「Linewidth」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, each temperature correction value for each area of the heating plate that causes the factor of the polynominal function to approach zero is calculated, using a relational model F that is a function of a linewidth correction quantity and a temperature correction value.例文帳に追加

次に、線幅補正量と温度補正値との関数である関係モデルＦを用いて、前記多項式関数の係数が零に近づくような熱板の各領域の温度補正値を算出する。 - 特許庁

In a multi-column electron beam exposure device performing exposure processing by arranging a plurality of column cells in parallel on one wafer, relation between the exposure amount of each column cell and the linewidth is determined (steps S41, S44).例文帳に追加

一つのウェハ上に複数のコラムセルを配置して並列して露光処理を行うマルチコラム型の電子ビーム露光装置において、各コラムセルの露光量と線幅の関係を求める（ステップＳ４１、Ｓ４４）。 - 特許庁

The temperature correction value of each hot platen region of this hot platen is set with a calculation model created from the correlation with the linewidth of a resist pattern and a temperature correction value which are heat-treated and formed in the hot platen, and set.例文帳に追加

この熱板の各熱板領域の温度補正値は，熱板において熱処理されて形成されるレジストパターンの線幅と温度補正値との相関から作成された算出モデルにより算出されて設定される。 - 特許庁

To provide a recess gate forming method of a semiconductor device which can improve a process failure and minimize the amount of the movement of a cell Vt while obtaining the linewidth of a desired target with respect to a first recess gate region.例文帳に追加

第１のリセスゲート領域に対し望むターゲットの線幅が得られながらも工程不良の改善、及びセルＶｔの移動量を最少化することができる半導体素子のリセスゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor where it is not necessary to execute a plurality of photo-lithograph processes, and it realizes increase in the margin of patterning in a process for forming the gate electrode of a linewidth area whose microfabrication is progressed.例文帳に追加

微細化が進んだ線幅領域のゲート電極の形成工程において、複数回のフォトリソグラフ工程が不要であり、パターニングのマージンを拡大できる薄膜トランジスタの作製方法を提供する。 - 特許庁

The display device has a thin film transistor substrate 1a in which pixel circuits comprising a thin-film transistor Tr2 and a capacitive element Cs are arranged in the linewidth direction of a gate electrode 14b of the thin-film transistor Tr.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴｒ２と容量素子Ｃｓとを設けた画素回路を、薄膜トランジスタＴｒのゲート電極１４ｂの線幅方向に配列した薄膜トランジスタ基板１ａを備えてた表示装置である。 - 特許庁

Plasma processing is performed on the backup metal oxide film pattern using a gas containing halogen element of 0.1 to 10% and a source gas containing an inert gas to form the metal oxide film pattern where a lower section linewidth is decreased.例文帳に追加

前記予備金属酸化膜パターンを０．１％乃至１０％ハロゲン元素を含むガス及び不活性ガスを含むソースガスを利用してプラズマ処理して下部線幅が減少された金属酸化膜パターンを形成する。 - 特許庁

Then, each temperature correction value for each area of the heating plate that causes the factor of the polynominal function to approach zero is calculated, using a relational model J that is a function of a linewidth correction quantity for the resist pattern and a temperature correction value.例文帳に追加

次に、レジストパターンの線幅補正量と温度補正値との関数である関係モデルＪを用いて、前記多項式関数の係数が零に近づくような熱板の各領域の温度補正値を算出する。 - 特許庁

To provide a screen printing plate capable of producing a printed circuit board having a linewidth of wiring of about 10 μm and a high aspect ratio, to provide a method for producing the screen printing plate, and to provide a photosensitive resin composition used for producing the screen printing plate.例文帳に追加

配線の線幅が10μm程度で、高アスペクト比のプリント基板を製造することができるスクリーン印刷用版、その製造方法、及び前記スクリーン印刷用版の製造に使用する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of utilizing maximum use of the areas of four corners in a semiconductor chip region and moreover, capable of conducting easy and sure linewidth control, as much as possible, and to provide its manufacturing method, as well as, its design method.例文帳に追加

半導体チップ領域の四隅部分の面積を最大限に活用し、しかも可及的に容易且つ確実な線幅管理を行うことができる半導体装置及びその製造方法、並びにその設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image data processing apparatus for applying thinning to a horizontal linewidth in the subscanning direction without losing a shape of image data deployed in a bit map shape so as to uniformize a line width ratio of a vertical line segment to the horizontal line segment.例文帳に追加

ビットマップ状に展開された画像データの形状を損なわずに水平線分の副走査方向の線幅を細線化し、垂直線分と水平線分の線幅比率の均一化を行う画像データ処理装置を提供する。 - 特許庁

It calculates the drawing area of the direction perpendicular to the straight line, based on the start point coordinate, end-point coordinate and the linewidth of the straight line; and drawing the straight line is stopped, when a scanning line for drawing is out of range for drawing.例文帳に追加

そして、直線の始点座標、終点座標および線幅に基づいて直線の垂直方向の描画範囲を計算し、描画対象の走査線が描画範囲外であった時は直線の描画を中止する。 - 特許庁

To provide a process for producing an electromagnetic wave shielding/light transmitting window material in which a conductive pattern of small and uniform linewidth can be formed stably, and to provide an electromagnetic wave shielding/light transmitting window material produced by that method.例文帳に追加

線幅が小さくて均一な導電性パターンを安定して形成することができる電磁波シールド性光透過窓材の製造方法と、この方法によって製造された電磁波シールド性光透過窓材を提供する。 - 特許庁

The prescribed range includes a frequency difference giving a peak value of a standard gain spectrum of the gain of the probe light obtained while the distortion or temperature of the sensing fiber 17 is standard, and has the width being equal to or less than the linewidth of the standard gain spectrum.例文帳に追加

所定範囲は、センシングファイバ１７の温度又は歪が基準状態であるときにプローブ光が受ける利得の基準利得スペクトルにおけるピーク値をとる周波数差を含むと共に、基準利得スペクトルの線幅以下の幅に設定される。 - 特許庁

In addition, a plurality of terahertz comb spectra obtained by frequency-shifting a comb mode in increments of linewidth by laser control so as to interpolate gaps of a terahertz comb are synthesized, thereby obtaining an ultrafine terahertz spectrum waveform in which comb gap portions have been interpolated.例文帳に追加

さらに、レーザー制御によって、テラヘルツ・コムの間隙を補間するようにコム・モードを線幅刻みで周波数シフトさせ、その結果得られた複数のテラヘルツ・コム・スペクトルを合成して、コム間隙部が補完された超微細テラヘルツ・スペクトル波形を得る。 - 特許庁

When a 0.5 linewidth equivalent at the tip of the storage medium 83 reaches just below a first light receiving face 73a and a second light receiving face 73b, first and second irradiation movements are performed respectively, and read luminance information is stored as first and second luminance pattern information G1 and G2.例文帳に追加

記録媒体８３の先端の０.５ライン幅分が第１受光面７３ａ、第２受光面７３ｂの直下にきたとき１回目、２回目の照射動作をそれぞれ行い、読み取った輝度情報を第１、第２輝度パターン情報Ｇ１、Ｇ２として格納する。 - 特許庁

By thus performing plasma processing using the gas containing the halogen element and the gas containing the inert gas, the metal oxide film pattern where the lower section linewidth is decreased can be obtained, and this allows the integration of a semiconductor device to be improved.例文帳に追加

このようにハロゲン元素を含むガス及び不活性ガスを含むソースガスを利用してプラズマ処理することにより、下部線幅が減少された金属酸化膜パターンを獲得することができ、これにより、半導体素子の集積度を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a metallic pattern film, which inexpensively forms the metallic pattern film having a pattern of a thin film thickness and a narrow linewidth besides superior film characteristics.例文帳に追加

パターン状の金属パターン膜を安価に形成することができ、また膜特性に優れた金属パターン膜を形成することができ、さらには膜厚が薄く、ライン幅が狭いパターン状の金属パターン膜を形成することのできる、金属パターン膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the electro-optical device, a linewidth of at least one power source line among a plurality of power source lines 103R, 103G, and 103 B is narrowed by at least partially consisted of a conductive film arranged in a first wiring layer 135 and a conductive film arranged in a second wiring layer 136.例文帳に追加

複数の電源線１０３Ｒ，１０３Ｇ，及び１０３Ｂのうちの少なくとも１つの電源線の少なくとも１部を第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とにより構成することにより、電源線の線幅を狭くする。 - 特許庁

In the apparatus, a grating and a beam expander are disposed in a resonator of a laser light source for exciting a GaP crystal, thereby making a linewidth narrow without any damage, and an optical path for simultaneously measuring transmission and reflection of a measured sample is made up, and the GaP crystal is rotated in order to obtain the polarization property.例文帳に追加

ＧａＰ結晶を励起する光源レーザの共振器にグレーティング及びビームエキスパンダーを配置して損傷なく線幅を狭くし、測定サンプルの透過及び反射を同時に測定する光路を有し、ＧａＰ結晶を回転することにより、偏光特性を得る。 - 特許庁

A printer engine part 141 adjusts development bias so that a line image with predetermined width can be output with defined linewidth or defined density, and adjusts an exposure amount so that a patch image obtained on a development condition by the adjusted development bias can be output with the defined density.例文帳に追加

プリンタエンジン部１４１では、所定幅のライン画像を定められた線幅あるいは定められた濃度で出力できるように現像バイアスを調整し、調整した現像バイアスによる現像条件で得られたパッチ画像を定められた濃度で出力できるように露光量を調整する。 - 特許庁

This linewidth measurement regulation method includes regulation for the second electron beam intensity distribution to make the first electron beam intensity distribution of an electron beam scanned in the first magnification equal to the second electron beam intensity distribution of an electron beam scanned in the second magnification.例文帳に追加

線幅測定調整方法は、第１の倍率において走査される電子ビームの第１の電子ビーム強度分布と、第２の倍率において走査される電子ビームの第２の電子ビーム強度分布とが同等になるように前記第２の電子ビーム強度分布を調整することを含む。 - 特許庁

It is therefore capable of preventing the wire that should be left from being etched by the film thickness reduction of the resist 21, and preventing a focus deviation during patterning of the third wiring layer 7 by an exposure machine, thereby preventing the occurrence of linewidth variations of the third wiring layer 7.例文帳に追加

したがって、レジスト２１の膜減りによって残すべき配線がエッチングされることを防止できると共に、露光機による第３配線層７のパターニング時のフォーカスずれを抑制でき、第３配線層７の線幅にバラツキが生じることを防止することが可能となる。 - 特許庁

In the lenticular lens sheet 10 having a stripe light absorption part 12 and a stripe light transmission part 13 positioned between the light absorption parts 12 and 12, the line-width W of the light absorption part 12 is formed so that the triplication (3σ) of the standard deviation of the line-width may be ≥5% and ≤15% of the average of the linewidth.例文帳に追加

ストライプ状の光吸収部１２と、その光吸収部１２，１２間に位置するストライプ状の光透過部１３とを有するレンチキュラーレンズシート１０において、光吸収部１２の線幅Ｗを、線幅の標準偏差の３倍（３σ）が線幅平均の５％以上１５％以下になるように構成した。 - 特許庁

Furthermore, dot color thin line pixel positioned at the thin line part (linewidth is not more than a predetermined value) is detected from a plurality of pixels which constitute the image; and when it corresponds to the dot color thin line pixel, even if it is the dot color edge area pixel, a dot of a predetermined size is allotted, in place of the allotted dot.例文帳に追加

さらに、画像を構成する複数の画素から細線部分（線幅が所定値以下）に位置するドット色細線画素を検出し、前記ドット色エッジ領域画素であっても前記ドット色細線画素に該当する場合には、前記割り当てられるドットに換えて所定サイズのドットを割り当てる。 - 特許庁

To suppress variation in the luminous intensity distribution for realizing a narrow spectrum line width, and to suppress increase of the spectrum linewidth due to hole burning at high output, in a distributed feedback type semiconductor laser device, where a low reflectance film and a high reflectance film are respectively formed on the output plane and the rear end plane of a resonator.例文帳に追加

共振器の出射面に低反射率膜が、後端面に高反射率膜が夫々形成された分布帰還型半導体レーザ素子において、光強度分布の変化を抑制して狭いスペクトル線幅を実現し、また、高出力下でのホールバーニングによるスペクトル線幅の増大を抑制する。 - 特許庁

To provide a colored curable composition for ultraviolet laser exposure which enables to form a pattern having high linewidth stability in a developing step on a substrate, to provide a pattern forming method giving stable pattern profile, and to provide a method for manufacturing a color filter suitable for forming a colored pixel pattern of a color filter.例文帳に追加

現像工程における線幅安定性が高いパターンを基板上に形成しうる紫外光レーザー露光用着色硬化性組成物を提供し、パターン形状の安定なパターン形成方法を提供し、カラーフィルタの着色画素パターンの形成に好適なカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Linewidth on an active layer is set so as to be Li in the mask pattern of the first layer, and set so as to be L' in the mask pattern of the second layer, and anisotropic etching using the mask pattern of the second layer and anisotropic etching using the mask pattern of the first layer are successively carried out so that a hat shape gate can be formed by self-align.例文帳に追加

活性層上における線幅を、第１層のマスクパターンではＬｉ、第２層のマスクパターンではＬ’となるように設定し、第２層のマスクパターンを用いた異方性エッチング、第１層のマスクパターンを用いた異方性エッチングを順に行うことにより、ハットシェープゲートをセルフアラインで形成できる。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern that can solve problems of short-circuit or breaking of word lines and data line ends caused by interference of diffracted light produced at a pattern end on a boundary part between a memory array and a sub-word driver or sense amplifier when fine word lines and data lines having linewidth smaller than a wavelength are patterned on a memory.例文帳に追加

メモリーにおいて波長以下の線幅を有する微細なワード線やデータ線をパターニングする際、メモリーアレーとサブワードドライバやセンスアンプの境界部において、パターン端部で生ずる回折光が干渉するためワード線やデータ線端がショートしたり、断線を起こす問題を解決するパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In the control method of the laser oscillation, by controlling the intensity of excitation light to irradiate the liquid crystal cell with and the strength of an external electric field to be impressed to the liquid crystal cell, the array condition of the liquid crystal molecules is changed and the presence / absence of the laser oscillation oscillated from the liquid crystal cell, the intensity of the laser beam and the linewidth of the laser beam are controlled.例文帳に追加

液晶セルに照射する励起光の強度と、前記液晶セルに印加する外部電場の強度を制御することにより、液晶分子の配列状態を変化させ、液晶セルから発振されるレーザー発振の有無、レーザー光の強度、及びレーザー光の線幅を制御する、レーザー発振の制御方法 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of suppressing occurrence of standing waves, having high sensitivity, having a large depth of focus (DOF) and having excellent in-plane uniformity (CDU) of a linewidth when a highly reflective substrate is directly used without using an antireflection film, and a resist film using the composition, and a pattern formation method.例文帳に追加

反射防止膜を用いず高反射基板をそのまま用いた場合において、定在波の発生が抑制され、感度が高く、焦点深度（ＤＯＦ）が広く、線幅の面内均一性（ＣＤＵ）にも優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus comprises means 13 to 17 which capture a diffraction image of a substrate comprising different shot areas, each having repetition patterns transferred thereto and a means 17 which calculates fluctuations in linewidth of the repetition patterns transferred to the different shot areas by comparing the brightness information of each part corresponding to each repetition pattern with respect to the different shot areas in the diffraction image.例文帳に追加

異なるショット領域のそれぞれに繰り返しパターンが転写されている基板の回折画像を取り込む手段１３〜１７と、回折画像の異なるショット領域について、それぞれの繰り返しパターンに対応する部分の輝度情報を比較することにより、異なるショット領域に転写された繰り返しパターンの線幅変動を算出する手段１７とを備える。 - 特許庁

In EGA optimization simulation, the alignment processing parameters are optimized while taking account of the linewidth variation of a pattern formed, using results of EGA simulation performed using measurement results of first time wafer alignment(EGA measurement), and results of EGA simulation performed using measurement results of second time wafer alignment(EGA measurement) (steps S38, S39, S42, S43).例文帳に追加

ＥＧＡ最適化シミュレーションにおいて、第１回目のウエハアライメント（ＥＧＡ計測）の計測結果を用いてのＥＧＡシミュレーションの結果と、第２回目のウエハアライメント（ＥＧＡ計測）の計測結果を用いてのＥＧＡシミュレーションの結果と、を用いて、形成されたパターンの線幅変動も考慮して、アライメント処理パラメータが最適化される（ステップＳ３８、Ｓ３９、Ｓ４２，Ｓ４３）。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive resin composition which contains a compound good also in compatibility with other components, can optimally control radiation transmittance particularly as a chemically amplified positive resist effectively sensitive to far-ultraviolet radiation, in particular, can effectively suppress a linewidth change of a resist pattern due to a thickness variation of a resist film on a highly reflecting substrate, and excels also in depth of focus latitude.例文帳に追加

他の成分との相溶性も良好な化合物を含有し、特に遠紫外線に有効に感応する化学増幅型ポジ型レジストとして、放射線透過率を最適にコントロールすることができると共に、特に、高反射基板上でのレジスト被膜の膜厚変動によるレジストパターンの線幅変化を有効に抑えることが可能で、かつ焦点深度余裕にも優れたポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁