「Memory Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device 20 comprises a crown type capacitor 21a formed in a memory cell region and a concave type compensation capacitive element 10 formed in a peripheral circuit region.例文帳に追加

メモリセル領域に形成されたクラウン型のキャパシタ２１ａと、周辺回路領域に形成されたコンケイブ型の補償容量素子１０と、を有することを特徴とする半導体装置２０を提供する。 - 特許庁

Each memory cell 10 has a p-type active region 13 and an n-type active region 14, two pieces of word lines 21a and 21b (WL1 and WL2), and a common gate line (GL1) and a common gate line 22b (GL2).例文帳に追加

各メモリセル１０は、ｐ型能動領域１３およびｎ型能動領域１４、２本のワード線２１ａ，２１ｂ（ＷＬ１，ＷＬ２）、共通ゲート線２２ａ（ＧＬ１），および共通ゲート線２２ｂ（ＧＬ２）を備えている。 - 特許庁

The memory 16 stores the most suitable applying voltage which is stored in the device 10 and is source electrode voltage corresponding to respective display modes including a reflection type mode and a transmissive type mode.例文帳に追加

メモリ１６は、液晶表示装置１０が有している反射型モードおよび透過型モードという各表示モードのそれぞれに対応するソース電極電圧に対する最適印加電圧を記憶している。 - 特許庁

To enable to mutually utilize an existing electronic scope for a former type processor and a new type processor, by rewriting rewritable information in a nonvolatile memory of the electronic scope.例文帳に追加

電子スコープ内の書換可能な不揮発性メモリの情報を書き換えることにより、既存の電子スコープを旧タイプのプロセッサと新タイプのプロセッサとの間で相互に使用することができるようにする。 - 特許庁

In the electrically rewritable semiconductor nonvolatile memory device, a lightly doped first conductivity type region is formed on a surface of a tunnel region in a second conductivity type drain region.例文帳に追加

電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、第２導電型のドレイン領域内のトンネル領域の表面には、薄い不純物濃度の第１導電型の領域を形成した。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and a mounting type semiconductor device capable of providing storage devices whose costs/performances are different by one and the same hardware only by replacing a different type of memory.例文帳に追加

異なるタイプのメモリを置き換えるだけで、原価・性能が異なる記憶装置を同一ハードウェアで提供することができる半導体記憶装置及び実装型半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the filter processing, a filter coefficient based on the type of the video image of the still image or the type of the display unit is read from a plurality of filter coefficients previously prepared in a table TB of a memory 6.例文帳に追加

このフィルタ処理時にはメモリ６のテーブルＴＢに予め準備された複数のフィルタ係数から、静止画の映像の種別または表示部の種別に基づいたフィルタ係数が読出される。 - 特許庁

When an electronic scope is used for a new type processor instead of a former type processor, the data in an EEPROM housed in the scope is fetched (step S14) and stored in a memory card (step S20).例文帳に追加

電子スコープを旧タイプのプロセッサに代えて新タイプのプロセッサで使用する場合、電子スコープに内蔵されているＥＥＰＲＯＭのデータを取り込み（ステップＳ１４）、これをメモリカードに保存する（ステップＳ２０）。 - 特許庁

A print control unit 111 overwrites and stores a type of selected printing paper concerning a series of print jobs in a printing paper type memory 113 whenever the performance of the print jobs ends.例文帳に追加

印刷制御部１１１は、一連の印刷ジョブの実行が終了する度に、印刷用紙種類記憶部１１３に当該印刷ジョブに係る選択された印刷用紙の種類を上書記憶する。 - 特許庁

The memory cell region 100 and the dummy cell region 300 include a first conductive (p-type) first well 42, a second conductive (n-type) second well 44 and a second conductive embedded layer 50.例文帳に追加

メモリセル領域１００およびダミーセル領域３００は、第１導電型（ｐ型）の第１ウェル４２と、第２導電型（ｎ型）の第２ウェル４４と、第２導電型の埋込み層５０を含む。 - 特許庁

A first transfer gate 240 provided between a memory cell MC and a bit line BL has P type and N type MOS transistors Xfer (P, N) connected to a sub-word line decoder SWDec.例文帳に追加

メモリセルＭＣとビット線ＢＬとの間に設けられた第１のトランスファーゲート２４０は、サブワード線デコーダＳＷＤｅｃに接続されたＰ型及びＮ型ＭＯＳトランジスタＸｆｅｒ（Ｐ，Ｎ）を有する。 - 特許庁

To provide a synchronizing type semiconductor memory which improves efficiency of using a bus between a synchronizing type DRAM and an external controller, and which satisfies requirement for a posted CAS function of JEDEC.例文帳に追加

同期式ＤＲＡＭと外部コントローラとの間のバス使用の効率を高めると共に、ＪＥＤＥＣのポステッドＣＡＳ機能に対する要求事項を満足する同期式半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, P-type impurity ions 8 for element-isolating memory cells are implanted using the gate electrode 3 and the side wall oxide film 7 as masks for the formation of P-type impurity regions.例文帳に追加

その後、ゲート電極３及びサイドウォール酸化膜７をマスクとしてメモリセルの素子分離のためのＰ型不純物のイオン注入８をすることによって、Ｐ型不純物領域９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device, which can be fabricated in a small cell size as small as a one-transistor one-capacitor type cell, using a single-transistor two-capacitor type cell, having a large operation margin by the same design rule.例文帳に追加

動作マージンが大きい１トランジスタ２キャパシタ型セルを用いて、同一設計ルールにおいて１トランジスタ１キャパシタ型セルと同程度の小さなセルサイズを実現した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric type nonvolatile semiconductor memory that is what is called a gain cell type, in which an area for one bit can be reduced, and moreover, from which stored data can be surely read.例文帳に追加

１ビット当たりの面積が縮小することができ、しかも、記憶されたデータを確実に読み出すことができる、所謂ゲインセルタイプの強誘電体型不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁

A NOR type flash memory 1 is provided with bit lines BL to which a plurality of nonvolatile memory cells MC1 to MC4 in which data can be re-written electrically are connected, a voltage detection type sense amplifier VSA provided corresponding to the bit lines BL, and a selection transistor SQ provided between connection paths of the bit lines BL and the voltage detection type sense amplifier VSA.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリ１は、電気的にデータの書き換えが可能な複数の不揮発性のメモリセルＭＣ１ないしＭＣ４が接続されたビット線ＢＬと、ビット線ＢＬに対応して備えられる電圧検出型センスアンプＶＳＡと、ビット線ＢＬと電圧検出型センスアンプＶＳＡとの接続経路間に備えられる選択トランジスタＳＱとを備える。 - 特許庁

Moreover, the game progress control part gets the data the same as the character data stored in an equivalent memory area (memory means for storing character data usable by other players) installed in other arcade game machines of the same type stored into the memory means based on the data received by an external communication part 108.例文帳に追加

更に、ゲーム進行制御部は、外部通信部１０８が受信した受信データに基づき、その記憶手段に対し、他の同種のアーケードゲーム機が備える同様の記憶領域（別プレイヤーの使用可能なキャラクタデータを記憶する記憶手段）に記憶されているキャラクタデータと同じデータを記憶する。 - 特許庁

A data steering circuit 310 connects with N sub-channels of a memory, and dynamically operates memory access type data including the tiled or untiled memory access according to the access control signal, the address bits having been adjusted, and sub-channel identifiers associated with N sub-channels.例文帳に追加

データステアリング回路３１０は、メモリにおけるＮ個のサブチャネルに接続し、アクセス制御信号、調整済みアドレスビット、および、Ｎ個のサブチャネルに関連付けられたサブチャネル識別子に従い、タイル状および非タイル状メモリアクセスを含むメモリアクセスタイプのデータを動的に操作する。 - 特許庁

The set associative type cache memory device equipped with a memory cell part which holds data and tags, an LRU memory part representing reference history information on cache blocks, and a circuit which makes a hit/miss decision has an instruction for changing the LRU of a corresponding cache block to the block which was referred to in the remote past.例文帳に追加

データとタグを保持するメモリセル部と、キャッシュブロックの参照履歴情報を表すＬＲＵメモリ部と、ヒット／ミスを判定する回路を具備するセットアソシアティブ方式のキャッシュメモリ装置において、該当キャッシュブロックのＬＲＵを最も遠い昔に参照したブロックに変更する命令を備える。 - 特許庁

The invention also concerns a timepiece mechanism incorporating at least one memory wheel of this type 30, wherein, in proximity to each mechanical memory wheel 30, it includes support means arranged for cooperating with the support surface 45 of the mechanical memory wheel 30 in a disconnectable manner.例文帳に追加

また、この種のメモリ・ホイール３０を組み込んだ時計機構に関し、機械的メモリ・ホイール３０それぞれの近傍において、当該機械的メモリ・ホイール３０の前記支持面４５と接触的な結合の解除が可能な状態で協働するように構成された支持手段を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a resistance-varying type memory which can manifest hysteresis characteristics, without fail, and the memory characteristics of resistance at the higher reproducibility than those of conventional technologies, and has an change and rate of change which is greater than those of conventional technologies, and to provide a method for controlling and manufacturing the memory.例文帳に追加

従来技術に比較して高い再現性で確実に抵抗のヒステリシス特性及びメモリ特性を発現させることができ、従来技術に比較して大きな変更変化率を有する抵抗変化型メモリとその制御方法及び製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, it is not necessary to rewrite a program for each type of an LSI while it is necessary when using a test device connected to the outside, and it is possible to simultaneously test the cache memory in parallel with the memory such as the SRAM other than the cache memory built in the same LSI, and to shorten the test time.例文帳に追加

これにより、外部に接続したテスト装置を用いた場合のようにＬＳＩの品種毎のプログラムの書き換えが不要となる上、同一ＬＳＩに内蔵されているキャッシュメモリ以外のＳＲＡＭ等のメモリと同時並行してキャッシュメモリのテストが可能となり、テスト時間の短縮が図れる。 - 特許庁

The waveform analyzer is an improved one having a ring memory type acquisition memory which can store a plurality pieces of measured data obtained by measuring input signals and a display processing section which performs waveform analysis on the measured data of the acquisition memory and displays the analysis results.例文帳に追加

入力信号を測定した測定データを複数個格納できるリングメモリ型のアクイジションメモリと、このアクイジションメモリの測定データの波形解析を行なって波形の表示、解析結果の表示を行なう表示処理部とを有する波形解析装置に改良を加えたものである。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory cell which has a large resistance ratio of a resistance before a voltage is applied to a resistance after it is applied and additionally indicates a high speed response, its manufacturing method, a resistance variable type nonvolatile memory device, and a method for designing the nonvolatile memory cell.例文帳に追加

本発明は、電圧を印加する前の抵抗と印加した後の抵抗との抵抗比が大きいことに加えて、高速応答性を示す不揮発性メモリセルおよびその製造方法、抵抗可変型不揮発性メモリ装置、並びに不揮発性メモリセルの設計方法を提供する。 - 特許庁

In this liquid crystal display device integrated type memory, a memory circuit 281 (which is formed in a memory circuit part 28) which is separated electrically from a pixel display circuit 271 (which is formed a pixel display circuit part 27) is formed in a matrix shape in the pixel non-display area of a pixel circuit board 26.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置一体型メモリは、画素回路基板２６の画像非表示領域に、画素表示回路２７１（画素表示回路部２７に形成される）とは電気的に分離したメモリ回路２８１（メモリ回路部２８に形成される）が、マトリクス形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a memory device in which a random access characteristic is improved, the number of times of rewriting can be reduced, and the supremum of the number of times of disturbance can be easily controlled, making the most of a nonvolatile characteristic and a high integration characteristic of a cross point type ferroelectric memory and a memory system using it.例文帳に追加

クロスポイント型強誘電体メモリの不揮発性、高集積性を活かしつつ、そのランダムアクセス性を向上させ、かつ書き換え回数を低減でき、ディスターブ回数の上限を容易に制御することができるメモリ装置およびそれを用いたメモリシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a memory area using method in a mobile communication terminal for efficiently utilizing a limited memory by assigning a field memory area to a type of each piece of information and managing stored information of each individual in each field while bundling the stored information of each individual in the same index.例文帳に追加

各情報種類別にフィールドメモリ領域を割り当て、前記各フィールドには、各個人の格納情報を、同一のインデックスに束ねて管理することにより、限定されたメモリを効率良く利用するための移動通信端末機におけるメモリの使用方法を提供する。 - 特許庁

The memory card main body 50 is provided with a window part 58 on one end side of a back face 52, and a plurality of pad type terminals 55 are exposed from the window part 58.例文帳に追加

メモリカード本体５０は、裏面５２の一端側に窓部５８を有し、窓部５８から複数のパッド状端子５５が露出している。 - 特許庁

When starting the game, whether the type of the win combination lottery tables written in the selected table storage part and the memory are accorded or not is determined.例文帳に追加

ゲームが開始された場合、選択テーブル記憶部とメモリとに書き込まれている当選役抽選テーブルの種類が同一か否かを判定する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for improving the stability in a resistance change and a resistance change ratio of a resistance change type memory element.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子の抵抗変化の安定性と抵抗変化比を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A multifunctional printer 10 comprises a reader/writer 16 for connecting a memory card 18 so as to be readable/writable it; and an ink jet type printer mechanism 31.例文帳に追加

マルチファンクションプリンタ１０は、メモリカード１８を読み書き可能に接続するリーダライタ１６と、インクジェット式のプリンタ機構３１とを備えている。 - 特許庁

A projection type display device 1 comprises: temperature sensors 21 and 22 for detecting temperatures within the device; a non-volatile memory 32; and a microcomputer 31.例文帳に追加

投写型表示装置１は、装置内の温度を検出する温度センサ２１，２２と、不揮発性のメモリ３２と、マイクロコンピュータ３１とを備える。 - 特許庁

In a memory cell including six transistors (11, 12, 15, 16, 21, and 22), a transistor 12 and a transistor 16 are n-type spin MOS transistors.例文帳に追加

６トランジスタ（１１，１２，１５，１６、２１，２２）で構成されるメモリセルにおいて、トランジスタ１２及びトランジスタ１６をｎ型スピンＭＯＳトランジスタとする。 - 特許庁

The ARA can also be stored in a portable type flash memory dongle 320 locally obtaining a direct access right to the GMS by optional selection.例文帳に追加

ＡＲＡは、任意選択で、ローカルにＧＭＳへの直接のアクセス権を取得する可搬型のフラッシュメモリドングル３２０に記憶することもできる。 - 特許庁

To provide a split-gate type non-volatile semiconductor memory device that achieves a high-speed access and high integration, along with a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高速なアクセスが可能で、かつ、高集積化が可能なスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile memory 25 of the information recording device 2 is managed by means of the FAT-type file system and a plurality of directory entries is assigned to one file.例文帳に追加

情報記録装置２の不揮発性メモリ２５をＦＡＴ型ファイルシステムで管理し、１つのファイルに複数のディレクトリエントリを割り当てる。 - 特許庁

To provide a navigation device for a vehicle that has no delay in activating software while using NAND-type flash memory as a boot device.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリをブートデバイス用として使用しながら、ソフトの起動が遅れてしまうことがない車両用ナビゲーション装置を提供する。 - 特許庁

After specifying a type of document in advance, a document reception section 10 receives image data read by a scanner, to store it in a document memory section 12.例文帳に追加

予め文書の類型を指定した上で、スキャナで読み取った画像データを文書受付部１０が受け付け、文書記憶部１２に記憶する。 - 特許庁

The simulated cartridge 2 includes a non-contact type memory card and stores data indicating the number of pieces of the ammunition written in an ammunition replenishment device.例文帳に追加

模擬カートリッジ２は、非接触型のメモリカードから構成されており、弾薬補充装置に書き込まれた弾薬数を表すデータを記憶する。 - 特許庁

An auxiliary pattern corresponding to a certain pattern such as a memory pattern is formed in a different type of an auxiliary pattern from auxiliary patterns for other patterns.例文帳に追加

メモリパターン等のあるパターンに対する補助パターンと、それ以外のパターンに対する補助パターンを、互いに異なったタイプの補助パターンとする。 - 特許庁

To shorten a stall time of a processor to shorten time required for image processing in a shared memory type device having a plurality of processors.例文帳に追加

複数のプロセッサを有する共有メモリ型の装置において、プロセッサのストール期間を短くし、画像処理に要する時間を短くすること。 - 特許庁

To improve program disturbance due to fineness, in a multi-level flash memory of an AND type in which QPW operation can be performed.例文帳に追加

本発明は、ＱＰＷ動作が可能なＮＡＮＤ型の多値フラッシュメモリにおいて、微細化にともなうプログラムディスターブを改善できるようにする。 - 特許庁

To suppress the deterioration of a data read characteristic due to influence of the characteristic change of a sense amplifier, in data reading of a multi-bit-type memory cell.例文帳に追加

マルチビット型メモリセルのデータ読み出しにおいて、センスアンプの特性ばらつきの影響によるデータ読み出し特性が悪化するのを抑える。 - 特許庁

At erasure, a negative voltage and a positive voltage are respectively applied upon a control gate electrode 10a and the P-type well 2 in a selected memory cell.例文帳に追加

消去時には、選択されたメモリセルにおいて制御ゲート電極１０ａに負の電圧をＰ型ウェル２に正の電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a NOR type flash memory for warranting an equivalent high read speed in two modes, a WORD read mode and a BYTE read mode even when either of the two modes is selected.例文帳に追加

NOR 型フラッシュメモリにおいて、WORD読みモードとBYTE読みモードとを切り換えた場合でも、２つのモードで同等の高速読み出し速度を保証する。 - 特許庁