「Memory Device」に関連した英語例文の一覧と使い方(461ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor memory device comprises a first electrode film 16 formed on a substrate 11, a multilayer film 18 consisting of a ferroelectric film 15, and an insulating film 12 which are laminated on the first electrode film; and a second electrode film 17 selectively formed on the multilayer film 18.例文帳に追加

半導体記憶装置は、基板１１の上に形成された第１の電極膜１６と、第１の電極膜の上に強誘電体膜１５及び絶縁膜１２が積層されてなる積層膜１８と、積層膜１８の上に選択的に形成された第２の電極膜１７とを備えている。 - 特許庁

The RFID tag sending information of the object stored in memory from an antenna is provided on the object, receiving strength is measured at three positions at least not on a straight line by measuring signal from the tag by the electromagnetic wave receiving device mounted on the robot manipulator operated by a computer.例文帳に追加

メモリに記録した物体の情報をアンテナから発信するＲＦＩＤタグをその物体上に設け、コンピュータによって操作されるロボットマニピュレータに取り付けた電磁波受信装置によってタグからの信号を受信して受信強度を、少なくとも１直線上にない３箇所で行う。 - 特許庁

In a connecting module, a universal serial bus (USB) memory or an input/output device, connected to a mobile communication terminal, can be selectively connected to a single connecting module provided in the mobile communication terminal, rather than requiring different exclusive connecting modules.例文帳に追加

接続モジュールは、移動体通信端末に接続されるユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）メモリ又は入出力デバイスが、相互に異なる排他的な接続モジュールを必要とせずに、移動体通信端末に備えられた単一の接続モジュールに選択的に接続することが可能である。 - 特許庁

This reproduction device 100 has: the hard disk 200 recording the encryption content 211; the memory card 300 recording an encryption key 322 corresponding to the encryption content 211; and a decoder 400 decrypting the encryption content 211 by use of the encryption key 322 and outputting it.例文帳に追加

再生装置１００は、暗号化コンテンツ２１１を記録してなるハードディスク２００と、暗号化コンテンツ２１１に対応する暗号化鍵３２２を記録してなるメモリカード３００と、暗号化コンテンツ２１１を暗号化鍵３２２を用いて復号し出力するデコーダ４００とを備えている。 - 特許庁

This NAND flash memory device includes a cell array connected to a plurality of bitlines, a page buffer for storing data to be programmed in the cell array, and a bitline setup circuit for successively setting up the plurality of bitlines with a specified unit in accordance with the data stored in the page buffer.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は複数個のビットラインに連結されるセルアレイと、前記セルアレイにプログラムされるデータを貯蔵するページバッファと、前記ページバッファに貯蔵されたデータに応じて複数個のビットラインを一定の単位で順にセットアップするビットラインセットアップ回路とを含む。 - 特許庁

To provide a rendering device and a rendering method that can efficiently generate pixel data of all the pixels of unit graphics and render it to an image memory by means of a rendering means according to rendering instructions to render an image model defined by a combination of unit graphics.例文帳に追加

単位図形の組合せにより定義された画像モデルを描画するための描画命令に基づいて、描画手段により、単位図形の全ての画素の画素データを効率よく生成して、画像メモリに描画することができる描画装置及び描画方法を提供する。 - 特許庁

To provide an on-board rewriting device which can executes a loader program fast and shorten a rewriting time by switching the execution clock of a CPU to an externally supplied high-speed clock when the on-board rewriting of a nonvolatile memory built-in microcontroller mounted on a set is performed.例文帳に追加

セットに実装された不揮発性メモリ内蔵マイクロコントローラのオンボード書き換え時にCPUの実行クロックを外部から供給する高速クロックに切り替えることにより、高速にローダプログラムを実行し、書き換え時間を短縮することのできるオンボード書き換え装置を提供する。 - 特許庁

The printing device 10 does not perform flying printing during manual duplex printing and discharges a paper for a page even if a memory shortage error or data abnormality error occurs during the processing of the page in manual duplex printing.例文帳に追加

印刷装置１０は、手動両面印刷時には、フライング印刷を行わず、また、手動両面印刷における何れかのページについての処理の最中にメモリ不足エラー又はデータ異常エラーが発生した場合であっても、そのページについての用紙を排出する処理を行う。 - 特許庁

To hold mutual configuration of image data while keeping minimum a memory area required for image processing in an image data processing method performed by an image reader which provides image data generated by optically reading a document, for a host device.例文帳に追加

原稿を光学的に読み取って生成する画像データをホスト装置に提供する画像読み取り装置が実行する画像データ処理方法において、画像処理に要するメモリ領域を最小に保ちつつ、画像データ相互の構成を保持させる画像データ処理方法を提供する。 - 特許庁

The non-volatile memory device includes: at least one bottom gate electrode provided on a substrate; at least one charge storage layer provided on at least one bottom gate electrode; and at least one semiconductor channel layer provided on at least one charge storage layer.例文帳に追加

少なくとも一つの底ゲート電極は、基板上に提供され、少なくとも一層の電荷保存層は、少なくとも一つの底ゲート電極上に提供され、少なくとも一層の半導体チャンネル層は、少なくとも一層の電荷保存層上に提供される不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

The tile type display device 8 includes a display controller 12 which receives image data from an image data source 14 and sets the format of the image data for display and a plurality of display tiles each having a display pixel array, a memory 36, and a communication interface.例文帳に追加

タイル式表示装置８は、画像データ源１４から画像データを受信し、表示のために該画像データをフォーマット設定する表示制御装置１２と、表示画素アレイ、タイル制御装置３２、クロック３３、メモリ３６および通信インタフェースを有する複数の表示タイルと、を含む。 - 特許庁

The GPU 18, when performing the geometry processing using the first data, imports the first data from the auxiliary storage device 19 to perform rendering and, when performing the geometry processing using the second data, imports the second data from the main memory 11 to perform rendering.例文帳に追加

ＧＰＵ１８は、第１データを用いてジオメトリ処理が行われた場合には補助記憶装置１９から第１データを取り込んでレンダリング処理を行い、第２データを用いてジオメトリ処理が行われた場合にはメインメモリ１１から第２データを取り込んでレンダリング処理を行う。 - 特許庁

To prevent a decrease of a printing throughput even when any device is connected in layout printing of printing side by side in a main scanning direction a plurality of images stored in memory cards or external storage devices while a plurality of the different external storage devices are connected.例文帳に追加

異なる外部記憶装置が複数接続され、メモリカードや、外部記憶装置に保存されている複数の画像を、主走査方向に並べて印刷するレイアウト印刷において、どのような装置が接続されても、印刷スループットの低下を阻止することができるようにするものである。 - 特許庁

The peripheral controller includes a controller for controlling one or a plurality of peripheral devices and a single interface to a shared memory device storing configuration information for at least one of the one or a plurality of peripheral devices and an additional code such as a boot ROM code.例文帳に追加

周辺コントローラは、１つまたは複数の周辺デバイスを制御するためのコントローラ、および１つまたは複数の周辺デバイスの少なくとも１つに関する構成情報、およびブートＲＯＭコードなどの追加のコードを格納する共有メモリ・デバイスに対する単一のインタフェースを含む。 - 特許庁

The onboard device 2 stores image data imaged by an onboard camera 21 in a memory 24, and transmits the image data stored by an amount corresponding to a prescribed period before and after reception to the accident analysis server 3 when receiving the emergency imaging request signal from outside the vehicle.例文帳に追加

また、車載装置２は、車載カメラ２１により撮像された画像データをメモリ２４に記憶すると共に、車両外部から緊急撮像リクエスト信号を受信した場合、その受信前後の一定期間分だけ記憶された画像データを事故解析サーバ３に送信する。 - 特許庁

A memory device comprises a substrate 100, a first electrode 110 which is extended vertically for the substrate 100, and a second electrode 120 which is extended vertically for the substrate 100 and is separated from the first electrode 110 with an electrode gap.例文帳に追加

メモリ素子は、基板１００と、基板１００に対して垂直方向に延長される第１電極１１０と、基板１００に対して垂直する方向に延長され、電極のギャップによって第１電極１１０と互いに離隔するように配置される第２電極１２０と有する。 - 特許庁

The overwriting means 23 overwrites the test condition parameter in an area for storing the test condition parameter in correspondence to a register of a semiconductor testing device out of a memory in a computer, based on the input intermediate file 4, flow information and an output condition 2.例文帳に追加

上書き手段２３は、入力された中間ファイル４とフロー情報と出力条件２とに基づき、計算機内のメモリのうち半導体試験装置のレジスタに対応してテスト条件パラメータを記憶する領域において、テスト条件パラメータの上書きを行うものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device outputting internal data to the outside constantly at a predetermined time point even when PVT (Process, Voltage and Temperature) is changed, by eliminating a delay element affected by the change of the PVT in a clock alignment training operation.例文帳に追加

クロック整合トレーニング動作において、ＰＶＴ（Ｐｒｏｃｅｓｓ、Ｖｏｌｔａｇｅ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）の変動に影響される遅延要素を除去することにより、ＰＶＴが変動した場合でも、常に所定の時点で内部データを外部に出力する半導体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

PROCESS OF FORMING SUBSTANCE FILM TO ENHANCE EFFICIENCY OF VAPOR DEPOSITION OF NOBLE METAL FILM ON FERROELECTRIC FILM, MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC FILM CAPACITOR USING METHOD, FERROELECTRIC FILM CAPACITOR FORMED BY METHOD, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING FERROELECTRIC FILM CAPACITOR, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

強誘電膜上で貴金属膜の蒸着率を向上させうる物質膜の形成方法、この方法を利用した強誘電膜キャパシタの製造方法及びこの方法で形成された強誘電膜キャパシタ、このような強誘電膜キャパシタを備える半導体メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device comprises a channel formation region, a charge holding layer, and a tunnel insulating film provided between the channel formation region and charge holding layer and containing silicon particles each having a first nitride-containing layer on a surface.例文帳に追加

チャネル形成領域と、電荷保持層と、前記チャネル形成領域と前記電荷保持層との間に設けられ、表面に第１の窒素含有層を有するシリコン粒を含むトンネル絶縁膜と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

A ceiling hanging type flat television mounting device can automatically change the angles of the flat television by 360 degrees in the horizontal direction by using a motor, and also can automatically change vertical positions by using a spring having shape memory effect for a hanging member.例文帳に追加

本考案の天井吊るしタイプの平面テレビ取り付け装置は、モータを使用して平面テレビの角度を水平方向で３６０度、自動で変えることができ、且つ吊し部材に形状記憶効果を有するバネを使用し、垂直方向位置も自動で変えることができる構成を有する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric capacitor capable of suppressing leakage current in a ferroelectric film by an MOCVD method and improving the characteristics of the ferroelectric film, consisting of a plurality of ferroelectric layers, and to provide a ferroelectric memory device that has this ferroelectric capacitor.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法による強誘電体膜におけるリーク電流を抑制するとともに、複数の強誘電体層からなる強誘電体膜についてその特性向上を図った強誘電体キャパシタと、この強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリ装置とを提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with an active element 2, a storage capacitance part connected to the active element 2 and having a high ferroelectric film 9, and an insulating film formed as a diffusion barrier for suppressing the diffusion of hydrogen into the storage capacitance part.例文帳に追加

能動素子２と、能動素子２に接続される高強誘電体膜９を有する蓄積容量部と、前記蓄積容量部への水素の拡散を抑制するための拡散バリア層として設けられた絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 特許庁

This simulation device changes an input port block having a configuration for receiving data from a block outside a subsystem block and inside an upper layer system, among a block group constituting the subsystem block, into a variable reading block acquiring a value set in a prescribed memory area (S220, S225).例文帳に追加

シミュレーション装置は、サブシステムブロックを構成するブロック群の内、サブシステムブロック外であって上層システム内のブロックからデータを受け取る構成にされた入力ポートブロックを、所定のメモリ領域に設定された値を取得する変数読出ブロックに変更する（Ｓ２２０，Ｓ２２５）。 - 特許庁

The method of programming the nonvolatile memory device includes a step for performing a program operation, a step for performing a program verify read operation, and a step for performing simultaneously a verification recovery operation and a pass/fail determination operation directly after the program verification read operation.例文帳に追加

本発明による不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、プログラム動作を遂行するステップと、プログラム検証読み出し動作を遂行するステップと、前記フロッグラム検証読み出し動作直後に検証リカバリ動作とパス／フェイル判別動作とを同時に遂行するステップと、を含む。 - 特許庁

A standby refresh signal generation section receives the second refresh signal and a chip selection signal indicating the standby state of the semiconductor memory device and generates a standby refresh signal, and a wordline pulse generation section receives the first refresh signal and the standby refresh signal and generates a wordline driving signal.例文帳に追加

スタンバイリフレッシュ信号発生部は第２リフレッシュ信号と半導体メモリ装置のスタンバイ状態を示すチップ選択信号とを受信してスタンバイリフレッシュ信号を発生し、ワードラインパルス発生部は第１リフレッシュ信号とスタンバイリフレッシュ信号とを受信してワードライン駆動信号を発生する。 - 特許庁

The charge/discharge control method for the alkali storage battery that can avoid the memory effect while fully bringing out the characteristics of the battery during travel as well as attaining simplification of the system without needing the detecting device includes automatically carrying out predetermined charge or discharge by signals from the outside.例文帳に追加

本発明は、検出装置を必要とせず、システムを簡易化できるだけでなく、走行時に電池の特性を十分に引き出しながらメモリー効果を回避できる、アルカリ蓄電池の充放電制御方法は、外部からの信号によって所定の充電、あるいは放電を自動的に実施する。 - 特許庁

In the nonvolatile memory device having a resistance change layer RW, the resistance change layer RW is composed of a metal oxide film that contains an element with a higher electronegativity compared with a metal element, constituting the metal oxide film, in the metal oxide film at a concentration which is ≤25 at%.例文帳に追加

抵抗変化層ＲＷを有する不揮発性記憶装置において、抵抗変化層ＲＷは、金属酸化膜に、２５ａｔ％以下の濃度で、金属酸化膜を構成する金属元素に比して電気陰性度の大きな元素が含まれる膜によって構成される。 - 特許庁

To provide color expression without having an uncomfortable feeling since chromaticity of each of skin color being memory color, sky blue (cyan) and green is shifted as an area on a chromaticity diagram expressed by three RGB primary colors is very large, in an image display device capable of expressing a wide gamut.例文帳に追加

広色域表現できる画像表示装置において、ＲＧＢ３原色で表現される色度図上の面積が非常に大きいため、記憶色である肌色、空（シアン）、緑もそれぞれ色度がシフトしてしまうため、違和感のない色表現を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the various techniques and tools for coding and decoding, a variable length code in each macro block including a plurality of conversion coefficient data existence indicators is determined by a computing device provided with a processing unit and a memory, and the determined variable length code is transmitted as a signal within a bit stream.例文帳に追加

符号化しおよび復号する様々な手法およびツールは、処理ユニットおよびメモリを備えたコンピューティング・デバイスにより複数の変換係数データ存在インジケータを含むマクロブロックごとの可変長符号を決定し、決定した可変長符号をビットストリーム内で信号伝達する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that prevents the deterioration of the hydrogen diffusion blocking performance of a hydrogen barrier film covering a capacitor caused by an influence of an uneven shape by a plurality of ferroelectric capacitors, and the variation of a polarization characteristic of the ferroelectric capacitor, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

複数の強誘電体キャパシタによる凹凸形状の影響を受けてキャパシタを被覆する水素バリア膜の水素拡散阻止能力が劣化すること、および強誘電体キャパシタの分極特性がばらつくことを防止する半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a first source/drain diffusion layer (11), a second source/drain diffusion layer (12), two electrically insulated charge storage layers (21) formed on a channel region, and two electrically insulated gate electrodes (13, 14).例文帳に追加

第１ソース／ドレイン拡散層（１１）と、第２ソース／ドレイン拡散層（１２）と、チャネル領域の上に構成され、電気的に絶縁される二つの電荷蓄積層（２１）と、電気的に絶縁された二つのゲート電極（１３、１４）とを具備する不揮発性半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a data control unit configured to selectively process the data for writing to a memory and configured to enable one processing function from a group of processing functions in response to a mode register command during the write operation, wherein the group of processing functions includes at least three processing functions.例文帳に追加

メモリにライト動作を行うために選択的にデータを処理し、ライト動作中にモードレジスタコマンドに応答して、プロセシング機能のグループのうち、１つのプロセシング機能をイネーブルするデータ制御部を備え、プロセシング機能のグループは、少なくとも３つのプロセシング機能を含む半導体装置である。 - 特許庁

This memory semiconductor device can includes: a plurality of semiconductor patterns having a vertical long axis on the upper surface of a substrate and two-dimensionally arranged; and a plurality of word lines three-dimensionally arranged among the plurality of semiconductor patterns while having a long axis crossing the plurality of semiconductor patterns.例文帳に追加

メモリ半導体装置は、基板の上部面に垂直長軸を有し、２次元的に配列される複数の半導体パターン、及び複数の半導体パターンを横切る長軸を有しながら、複数の半導体パターン間で３次元的に配列される複数のワードラインを包含できる。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit LSI mountable to a disk drive recording/reproducing device 0001 includes: a signal processor 0107 of an RF signal read from a pickup; a servo controller 0106 responsive to a servo error signal read from the pickup; a memory controller 0108; and an external interface 0110.例文帳に追加

ディスクドライブ記録再生装置０００１に搭載可能な半導体集積回路ＬＳＩは、ピックアップから読み出されるＲＦ信号の信号処理部０１０７、ピックアップから読み出されるサーボ誤差信号に応答するサーボ制御部０１０６、メモリ制御部０１０８、外部インターフェース０１１０を含む。 - 特許庁

To provide an image scanning device for reading images on the surface and the backside of a document at different scanning positions on a conveying path, capable of reducing a memory capacity required for storing image data generated by image reading performed at these reading positions.例文帳に追加

搬送経路上の異なる読取位置で原稿の表面と裏面の画像読み取りを行う画像読取装置であって、これらの読取位置で行われた画像読み取りにて生成された画像データを記憶するために必要なメモリ容量を低下させることができる画像読取装置を提供する。 - 特許庁

The line adapter device 130 according to the present invention comprises an interface 150 provided with the transmission information transceiver to be inserted therein, and a line adapter unit 160 having a memory unit 162 for memorizing configuration information of a first FPGA, and is equipped in the ATM exchange.例文帳に追加

本発明に係る回線対応装置１３０は、伝送情報送受信装置が挿入されるインターフェース１５０と、第１のＦＰＧＡ用コンフィグレーション情報を記憶した記憶部１６２を有する回線対応部１６０とを有して構成され、ＡＴＭ交換機１００に搭載されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a non-volatile memory device capable of effectively embodying an NOR flash cell array composed using a 2-beat sidewall floating gate element having self-convergence characteristics, where a threshold voltage converges to a fixed value in erasing.例文帳に追加

本発明はイレイズの時しきい電圧が決まった値打ちに収斂する特性を枝は自体に収斂する２ビートサイドワル・フローティングゲート素子を使って構成したＮＯＲフラッシュセルアレイを効果的に具現することができる不揮発性メモリー素子の製造方法に関するのである。 - 特許庁

To decrease the number of times of switching gate voltage by decreasing the number of required thresholds, to eliminate the need for pre-charge technology in operation reading multi-level data from a non-volatile memory, and to reduce transient difficulty of design of a non-volatile semiconductor storage device using a multi-level technology.例文帳に追加

不揮発性メモリセルから多値を読み取る動作において、必要な閾値の数を減らしてゲート電圧の切換回数を少なくすること、及び、プリチャージ技術を不要とすること、並びに、多値技術を用いる不揮発性半導体記憶装置の過渡的な設計の難易度を下げること。 - 特許庁

Not only information stored in a built-in memory of the portable telephone can be backed up in a storage means but also information stored in the storage means can be further backed up in a storage region of the computer system while detaching the storage device from the portable telephone and connecting it with the computer system.例文帳に追加

携帯電話の内蔵メモリに記憶された情報を記憶手段にバックアップすることが可能であるだけでなく、携帯電話から取り外してコンピュータ装置と接続した状態で、記憶手段に記憶された情報を、さらにコンピュータ装置の記憶領域へバックアップすることも可能である。 - 特許庁

Since the stored data in the memory 66 are converted to analog signals and displayed on a display device, the images of respective blocks divided on the display picture successively appear on the picture and move to prescribed positions and when all the blocks are displayed, the selector circuit 64 selects ordinary image data.例文帳に追加

メモリ６６の記憶データをアナログ信号に変換し、表示装置により表示するので、表示画面において分割された各ブロックの画像が順次画面に現れ、所定の位置まで移動し、すべでのブロックが表示されたとき、選択回路６４により通常の画像データを選択する。 - 特許庁

This nonvolatile memory device realizes a logic switch that uses a nonvolatile resistive storage element in which a resistance state changes according to a current value or a programmable register that uses the nonvolatile resistive storage element to be able to adjust redundancy and a reference level in a software manner.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ装置は、電流値に従い抵抗状態が変化する不揮発性抵抗記憶素子を利用したロジックスイッチ、又は不揮発性抵抗記憶素子を利用したプログラマブルレジスタを実現してソフトウェア的にリダンダンシー及びレファレンスレベルを調整することができるようになる。 - 特許庁

The charge computing device 50, for use when the introduction of energy-saving devices and/or services into facilities with the expense of predetermined energy-saving investment is received from an ESCO company, includes a database memory 55, an input I/F part 56, a CPU 51, and an output I/F part 57.例文帳に追加

設備に対して所定の省エネ投資費用を伴ってＥＳＣＯ会社から省エネ機器／サービスの導入を受ける場合における料金演算装置５０であって、データベースメモリ５５と、入力Ｉ／Ｆ部５６と、ＣＰＵ５１と、出力Ｉ／Ｆ部５７とを備えている。 - 特許庁

the image data stored in the frame memory 2 are outputted to the DAC 3 without being parallel-serial converted, and each total number of the DACs 3 and the buffer circuits 4 in the driving circuit to be used at the time of driving the liquid crystal display device 6 is less than the number of data bus lines 13, respectively.例文帳に追加

フレームメモリ２に記憶された画像データは、パラレル−シリアル変換されること無くＤＡＣ３に出力され、且つ、液晶表示装置６を駆動する際に使用される駆動回路内のＤＡＣ３及びバッファ回路４の各総数が夫々データバスライン１３の本数よりも少ない。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus and a method for controlling the image forming apparatus with which unauthorized use of the image forming apparatus by replacement or unauthorized copy of a memory device which stores setting information unique to equipment, etc. is detected and a starting control is performed in a preset operation mode.例文帳に追加

機器固有の設定情報を記憶するメモリデバイスの付け替えや不正コピー等による画像形成装置の不正使用を検出し、事前に設定された動作モードにて起動制御を行う画像形成装置および画像形成装置の制御方法を提供する。 - 特許庁