「Memory Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a domain wall displacement type memory device that avoids a decrease in reliability of recording/reproduction of information due to shape processing to a metal thin wire.例文帳に追加

金属細線への形状加工に伴う、情報の記録／再生の信頼性低下を回避する磁壁移動型メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of identifying chips by assigning a chip address for each chip in various laminated-type multi-chip packages.例文帳に追加

各種の積層型マルチチップパッケージにおいて、各チップにチップアドレスを付して、各チップを区別することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image reading apparatus of a sheet-through type that establishes the compatibility between reduction in a consumed current of a light source and reduction in data stored in a memory.例文帳に追加

シートスルータイプの画像読取装置において、光源の消費電流の低減と、メモリに蓄積されるデータの低減を両立させる。 - 特許庁

To provide a memory type liquid crystal panel of which the circuit size is restrained and of which the power consumption is reduced while taking display data to be written into consideration.例文帳に追加

回路規模を抑え、書き込む表示データを考慮しながらも低消費電流化を可能とするメモリー性液晶パネルを提供する。 - 特許庁

To provide a disk drive of PCMCIA(Personal Computer Memory Card International Association) card type which can be considerably increased in the storage capacity by the structure improvement of the disk drive.例文帳に追加

ディスクドライブの構造改善により貯蔵容量を大容量にすることができるＰＣＭＣＩＡカードタイプのディスクドライブを提供する。 - 特許庁

To reduce a defective current flowing in a sense amplifier in a semiconductor memory being a type in which the sense amplifier and bit lines are pre-charged to the same potential.例文帳に追加

センスアンプとビット線を同電位にプリチャージするタイプの半導体記憶装置において、センスアンプに流れる欠陥電流を低減する。 - 特許庁

A NOR-type flash memory 204 which is mounted on a substrate of electronic equipment is connected to an external device via a connector which is not illustrated.例文帳に追加

電子機器の基板に実装されたＮＯＲ型フラッシュメモリ２０４は、図示しないコネクタを介して外部装置と接続されるようになっている。 - 特許庁

To provide a pre-distortion type distortion compensation circuit that can reduce the distortion compensation quantity to be stored in a memory while maintaining the effect of nonlinear distortion compensation.例文帳に追加

プリディストーション型歪補償回路において、非線形歪補償の効果を維持しつつ、メモリに記憶しておく歪補償量を低減する。 - 特許庁

Besides, one bit line BL to be connected to two NAND type memory cell units ND1 and ND2 is formed through a layer insulating film 30.例文帳に追加

また、２個のＮＡＮＤ型メモリセルユニットＮＤ１、ＮＤ２に接続する１本のビット線ＢＬを、層間絶縁膜３０を介して形成する。 - 特許庁

The card type electronic device 1 comprises a mask ROM core 2, a rewritable flash memory core 3, a system part 4 and a power-on detection part 5.例文帳に追加

このカード型電子機器１は、マスクＲＯＭコア２と、書き換え可能なフラッシュメモリコア３と、システム部４と、パワーオン検出部５とを具備する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile storage system that observes a timeout rule in consideration of factors determined depending on the type of a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリの種類により決定される要因を考慮して、タイムアウト規定を守ることができる不揮発性記憶システムを提供する。 - 特許庁

This administration tag contains a memory for reading and writing the data and records the information such as the type and usage time limit, etc., of the charging battery.例文帳に追加

この管理タグは、データを読み書き可能なメモリーを有しており、その充電池の形式や、使用期限等の情報が記録されている。 - 特許庁

To improve visibility and to reduce the number of times of writing to memory at the time of performing step display of step displayable type image data.例文帳に追加

段階表示可能な形式の画像データを段階表示する際、視認性の向上とメモリ書き込み回数の削減とを実現すること。 - 特許庁

A controller 67 reads the pulse rate value corresponding to the input type information from a memory 71 for driving a feeding motor 64 (pulse motor).例文帳に追加

コントローラ６７は、入力された種別情報に対応するパルスレートの値をメモリ７１より読み出して、送り用モータ６４（パルスモータ）を駆動する。 - 特許庁

At erasure, a negative voltage and a positive voltage are respectively applied upon a control gate electrode 10a and the P-type well 2 in a selected memory cell.例文帳に追加

消去時には、選択されたメモリセルにおいて制御ゲート電極１０ａに負の電圧をＰ型ウェル２に正の電圧を印加する。 - 特許庁

A cell in which a failure occurs is saved by using a ground line or an operating voltage line located in the ROM memory device depending on a failure kind type.例文帳に追加

不良類型によって不良が発生したセルをＲＯＭメモリ装置内にある接地線または動作電圧線を使用して救済する。 - 特許庁

A pattern generator 10 is provided with a sequence control part 50, FIFO-type memory 60, a pattern creating part 70, and a clock circuit 84.例文帳に追加

本発明によるパターン発生器１０は、シーケンス制御部５０、ＦＩＦＯ型メモリ６０、パターン生成部７０、及びクロック回路８４を備える。 - 特許庁

To realize a good element separation characteristic in a miniaturized NAND-type flash memory without lowering a processing yield of an element separation groove.例文帳に追加

微細化されたＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、素子分離溝の加工歩留まりを低下させることなく、良好な素子分離特性を実現する。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory in which a test time can be shortened by reducing largely a time for inputting data for test.例文帳に追加

テスト用のデータを入力する時間を大幅に削減して、テスト時間の短縮を図ることが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

To realize high speed read-out by suppressing effectively a leak current of an adjacent cell in a virtual ground type nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

仮想接地型不揮発性半導体記憶装置において、隣接セルへのリーク電流を有効に抑えて、高速読み出しを実現すること。 - 特許庁

A pattern memory section 1-2 stores the representative pattern of every cluster obtained by clustering basic frequency patterns by an accent type and mora.例文帳に追加

パターン記憶部１−２は前記基本周波数パターンをアクセント型及びモーラ数でクラスタリングして得られたクラスタ毎の代表パターンを記憶する。 - 特許庁

This split-gate type memory cell 1 comprises a source region 2, drain region 3, channel region 4, floating gate electrode 5, and control gate electrode 6.例文帳に追加

スプリットゲート型メモリセル１は、ソース領域２、ドレイン領域３、チャネル領域４、浮遊ゲート電極５、制御ゲート電極６から構成される。 - 特許庁

A pattern memory section 1-1 stores the representative pattern of every cluster obtained by clustering basic frequency patterns of accent phrase unit with an accent type.例文帳に追加

パターン記憶部１−１はアクセント句単位の基本周波数パターンをアクセント型でクラスタリングして得られたクラスタ毎の代表パターンを記憶する。 - 特許庁

The 1st memory 7 stores compensation data as a table and outputs data included in a specified address to a predistortion type linearizer 2.例文帳に追加

第１のメモリ７は補償データをテーブルの形で保持しており、指定されたアドレスに含まれるデータをプレディストーション型リニアライザ２に出力する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device comprises a charge pump type boosting circuit 10 generating output voltage being higher than power source voltage Vdd.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、電源電圧Ｖｄｄよりも高い出力電圧を生成するチャージポンプ型昇圧回路１０を含む。 - 特許庁

When erase/program verifying operation is performed, the NAND type flash memory device has wider internal data bus width than input/output width of data.例文帳に追加

消去／プログラム検証動作が実行される場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置は、データの入／出力幅より広い内部データバス幅を有する。 - 特許庁

Data demodulated by the demodulation means is continuously written into the buffer memory by waiting for the arrival of succeeding data of the same type.例文帳に追加

復調手段で復調されたデータのバッファメモリへの書き込みを、後続の同じ種別のデータの到着を待ってから連続して行なう。 - 特許庁

The wireless interface 32 has means, capable of receiving signals of a prescribed type and accessing the data in the memory according thereto.例文帳に追加

ワイヤレスインタフェース３２は所定形式の信号を受信するとそれに応じてメモリ内のデータをアクセスできるようにする手段を含んでいる。 - 特許庁

Thus, the second operating system is stored in the AND type flash memory 5 which is programmable but not randomly accessible and becomes easily changeable.例文帳に追加

これにより、第２オペレーティングシステムは、書き込み可能ではあるがランダムアクセスできないＡＮＤ型フラッシュメモリ５に格納され、変更が容易になる。 - 特許庁

When normal read-out operation is performed, a NAND type flash memory device has internal data bus width corresponding to input/output width of data.例文帳に追加

正常な読み出し動作が実行される場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置は、データの入／出力幅に対応する内部データバス幅を有する。 - 特許庁

To form PGO films useful for memory cells of 1T type FeRAMs by MOCVD using organic materials to obtain c-axis oriented films.例文帳に追加

１Ｔ型ＦｅＲＡＭのメモリセルに有用なＰＧＯ膜を、有機原料を用いたＭＯＣＶＤで形成し、ｃ軸配向の膜を得ること。 - 特許庁

To allow each switch to provide the routing of a data packet among a CPU node, an I/O node and a memory node in a dispersion-type multi-node computer system.例文帳に追加

分散型マルチノードコンピュータシステムにおいて、各スイッチが、ＣＰＵノードとＩ／Ｏノードとメモリノードの間のデータパケットのルーティングを提供する。 - 特許庁

The memory cell of the nonvolatile semiconductor storage device has configuration of the MONOS type, wherein a charge storage layer is constituted of a plurality of insulator layers.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のメモリセルは、ＭＯＮＯＳ型の構造をしており、電荷蓄積層が複数の絶縁物層から構成される。 - 特許庁

To provide a one-layer gate type nonvolatile memory device which has superior operating characteristics, especially for functions of writing, deleting, etc.例文帳に追加

一層ゲート型の不揮発性記憶装置に関し、特に、書き込みや消去などの動作特性に優れた不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

To prevent matching displacement of a bit line contact isolation region from a bit line diffusion layer in a bit line backing region of a virtual ground type memory cell array.例文帳に追加

仮想接地式メモリセルアレイのビット線裏打ち領域において、ビット線コンタクト分離領域とビット線拡散層との合わせズレを防ぐ。 - 特許庁

A model correspondence table (80-1) showing the definition of each model is prepared in a configuration setting processing module (652), and the maximum value of a model concerned is recorded from the content thereof to a memory (40b) to ensure a memory area for each type.例文帳に追加

構成設定処理モジュール（６５２）に各モデルの定義を表すモデル対応表（８０−１）を用意し、この内容から該当モデルの最大値をメモリ（４０ｂ）に記録し、各種別のためのメモリ領域を確保する。 - 特許庁

A writing device 2 acquires at first defective area information from the memory 1 of an NAND type flash memory, and prepares an error control data 52 including alternative information indicating a relation between a defective area and an alternate area.例文帳に追加

書込装置２は、まず、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリであるメモリ１から不良領域情報を取得し、不良領域と代替領域との関係を示す代替情報を含むエラーコントロールデータ５２を作成する。 - 特許庁

In this card-type terminal provided with an interface circuit 4 with an external device, and a memory 5 for storing the CIS (Card Information Structure) information in advance, the interface circuit 4 and the memory 5 are mounted on the same integrated circuit device 9.例文帳に追加

外部装置とのインターフェイス回路４と、ＣＩＳ（Card Information Structure）情報を予め格納したメモリ５と、を備えるカード型端末において、インターフェイス回路４とメモリ５とを同一の集積回路装置９に設ける。 - 特許庁

To provide a flash memory device including a plurality of stack gate type memory cells that can shorten a time required for simultaneous erasing operation by eliminating writing operation before erasing and also shorten a time required for rewriting data.例文帳に追加

複数のスタックゲート型メモリセルを含むフラッシュメモリにおいて、消去前書込動作を不要とすることにより一括消去動作に要する時間を短縮し、データの書換動作に要する時間も短縮することである。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device where deterioration in the polarization characteristic is prevented and a square hysteresis shape can be obtained, and to provide its manufacturing method, and a method for manufacturing a matrix type ferroelectric memory device.例文帳に追加

分極特性の劣化を防ぎ、角型のヒステリシス形状を持つことが、可能な強誘電体メモリ装置およびその製造方法、並びに、マトリクス型強誘電体メモリ装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a headphone type semiconductor memory player which is made small-sized not to burden a user for carrying and enables the user to hear a reproduced signal from an integrated speaker part by sufficiently utilizing the smallness of a semiconductor memory card.例文帳に追加

半導体メモリカードのサイズの小ささを十分に生かし、携帯するにも負担のない小型であって、かつ一体のスピーカ部から再生信号を聴取できるヘッドホン型半導体メモリプレーヤを提供する - 特許庁

A memory value of an adjacent one bit and a signal depending on adjacent two bits of an addition input are inputted to a CAM type memory cell consisting of MOS transistors, and a bit line is pulled down or pulled up according to an input value.例文帳に追加

隣接する１ビットのメモリ値と、加算入力の隣接する２ビットに依存する信号をＭＯＳトランジスタからなるＣＡＭ型メモリセルに入力し、入力値に従いヒット線をプルダウンないしはプルアップする。 - 特許庁

To restrain removal of an isolation insulating film of a memory cell array region in an MOS-type semiconductor memory device, set an overlap between an isolation insulating film and a contact pad minimum, and restrain increase of a chip area.例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体記憶装置においてメモリセルアレイ領域の素子分離絶縁膜が掘れるのを抑制し、素子分離絶縁膜とコンタクトパッドとのオーバーラップを最少に設定し、チップ面積の増大を抑制する。 - 特許庁

To identify a plurality of laminated memory chips without increasing the number of processes by using a high resistance element in a multichip package which uses a resistance change type memory element for a cell.例文帳に追加

本発明は、抵抗変化型メモリ素子をセルに用いたマルチチップパッケージにおいて、高抵抗素子を利用することにより、工程数の増加を必要とすることなく、積層された複数のメモリチップを識別できるようにする。 - 特許庁

Coefficient data Wi for an estimate formula corresponding to values h_1, v_1, h_2, v_2 adjusted by a user are generated by each class on the basis of the coefficient type data stored in the memory 135 are stored in a memory 134.例文帳に追加

ユーザによって調整された値ｈ_1，ｖ_1，ｈ_2，ｖ_2に対応した推定式の係数データＷｉを、メモリ１３５に記憶されている係数種データに基づき、クラス毎に生成し、メモリ１３４に格納する。 - 特許庁