「Memory Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

To form a semiconductor-on-insulator (SOI) type transistor, a memory, another DRAM circuit, another DRAM array, a transistor gate array, and such a structure on the same substrate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型のトランジスタ、メモリ及び他のＤＲＡＭ回路及びアレイ、トランジスタゲートアレイ、及びそのような構造体を同一基板上に形成する。 - 特許庁

A storage medium which appears on a market a lot is used by constituting the Flash_ROM 26 of a NAND type flash memory which is superior also in terms of cost.例文帳に追加

Ｆｌａｓｈ＿ＲＯＭ２６をコスト的にも優位にあるＮＡＮＤ型フラッシュメモリで構成することにより、市場に多く出回っている記憶媒体を使用することができる。 - 特許庁

In a spin injection type magnetic memory cell (MC), a source line (SL) is arranged in parallel with a word line (WL), and data write/read is performed on a bits-by-bits basis.例文帳に追加

スピン注入型磁気メモリセル（ＭＣ）に対しソース線（ＳＬ）をワード線（ＷＬ）と平行に配設し、複数ビット単位でデータの書込／読出を実行する。 - 特許庁

A pair is composed of a user authentication device 10 and a portable type data communication terminal 20 and a memory is made to store a user code common to each other.例文帳に追加

ユーザ認証装置１０と携帯型データ通信端末装置２０とで１つのペアを構成し、それぞれ共通のユーザCodeをメモリに格納させておく。 - 特許庁

A shift word line SWL and a shift memory cell SMC are arranged so that the N type sense amplifier NSAt can amplify potential difference of the bit lines BLt, /BLt.例文帳に追加

Ｎ型センスアンプＮＳＡｔがビット線ＢＬｔ，／ＢＬｔの電位差を増幅できるようにシフトワード線ＳＷＬ及びシフトメモリセルＳＭＣを設ける。 - 特許庁

This invention provides a card edge connector assemble body 40 for electrically connecting at least a pair of stack type memory cards 46, 48 to a circuit board.例文帳に追加

少なくとも一対の積み重ね式メモリカード４６、４８を回路板に電気的接続するためのカードエッジコネクタ組立体４０が提供される。 - 特許庁

The controller 10 reads the latest data of a type to be read from the flash memory 20, referring to the record data information STR in the RAM 30.例文帳に追加

コントローラ１０は、ＲＡＭ３０中の記録データ情報ＳＴＲを参照して、読み出し対象の種類の最新データをフラッシュメモリ２０から読み出す。 - 特許庁

The developing cartridge on which a non-contact type memory is mounted is mounted on the developing cartridge whose exchange frequency is the lowest of all the developing cartridges.例文帳に追加

また、非接触式メモリを搭載する現像カートリッジは、全ての現像カートリッジの中で最も交換頻度の低い現像カートリッジに搭載する。 - 特許庁

To provide a charge trapping type nonvolatile semiconductor memory wherein the changes of its data states which are caused by its charge transfer are prevented and its refining can be actualized.例文帳に追加

電荷移動によるデータ状態の変化を防止し、且つ、微細化を実現できる電荷トラップ型の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To prevent erroneous read-out from a ferroelectric memory device that the cell size is smaller than that of 2T2C type.例文帳に追加

２Ｔ２Ｃ型よりもセルサイズの小さい強誘電体メモリ装置およびこのような強誘電体メモリ装置からの誤読み出しのおそれのないデータ読み出し方法 - 特許庁

The fuse cell 1 is defined as a two-transistor type memory cell, which comprises a cell transistor 5 having an electric charge storage layer FG and a selection transistor 3 for selecting the cell transistor.例文帳に追加

フューズセル１を、電荷蓄積層ＦＧを有したセルトランジスタ５と、セルトランジスタを選択する選択トランジスタ３とを持つ２トランジスタ型メモリセルとする。 - 特許庁

To allow an erasing operation to be accurately executed even when a tunneling insulating film is thickened so as to reinforce a data holding function in a floating trap type memory cell.例文帳に追加

浮遊トラップ型メモリ素子も於いて、データ保持機能を強化するためトンネリング絶縁膜を厚くしても、消去動作が正確に行われるようにする。 - 特許庁

An additional information generating section 3 generates additional information indicating the type of the picture from the input picture data and stores the information in an additional information memory 4.例文帳に追加

また付加情報生成部３は、入力画像データから画像の種別を表す付加情報を生成して付加情報メモリ４に格納する。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted of a DRAM (dynamic random access memory) and the SRAM, both of which are provided with a stack type constitution whose bit line 22 is situated below a capacitive element 31 and which are mounted through mixed loading.例文帳に追加

半導体装置は、ビットライン２２が容量素子３１より下方にあるスタック型の構成を有するＤＲＡＭとＳＲＡＭとが混載されてなる。 - 特許庁

To provide a TC parallel unit serial connection type ferroelectric memory in which almost constant read-out signal margin can be obtained without depending on a word line position.例文帳に追加

ワード線位置に依らず略一定の読み出し信号マージンが得られるようにしたＴＣ並列ユニット直列接続型強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive storage device having a driver arrangement where a chip area and a power consumption can be reduced in a spin impregnation type magnetic memory.例文帳に追加

スピン注入型磁気メモリにおいて、チップ面積および消費電力を低減することができるドライバ配置を有する磁気抵抗性記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ATM switch device of an output buffer type that can reduce the probability of aborted input data and effectively utilize a memory resource.例文帳に追加

入力データが廃棄される確率を減らすことができ、かつメモリ資源を有効活用できる出力バッファ型のＡＴＭスイッチ装置を提供する。 - 特許庁

This fuel supply management apparatus 60 comprises a control device 80, a touch-panel type liquid crystal monitor 90, a card-reader 100, a printer 110 and a memory device.例文帳に追加

燃料供給管理装置６０は、制御装置８０と、タッチパネル方式の液晶モニタ９０と、カードリーダ１００と、プリンタ１１０と、記憶装置とを有する。 - 特許庁

To provide a SOI (semiconductor-on-insulator) type transistor, memory, and other DRAM circuits and an array, and a transistor gate array, and a method for forming such structures on a same substrate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型のトランジスタ、メモリ及び他のＤＲＡＭ回路及びアレイ、トランジスタゲートアレイ、及びそのような構造体を同一基板上に形成する。 - 特許庁

The gate electrode 7 of the memory cell transistor of the DRAM is formed of an n-type polycrystalline silicon film 7n and a W film 8 laminated thereon.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセルトランジスタを構成するゲート電極７は、ｎ型の多結晶シリコン膜７ｎとその上に積層したＷ膜８で構成されている。 - 特許庁

A memory type program block 22 outputs a value stored in an internal register with an offset value, add value, in response to a sequence field signal from a microcode ROM 12.例文帳に追加

メモリタイププログラムブロック２２はマイクロコードＲＯＭ１２からのシーケンスフィールド信号SEQUENCE FIELDに応答して内部レジスタに記憶された値をオフセット値ADD VALUEで出力する。 - 特許庁

To facilitate the software management in a user side by using a common memory medium even in the case of renewing a software of several same type measuring devices.例文帳に追加

複数の同一測定器のソフトウエアを更新する場合でも共通の記憶媒体を用いることができ、ユーザ側でのソフトウエア管理を簡単にする。 - 特許庁

The style of organizing the memory resources by themselves with this gravity logic expresses the generally related methodology of a new type.例文帳に追加

メモリー資源が、この重力論理により自身で組織化される様式は、新しい種類の汎用的な関係のあるデータベースの方法論を表している。 - 特許庁

In an information processor having a media exchange type storage device, plural hierarchical structures CD1-CD5 with media as units are formed in a memory.例文帳に追加

メディア交換型記憶装置を有した情報処理装置において、メモリ中に、メディアを単位とした複数の階層構造ＣＤ１〜ＣＤ５を形成する。 - 特許庁

To provide technology for improving the refresh characteristics of memory cells and reducing the occurrence of a kink phenomenon in the p- channel type MISFET of a peripheral circuit.例文帳に追加

メモリセルのリフレッシュ特性を向上させ、周辺回路のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生の低減させる技術を提供する。 - 特許庁

To realize a structure that derives the potential of the upper electrode to a diffusion layer, in a dielectric memory having a solid stacked-type structure.例文帳に追加

立体スタック型構造を有する誘電体メモリにおいて、上部電極の電位を拡散層へ引き出す構造を実現することを目的とする。 - 特許庁

The sensing circuit 10 includes a cross coupling type sensing circuit 48 for connection to a memory element, a pull-up circuit 44, and a multistage pull-down circuit 50.例文帳に追加

感知回路１０は、メモリ素子、プルアップ回路４４及び多段のプルダウン回路５０と結合するための交差結合型感知回路４８を含む。 - 特許庁

To easily debug a program for testing a semiconductor for a semiconductor device operating, based on packet data such as a packet transfer type memory device.例文帳に追加

パケット転送型メモリデバイスのようにパケットデータに基づいて動作する半導体デバイスに対する半導体試験用プログラムを容易にデバッグできるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device that performs stable reading without malfunction in a 2-transistor-type gain cell, and has a memory cell having small area.例文帳に追加

２トランジスタ型のゲインセルにおいて、誤動作なく安定した読出しが可能で、かつ、面積の小さいメモリセルを有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To reduce an electric charge required for precharge in a NAND type flash memory capable of reading data from a negative threshold cell.例文帳に追加

本発明は、負のしきい値セルからのデータの読み出しが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、プリチャージに必要な電荷を削減できるようにする。 - 特許庁

To stably form an ultraviolet-ray blocking film protecting a memory cell against ultraviolet rays in an MONOS type nonvolatile semiconductor storage device during the manufacture.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性半導体記憶装置において、製造時にメモリセルを紫外線から保護する紫外線遮光膜を安定して形成できるようにする。 - 特許庁

The source electrodes of storage transistors in a plurality of 3-transistor type dynamic cells constituting a memory array are connected, and a switch is disposed between the source electrodes and power supply terminals.例文帳に追加

メモリアレイを構成する複数の３トランジスタ型ダイナミックセル内の蓄積トランジスタのソース電極を接続し、電源端子との間にスイッチを設ける。 - 特許庁

To provide a communication control device, capable of performing control so as not to perform unnecessary initialization processing to a card type memory such as an SD card.例文帳に追加

ＳＤカード等のカード型メモリに対する不要な初期化処理を行わないように制御することが可能な通信制御装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the power consumption by reducing surplus wiring in a main bit line in a semiconductor integrated circuit including the memory array of a bit division type RAM.例文帳に追加

ビット分割型ＲＡＭのメモリセルアレイを含む半導体集積回路において、メインビットラインの余分な配線を削減して、消費電力を低減する。 - 特許庁

A shift cell detecting circuit 6 is provided between a circuit 3 for latching a write data and a latch control circuit 4 of an NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、書き込みデータを保持するラッチ回路３と、ラッチ制御回路４との間にシフトセル検出回路６を設ける。 - 特許庁

The Analyze Memory Usage task gives you data on objects that have been allocated in the target application such as the number,type and location of the allocated objects. 例文帳に追加

「メモリー使用の解析」タスクは、オブジェクト数や型、オブジェクトが割り当てられた箇所などの、アプリケーションに割り当てられたオブジェクトに関するデータを表示します。 - NetBeans

To stably operate a lockstep type information processor even when a memory error occurs in any of systems in the information processor without releasing a lockstep.例文帳に追加

ロックステップ方式の情報処理装置におけるいずれかの系にメモリエラーが発生した場合にも、ロックステップを外すことなく安定して動作する。 - 特許庁

An SIMD type DSP 3 carries out image processing on the rearranged image data for allowing high-speed SIMD computing operation by a low memory capacity.例文帳に追加

SIMDタイプのDSP3は、該並び替えられた画像データに対して画像処理を施すことにより、少ないメモリ容量でも高速なSIMD演算処理を可能とする。 - 特許庁

To provide a phase change non-volatile memory device which stably operates at high speed, and also is of a low electric power consumption type, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高速で安定的に動作すると同時に、低消費電力型である相変化形不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An FIFO type memory 301 is prepared by a maximum path number N, and delays an input signal by a delay quantity controlled by a DSP 303.例文帳に追加

ＦＩＦＯ型メモリー３０１は、最大パス数Ｎだけ用意され、ＤＳＰ３０３により制御された遅延量だけ入力信号を遅延させる。 - 特許庁

The memory stores association information that makes a position in real space in association with inspection requirements including image quality conditions and/or application type.例文帳に追加

記憶部は、実空間における位置と、画質条件及び／又はアプリケーション種別を含む検査条件とを対応付けた対応情報を記憶する。 - 特許庁

In an image reader (scanner) of a line-sequentially reading type, reference smear amount data on the smear generated at each color component is stored in first memory.例文帳に追加

線順次読取り方式の画像読取装置（スキャナ）に、各色成分毎に発生するスミアの基準スミア量データを第１のメモリに格納しておく。 - 特許庁

To provide a memory device which overcomes the data holding problem caused by the thinness of its grid dielectric present in the interface between its STI-type isolation region and its grid material.例文帳に追加

ＳＴＩ型の分離領域とグリッド材の界面間におけるグリッド誘電体の薄さに起因するデータ保持問題を克服したメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a USB memory stick capable of connecting and utilizing other USB type apparatus or the like even with a USB port occupied.例文帳に追加

ＵＳＢポートを占有した状態でありながら、他のＵＳＢ形式の機器等の接続・利用を可能とすることができるＵＳＢメモリスティックを提供する。 - 特許庁

To alleviate such problems as color break, high subframe frequency and memory capacity increase of the conventional color sequential type display and to provide a method of realizing this display easily.例文帳に追加

従来カラーシーケンシャル型ディスプレイの課題であった、カラーブレイク、高サブフレーム周波数、使用メモリ増加を緩和し、実現容易な方法を提供する。 - 特許庁