフィールドシールドゲート電極とを具備する半導体装置において、ゲート電極の凹凸の発生を抑制する。 - 特許庁