「Memory Error」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nonvolatile semiconductor memory device facilitating circuit designing and preventing read error.例文帳に追加

回路設計を容易にし、かつ誤読み出しを防ぐことが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a system and a method for handling an error during device booting-up from a nonvolatile memory (NVM).例文帳に追加

不揮発性メモリ（ＮＶＭ）からの装置ブートアップ中にエラーを取り扱うためのシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which can reduce duty error and is advantageous in a high speed data input/output operation.例文帳に追加

Ｄｕｔｙ誤差を低減でき、高速なデータ入出力に有利な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To reduce access cycle time without enlarging a chip size in a semiconductor memory having an error correcting function.例文帳に追加

エラー訂正機能を有する半導体メモリにおいて、チップサイズを大きくすることなくアクセスサイクル時間を短縮する。 - 特許庁

A memory controller 4 receives decoding information from a decoder 1 and number of error processing macro blocks from a counter 3.例文帳に追加

メモリコントローラ４には、デコーダ１からの復号情報と、カウンタ３からのエラー処理マクロブロック数が入力される。 - 特許庁

To provide an error correction apparatus capable of easily correcting the 2-bit errors of a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリの２ビット誤り訂正を容易に行なうことが可能な誤り訂正装置を提供すること。 - 特許庁

When the CRC code generation/inspection 32 detects an error, it is judged that a retransmission request is the software error by the memory and the data is output from the host device again.例文帳に追加

ＣＲＣ符号生成／検査３２がエラーを検出した場合、再送要求がメモリによるソフトエラーと判別し、上位装置１から再度データを出力する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory system capable of detecting and correcting an error even if the occurrence ratio of a write-in error is increased.例文帳に追加

本発明は、書き込みエラーの発生率が高くなった場合であっても誤りを検出し訂正することが可能な不揮発性半導体記憶システムを提供する。 - 特許庁

If such an error occurs, then the line may be refilled from a main memory or some other action is taken, such as a write back or generation of a soft error abort signal.例文帳に追加

そうしたエラーが発生したならば、この行は主メモリから補充されるか、またはライト・バックまたはソフト・エラー・アボート信号の発生など、何か他の動作が取られる。 - 特許庁

The processor detects that the soft error occurs in the memory, detects whether an error occurs in the logic circuit or not, and performs the control according to both results of the detection.例文帳に追加

プロセッサが、メモリでソフトエラーが発生したことを検出し、論理回路でエラーが生じたか否かを検出し、双方の検出の結果に応じた制御を行う。 - 特許庁

Cumulative error data ERr', ERg' and ERb' generated according to differential data DF corresponding to the selected candidate data D2 is stored in a cumulative error diffusion memory 30.例文帳に追加

また、選択された候補データＤ2に対応する差分データＤＦに基づいて生成した累積誤差データEＲr’, EＲg’,EＲb’を累積誤差拡散メモリ３０に格納する。 - 特許庁

In the case that the additional information indicates that "the error is not present", the presence/absence of the uncorrectable error is detected, and the additional information indicating the result of the detection and the cache memory is added.例文帳に追加

上記付加情報が「エラーが無い」を示す場合に、訂正不能なエラーの有無を検出すると共に、該検出の結果とキャッシュメモリとを示す付加情報を付加する。 - 特許庁

The associative memory 20 also includes an error correction means outputting an already error-corrected signal based on data associated with the word corresponding to the input signal.例文帳に追加

さらに連想メモリ２０は、入力された信号に対応するワードと関連付けられたデータを基に、誤り訂正済み信号を出力する誤り訂正手段を備える。 - 特許庁

When the tracking error is smaller than a predetermined threshold, additional frames are buffered in the memory buffer, and the first tracking, second tracking and error determining steps are repeated.例文帳に追加

追跡誤差が所定閾値未満である場合、追加のフレームをメモリバッファにバッファリングし、第１の追跡するステップ、第２の追跡するステップおよび求めるステップを繰り返す。 - 特許庁

When the inputted pixel value is not '0' (white pixel), '0' is outputted automatically, the error memory of the pixel is reset and the calculation and distribution of an error is not performed (S103).例文帳に追加

入力された画素値が「０」（白画素）であれば、「０」を自動的に出力させ、その画素の誤差メモリをリセットし、誤差の算出および分配は行なわない（Ｓ１０３）。 - 特許庁

When the data about the error sector specified by the instruction is not stored in the cache memory 11C, the disk device 10 executes the read-out of data from the error sector.例文帳に追加

また、ディスク装置１０は、命令により指定されたエラーセクタについてのデータがキャッシュメモリ１１Ｃに保持されていない場合、エラーセクタからのデータ読み出しを実行する。 - 特許庁

To execute, for example, the operation of an error upper limit value as a maximum value of an error term corresponding to a variable of a model within a practical time with a memory capacity for use.例文帳に追加

例えばモデルの変数に対応する誤差項の最大値としての誤差上限値の演算を実用的な時間内や使用メモリ量で実行可能とする。 - 特許庁

The display terminal 30 expands compressed data received from a base unit, detects a bit error of data before error correction and after the expansion, a bit error rate calculation section 73 calculates a bit error rate per unit time, and a comparison arithmetic section 74 compares the bit error rate with a threshold read form a memory 75.例文帳に追加

表示端末３０では、ベース機器から受信した圧縮されたデータを伸長し、伸長後の誤り訂正前のデータについてビット誤りを検出し、ビット誤り率算出部７３で単位時間あたりのビット誤り率を算出し、さらに比較演算部７４で、そのビット誤り率をメモリ７５から読み出した閾値と比較する。 - 特許庁

The control circuit (22) is configured to read error correction coded data from the array of memory cells (26), provide error correction code decoding to selected error correction coded data and discard unused error correction code parity data of unselected error correction coded data.例文帳に追加

制御回路（２２）は、メモリセルアレイ（２６）から誤り訂正符号で符号化されたデータを読み出し、その誤り訂正符号化データの選択部分に対し誤り訂正符号の復号を実施するとともに、誤り訂正符号化データの非選択部分から使用しない誤り訂正符号パリティを破棄するように構成される。 - 特許庁

The error/correcting circuit 6 comprises a first error/correction computing circuit 9 which performs an error/correcting to a line code of product code blocked PI sequence stored in a buffer memory 5 and a second error/ correcting computing circuit 10 which performs an error/correcting for a line code of PO sequence.例文帳に追加

誤り訂正回路６は、バッファメモリ５に格納された積符号ブロック化されたＰＩ系列のライン符号に対して誤り訂正を行なう第１の誤り訂正演算回路９と、ＰＯ系列のライン符号に対して誤り訂正を行なう第２の誤り訂正演算回路１０とを備えている。 - 特許庁

Thus, the address outputted to the memory controller 200 and the address outputted from the memory controller 200 to the buffer memory 400 are monitored so that it is possible to detect the error of the address in the memory interface bus without incorporating any address in the data stored in the buffer memory 400.例文帳に追加

このように、メモリコントローラ２００に出力されるアドレスと、メモリコントローラ２００からバッファメモリ４００に出力されるアドレスとを監視することにより、バッファメモリ４００に格納されるデータ中にアドレスを組み込まなくても、メモリインタフェースバスでのアドレスのエラーを検出できる。 - 特許庁

The operating method comprises a step of determining whether a read error caused during a read operation of the flash memory device is caused by a read disturb, and a step of replacing a memory block having the read error with an empty memory block when the read error is determined to be caused by the read disturb.例文帳に追加

該動作方法はフラッシュメモリー装置の読み込み動作の間に生じた読み込みのエラーが読み込みによるディスターブに起因するものか否かを判別する段階と、前記読み込みのエラーが読み込みによるディスターブに起因するものと判別される場合には、前記読み込みのエラーが発生したメモリーブロックを空のメモリーブロックで置き換える段階とを含む。 - 特許庁

The data are stored in a ring buffer memory 5 at a predetermined input rate, after the readout to a error-correction circuit 9 and error-correction processing are performed, they are again written in the ring buffer memory 5, and then is applied from the ring buffer memory 5 to a decode section 20 at an output rate below the input rate.例文帳に追加

このデータは、リングバッファメモリ５に、所定の入力レートで記憶され、誤り訂正回路９に読み出されて誤り訂正処理がなされた後、再度リングバッファメモリ５に書き込まれ、リングバッファメモリ５から入力レート以下の出力レートで、デコード部２０に供給される。 - 特許庁

When write data includes set data, it is determined, for the memory cell in which the set data is written, whether or not there is an error in read data read from a memory cell and write data, and writing is repeatedly implemented using a first mode of writing data in all memory cells until there is no more error.例文帳に追加

書込データがセットデータを含む場合、セットデータが書き込まれるメモリセルに対し、そのメモリセルから読み込んだ読込データと書込データとに誤りがあるか否かを判定し、誤りがなくなるまで全てのメモリセルに繰り返しデータの書き込みを行う第１モードで書込動作を実施する。 - 特許庁

A recording device including memory comprising a plurality of access units includes a recording means for recording data on the memory for each access unit, and a write error detection means for detecting a write error while the data are written on the memory by the recording means where the recording means terminates the writing of a file when a write error is detected by the write error detection means.例文帳に追加

複数のアクセスユニットで構成されるメモリを有する記録装置であって、前記メモリにデータをアクセスユニット単位で記録する記録手段と、前記記録手段で前記データを前記メモリに書き込んでいるときに、書き込みエラーを検出する書き込みエラー検出手段とを備え、前記記録手段は、前記書き込みエラー検出手段で書き込みエラーが検出されたときに、ファイルの書き込みを終了する。 - 特許庁

To provide an electronic control device capable of discriminating whether an error is caused by a fault of a nonvolatile memory or accidentally occurs by the instantaneous interruption of a power source etc., with respect to a memory area where the error has occurred by a data check.例文帳に追加

データチェックによりエラーとなったメモリ領域に対して、不揮発性メモリの故障によるエラーなのか、電源の瞬断等により偶然生じたエラーなのか判別することが可能な電子制御装置を提供する。 - 特許庁

A memory card is mounting an error detection code generating circuit and when data transfer is stopped, correlation between communication data and its error detection code is broken down so that the memory card acts to invalidate the relevant data.例文帳に追加

メモリカードには誤り検出コード生成回路が搭載されており、データ転送を停止するときは、通信データとその誤り検出コードとの相関を崩すようにすることで、メモリカードにて、当該データを無効とするように作用させる。 - 特許庁

When number of error processing blocks exceeds a threshold value, the update of a memory output is stopped to obtain an output of a still picture and when number of error processing bocks is less than the threshold value, the update of the memory output is restarted to obtain an output of the moving picture.例文帳に追加

エラー処理ブロック数が閾値を上回ると前記メモリ出力の更新を停止して静止画像出力とし、エラー処理ブロック数が閾値を下回ると前記メモリ出力の更新を再開して動画像出力とする。 - 特許庁

To secure the time for data transfer to a host without being occupied by a readout time to an error correction memory even if a disk rotation becomes fast by disturbance and data writing into the error correction memory becomes fast.例文帳に追加

外乱によってディスク回転が速くなってエラー訂正用メモリに対するデータ書込が速くなったとしても、エラー訂正用メモリに対する読み出し時間に占有されることなく、ホスト側へのデータ転送時間が確保されるようにする。 - 特許庁

Using an assignment changeover circuit, the semiconductor memory stores the first data in the first real memory cell group and stores the second data in the second real memory cell group in a first error correction mode, and stores real data that has different assignment from the first data in the first real memory cell group and stores real data that has different assignment from the second data in the second real memory cell group in a second error correction mode.例文帳に追加

半導体メモリは、割り当て切り替え回路を用いて、第１エラー訂正モード中に、第１データを第１リアルメモリセル群に記憶し、第２データを第２リアルメモリセル群に記憶し、第２エラー訂正モード中に、第１データと割り当てが異なるリアルデータを第１リアルメモリセル群に記憶し、第２データと割り当てが異なるリアルデータを第２リアルメモリセル群に記憶する。 - 特許庁

An error detection section 14 judges the presence/absence of an error in information of a syntax decoded by a decoding section 12, and decoding information of each macro block ahead of a macro block from which an error is detected in detecting the error is read from a decoding information memory 13.例文帳に追加

復号部１２により復号されたシンタックスの情報について誤り検出部１４により誤りの有無を判定し、誤りが検出された場合に当該誤りが検出されたマクロブロックより先行する各マクロブロックの復号情報を復号情報メモリ１３から読み出す。 - 特許庁

An error correction part 33 performs error correction for the write data outputted from the write data generation part 32 based on the control information, and a check bit generation part 34 generates a check bit for error correction from the write data outputted from the error correction part 33 and writes it in the memory 2.例文帳に追加

そして、エラー訂正部３３が、その制御情報に基づき、ライトデータ生成部３２から出力されるライトデータに対してエラー訂正を行ない、検査ビット生成部３４がエラー訂正部３３から出力される前記ライトデータからエラー訂正用検査ビットを生成してメモリ２に書き込む。 - 特許庁

This procedure can reduce a memory band that accesses the error buffer 238 while reducing the capacity of the relay memory 214, and therefore significantly reduce mounting cost for hardware.例文帳に追加

これにより、遅延メモリ２１４の容量を削減しつつ、誤差バッファ２３８にアクセスするメモリ帯域を削減することができ、ハードウェアの実装コストを大幅に削減可能となる。 - 特許庁

Write-in data is stored in a memory cell array 1, while test data required for correcting an error is generated for the write-in data and stored in a test data memory cell array 2.例文帳に追加

書き込みデータをメモリセルアレイ１に記憶すると共に、上記書き込みデータに対してエラー訂正に必要な検査データを生成して検査データメモリセルアレイ２に記憶する。 - 特許庁

The 2nd nonvolatile memory includes copies of the correction data stored in the 1st nonvolatile memory during setup in a factory and maintains the copies without any parity error.例文帳に追加

第２の不揮発性メモリは、工場でのセットアップ中に第１の不揮発性メモリに記憶された補正データの複製物を含み、パリティーエラーを含まずに維持される。 - 特許庁

To provide a memory device and a self-check control method thereof capable of detecting whether or not an error detected by a memory check is an unrecoverable failure.例文帳に追加

メモリチェックで検出されるエラーが復旧不可能な故障であるかどうかを検出することができるメモリ装置およびそのセルフチェック制御方法を提供する。 - 特許庁

In case an error occurs while writing a current information data part into a page of a current one of the flash memory devices, the current information data part is written into a non-flash memory.例文帳に追加

現在の情報データ部分をフラッシュメモリデバイスの現在のものに書き込む間にエラーが生じた場合、現在の情報データ部分は非フラッシュメモリに書き込まれる。 - 特許庁

Memory circuits 621 to 625 store respectively the same digital data composed of the data unit and the error correction code, while include respectively a plurality of nonvolatile memory elements.例文帳に追加

記憶回路６２１〜６２５は、データユニットおよび誤り訂正コードからなる同一のデジタルデータを夫々記憶すると共に、複数の不揮発性メモリ素子を夫々含む。 - 特許庁

To easily perform support for improving solidity and reliability to a driver error in access IF (interface) driver development to an external memory device such as a memory card.例文帳に追加

メモリカード等の外部メモリデバイスへのアクセスＩＦ（インタフェース）ドライバ開発において、ドライバのエラーに対する堅牢性及び信頼性を向上させるためのサポートを容易に行う。 - 特許庁

In this instance, the memory is readable by the image forming apparatus and further a first error detection code generated from the identification data and the attribute data is rewritably stored in the memory.例文帳に追加

メモリは，画像形成装置により読み出し可能であり，更に，識別データと属性データから生成された第１の誤り検出コードが書換可能に記憶されている。 - 特許庁

As resume processing, the flag 205a showing the state of the memory initialization is checked first and when the state is "0", the result is determined as a a resume error, and initialization of the main memory 201 is executed immediately.例文帳に追加

レジューム処理は、まずメモリ初期化済みフラグ２０５ａを調べ、その状態が“０”の場合、レジュームエラーと判断し、直ちに主メモリ２０１の初期化を行なう。 - 特許庁

To execute data assurance while improving utilization efficiency of the area of a main storage memory without increasing the cost of a system, in an error judging circuit and the shared memory system.例文帳に追加

誤り判定回路及び共有メモリシステムにおいて、システムのコストを増加させることなく主記憶メモリの領域の利用効率を向上してデータ保証を行う。 - 特許庁

The memory system is equipped with a memory cell array 1, a bit line switch 4, first and second page buffers 2 and 3, a column switch 5, and an error correction circuit 11, and control circuits 7, and 10.例文帳に追加

記憶システムは、メモリセルアレイ１、ビット線スイッチ４、第１，第２のページバッファ２，３、カラムスイッチ５、エラー訂正回路１１及び制御回路７，１０を備えている。 - 特許庁

A bit error map for testing a semiconductor memory is formed, the prescribed data value A is written in a memory cell, successively read out, and compared with a written data value.例文帳に追加

半導体メモリのテストのため、ビットエラーマップが形成され、その際、所定のデータ値がメモリセル内に書き込まれ、続いて、読み出され、書き込まれたデータ値と比較される。 - 特許庁

To provide a memory write-in device in which an error of data written in a flash memory can be detected even when ECU receives erroneous data from a network.例文帳に追加

ＥＣＵが誤ったデータをネットワークから受信した場合でも、フラッシュメモリに書き込まれたデータの誤りを発見することのできるメモリ書込装置を提供する。 - 特許庁