「Linewidth」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A factor of a polynominal function expressing the variations of the linewidth in the wafer surface is calculated from the converted linewidth of the resist pattern.例文帳に追加

換算されたレジストパターンの線幅から、その線幅の面内ばらつきを示す多項式関数の係数を算出する。 - 特許庁

LINEWIDTH MEASURING METHOD AND RECORD MEDIUM RECORDING THE PROGRAM例文帳に追加

線幅測定方法及びそのプログラムを記録した記録媒体 - 特許庁

A factor of a polynominal function expressing the irregularity of the linewidth in the wafer surface is calculated from the result of the linewidth measurement in the wafer surface.例文帳に追加

そのウェハ面内の線幅測定結果から、線幅の面内ばらつきを示す多項式関数の係数を算出する。 - 特許庁

IMAGE FORMING APPARATUS, LINE WIDTH CONTROL METHOD, AND LINEWIDTH CONTROL PROGRAM例文帳に追加

画像形成装置、線幅制御方法、および線幅制御プログラム - 特許庁

DUV SCANNER FOR CONTROLLING LINEWIDTH BY MASK ERROR FACTOR COMPENSATION例文帳に追加

マスクエラー係数補償によりライン幅をコントロールするＤＵＶスキャナ - 特許庁

The calculation model calculates the temperature correction value from which the linewidth within the wafer surface becomes uniform based on the linewidth measurement value of the resist pattern.例文帳に追加

算出モデルは，レジストパターンの線幅測定値に基づいて，ウェハ面内の線幅が均一になるような温度補正値を算出する。 - 特許庁

The results of measurement of the linewidth of the etching pattern are converted into the linewidth of a resist pattern using a function fn given in advance.例文帳に追加

予め求められている関係式ｆｎを用いて、そのエッチングパターンの線幅測定結果をレジストパターンの線幅に換算する。 - 特許庁

The image forming apparatus detects linewidth in a linewidth detection part 105 by attribute data inputted from an attribute data inputting part 101.例文帳に追加

画像形成装置は、属性データ入力部１０１から入力された属性データより、線幅検出部１０５において線幅を検出する。 - 特許庁

To reduce variation of linewidth of resist patterns between, for example, shot areas.例文帳に追加

例えば、ショット領域間でのレジストパターンの線幅ばらつきを低減する。 - 特許庁

To provide a linewidth measuring method which can measure linewidth accurately even if the texture level is not stabilized, and to provide a record medium recording a program.例文帳に追加

地肌レベルが安定しなくても、正確に線幅を測定することが可能な線幅測定方法及びそのプログラムを記録した記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus that improves pattern linewidth uniformity in a shot.例文帳に追加

ショット内のパターンの線幅均一性を改善し得る露光装置を提供する。 - 特許庁

To carry out transfer exposure which improves the contrast of a whole body and which is high in linewidth precision.例文帳に追加

全体のコントラストを向上させ線幅精度の高い転写露光を行う。 - 特許庁

As a result, the inductor 40 having large film thickness and linewidth can be formed.例文帳に追加

このため、膜厚が厚く、線幅が広いインダクタ４０を形成することができる。 - 特許庁

To rapidly measure fluctuations in linewidth regardless of the number of fine patterns to be measured.例文帳に追加

計測対象の微細パターンの数に拘わらず高速に線幅変動を計測する。 - 特許庁

To provide a vertical cavity organic laser device which reduces broadening of spectral linewidth.例文帳に追加

スペクトル線幅の広がりを減少させる垂直キャビティ有機レーザ装置を提供する。 - 特許庁

To control linewidth variation and bias resulting from MEF changes and reticle linewidth variations in a printed substrate by correcting exposure dose and partial coherence at different spatial locations.例文帳に追加

基板におけるＭＥＦ変化およびレチクルライン幅変動から生じるライン幅変動およびバイアスを種々異なる空間的位置での露光量と部分可干渉性の補正によってコントロールする。 - 特許庁

The image outputted by the image output device is read, the widths of the segments printed inside the image and across the images are measured, a line width uniformity evaluation quality is calculated by the line width uniformity evaluation quantity=N×(maximum linewidth-minimum linewidth)/average line width and the uniformity of the linewidth is evaluated.例文帳に追加

画像出力装置等により出力された画像を読み取り、画像内や画像間に渡って印字された線分の線幅を測定し、線幅均一性評価量を 線幅均一性評価量＝Ｎ×（最大線幅−最小線幅／平均線幅 により計算し、線幅の均一性を評価する。 - 特許庁

Correction parameters for matching the relation of the exposure amount of a column cell to be corrected and the linewidth with the relation of the exposure amount of one reference column cell selected from respective column cells and the linewidth are determined (steps S43, S46).例文帳に追加

そして、各コラムセルのいずれか１から選ばれた基準コラムセルの露光量と線幅の関係に補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係を一致させる補正パラメータを求める（ステップＳ４３、Ｓ４６）。 - 特許庁

To arrange the linewidth of a fine pattern precisely in drawing processing by raster scan employing an optical modulation unit.例文帳に追加

光変調ユニットを使用したラスタ走査による描画処理において、微細なパターンの線幅を精度よく揃える。 - 特許庁

An appropriate bias 22 for a linewidth and an appropriate offset for a position are provided in the device pattern 21 on the mask 8.例文帳に追加

このマスク８上のデバイスパターン２１には、適当な線幅のバイアス２２及び位置のオフセットが設けられている。 - 特許庁

To perform temperature setting of a heat treating board, such as a hot platen, etc. so that the linewidth of a resist pattern is formed uniformly in a wafer surface.例文帳に追加

レジストパターンの線幅がウェハ面内で均一に形成されるように，熱板の温度設定を行う。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus capable of reducing variation in linewidth of an obtained pattern, and to provide a method for manufacturing a device.例文帳に追加

得られるパターンの線幅の変動を低減することができる露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The resist pattern is formed on a wafer for inspection (step S1), and a first linewidth of the resist pattern is measured (step S2).例文帳に追加

検査用ウェハ上にレジストパターンを形成し（ステップＳ１）、当該レジストパターンの第１の線幅を測定する（ステップＳ２）。 - 特許庁

A coefficient which is set individually for the linewidths is stored in a coefficient storing part 113, and a linewidth compensation coefficient multiplying part 111 acquires compensating coefficients, corresponding to the linewidth, regarding edge and detected pixel detected, and performs multiplication to thereby correct the line width.例文帳に追加

係数記憶部１１３には、線幅に対して個別に設定された係数が記憶され、線幅補正係数乗算部１１１は、エッジと検出された画素について、検出された線幅に対応した補正係数を取得し、乗算することで、その線幅を補正する。 - 特許庁

To provide the forming method of a thin film pattern which is excellent in the uniformity of linewidth accuracy in the surface of a substrate and between substrates.例文帳に追加

基板面内および基板間においての線幅精度の均一性が良好な薄膜パターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁

A heating temperature of a PEB processing is corrected for every hot plate region based on the measurement of the first linewidth (steps S3 and S4).例文帳に追加

第１の線幅の測定結果に基づいて、ＰＥＢ処理の加熱温度が各熱板領域毎に補正される（ステップＳ３、Ｓ４）。 - 特許庁

The linewidth variance and horizontal and vertical biases or an orientation bias are calculated or measured at different spatial locations with reference to a reticle, and a corrected exposure dose and partial coherence is determined at the required spatial locations to compensate the variance in linewidth and bias on the printed substrate.例文帳に追加

ライン幅変化、および水平、垂直バイアスまたは配向バイアスが種々異なる空間的位置でレチクルを基準にして計算または測定され、補正された露光量および部分可干渉性が所要の空間的位置で検出され、ライン幅の変動および基板におけるバイアスを補償する。 - 特許庁

The linewidth measuring method is provided with a first step of reading a line image by scanning an optical reading means with linear reflectivity in the linewidth direction, a second step of determining a maximum value and a minimum value of an integrated value of read data, and a third step of determining a threshold by a specified function.例文帳に追加

線幅方向に反射率リニアな光学的読取手段を走査して線画像を読み取る第１の工程と、読み取られたデータの積分値の最大値、最小値を決定する第２の工程と、特定関数により閾値を決定する第３の工程を有する線幅測定方法。 - 特許庁

This allows a predetermined precision-conductive circuit with a linewidth of sub-μm to 20 μm to be prepared at a time with high reliability.例文帳に追加

これによって、線幅サブμm〜20μmの所望の精細度の導電性回路を高い信頼性をもって一度に作製することが可能となる。 - 特許庁

To provide a hollow-core optical-fiber filter to enable an optical beam output from a laser to have a narrow linewidth and low frequency noise fluctuations.例文帳に追加

レーザから出力される光学ビームを、狭いライン幅および低い周波数ノイズ揺らぎとするための中空コア光ファイバフィルタを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein the varied linewidth of the resist pattern of a semiconductor device can be corrected to the design value.例文帳に追加

半導体装置のレジストパターンのばらついた線幅を、設計値の線幅に修正可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic vertical resonator laser that improves linear laser output response and reduces the problem of spectral linewidth being widened.例文帳に追加

線形レーザ出力応答性を高め、かつ、スペクトル線幅の拡張問題を低減する有機系垂直共振器レーザを提供すること。 - 特許庁

Since ink is printed by ink jet method, a print pattern of small and uniform linewidth can be formed stably.例文帳に追加

このようにインクをインクジェット法により印刷するため、線幅が小さく、かつ線幅の均一な印刷パターンを安定して形成することができる。 - 特許庁

To obtain a charged particle beam exposure system, which has high linewidth controllability on an exposure object due to improvements in the resolution of an illumination optical system.例文帳に追加

照明光学系の分解能を向上させることにより、被露光物上での線幅制御の高い荷電粒子線露光装置を提供する。 - 特許庁

To form a conductive circuit with a linewidth of sub-μm to 20 μm that has not been achieved by neither screen-printing method nor ink-jetting method, with high reliability.例文帳に追加

基板上に、スクリーン印刷法やインクジェット法では達成できなかった線幅サブμm〜20μmの導電性回路を高い信頼性をもって形成すること。 - 特許庁

The lower electrodes 21c, in particular, are disposed spaced from the gate electrode 14b when they are adjacent to each other in the linewidth direction of the gate electrode 14b.例文帳に追加

そして特に、下部電極２１ｃは、ゲート電極１４ｂの線幅方向に隣接させた状態でゲート電極１４ｂに対して離間して配置されている。 - 特許庁

To reduce the fluctuation of linewidth occurring between patternings when patternings of multiple times are carried out to a film to be processed of the same layer on a wafer surface.例文帳に追加

ウェハ表面の同じ層の被加工膜に対し複数回のパターニングを行うにあたり、パターニング間に生じる線幅のばらつきを低減する。 - 特許庁

To provide a linewidth measurement regulation method and a scanning electron microscope capable of preventing a measured result from being fluctuated even when changing a magnification, a scanning direction and a measuring instrument.例文帳に追加

倍率、走査方向や測定装置を変更しても、測定結果の変動が生じない線幅測定調整方法及び走査型電子顕微鏡を提供すること。 - 特許庁

A backup metal oxide film pattern where a linewidth is increased as it goes down to a lower section is formed on a substrate in the method for forming a metal oxide film pattern functioning as a dielectric film.例文帳に追加

誘電膜として機能する金属酸化膜パターン形成方法において、基板上に下部に行くほど線幅が増加する予備金属酸化膜パターンを形成する。 - 特許庁

The resist pattern is formed on the wafer for inspection by carrying out the PEB processing at the corrected heating temperature (step S5), and a second linewidth of the resist pattern is measured (step S6).例文帳に追加

補正された加熱温度でＰＥＢ処理を行い検査用ウェハ上にレジストパターンを形成し（ステップＳ５）、当該レジストパターンの第２の線幅を測定する（ステップＳ６）。 - 特許庁

Since the conductive pattern copies the print pattern, a conductive pattern of small and uniform linewidth can be formed stably on the print pattern.例文帳に追加

導電性パターンはこの印刷パターンに倣うものであるため、この印刷パターンの上に、線幅が小さく、かつ線幅の均一な導電性パターンを安定して形成することができる。 - 特許庁

To provide a photoresist composition which is excellent in circuit linewidth uniformity (CD uniformity), resolution, development contrast and adhesiveness and particularly excellent in sensitization speed, residual film ratio and heat resistance.例文帳に追加

回路線幅均一度（ＣＤ Uniformity）、解像度、現像コントラスト、接着性に優れ、特に感光速度、残膜率及び耐熱性に優れたフォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-column electron beam exposure device and an electron beam exposure method capable of correcting variation in the linewidth between column cells even when proximity effect correction is performed.例文帳に追加

近接効果補正を行う場合であっても、コラムセル間の線幅のばらつきを補正できるマルチコラム型の電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法を提供する。 - 特許庁

The tag for an RFID has the tag antenna and the LSI chip, connected in parallel with the tag antenna, and the tag antenna is configured to have a feeding terminal with the LSI chip connected thereto, a loop antenna connected to the feeding terminal and a bypass conductive wire for bypassing the loop of the loop antenna, wherein the linewidth of the bypass conductive wire is larger than the linewidth of the loop antenna.例文帳に追加

ＲＦＩＤ用タグは、タグアンテナとそれに並列接続されるＬＳＩチップを有し、タグアンテナは，ＬＳＩチップが接続された給電端子と，給電端子に接続されたループアンテナと，ループアンテナのループをパイバスするパイバス導電線を有して構成され、さらに、バイパス導電線の線幅はループアンテナの線幅より太いことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a stroke data compressor for generating compressed stroke data while suppressing an increase in a processing time and the occurrence of the uneven linewidth in generating a character or the like.例文帳に追加

文字等の生成時の処理時間を増大や線幅の不均一の発生を抑制しつつ、圧縮されたストロークデータを生成することが可能な、ストロークデータ圧縮装置を提供する。 - 特許庁