「Memory Device」に関連した英語例文の一覧と使い方(457ページ目) - Weblio英語例文検索

A reconfiguration control object device 100-1 reads the circuit composition information CM1 from the configuration memory 104-1 on the basis of the control packet, and executes reconfiguration without instantaneous instruction of a reconfiguration circuit 102 when the empty data Dbit 131 is held.例文帳に追加

リコンフィギュア制御対象装置１００−１は、前記制御パケットに基づいて、コンフィグメモリ１０４−１から回路構成情報ＣＭ１を読み出し、空データＤｂｉｔ１３１を保持した時点でリコンフィギュア回路１０２の無瞬断リコンフィグレーションを実施する。 - 特許庁

This device 100 is provided with a circuit information storing means 102 which is different from a configuration memory and a circuit information editing means 103 generating the circuit information of a designated circuit by using the circuit information stored in the means 102.例文帳に追加

プログラマブル論理回路装置に、コンフィギュレーションメモリとは別の回路情報記憶手段１０２と、この回路情報記憶手段に記憶された回路情報を用いて、指定された回路の回路情報を生成する回路情報編集手段１０３とを設けておく。 - 特許庁

The CPU 7 compares an image stored in the memory 6 with the scanned image, and moves the contact image sensor 3 to the position of the foreign matter removing device 5 by the image sensor driving mechanism 4 when the home position 20 of the contact type image sensor 3 can not be recognized.例文帳に追加

ＣＰＵ７は、メモリ６に記憶している画像と読み取った画像とを比較し、密着型イメージセンサ３のホームポジション２０を認識できないときは、イメージセンサ駆動機構４によって、密着型イメージセンサ３を異物除去装置５の位置へ移動させる。 - 特許庁

A layout verification tool 8 verifies a layout resting on the basis of data stored in the library 6, a wiring layout data file 3, a viahole layout data file 4, and a mask layout pattern 7, the capacitance of an input circuit and the size of an output buffer are obtained and stored in a memory device 10.例文帳に追加

レイアウト検証ツール８は、ライブラリ６のデータ、配線の配置情報ファイル３、ビア・ホールの配置情報ファイル４及びマスクレイアウトパターン７からレイアウトを検証し、入力回路の容量、出力バッファのサイズ等を求めて記憶装置１０に記録する。 - 特許庁

To shorten the manufacture time of a resistance change memory device (ReRAM) for which one electrode of a resistance change element is constituted of a transition metal, to improve the working accuracy of a transition metal electrode, and to prevent the degradation of the current/voltage characteristics of the resistance change element.例文帳に追加

抵抗変化素子の一方の電極が遷移金属によって構成された抵抗変化メモリ装置（ＲｅＲＡＭ）の製造時間の短縮化、遷移金属電極の加工精度の向上、及び当該抵抗変化素子の電流—電圧特性の劣化防止である。 - 特許庁

A main control part 11 is a part functioning as a host computer of the on-vehicle control device, so as to perform a lot of controls or processing, such as a drive control of the on-vehicle actuator (an ignition plug or the like), a memory control along with the control, and diagnosis of on-vehicle equipment.例文帳に追加

主制御部１１は、この車載制御装置のホスト計算機として機能して、例えば車載アクチュエータ（点火プラグ等）の駆動制御や該制御に伴うメモリ制御、さらには車載機器の故障診断など、多くの制御や処理を実行する部分である。 - 特許庁

A WSIM(Wireless Subscriber ID Module) 40 is connected to a BT (Blue Tooth) IF 36 of a MS(Mobile Station) via a wireless interface adopting the BT (Blue Tooth) protocol and the device can send/receive subscriber ID information stored in a subscriber ID memory in the inside of the WSIM 40 through wireless communication.例文帳に追加

WSIM４０は、ＭＳのＢＴＩＦ３６とＢＴ（Ｂｌｕｅ Ｔｏｏｔｈ）方式による無線インタフェースを介して接続され、WSIM４０内部の加入者ＩＤメモリに記憶された加入者ＩＤ情報を、無線を介して授受することができるものである。 - 特許庁

When a memory card 10 is inserted into a card slot 22 in an information recording and reproducing device 20, a CPU 28 reads the data of the recording medium 12 across a data encoder/decoder 24 and investigates whether sound data, image data and other data are recorded or not.例文帳に追加

メモリーカード１０が情報記録再生装置２０内のカードスロット２２に差し込まれると、ＣＰＵ２８は、データエンコーダ／デコーダ２４を介して記録媒体１２のデータを読み込み、音声データ、画像データ及びその他のデータが記録されているかどうかを調べる。 - 特許庁

The printing controlling device consists of a characteristic interference buffer means capable of designating an address pointer at an internal arbitrary address, and a memory control means and a video control means capable of making a DMA priority and a DMA burst length variable before and after the designated address pointer.例文帳に追加

内部の任意アドレスにアドレスポインタを指定できる特徴的な干渉バッファ手段と、指定されたアドレスポインタの前後でＤＭＡ優先順位及びＤＭＡバースト長を可変にできる、メモリ制御手段及びビデオ制御手段により構成される。 - 特許庁

Consequently only the price of a developer consumed by the user can be determined or the residual of a developer remaining in an image forming device can be calculated on the basis of an unadjusted accumulated developer consumption information stored in the memory 503d.例文帳に追加

これにより、メモリ５０３ｄに格納された未精算分の現像剤の累積消費情報に基づいて、ユーザーが消費した現像剤の対価のみを決定したり、画像形成装置内に残留している現像剤の残量を算出したりすることが可能となる。 - 特許庁

A control device 104 collectively applies image processing to a plurality of master image files recorded on a storage medium as one master image group and records slave image files, which are generated thereby, on a memory card as one slave image group in association with the master image group.例文帳に追加

制御装置１０４は、１つの親画像グループとして記憶媒体に記録されている複数の親画像ファイルに対して、一括して画像処理を施し、それによって生成される子画像ファイルを１つの子画像グループとして関連付けてメモリカードに記録する。 - 特許庁

The CPU 204 generates a second display image on the local memory 208 by itself when it detects a malfunction in the controller 1 and sets an address of the second display image to the VGA IF 218 so that the second display image is displayed on the display device 220.例文帳に追加

ＣＰＵ２０４は、コントローラ１の障害を検知した場合、自らローカルメモリ２０８上に第２の表示画像を生成し、ＶＧＡ ＩＦ２１８に対し第２の表示画像のアドレスを設定することで、表示装置２２０に第２の表示画像を表示させる。 - 特許庁

When authority as a 25CPM machine is authenticated by inserting a chip 9 and the set value for 25CPM obtained from the chip 9 is overwritten on the non-volatile memory 15 so as to switch the value of the control parameter to which the control means 12 refers, the device acts as a 25CPM machine thereafter.例文帳に追加

チップ９の挿入により２５ＣＰＭでの使用権が認証され、該チップ９から入手した２５ＣＰＭ用設定値を不揮発メモリ１５に上書きして制御手段１２の参照する制御パラメータの値を切り換えると、以後は２５ＣＰＭ機として動作する。 - 特許庁

A controlling means capable of detecting and notifying unused hours is structured by using a timer means 1 capable of revising date/hour data over a long period of time regardless of the presence of current supply to a controlling device and a non-volatile memory means 2 capable of storing the control data in a non-volatile manner.例文帳に追加

制御装置への電流供給の有無に関わらず、長期に渡り日時データを更新可能な計時手段１と、制御データを不揮発記憶可能な不揮発記憶手段２を使用して放置時間を検出，報知可能な制御手段を構成する。 - 特許庁

In this semiconductor testing device 11, a control part 10 forms a pattern file use frequency table in a pattern file use frequency table memory part 18 and determines the use frequencies of pattern files in the process of testing a preset number of semiconductors to be tested.例文帳に追加

半導体試験装置１１において、制御部１０は、パタンファイル使用頻度テーブル記憶部１８に、パタンファイル使用頻度テーブルを作成し、予め設定された個数分の被試験対象の半導体を試験する過程で、パタンファイルの使用頻度を求める。 - 特許庁

Also, a driving method of the semiconductor memory device includes a step for outputting a DLL clock in which an internal clock is delay-locked, a step for controlling data eye if data, and a step for outputting the data synchronizing with the input of the DLL clock.例文帳に追加

また、内部クロックが遅延ロックされたＤＬＬクロックを出力するステップと、データのデータアイを制御するステップと、前記データを前記ＤＬＬクロックの入力に同期して出力するステップとを含む半導体メモリ装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a boost voltage generating circuit for a non-volatile ferroelectric memory device in which stable operation is performed even if power source supply voltage is varied and a chip cost can be reduced by reducing a layout area for boost voltage generation and its generating method.例文帳に追加

電源供給電圧が変動しても安定的な動作を行い且つ、昇圧発生のためのレイアウト面積を小さくすることでチップコストを減らせるようにした不揮発性強誘電体メモリ装置の昇圧発生回路及びその発生方法を提供する。 - 特許庁

The device is provided with a first housing section 7 for housing a cartridge 6 and a second housing section 8 for housing a memory card 65, side by side, and has a control circuit 9 for instructing the data transfer from the recording medium in the one housing section 7 to the recording medium in another housing section 8.例文帳に追加

装置は、カートリッジ6を収納する第１収納部7と、メモリカード65を収納する第２収納部8とを並べて設け、一方の収納部7内の記録媒体から、他方の収納部8内の記録媒体へのデータ転送を指示する制御回路9を具えている。 - 特許庁

To solve such a problem that in conventional probe memory device, when positioning accuracy between a probe head and a recording medium is improved, a processing circuit is complexed, when an actuator is strengthened, a dead space is increased, and influence by axis interference is enlarged, then improvement of positioning accuracy becomes hard.例文帳に追加

従来のプローブメモリ装置は、プローブヘッドと記録メディアとの位置決め精度が向上されると処理回路が複雑になり、アクチュエータの強化を図るとデッドスペースが増大し、軸干渉の影響が大きくなり、位置決め精度の向上が難しくなっている。 - 特許庁

In a storage device, a memory control unit 104 reads start-up data stored in a storage unit 107 in advance by using an auxiliary power source to be supplied from an auxiliary power source unit 102, and writes the data in a RAM 106 through a RAM bridge 105.例文帳に追加

記憶部１０７に予め記憶された起動データが、補助電源部１０２から供給される補助電源を用いて、メモリ制御部１０４によって、読み出され、読み出された起動データがＲＡＭブリッジ１０５を介してＲＡＭ１０６に書き込まれる。 - 特許庁

A nonvolatile organic resistance memory device comprises: a first electrode; a second electrode; and a polyimide film which is interposed between the first and second electrodes and has a thickness so that the resistance varies according to the potential difference between the first and second electrodes.例文帳に追加

第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に配置され、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差によって抵抗が変化するように厚みを有するポリイミド膜と、を含む非揮発性有機抵抗メモリ素子である。 - 特許庁

The configuration data are loaded from an external storage device to the configuration memory, and the first and second configuration data are supplied to the reconfigurable processing resources in a proper sequence and timing based on the information to be acquired by the plurality of arithmetic means.例文帳に追加

コンフィギュレーション・データを外部記憶装置からコンフィギュレーション・メモリへロードし、複数の演算手段から得られる情報に基づき、前記第１および第２のコンフィギュレーション・データを適切なシーケンスおよびタイミングで再構成可能な処理資源に供給する。 - 特許庁

To provide a fire receiver that can immediately change the settings, and for matching set content in a database, installed in a memory card with set content in a database installed in a database preparation device at an early stage.例文帳に追加

設定を直ぐに変更することができ、しかも、メモリカードに設けられているデータベースにおける設定内容と、データベース作成装置に設けられているデータベースにおける設定内容とを、早期に整合させることができる火災受信機を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of improving the characteristics of a ferroelectric capacitor and securing an yield on manufacture simultaneously by achieving a structure with an excellent barrier property against hydrogen and oxygen, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

水素や酸素に対するバリア性が良好である構造を実現することにより、強誘電体キャパシタの特性を向上することができ、同時に製造上の歩留まりを確保することができる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The MFMOS 1 transistor memory device is provided with a semiconductor substrate, an oxide layer which has at least ten dielectric constants and is positioned on the substrate, a lower electrode positioned on the oxide layer and a ferroelectric layer positioned ion the lower electrode.例文帳に追加

本発明によるＭＦＭＯＳ１トランジスタメモリデバイスは、半導体基板と、少なくとも１０の誘電率を有する、基板上に位置する酸化物層と、酸化物層上に位置する下部電極と、下部電極上に位置する強誘電体層とを備える。 - 特許庁

This ferroelectric memory device comprises a plurality of parallel word lines extending in the first direction, a plurality of parallel bit lines extending in the second direction intersecting the first direction and a plurality of parallel plate lines extending in the first direction.例文帳に追加

本発明よる強誘電体メモリ装置は、第１方向に沿って伸長する複数の並列ワードライン、第１方向を横切る第２方向に沿って伸長する複数の並列ビットライン、そして、第１方向に沿って伸長する複数の並列プレートラインを含む。 - 特許庁

rewriting of data is performed without performing erasing operation for one logical address with simple circuit constitution, rewriting for the nonvolatile memory can be performed without increasing area of the device and without restricting the number of times of rewriting under specifications.例文帳に追加

これにより簡単な回路構成で１つの論理アドレスに対して消去動作を伴わずにデータの書き換えを可能でき、デバイスの面積を増大させること無く且つ、書き換え回数を仕様以下に制限すること無く、不揮発性メモリへの書き換えを行うことができる。 - 特許庁

A synchronous type semiconductor memory device having a double data transfer rate inputs and outputs data using, especially, a free running clock, and includes a preamble informing start of data to data to be outputted.例文帳に追加

二重データ伝送率を有する同期式半導体メモリ装置に関するものであり、特にフリーランニングクロックを利用してデータを入力または出力し、出力するデータにデータの開始を知らせるプリアンブルを含む同期式半導体メモリ装置に関するものである。 - 特許庁

An image processing device includes a data transfer control section 21 for reading out a plurality of images stored in an image memory 13, and a blending section 25 for executing a blending process using the plurality of images read out by the data transfer control section 21 to generate a composite image.例文帳に追加

画像処理装置は、画像メモリ１３に記憶された複数の画像を読み出すデータ転送制御部２１と、データ転送制御部２１によって読み出される複数の画像を用いたブレンド処理を実行して、合成画像を生成するブレンド部２５とを備えている。 - 特許庁

Application data 8 of a data memory device 7 comprises a management information field 9 storing management information of downloaded applications, an application field 10 storing the downloaded applications themselves, and a user data field 11 storing user data for the applications.例文帳に追加

データ記憶装置７のアプリケーションデータ８は、ダウンロードしたアプリケーションの管理情報を保存する管理情報領域９とダウンロードしたアプリケーション自体を保存するアプリケーション領域１０とアプリケーションに対するユーザデータを保存するユーザデータ領域１１からなる。 - 特許庁

To provide a list-generating device for speech synthesis that can suppress the amount of memory used to generate a phoneme sequence list from a phoneme test, and to generate the phoneme sequence list, to which phoneme sequences of all lengths having values larger than a certain appearance frequency (threshold) are extracted.例文帳に追加

音素テキストから、音素列リストを生成するときに使用するメモリ量を抑え、ある出現頻度（閾値）以上の値を持つ全ての長さの音素列を抽出した音素列リストを生成することが可能な音声合成用リスト生成装置を提供する。 - 特許庁

This device drastically reduces write time by comparing the data of a new program with the data of a program that has already been written in a nonvolatile memory for each address, extracting only a block in which an address having different data is included and rewriting only the data of that block.例文帳に追加

新しいプログラムとすでに不揮発性メモリに書き込まれているプログラムのデータをアドレスごとに比較し、異なったデータのあるアドレスが含まれているブロックのみを抽出し、そのブロックのデータのみを書き換えることで、大幅に書き込み時間を減少させる。 - 特許庁

This ETC on-vehicle device receives BST information transmitted from the ETC processor when starting the ETC processing (step 320), and stores a manufacturer ID or the like of the ETC processor included in the received BST information into a nonvolatile memory (step 370).例文帳に追加

ＥＴＣ車載器が、ＥＴＣ処理の開始時にＥＴＣ処理装置から送信されたＢＳＴ情報を受信し（ステップ３２０）、受信したＢＳＴ情報に含まれるＥＴＣ処理装置の製造者ＩＤ等を不揮発性メモリに記憶させる（ステップ３７０）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that realizes a signal transmission system whose noise and power consumption alike are small and which is suitable for high speed signal transmission between physically separated blocks or a small sense circuit which is suitable to read memory storage information and is high in speed and highly reliable.例文帳に追加

ノイズ、消費電力ともに小さく、物理的に離れたブロック間の高速信号伝送に適した信号伝送方式、あるいはメモリ記憶情報の読出しに適した高速、高信頼の微少信号センス回路を実現できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a semiconductor substrate 1, a memory cell transistor including a tunnel insulating film 2a, a charge accumulation layer 3, an inter-poly insulating film 5, and a control gate electrode 6 which are laminated in order, a select gate transistor ST, and a high-voltage type peripheral circuit transistor PT.例文帳に追加

半導体基板１と、順に積層されたトンネル絶縁膜２ａ、電荷蓄積層３、インターポリ絶縁膜５、及び制御ゲート電極６を含むメモリセルトランジスタと、選択ゲートトランジスタＳＴと、高電圧型の周辺回路トランジスタＰＴと、を備えている。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device which suppresses increase in a current consumption caused by a transient current due to a potential change of a bit line and a word line when a high-integrated memory cell array is shifted among each operational mode of reading, writing, and erasure.例文帳に追加

高集積化されたメモリセルアレイにおいて、読み出し、書き込み、消去の各動作モード間の移動の際に、ビット線とワード線の電位変化に伴う過渡電流によって生じる消費電流増加を抑制する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The authentication and fetch device 1 for the game information comprises a gaming board 10 provided with a card slot 12 of a memory card 30 storing the game information 30a and 30b, and a mother board 20 connected to the gaming board 10 and provided with a RAM 23.例文帳に追加

遊技用情報の認証取込装置１は、遊技用情報３０ａ，３０ｂを記憶したメモリーカード３０のカードスロット１２を備えたゲーミングボード１０と、ゲーミングボード１０に接続されていると共に、ＲＡＭ２３を備えたマザーボード２０とを備えている。 - 特許庁

The transmitted selected image data S1 is transmitted to an image server 11A through a wired communication line such as an ADSL after temporarily stored in a memory 18A installed in the wireless LAN communication device 13A, and a prin is generated in a mini laboratory 12A.例文帳に追加

送信した選択画像データＳ１は、無線ＬＡＮ通信機器１３Ａに設けられたメモリ１８Ａに一時的に保管された後、ＡＤＳＬのような有線の通信回線を介して画像サーバ１１Ａに送信され、ミニラボ１２ＡにおいてプリントＰが生成される。 - 特許庁

A telephone device has a memory for storing phonebook items and for storing group attributes associated with phonebook items, a connection to a radiotelephone receiver for receiving telephone calls and calling party identifications, and a controller for selecting the disposition of received calls.例文帳に追加

電話帳アイテムを記憶するための、および電話帳アイテムに関連するグループ属性を記憶するためのメモリと、通話および発信者識別を受信するための無線電話受信機への接続と、受信された呼の処理を選択するためのコントローラーを有する。 - 特許庁

A CRC code generation/inspection 32 in which the data selected by the switching selector 31 is input shares a circuit in generation and inspection, generates a code of the data from the host device 1 in the "normal mode" and inspects a code of the data from the memory 7 in the "retransmission mode".例文帳に追加

切替セレクタ３１が選択したデータが入力するＣＲＣ符号生成／検査３２は、生成時と検査時の回路を共有し、「通常モード」では上位装置１からのデータの符号を生成し、「再送モード」ではメモリ７からのデータの符号検査を行う。 - 特許庁

When deciding that an incorrect power supply interruption flag is written in a main body memory at the time of supplying power (YES in #80), a developing unit is positioned at a read/write position so that the developing side connector of one developing device is positioned at an opposed position to a main body side connector (#82).例文帳に追加

電源投入時に、本体メモリに不正電源遮断フラグが書き込まれていると判断すると（＃８０でＹＥＳ）、１つの現像器の現像側コネクタが本体側コネクタの対向位置に位置決めされるように、現像ユニットが読み書き位置に位置決めされる（＃８２）。 - 特許庁

In this case, the extracting means RET extracts the position information from a memory MEM and provides position information LOC-A1 to LOCA6 to the first determining device DET1.例文帳に追加

第１の決定手段（ＤＥＴ１）は、サービス手段（ＳＰ）によって開始信号（ＩＮＩＴ）が受信されたときに、事前定義された規則と、取り出された１つまたは複数の位置情報（ＬＯＣ−Ａｉ）とに基づいて、位置情報（ＬＯＣ−Ａ２）を選択するように構成されている。 - 特許庁

This device has a diving depth measuring means measuring diving depth at least at the time of diving, a display means displaying the measured depth, an outer light quantity measuring means measuring a quantity of outer lights before diving and at the time of diving, and a first memory circuit storing the information detected by the outer light quantity measuring means.例文帳に追加

その項目のうち透明度は、ダイバーが潜った最大深度において、水面を見上げ、水面が見えたか見えないかという曖昧、かつ不正確な方法で計測し、さらにそれをダイバー自身が記憶しなければならないという不具合があった。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory device forming a large-capacity capacitor, by forming an upper part electrode over the entire surface of a dielectric layer in a groove, without reducing the grain size of an HSG-Si layer nor closing the opening part of the groove that forms a cylinder-type capacitor with HSG-Si.例文帳に追加

HSG−Si層のグレインサイズを縮小せず、シリンダ型のキャパシタを形成する溝の開口部をHSG-Siで閉塞させず、溝内の誘電体層の全面に上部電極を形成し、大容量キャパシタを形成する半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This image processor is provided with an auxiliary storage device 19 for storing first data with high LOD (Level Of Detail) on a prescribed object image, a main memory 11 storing second data with LOD lower than the first data, a CPU 10 and a GPU (Graphics Processing Unit) 18.例文帳に追加

所定の物体画像についてＬＯＤレベルの高い第１データが記憶される補助記憶装置１９、第１データよりもＬＯＤレベルの低い第２データが記憶されるメインメモリ１１、ＣＰＵ１０と、ＧＰＵ１８と、を備える画像処理装置である。 - 特許庁