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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Memory Errorの意味・解説 > Memory Errorに関連した英語例文

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Memory Errorの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1582



例文

The shutter speed error is measured as an exposure value by an automatic exposure measuring instrument (Fig.2), and the exposure value as the shutter speed error is stored in a memory means 30, and a shutter speed obtained at photographing operation is corrected based on the exposure value as the shutter speed error.例文帳に追加

シャッタ速度誤差が像面露光量測定器(図2)によって露光値として計測され、シャッタ速度誤差としての露光値がカメラのメモリ手段に格納され、撮影動作時に得られるシャッタ速度がシャッタ速度誤差としての露光値に基づいて補正される。 - 特許庁

In a correction in rows by a C1 correction circuit 1, a row unit error number correction frequency counter 2 counts the generation frequency of uncorrectableness and each error number correction, and a row unit corrected state memory circuit 3 stores how many error corrections have been made in rows.例文帳に追加

C1訂正回路1による行単位の訂正において、行単位エラー数訂正度数カウンタ2は、訂正不能や各エラー数訂正の発生度数をカウントし、行単位訂正状態記憶回路3は、行単位に何エラー訂正を行ったか記憶していく。 - 特許庁

After a transfer error detection circuit 306 detects a transfer error that transfer data from a memory controller 170 to a recording modulation circuit 300 is delayed for a recording clock process, the number of transfer errors is counted in units of sync-frame in a transfer error count circuit 307.例文帳に追加

メモリコントローラ170から記録変調回路300への転送データが記録クロック処理に間に合わない転送エラーを転送エラー検出回路306で検出した後、転送エラーカウント回路307にてシンクフレーム単位で転送エラー回数をカウントする。 - 特許庁

To provide a high-reliability flash memory by substituting a sector, where a correctable bit error occurs, without increasing access time so much.例文帳に追加

アクセス時間を余り増大させずに、訂正可能なビット誤りが発生したセクタを代替して、信頼性の高いフラッシュメモリを実現する。 - 特許庁

例文

To significantly improve the reliability of data by detecting a writing error of data by writing interruption or the like in a memory card.例文帳に追加

メモリカードにおける書き込み中断発生などによるデータの書き込みエラーなどを検出し、データの信頼性を大幅に向上させる。 - 特許庁


例文

The microcomputer 6 also uses a memory 9 and performs updating with the number of times when an error is detected by the parity check as the number of blocks of receiving errors.例文帳に追加

また、パリティチェックによって誤りが検出された回数を受信エラーブロック数としてメモリ9を用いて更新していく。 - 特許庁

To complete write-in processing without changing total processing time even when the write-in error of a non-volatile memory is generated.例文帳に追加

不揮発メモリの書込みエラーが発生しても、トータルの処理時間を変えずに、書込み処理を完了させることができるようにする。 - 特許庁

A time series analyzing part 105 makes a decision time sequentially and detects whether a memory error that deviates from the other time zones occurs.例文帳に追加

時系列解析部105は、時系列的に判断して他の時間帯から逸脱したメモリエラーが発生しているかを検出する。 - 特許庁

To improve the possibility of error factor research by efficiently recording log information in a limited memory for log in embedded equipment.例文帳に追加

組込み機器などにおいて、限られたログ用メモリ内に効率的にログ情報を記録して、エラー原因究明の可能性を高める。 - 特許庁

例文

To detect an error in the entire area of a main memory of a computer system before they cause a failure during the operation of the system.例文帳に追加

コンピュータシステムのメインメモリのすべての領域におけるエラーを、それらがシステムの動作中に障害を発生させる前に検出する。 - 特許庁

例文

To provide a nonvolatile semiconductor memory that enables proper data read while preventing a read error.例文帳に追加

本発明は、誤読み出しの虞が小さく正確なデータ読み出しを可能にした半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

For example, a NAND memory 11 and a controller 12 are provided with an error detection circuit 11b and an ECC circuit 12a, respectively.例文帳に追加

たとえば、NANDメモリ11には誤り検出回路11bを、そのコントローラ12にはECC回路12aを、それぞれ設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing data to be written from being lost even when an error occurs during memory writing.例文帳に追加

メモリへの書き込みにエラーが発生しても、書き込もうとしたデータが消失することを防ぐことのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which is excellent in soft error resistance by adding a charge capacity to a cell node without increasing a cell area.例文帳に追加

セル面積の増大を伴わずに、セルノードに電荷容量を付加して、ソフトエラー耐性に優れた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The data analyzed as erroneous by Data Analyzing Section 22 will be sent to Error Storing Section 32 of Memory Device 3 for storage of the errors therein.例文帳に追加

データ解析部22にて誤りがあると解析されたデータは、そのエラー内容を記憶装置3のエラー記憶部32に記憶する。 - 特許庁

To provide a memory circuit which can detect a transfer error of an address between chips without increasing the amount of output data.例文帳に追加

出力するデータ量を増加させることなく、チップ間のアドレスの転送誤りを検出することができるメモリ回路を提供すること - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device with a compact sense amplifier, which prevents reading error due to offset or noise.例文帳に追加

小型のセンスアンプを有しながら、オフセットやノイズによる誤読み出しを防止可能な不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To compose a device for checking management memory in a manner that the check is normally performed even when a software error occurs in a bit corresponding to non-used hardware.例文帳に追加

管理メモリのチェック装置を、未使用のハードに対応するビットにソフトエラーが発生しても正常にチェック可能に構成する。 - 特許庁

A pseudo error signal generation circuit 2 is incorporated in a data amplifier 1 which reads data stored in a memory cell of the semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

半導体集積回路装置のメモリセルに記憶されたデータを読み出すデータアンプ1に、擬似エラー信号生成回路2を組み込む。 - 特許庁

To avoid communication error ends due to the full state of a memory inside equipment under receiving concerning facsimile equipment which is capable of sub-address communication.例文帳に追加

サブアドレス通信が可能なファクシミリ装置において、受信中の装置内メモリのメモリフルに起因する通信エラー終了を回避する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of improving the reliability of data and efficiently generating an error-correcting code.例文帳に追加

データの信頼性を高めることができ、誤り訂正符号を効率的に生成することが可能な半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

As a modified example, a single-memory device is used for storing data and error-collecting codes correlated with the data.例文帳に追加

1つの変形例では、単一のメモリ装置がデータおよび関連付けられる誤り訂正符号の両方を格納するために利用される。 - 特許庁

A figure 1 represents a flowchart of self-diagnosis carried out for inspecting writing in the flash memory 302 in occurrence of an error such as an instantaneous interruption.例文帳に追加

図1は、瞬断などのエラー発生時に実行されるフラッシュメモリ302の書き込みを検査する自己診断処理のフローチャートである。 - 特許庁

The controller 101 creates a chip-unique ID using an address where an error has occurred as a result of the memory test, as a response to the authentication request.例文帳に追加

メモリテストの結果エラーが発生したアドレスを用いてコントローラ101は固有チップIDを作成し、認証要求の応答とする。 - 特許庁

A fraudulent action can be suppressed by informing an error or stopping a game when the memory module is determined to be removed.例文帳に追加

メモリモジュールが外されたと判定されたとき、エラー報知を行ったり、遊技を停止することで不正行為を抑止することができる。 - 特許庁

To shorten a cycle time in a data read-out operation even in a ferroelectric memory on which an ECC (Error Checking and Correcting) circuit is mounted.例文帳に追加

本発明は、ECC回路を搭載した強誘電体メモリにおいて、データ読み出し動作時のサイクルタイムを短縮できるようにする。 - 特許庁

To develop a function generating method and a function generating device with which an error can be reduced without increasing the number of sample points to be stored in a memory.例文帳に追加

メモリに格納するサンプル点の数を増やさずに、誤差を減少させることができる関数発生方法と装置の開発。 - 特許庁

To provide a memory device that realizes high-speed data transfer, while ensuring reliability of data by mounting an error detection and correction circuit.例文帳に追加

エラー検出訂正回路を搭載してデータの信頼性を確保しながら、高速データ転送を実現したメモリ装置を提供する。 - 特許庁

Electronic equipment 10 stores data with redundant data capable of modifying the error of the data in the NAND-FLASH memory 21.例文帳に追加

電子機器10は、NAND−FLASHメモリ21に対してデータ誤り修正できる冗長データを付加してデータを記憶させる。 - 特許庁

An echo check code adding/detecting part 25 adds an error correction code to the compressed distributed SDI data, and writes the same into a buffer memory 26.例文帳に追加

エラーチェックコード付加/検出部25は、圧縮され分配されたSDIデータにエラー訂正符号を付加し、バッファメモリ26に書き込む。 - 特許庁

To reduce occurrence of current consumption when a holding current of a memory cell exceeds a reference current (namely, data error is not caused).例文帳に追加

メモリセルの保持電流が基準電流以上(データの誤りが発生しない)の場合において、消費電流の発生を削減する。 - 特許庁

An echo check code adding/detecting part 25 adds an error correction code to the compressed distributed SDI data and writes the same into a buffer memory 26.例文帳に追加

エラーチェックコード付加/検出部25は、圧縮され分配されたSDIデータにエラー訂正符号を付加し、バッファメモリ26に書き込む。 - 特許庁

The first processing outputs data obtained by adding an error correction code to written data with writing control information from the memory interface circuit.例文帳に追加

第1処理は書込みデータにエラー訂正コードを付加したデータをメモリインタフェース回路から書込み制御情報と共に出力する。 - 特許庁

Thus, the sensitivity error of the electronic force balance can be calculated from the measured value and the actually measured value of the built-in weight 5 stored in the memory 13.例文帳に追加

この実測値とメモリ13に記憶されている当該内蔵分銅5の真値とにより電子天秤の感度誤差を算出する。 - 特許庁

To provide a memory device which has a low error rate and quickly responds, and can be manufactured inexpensively.例文帳に追加

本発明は、エラーレートが低く、高速で応答すると共に、低コストで製造することが可能なメモリーデバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

If insufficient memory is allocated, XWriteBitmapFile returns BitmapNoMemory; otherwise,on no error, it returns BitmapSuccess.例文帳に追加

十分なメモリを割り当てられなかった場合は、XWriteBitmapFileはBitmapNoMemoryを返す。 それ以外の場合、つまりエラーが起きなかった場合には、この関数はBitmapSuccessを返す。 - XFree86

In the memory circuit, the inputted code is temporarily stored, outputted while matching a timing to the error position information and inputted to the switcher.例文帳に追加

メモリ回路では入力された符号を一時記憶し、誤り位置情報にタイミングを合わせて出力し、切替器に入力される。 - 特許庁

To reduce a sensing error on a read operation in a flash memory device by reducing a signal interference between sensing lines each other.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置において、センシングライン相互間の信号干渉を減少させることにより、読出し動作におけるセンシング誤りを減らす。 - 特許庁

Thereafter, data recorded on the groove are reproduced, and their data error amount PI is stored in a memory 903 from an ECC decoder 902.例文帳に追加

しかる後、前記グルーブに記録したデータを再生し、そのデータエラー量PIをECCデコーダ902からメモリ903にストアする。 - 特許庁

The data processor includes a memory patrol circuit (4) for periodically performing read-access to a memory (2) which performs error correction to read data, and outputs the data according to control of a CPU (1), and for supporting maintenance to the data that the memory holds.例文帳に追加

読み出しデータに対して誤り訂正を行って出力するメモリ(2)をCPU(1)の制御に従って定期的にリードアクセスすることによって前記メモリが保持するデータに対するメンテナンスを支援するメモリパトロール回路(4)を有する。 - 特許庁

This error correction circuit 1 includes: an associative memory 20; a logic circuit 10 disposed in parallel with the associative memory 20; and a selection means 30 receiving an output signal from the associative memory 20 and an output signal from the logic circuit 10 as input.例文帳に追加

誤り訂正回路1は、連想メモリ20と、連想メモリ20と並列に配置した論理回路10と、連想メモリ20からの出力信号と、論理回路10からの出力信号とを入力とする選択手段30と、を有する。 - 特許庁

In the error correcting method for the data storage device to repeatedly perform the error correction of SEU of a volatile memory 2 with a prescribed cycle, error rate is enhanced while enabling follow-up to changes in intensity of the radioactive rays by statistically measuring error generation quantity, shortening the prescribed cycle when the measured error generation quantity is increased and setting the prescribed cycle longer when the measured error generation quantity is reduced.例文帳に追加

揮発性メモリ2のSEU誤り・訂正を所定の周期で繰り返し行なうデータ記憶装置の誤り訂正方法であり、誤り発生量を統計的に測定し、測定された誤り発生量が増加する場合には所定の周期を短縮し、測定された誤り発生量が減少する場合には所定の周期を長く設定することにより、放射線強度の変化に追従を可能としつつ誤り率を向上させている。 - 特許庁

To provide an image forming device, its controlling method and a storage medium capable of evading a printing error and preventing the quality of an output image from being reduced by improving the using efficiency of a memory for storing a plotting object and suppressing the probability of memory error generation.例文帳に追加

描画オブジェクトを記憶するメモリの使用効率を高めてメモリエラー発生の可能性を抑えることにより印字不正を回避し、出力画像の品質低下を防ぐことが可能な画像形成装置およびその制御方法ならびに記憶媒体を提供すること。 - 特許庁

To provide a highly reliable device with a flash memory performing self-diagnosis in re-input of a power source and performing necessary error processing for preventing error operation of the device when a power source is momentarily interrupted during writing of program, data or the like into a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリへのプログラムやデータなどを書込み中に電源の瞬断があった場合、電源の再入力時に自己診断処理を行い必要なエラー処理を実行することにより、装置の誤動作を防止する信頼性の高いフラッシュメモリを備えた装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that, when an error detection correction circuit reads data from an ECC block memory to detect and correct an error, the correction efficiency of the circuit is deteriorated if a past synchronization signal detection result or BIS data remains without being overwritten by new demodulation data in the ECF block memory.例文帳に追加

誤り検出訂正回路がECCブロックメモリからデータを読み出して誤り検出訂正処理する場合、ECCブロックメモリに過去の同期信号の検出結果やBISデータが新しい復調データで上書きされずに残っていると、訂正能力を落としてしまう。 - 特許庁

Reading data DR read out from each sector of a recording medium together with a synchronizing pattern and re-synchronizing pattern are stored in a buffer memory 13, and these reading data DR are read out from the buffer memory 13, and error correction is carried out to produce error corrected data as the reproduced data.例文帳に追加

記録媒体の各セクタから同期パターン及び再同期パターンとともに読み取った読み取りデータDRをバッファメモリ13に格納し、該読み取りデータDRをバッファメモリ13から読み出し、誤り訂正処理を施して誤り訂正済データを再生データとして生成する。 - 特許庁

A black-and-white judgement part 18 generates the plural pixels required accompanying the resolution raise in the work memory 20 for each pixel under consideration of input multilevel image data, threshold processes them and performs error propagation to peripheral pixels to the error memory 16 of the pixel level of the original resolution.例文帳に追加

白黒判定部18は、入力多値画像データの注目画素ごとに、高解像度化に伴い必要な複数個の画素を作業メモリ20に生成して2値化を行い、周辺画素への誤差拡散は元の解像度の画素レベルの誤差メモリ16に対して行う。 - 特許庁

Then, whether or not an error exists in read data is decided about the content of a data field read from a data memory for transmission of the communication controller by using 2nd data for error detection included in the data field, and an illegal data due to memory abnormality, noise on a parallel bus, etc., is detected.例文帳に追加

そして、通信コントローラの受信用データメモリから読み込むデータフィールドの内容に対し、読み込んだデータに誤りがないか否かをデータフィールド内に含まれる第2の誤り検出用データを用いて判定し、メモリ異常やパラレルバス上のノイズ等によるデータ化けを検出する。 - 特許庁

Also when the IC card read does not permit time stamping (non-permission card error) or when a memory storing time stamping information or the like is full (memory-full error), the mode of the back light is changed and the special electronic sound is generated at the same time.例文帳に追加

また、読取が行われたICカードが、打刻が許可されていないICカードであった場合(不許可カードエラー)や、打刻情報等を記憶するメモリが満杯であった場合(メモリー満杯エラー)にも、バックライトの態様を変化させると同時に特別な電子音を発生させる。 - 特許庁

例文

When an instruction error occurs, the ASIC stops, and the MPU acquires the instruction address of an inactive instruction and the input parameter value from the register, and stores them in a storage memory of a backup memory 11g, or the like.例文帳に追加

命令エラーが発生すると、ASICが停止し、MPUがレジスタから停止している命令の命令アドレスと入力パラメータ値を取得すると共に、バックアップメモリ11g等の記憶メモリに格納する。 - 特許庁




  
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