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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Memory Deviceの意味・解説 > Memory Deviceに関連した英語例文

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Memory Deviceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 24675件



例文

A method for manufacturing the non-volatile semiconductor memory device comprises steps of forming a polysilicon film 3 on a semiconductor substrate via a gate insulating film 2, forming a multilayer film in which at least a silicon nitride film 4 and a silicon insulating film 5 are laminated via a polysilicon film 6, and then forming an opening 8 in the multilayer film.例文帳に追加

半導体基板1上にゲート絶縁膜2を介してポリシリコン膜3を形成し、当該ポリシリコン膜3上に少なくともシリコン窒化膜4とシリコン絶縁膜5とポリシリコン膜6が積層された多層膜を形成した後に、当該多層膜に開口8を形成する。 - 特許庁

To provide an optical recording medium with which medium identification information is recorded, with which data are recorded with a density higher than that of a DVD optical disk-read only memory, and with which a sufficient defocus margin is ensured by using a conventional medium identification information recording device.例文帳に追加

DVD再生専用光ディスクより高密度にデータを記録することができるとともに、従来の媒体識別情報記録装置を用いて充分なデフォーカスマージンを確保可能な媒体識別情報を記録することができる光記録媒体を提供する。 - 特許庁

The device includes a step to drive a bulk in which the memory cell is formed by a bulk voltage, a step to detect whether the bulk voltage has reached a target voltage or not, and a step to terminate the drive of the bulk after a specified period when it is detected that the bulk voltage has reached the target voltage.例文帳に追加

メモリセルが形成されているバルクをバルク電圧で駆動するステップと、バルク電圧が目標電圧に到達したかどうかを検出するステップと、バルク電圧が目標電圧に到達したと検出された場合、一定時間後にバルクの駆動を終了するステップとを含む。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes: the plurality of banks; an EMRS unit including refresh information of each bank; and a bank refresh control unit for supporting a refresh operation performed in sequence to each unit in the refresh operation of at least two or more banks in response to the refresh information of each bank.例文帳に追加

複数のバンクと、前記バンク別リフレッシュ情報を含んでいるEMRS部と、前記バンク別リフレッシュ情報に応答し、少なくとも2つ以上であるバンクのリフレッシュ動作の際、単位バンク別に順次的なリフレッシュ動作を支援するためのバンクリフレッシュ制御部とを備た半導体メモリ装置。 - 特許庁

例文

Plural sets of commodity information classified in categories of businesses are stored in an external memory device of a host computer 3 and an input screen waiting for input of business category information is indicated on a homepage with responding to access from a customer computer 1A via the Internet 6.例文帳に追加

ホストコンピュータ3の外部記憶装置により業種ごとに分類された複数組の商品情報が記憶され、インターネット6を介して顧客コンピュータ1Aからのアクセスに応答して業種情報の入力を受け付ける入力画面をホームページ上で提示する。 - 特許庁


例文

To provide a data transfer circuit wherein a register which stores a training pattern required for read training which is performed to secure high-speed operation is temporarily removed and the number of line to transmit the a training pattern is decreased and to provide a semiconductor memory device equipped with it.例文帳に追加

高速動作を保障するために行われる読み出し訓練(READ TRAINING)に必要な訓練パターンを一時格納するレジスタが除去され、前記訓練パターンを伝達するラインの個数を減少させるデータ伝達回路及びそれを備える半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

Each of a plurality of unit logic circuits sequentially changes part or all of functions of the logic cell 300 and the cross connect switch 301 on the basis of the first and second setting information sequentially read from the memory device 102 and carries out operations of a prescribed sequence circuit.例文帳に追加

複数の単位論理回路の各々は、メモリ装置102から順次に読み出す前記第1及び第2の設定情報に基づいてロジックセル300とクロスコネクトスイッチ301の一部又は全ての機能を順次に変更して所定の順序回路の動作を行う。 - 特許庁

A low-pass filter (LPF) is built into a seat electric box (SEB) and when downloading content data to all the SEBs by unicast communication, the SEBs are separated in terms of network and content data transmitted from a server device 100 are sequentially transferred to the next stage via a memory built in the SEB.例文帳に追加

SEB内部にLPFを内蔵し、コンテンツデータをすべてのSEBへユニキャスト通信でダウンロードする場合は、各SEBをネットワーク的に分離すると同時に、サーバ装置100から送信されるコンテンツデータをSEBに内蔵されたメモリを経由して順次、次段に転送する。 - 特許庁

To provide a communication technology that allows a radio wave transmitted by a first communication mode to be more securely transmitted and allows communication to a communication device other than a communication partner communicating in a second communication mode to be securely controlled without consuming memory a lot and without making structure complicated.例文帳に追加

メモリを大量に消費することなく且つ構成を複雑にすることなく、第1の通信方式で送信する電波をより確実に伝達でき、第2の通信方式で通信する通信相手以外の通信機器に対する通信を確実に抑制可能な通信技術を提供する。 - 特許庁

例文

A liquid crystal display device 10 is provided with a liquid crystal display panel 11, a row electrode driving circuit (a scanning signal line driving circuit)12, a column electrode driving circuit (a source signal line driving circuit)13, a power supply circuit 14, a common electrode driving circuit 15 and a memory (a storage means)16.例文帳に追加

液晶表示装置10は、液晶表示パネル11、行電極駆動回路(走査信号線駆動回路)12、列電極駆動回路(ソース信号線駆動回路)13、電源回路14、共通電極駆動回路15およびメモリ(記憶手段)16を備えている。 - 特許庁

例文

A transition effect section 33c performs image processing of the camera image stored in the image memory 33b according to the transition effect of the content designated by a remote controller 34e and displays the processed camera image on the monitor of the karaoke device 34b by a display control section 33f.例文帳に追加

遷移効果部33cは、リモコン34eによって指定されたコンテンツの遷移効果に応じて、画像メモリ33bに記憶されたカメラ画像の画像処理を行ない、この処理されたカメラ画像を、表示制御部33fによってカラオケ装置34bのモニタに表示する。 - 特許庁

The semiconductor device which is provided on a common semiconductor substrate 1, with a nonvolatile memory cell having a tunnel diffusion layer 24; a MOS transistor, having a low concentration layer for the impurity concentration lower than that of the drain region on the side of a tunnel part of the drain region; and an electrostatic discharge damage countermeasure transistor is manufactured.例文帳に追加

トンネル拡散層24を有する不揮発性メモリセルと、ドレイン領域のチャネル部側に前記ドレイン領域よりも低不純物濃度の低濃度層を有するMOSトランジスタと、静電破壊対策トランジスタとを、共通の半導体基板1上に備える半導体装置が製造される。 - 特許庁

When an output voltage of a rectifier DB1 of a discharge lamp lighting device 12 for lighting a discharge lamp 11 reaches a specified voltage, a lighting time counter 14 reads out an accumulated lighting time of the discharge lamp 11 until a power source is cut off in the last time from a nonvolatile memory 17.例文帳に追加

放電灯11を点灯させる放電灯点灯装置12の整流器DB1の出力電圧が規定電圧に達すると、点灯時間タイマ14は、前回電源が切られるまでの放電灯11の累積点灯時間を不揮発性メモリ17から読み出す。 - 特許庁

When a test process decided that the mixed memory array cannot be or can be mended, a signal showing that it is incapable or capable of being mended respectively is output directly to an external testing device.例文帳に追加

試験プロセスが、メモリ混載アレーを修理することができないと判断した場合、メモリ混載アレーは修理不能であることを示す信号を、また欠陥を修理することができると判断した場合、メモリ混載アレーは修理可能であることを示す信号を外部試験装置へ直接与える。 - 特許庁

The memory device, which can write or read data of a plurality of words parallel, comprises planes 101-1 to 101-5 in a prime number exceeding the number of the plurality of words, and an address control part 102 for controlling addresses in the planes 101-1 to 101-5.例文帳に追加

本発明のメモリ装置は、複数のワードのデータを並列に書込又は読出が可能であるメモリ装置において、前記複数のワードの数を超える素数個のプレイン101−1〜101−5と、プレイン101−1〜101−5のアドレスを制御するアドレス制御部102とを具備している。 - 特許庁

Each of the plurality of unit logic circuits sequentially changes part or all of functions of the logic cell 300 and the cross connect switch 301 on the basis of the first and second setting information sequentially read from the memory device 102 and carries out operations of a prescribed sequence circuit.例文帳に追加

前記複数の単位論理回路の各々は、メモリ装置102から順次に読み出す前記第1及び第2の設定情報に基づいてロジックセル300とクロスコネクトスイッチ301の一部又は全ての機能を順次に変更して所定の順序回路の動作を行う。 - 特許庁

The print control device acquires a correction value corresponding to each dotted line, when not acquired, from the printer, stores it in a memory, and converts the image data corresponding to each dotted line to the print data based on the correction value corresponding to each dotted line.例文帳に追加

そして、前記印刷制御装置は、各ドット列に対応する補正値を取得していないとき、前記印刷装置から前記補正値を取得してメモリに記憶し、各ドット列に対応する補正値に基づいて、それぞれのドット列に対応する前記画像データを印刷データに変換する。 - 特許庁

When a semiconductor memory 50 is tested, the prescribed conversion regulation in converting logic address to a physical address is read out from a conversion program storage device 14, the conversion regulation is converted to HDL data forming a logic circuit in the scrambler 12 by a write data generating circuit 16.例文帳に追加

半導体メモリ50を試験する際に、変換プログラム記憶装置14から論理アドレスを物理アドレスに変換する際の所定の変換則が読み出されて、その変換則が書込みデータ生成回路16にてスクランブラ12での論理回路を形成するHDLデータに変換される。 - 特許庁

An inclined guide groove 10b is installed at the front end part of the upper face or the lower face of the card 10 having information memory function, and corresponding to this, a movable control piece 8 capable of vertical movement is installed at the connector device for the card protruded to a card housing space 6 from above or from below.例文帳に追加

情報記憶機能を有するカード10の上面または下面の前端部に傾斜案内溝10bを設け、これに対応してカード用コネクタ装置には上方または下方からカード収納空間6に突出して上下動可能な可動規制片8を設ける。 - 特許庁

An IC chip 31 provided on the developer replenishing container 16 with a nonvolatile memory means storing information concerning the developer replenishing container 16 and a processing means with a function to write in specified information to the nonvolatile storing means of the developer replenishing container 16 is provided on the device main body 1.例文帳に追加

現像剤補給容器16に、該現像剤補給容器16に関する情報を記憶する不揮発性記憶手段を有するICチップ31が設けられ、装置本体1に、現像剤補給容器16の不揮発性記憶手段に所定の情報を書き込む機能を有する処理手段が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device 1 is equipped with; a SRAM (Static RAM) cell array 11 in which a plurality of memory cells each of which consists of CMOSFETs are arranged in matrix; and power source lines VL1 and GL1, etc., which are provided every one bit column , such as one bit column of the SRAM cell array 11.例文帳に追加

半導体集積回路装置1は、CMOSFETから構成される複数のメモリセルが格子状に配置されたSRAMセルアレイ11と、SRAMセルアレイ11の1ビット列等の1ビット列ごとに設けられた電源線VL1、GL1等を備えている。 - 特許庁

A synchronous controller as a command switch means for transmitting a command sent from a high-order device to the motor of the spindle selected arbitrarily from among the first spindle and the second spindle, two attitude detection means for detecting the attitude of the drive table, and a pitch error compensation memory for storing a compensation value for a pitch error.例文帳に追加

同期制御装置は、第1軸と第2軸との任意に選択された軸のモータに、上位装置から送られる指令を伝達する指令スイッチ手段と、駆動テーブルの姿勢を検出する2つの姿勢検出手段と、ピッチ誤差に対する補正値を格納するピッチ誤差補正メモリを有する。 - 特許庁

The outdoor loudspeaker systems 23 and 24 calculate a sound quality deterioration rate on the basis of a comparison result between digital sound data of the recorded sound signal and "recorded data in a state with no errors in a radio channel" previously stored in a device internal memory and store the sound quality deterioration rate as a sound quality measurement result (S11 and S12).例文帳に追加

屋外拡声装置23、24は、録音した音声信号のデジタル音声データと、装置内部メモリに予め保存されている「無線回線にエラーが無い状態での録音データ」との比較結果に基づいて音質劣化率を算出し、音質測定結果として保存する(S11、S12)。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor memory device with the variable resistive element for storing data formed between an upper electrode and a lower electrode comprises the steps of sputtering an electrically conductive metallic oxide in an atmosphere including no oxygen, and forming the variable resistive element.例文帳に追加

上部電極と下部電極の間にデータを蓄積するための可変抵抗体を形成してなる半導体記憶装置の製造方法であって、導電性の金属酸化物を、酸素を含まない雰囲気中でスパッタリングし、前記可変抵抗体を形成する可変抵抗体形成工程を実行する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device which reduces the height of a floating gate electrode, facilitating the formation of a control gate electrode, makes the coupling ratio of the floating gate electrode increased, and the control gate electrode and reducing interference effect between memory cell transistors.例文帳に追加

浮遊ゲート電極の高さを低くして制御ゲート電極の形成を容易にしつつ、浮遊ゲート電極と制御ゲート電極とのカップリング比を増加させるとともにメモリセルトランジスタ間の干渉効果を低減することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a ferroelectric thin film 9 for storing charges formed on a conductivity type silicon substrate 1 on which a memory selection transistor is formed wherein the ferroelectirc thin film 9 is formed by adding a group IIIA or IIIB element.例文帳に追加

メモリ選択用トランジスタを形成した導電型シリコン基板1上に、電荷を蓄積する強誘電体薄膜9が形成されており、その強誘電体薄膜9が周期表の第IIIA族または第IIIB族の元素を添加されて構成された半導体装置である。 - 特許庁

The nonvolatile variable resistance memory device including Cu_2O may include a lower electrode 20, a first Cu compound layer 22 disposed on the lower electrode 20, a second Cu compound layer 24 disposed on the first Cu compound layer 22, and an upper electrode 26 disposed on the second Cu compound layer 24.例文帳に追加

下部電極20と、下部電極20上に形成された第1銅化合物層22と、第1銅化合物22上に形成された第2銅化合物層24と、第2銅化合物24上に形成された上部電極26と、を備えるCu_2Oを含む不揮発性可変抵抗メモリ素子である。 - 特許庁

When the physical movement of the communication device detected in accordance with a detection output from an accelerator sensor 113 agrees with the physical movement stored in the memory 105, a control part 108 controls respective parts to execute the prescribed processing associated with the physical movement.例文帳に追加

加速度センサー113からの検出出力に応じて検出する自機の物理的な動きが、メモリ部105に記憶されている物理的な動きに一致する場合に、制御部108は、各部を制御し、その物理的な動きに対応付けられている所定の処理を実行するようにする。 - 特許庁

A wireless utility program 11 captures the VGA slide data which are plotted on the video memory (VRAM) 15 by the program 12 through the driver 14 and the captured VGA slide data are transmitted to a wireless projector 2 via radio signals using a radio LAN device 13.例文帳に追加

ワイヤレスユーティリティプログラム11は、プレゼンテーションプログラム12がディスプレイドライバ14を介してビデオメモリ(VRAM)15に描画したVGAスライドデータをキャプチャし、そしてそのキャプチャしたVGAスライドデータを無線LANデバイス13を用いてワイヤレスプロジェクタ2に無線信号によって送信する。 - 特許庁

This device has a position-measuring instrument which computes position information, by receiving radio waves from multiple satellites and stores a nonvolatile memory with current position information computed from the measured position as current position information.例文帳に追加

複数の衛星からの電波を受信して、位置情報を算出する測位装置を有し、収集信号に基づいて、測位装置により算出される現在の位置情報を目的地として不揮発性メモリに記憶させると共に、直前の複数の位置情報を不揮発性メモリに記憶させる。 - 特許庁

Thereafter, this digital type protection/control device A is subjected to power-on/off or restarted, whereby an IP communication functional section 3 moves to a state capable of starting communication by using IP address information for external connection stored in a second memory 7 as IP address information for IP communication.例文帳に追加

その後、ディジタル形保護/制御装置Aを電源活殺または再起動することにより、IP通信機能部3は第2のメモリ7に記憶した外部接続用IPアドレス情報をIP通信用のIPアドレス情報とし、通信を開始可能な状態に移行する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: bit lines (GBLL) connected to memory cells; sense amplifiers (SA) which are amplifiers connected to respective bit lines; local input/output lines (LIOT); input/output ports (IOP) which are local column switches; column selection lines (YS0); and global column switches (Q20, Q21).例文帳に追加

本発明の半導体装置は、メモリセルに接続されたビット線(GBLL)と、各ビット線に接続された増幅器であるセンスアンプ(SA)と、ローカル入出力線(LIOT)と、ローカルカラムスイッチである入出力ポート(IOP)と、カラム選択線(YS0)と、グローバルカラムスイッチ(Q20、Q21)とを備えている。 - 特許庁

In accordance with the screen transition pattern to be shown by the screen transition information given by the menu display determination part, the system control part effects the transition of a screen to be displayed on a video display device (15) based on the program a part of which is developed in a RAM (2d) as a volatile memory.例文帳に追加

システム制御部は、メニュー表示決定部より与えられた画面遷移情報で示される画面遷移パターンに従って、揮発性メモリであるRAM(2d)に一部が展開されたプログラムに基づいて、映像表示装置(15)に表示させる画面を遷移させる。 - 特許庁

To provide a lighting device capable of attaining light-distribution characteristics with a wide angle required for a spot-type lamp and the like and guiding and emitting sufficiently-diffused light and enhancing design properties and making a name of a facility easily remain in a user's memory.例文帳に追加

本発明は、スポット型などに必要とされる広角の配光特性を得ることができ、且つ十分に拡散された拡散光を導出させることができ、さらにデザイン性を高めると共に、施設の名称等をユーザの記憶に残り易くすることができる照明装置の提供を目的とする。 - 特許庁

The device prestores the number of candidate facility names having the search words input by an input means and the keywords forward matching the reading of the search words in a number memory means in association with the combination of rows of the Japanese syllabary where character strings of reading of the search words belong.例文帳に追加

入力手段によって入力される検索語及び該検索語の読みと前方一致するキーワードを有する候補施設名の件数が、該検索語の読みの文字列が属する50音の行の組み合わせに関連付けられて件数記憶手段に予め記憶されている。 - 特許庁

The lighting control device 2 includes a lighting control section 21 for adjusting a dimming level of the lighting fixture 3, a memory section 22 for storing various setting information, and a γ-characteristic recorrection section 24 for collecting a brightness indicator recorrected from the γ-characteristics of the output of the camera 1.例文帳に追加

照明制御装置2は、照明器具3の調光レベルを調整する照明制御部21と、各種設定情報が記憶される記憶部22と、カメラ1からの出力のγ特性を再補正した明るさ指標を求めるγ特性再補正部24とを備える。 - 特許庁

When the power is turned on, the continuous time of the position or attitude of a mechanism in the device is obtained from a nonvolatile memory 207 and a battery timer 208, and the obtained continuous time is compared with a previously prepared threshold, to determine whether or not the initial setting for the mechanism is required.例文帳に追加

電源ON時において、装置内の機構の位置または姿勢の継続時間を、不揮発メモリ207およびバッテリータイマ208から取得し、得られた継続時間を予め用意された閾値と比較することによって、当該機構に対する初期設定の要否を判断する。 - 特許庁

In the device for accumulating and reproducing semiconductor memory image, when image data is reproduced, the ECC addition parts 141-1 to 141-4 correct bit error, the RAID control part 12 restores distributed data, and an error correction decoding part 17 corrects burst error.例文帳に追加

そして、半導体メモリ映像蓄積再生装置は、映像データの再生時において、ECC付加部141−1〜141−4により、ビット誤りを訂正し、RAID制御部12により、分散データを復元し、誤り訂正復号化部17により、バースト誤りを訂正する。 - 特許庁

The semiconductor memory device has a BootRAM having a first number of banks, DataRAM having a second number of banks which is larger than the first number of banks, and an equalizing timer control circuit 42 that controls pre-charge operation performed for a bit line provided at the BootRAM and the DataRAM.例文帳に追加

第1のバンク数を有するBootRAMと、第1のバンク数より多い第2のバンク数を有するDataRAMと、BootRAMおよびDataRAMに設けられたビット線に対して行うプリチャージ動作を制御するイコライズタイマ制御回路42とを備える。 - 特許庁

A history management system includes: a carrying pallet with a memory, which mounts a product can wireless communication by having an RFID tag thereon, and moves; and a pallet-circulation device with a plurality of workbenches on which works different from each other are performed respectively, and which are arranged so that the carrying pallets sequentially move.例文帳に追加

履歴管理システムは、メモリを備え、RFIDタグを備えることによって無線通信可能となった製品を搭載して移動する搬送パレット、それぞれ異なる作業が行われ、搬送パレットが順次移動するように配列された複数の作業台を備えたパレット巡回装置を備える。 - 特許庁

The control device 200 includes: a holder position control part 210 which performs each control process based on each control program stored in advance in the memory ; a cassette position control part 220; a substrate extrusion control part 230; a substrate receiving control part 240; and a laminated substrate position control part 250.例文帳に追加

制御装置200は、予めメモリに格納された各制御プログラムに基づいて各制御処理を行なうホルダ位置制御部210と、カセット位置制御部220と、基板押出制御部230と、基板受取制御部240と、積層基板位置制御部250とを有する。 - 特許庁

The vehicle monitor includes a window open amount memory 301 storing a first window open amount that is an open amount of a window capable of guaranteeing the detection of the intrusion of the monitoring target into the vehicle by the intrusion detection device 310 as the open amount of the window 140 of the vehicle.例文帳に追加

この車両監視装置は、車両のウィンドウ140の開量として侵入検知装置310による車両内への監視対象の侵入の検知を保証し得るウィンドウの開量である第1のウィンドウ開量が記憶されたウィンドウ開量メモリ301を有している。 - 特許庁

A CPU 53 reads the image data and the additional information from the memory 54 based on an operation input that is input via an operation display device 57, and outputs the image data, the additional information and region designation information designating a region to be output to a second image processing apparatus 66.例文帳に追加

CPU53は、操作表示装置57を介して入力された操作入力に基づいて、画像データ及びその付帯情報をメモリ54から読み出してこれらと、出力対象の領域を指定する領域指定情報とを第2画像処理装置66に出力する。 - 特許庁

In the remote boot method for performing boot processing to load and start the image of the OS from a file device connected to the computer system to a main memory of the computer system, the designation of the image of the boot object is remotely performed from a system monitoring mechanism which monitors the whole computer system.例文帳に追加

OSのイメージをコンピュータシステムに接続されたファイル装置からコンピュータシステムのメインメモリにロードして起動するブート処理を行うリモートブート方法において、ブート対象のイメージの指定をコンピュータシステム全体を監視するシステム監視機構からリモートで行うように構成する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device is equipped with: a lower electrode layer 62 provided over a substrate 40; a variable resistance layer 63 provided on the lower electrode layer 62 and is configured such that an electrical resistance can be changed; and an upper electrode layer 65 provided over the variable resistance layer 63.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、基板40上に設けられた下部電極層62と、下部電極層62上に設けられ、且つ電気抵抗を変化させる可変抵抗層63と、可変抵抗層63上に設けられた上部電極層65とを備える。 - 特許庁

To provide a multilayer optical disk reproduction device for deciding the layer number of a recording layer from a physical address added by a method for adding a sector physical address, capable of easily identifying the recording layer without influencing the own memory capacity, even when the number of recording layers is increased in an optical disk.例文帳に追加

光ディスクの記録層数が増えた場合にも、記憶容量自体に影響を与えずに、簡単に記録層の識別が可能な、セクタの物理アドレス付与する方法で付与された物理アドレスから記録層の層番号を判定する多層光ディスク再生装置を提供する。 - 特許庁

The read-only memory cell comprises: at least three output lines, each of the at least three output lines representing a different multiple bit value; a switching device connected between a single one of the three output lines and a voltage source.例文帳に追加

該読み出し専用メモリセルは、少なくとも3本の出力線であって、該少なくとも3本の出力線のそれぞれは、異なる複数ビット値を表す、少なくとも3本の出力線と、該3本の出力線のうちの1本と電圧源との間に接続される切り替え装置とを含む。 - 特許庁

The device is equipped with: a memory means for storing map information; and a control means for displaying a map based on the map information only in a display panel having an operation part when a display panel group is folded and for displaying the map in an enlarged state when the display panel group is expanded.例文帳に追加

地図情報を記憶する記憶手段と、表示用パネル群を折り畳んだときには操作部を有する表示用パネルのみ地図情報に基づく地図を表示し、表示用パネル群を広げたときには地図を拡大表示するように制御する制御手段と、を備えた。 - 特許庁

When a signal processing routine R1 is started, a control device ECU, firstly, sets a noise detection section W1 and an analysis object section W2 appropriately, and thereafter, detects ion current detection signal V0 at every AD timing, and stores the detected information in a memory circuit (S01).例文帳に追加

制御装置ECUでは、信号処理ルーチンR1を起動させると、先ず、ノイズ検出区間W1と解析対象区間W2とを適宜に設定し、その後、イオン電流検出信号V0をADタイミング毎に検出し、ここで検出された情報をメモリ回路に保持させる(S01)。 - 特許庁

例文

The electronic control device 60 includes a memory 61 storing the crank angle at engine stop and performs the start control which is different between a case where the crank angle is known when a start command is issued and a case where the crank angle is not known when a start command is issued.例文帳に追加

電子制御装置60は機関停止時のクランク角を記憶するメモリ61を備えており、始動指令がなされたときにクランク角が判明している場合と、始動指令がなされたときにクランク角が判明していない場合とで異なる始動制御を実行する。 - 特許庁




  
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