「Memory Error」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The error detection circuit transfers the packets without storing or holding the packets in a memory area, and adds a disposal flag indicating a result of packet error detection processing to the packets.例文帳に追加

誤り検出回路は、パケットのメモリ領域への蓄積及び保持を行わずに、パケットの転送を行い、パケットの誤り検出処理の結果を示す廃棄フラグをパケットに追加する。 - 特許庁

Thus, it is possible to detect any error by collating data in an error inspection circuit 8 even when an attack fixing the specific bits of the memory address is made to an address decoder 12.例文帳に追加

これにより、アドレスデコーダ１２に対して、メモリアドレスの例えば特定のビットを固定する攻撃が行われた場合にも誤り検査回路８でのデータ照合により、誤り有りを検出する。 - 特許庁

To suppress a tilt error even when the tilt error is caused in a holographic memory in a direction perpendicular to a surface including optical axes of a signal beam and a reference beam (radial tilt direction).例文帳に追加

信号光と参照光の光軸を含む面に垂直な方向（ラジアルチルト方向）においてホログラフィックメモリにチルトエラーが生じた場合にも、このチルトエラーを抑制できるようにする。 - 特許庁

When an error of the memory update information is detected by an error detector 232, the back up node 20 transmits a retransmission request to which its sequential numbers Se are attached to the active node 10 (15).例文帳に追加

誤り検出装置２３２でメモリ更新情報のエラーを検出すると、予備ノード２０はそのシーケンシャル番号Ｓｅを添付した再送要求を現用ノード１０に送信する（１５）。 - 特許庁

This pseudo error signal generating circuit 30 converts an output signal of the memory circuit in accordance with a setting signal, and supplies a pseudo error signal required for verifying operation of the self-test circuit.例文帳に追加

この擬似エラー信号発生回路３０は、メモリ回路の出力信号を設定信号に応じて変換して、自己テスト回路の動作検証に必要な擬似エラー信号を供給する。 - 特許庁

From the difference between the output value (m) of the memory 24 and one rotation pulse number (n) of a preset pulse encoder 2, a count error value (q) is operated to output a count error signal SQ.例文帳に追加

記憶器２４の出力値ｍと予め設定されたパルスエンコーダ２の１回転パルス数ｎとの差から計数誤差値ｑを演算して計数誤差信号Ｓ_Q を出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory etc., capable of expanding tolerance in the case a bit error increases, prolonging a refresh period and further reducing electric power consumption, in a DRAM incorporating a general error correction circuit.例文帳に追加

ビット誤りが増加する場合の許容範囲を拡大し、リフレッシュ周期を一層長くして更なる低消費電力化を図ることが可能な半導体記憶装置等を提供する。 - 特許庁

The error value Δθ obtained in a prescribed period, for example, just after the installation of the composite navigation device 1000 is stored in an error data memory part as the correction value to the detected angle value θ of the whole circumference.例文帳に追加

所定時期、例えば、複数航法装置１０００の装備直後に得られた誤差値△θを全周の検出角度値θに対する補正値として誤差データ記憶部分に記憶する。 - 特許庁

The time information error detector 50 detects an error occurring in the time information, based on the remaining data quantity detected by the memory state detector 40 and a specified threshold.例文帳に追加

時刻情報誤り検出部５０は、記憶状態検出部４０が検出するデータ残量と所定のしきい値とに基づいて、時刻情報に誤りが発生していることを検出する。 - 特許庁

To provide a cache memory system, capable of accelerating a cache error processing at writing of the large amount of data to successive addresses and accelerating the execution speed of a software including the cache error processing.例文帳に追加

連続したアドレスへ大量のデータを書込む時のキャッシュ・ミス処理を高速化し、そのキャッシュ・ミス処理を含むソフトウェアの実行速度が改善可能なキャッシュメモリシステムを提供する。 - 特許庁

A signal memory 7001 records, for a prescribed period of time, noise signals n1-n20 supplied from noise microphones 1101-1120 and error signals e1-e4 supplied from error microphones 7601-7604.例文帳に追加

信号記憶部７００１は、騒音マイク１１０１〜１１２０からの騒音信号ｎ１〜ｎ２０とエラーマイク７６０１〜７６０４からのエラー信号ｅ１〜ｅ４を所定時間録音する。 - 特許庁

To provide a control system using a NAND memory that can reduce increases in processing time and power consumption for error correction incident to the addition of an error correction circuit.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤメモリを使用した制御システムにおいて、誤り訂正回路の付加に伴う、誤り訂正にかかる処理時間および消費電力の増大を抑制できるようにする。 - 特許庁

The surface wobbling detector 50 of this disk drive detects the amount of surface wobbling from the output signals (focusing error signals) of the focusing error detector 20 at low recording speed (linear speed) and stores it in the memory 58.例文帳に追加

低速の記録速度（線速度）におけるフォーカスエラー検出部２０の出力信号（フォーカスエラー信号）により面振れ量を面振検出部５０が検出し、メモリ５８に記憶する。 - 特許庁

An address and a write command of a memory cell in which error data is stored by an address/command generator are generated based on the error detection signal, and the address is held in a fail address register 40.例文帳に追加

誤り検出信号に基づいて、アドレス／コマンドジェネレータ２２により誤りデータが記憶されたメモリセルのアドレスとライトコマンドが生成され、前記アドレスはフェイルアドレスレジスタ４０に保持される。 - 特許庁

Furthermore, the CPU 17 controls that the photographed image temporarily stored in the image memory 21 is recorded on the memory card designated by the user and controls that the image is immediately recorded to the other memory when the memory card causes a recording error.例文帳に追加

また、ＣＰＵ１７は、画像メモリ２１に一時的に格納されている撮像画像をユーザによって指定されたメモリカードに記録させるための制御を行い、そのメモリカードが記録エラーとなった時には、即時に他方のメモリカードに記録するように制御を行う。 - 特許庁

This device has a memory cell array 11 having at least three memory cells A, B and C for storing data and a majority decision circuit for selecting data in the memory cell, which is not affected by a software error, according to a majority decision concerning the stored contents of the respective memory cells A, B and C.例文帳に追加

データを格納する少なくとも３つ以上のメモリセルＡ，Ｂ，Ｃを備えたメモリセルアレイ１１と、メモリセルＡ，Ｂ，Ｃの各々の記憶内容について多数決をとってソフトエラーを被っていないメモリセルのデータを選択する多数決回路とを有する。 - 特許庁

When an error exists, the block number is recorded in the internal memory of the receiver side control section 5 and is recorded in a recording memory 22, then the data for every block having an error is received from a program server via a public channel in order to correct the data.例文帳に追加

エラーがある場合、そのブロック番号を、受信機制御部５内のメモリに記録し、次いで記録メモリ２２に記録したのち、データを修正するために、公衆回線を介して番組サーバと接続し、エラー箇所のブロック毎のデータを取り寄せる。 - 特許庁

When a manufacturing error causing reduction of erasure speed as compared with an ideal value occurs in an extremely small group of memory cells at a group of specific positions, merely the memory cells at a position where the manufacturing error occurs are formed so that the erasure speed becomes faster than the ideal value.例文帳に追加

一群の所定位置の極一部のメモリセルに理想値より消去速度を低下させる製造誤差が発生するとき、この製造誤差が発生する位置のメモリセルのみ消去速度が理想値より高速となるように形成しておく。 - 特許庁

To provide a memory error correction method which allows a general inexpensive memory module to be used and allows data to be written per byte without preread and is capable of correction in the case of the occurrence of a fault in one of memory chips constituting the memory module and to provide a memory controller using this method.例文帳に追加

一般の安価なメモリモジュールを使用でき、また、先読みをすることなくバイト単位での書込みを行うことができ、また、メモリモジュールを構成する１つのメモリチップが故障した場合に訂正が可能なメモリの誤り訂正方法及びそれを用いたメモリコントローラを提供することを目的とする。 - 特許庁

In this memory system which is provided with a memory controller for writing/reading data to a memory; and a system controller for transmitting an instruction to the memory controller, it is possible to acquire an elapsed time since data are written in a memory until occurrence of a read error and the number of times of reading of the data.例文帳に追加

本発明によれば、メモリに対してデータの書き込み又は読み出しを行うメモリコントローラと、該メモリコントローラに命令を送信するシステムコントローラとを備えるメモリシステムにおいて、データがメモリに書き込まれてから読み出しエラーが発生するまでの経過時間と当該データの読み出し回数を取得することができる。 - 特許庁

When an electric cassette 28 reads radiation image information and transmits the information to a cradle 30 by radio communication, this radiation transducer monitors the transmission state, and when a transmission error occurs, an error flag is stored in an error flag memory 48 and interrupts the transmission.例文帳に追加

電子カセッテ２８から放射線画像情報を読み出してクレードル３０に無線通信で送信する際、送信状態を監視し、送信エラーが発生したとき、エラーフラグをエラーフラグメモリ４８に記憶させるとともに、送信を中断する。 - 特許庁

By not performing each of operations of data read, error detection, the error correction and write back for the corrected data to all memory cells, but omitting a part of each of these operations when there is not an error, the exit transition time is shortened.例文帳に追加

エグジット時のデータ読み出し、誤り検出、誤り訂正、訂正データの書き戻しの各動作を全てのメモリセルに対して行うのではなく、誤りがない場合にはこれら各動作の一部を省略することにより、エグジット遷移時間の短縮を図る。 - 特許庁

An error memory 107 storing a quantization error required when error spread is conducted by parallel processing of scanning lines is provided only in a binary processing circuit 106d independently of number of binary processing sections 106a-106d.例文帳に追加

誤差拡散を複数走査ラインの並列処理により行う際に必要とされる量子化誤差を格納しておくための誤差メモリ１０７が、２値化処理部１０６ａ〜１０６ｄの数に関係なく、２値化処理回路１０６ｄ内にだけ設けてある。 - 特許庁

To provide a memory system for surely restoring management information even when any program error occurs during data write-in.例文帳に追加

データ書き込み中にプログラムエラーが発生した場合でも確実に管理情報の復元が可能なメモリシステムを提供すること。 - 特許庁

In this case, a reference channel memory 4 stores samples of a reference channel obtained as an output of the prediction error conversion means 20.例文帳に追加

この際、予測誤差変換手段２０の出力として得た基準チャンネルのサンプルを基準チャンネルメモリ４に記憶しておく。 - 特許庁

To maintain the possible number of error corrections without reducing it even when the number of parallel of operations of a semiconductor memory chip is decreased.例文帳に追加

半導体メモリチップの動作並列数を減らしても、誤り訂正可能数を減らさずに維持することができるようにする。 - 特許庁

To provide an electroplating solution which does not give rise to a software error of a memory when the solution is used for manufacturing of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造に使用した時にメモリのソフトエラーの発生を引き起こさない電解めっき液を提供すること。 - 特許庁

To reduce trouble of calculation and number of selection processing sets or to decrease a required capacity of a memory while keeping an excellent decoding characteristic (error rate).例文帳に追加

良好な復号特性（誤り率）を保ちつつ計算手数並びに選択処理を減らし、あるいは必要なメモリを減らす。 - 特許庁

To improve soft error resistance in a system LSI with a system-on-chip form carrying a large-scale logic circuit and a memory.例文帳に追加

大規模論理回路とメモリを搭載したシステムオンチップ形態の所謂システムＬＳＩにおけるソフトエラー耐性を向上させる。 - 特許庁

To correct an address error in a flash memory module which has a data management unit different from a data management unit of a disk drive.例文帳に追加

ディスクドライブのデータ管理単位とは異なるデータ管理単位を有するフラッシュメモリ・モジュール内におけるアドレス・エラーを訂正する。 - 特許庁

To provide a disk recorder capable of consecutively using the disk even if an error occurs during data recording to PMA(Program Memory Area).例文帳に追加

ＰＭＡへのデータ記録中にエラーが発生しても、ディスクを継続して使用することのできるディスク記録装置を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory having an error correction code storage area capable of reducing the number of block erasures and extending the product life.例文帳に追加

エラー訂正符号格納領域を有するフラッシュメモリにおいて、ブロック消去の回数を削減し、製品寿命を延ばす。 - 特許庁

When an operation error is detected, the controller 51 stops writing the waveform display information HW in the memory part 52.例文帳に追加

制御部５１は、動作の異常が検出されたとき、メモリ部５２への波形表示情報ＨＷの書き込みを停止する。 - 特許庁

Thus, it is possible to prevent the occurrence of an error due to the memory shortage of the RAM 34, and to expect the efficient operation of the printer 30.例文帳に追加

そのため、ＲＡＭ３４のメモリ不足によるエラーの発生を防止でき、プリンタ３０の効率的な動作が期待できる。 - 特許庁

This invention is usable for the repetitive transmission and reception of a signal after non-memory error correction channel coding.例文帳に追加

このような本発明は、非メモリ誤り訂正チャネルコーディングされた信号の反復伝送及び受信に用いられることができる。 - 特許庁

To provide a method for easily estimating a soft error rate (SER) of an SRAM or a memory circuit element in a product design stage.例文帳に追加

ＳＲＡＭ又は記憶回路素子のソフトエラー率（ＳＥＲ）を製品設計段階で簡単に見積もる方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile memory saves an error-correcting data for correcting conversion accuracy of said conversion circuit in a predetermined storage area (4T).例文帳に追加

前記不揮発性メモリは前記変換回路の変換精度を補正する誤差補正データを所定記憶領域（４Ｔ）に保有する。 - 特許庁

To provide a simple error correcting code that does not require excessive operation capability or memory to a transmitter or a receiver.例文帳に追加

送信機または受信機で過大な演算能力またはメモリを必要としないシンプルな誤り訂正符号を提供する。 - 特許庁

To reduce the capacity of a path metric memory without degrading precision of decoding in an error correction circuit, especially in a Viterbi decoding circuit.例文帳に追加

誤り訂正回路、特にビタビ復号回路において、復号の精度を落とさずにパスメトリックメモリを削減することを可能とする。 - 特許庁

In response to a request for data, addressed data and associated control information of the memory device are tested for an error.例文帳に追加

データに対する要求に応答して、メモリ装置のアドレスされたデータおよび関連制御情報をエラーに関して検査する。 - 特許庁

To store demodulated symbol data in a memory exactly corresponding to an error correction code(ECC) block even when slip occurs on a disk.例文帳に追加

ディスクにおいてスリップが生じた場合でも、復調されたシンボルデータをＥＣＣブロックと的確に相応させてメモリに貯える。 - 特許庁

To reduce costs for a test by shortening time for testing a semiconductor memory having an error correction function and a data compression test function.例文帳に追加

誤り訂正機能およびデータ圧縮試験を有する半導体メモリの試験時間を短縮し、試験コストを削減する。 - 特許庁

To provide a memory cell having a trench and an epitaxial growing layer, taking into consideration an adjustment allowable error which enhances a manufacture process.例文帳に追加

製造プロセスを高める調整許容誤差を考慮した、トレンチとエピタキシャル成長層とを有するメモリセルを提供する。 - 特許庁

To enable reading of data as data allowing control even if an error occurs in writing the data into a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリへのデータの書き込みエラーが生じたとしても、制御が実現可能なデータとして読み出すことを可能とする。 - 特許庁

To provide a memory addressing system causing no arithmetic operation error while facilitating programming, and a page mapping device using this system.例文帳に追加

プログラミングが容易であるながらも演算エラーが発生しないメモリアドレッシング方法及びそれを利用したページマッピング装置の提供。 - 特許庁