「Memory Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

A limitation corresponding to a mobile broadcast service is represented by "security-type" such as contents are permitted to be recorded only in an internal memory but are not permitted to be outputted outside.例文帳に追加

「security_type」により、内部のメモリにのみコンテンツを記録することが許可され、外部の出力は不許可とすることなどの、携帯放送サービスに応じた制限が表される。 - 特許庁

To suppress a second phase from growing by controlling the atmosphere in forming PGO films prospective for forming memory cells of 1T type FeRAMs by MOCVD.例文帳に追加

１Ｔ型ＦｅＲＡＭのメモリセルを形成するのに有望なＰＧＯ膜をＭＯＣＶＤで形成する場合に雰囲気を制御して第２の相の成長を抑制すること。 - 特許庁

In the write operation to an 8-valued NAND type flash memory, a drain side selected gate line DSG to a level Vcc to execute a multivalued parallel write, using a self boost.例文帳に追加

８値型のＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み動作時において、ドレイン側選択ゲート線ＤＳＧをＶ_CCレベルに設定し、セルフブーストを用いて多値並列書き込みを行う。 - 特許庁

To provide a magnetic memory of a spin tunnel magneto-resistance effect type which has an satisfactory productivity capable of simply and uniformly producing an insulating layer having an excellent characteristic.例文帳に追加

良好な特性の絶縁層を、簡単にしかも均一に作製することができる生産性のよいスピントンネル磁気抵抗効果型の磁性メモリを提供する。 - 特許庁

In accordance with a defect type stored in the memory 15, a control section 14 reads a correction gain value or offset correction value and outputs it to the PGA 11 as a control signal.例文帳に追加

制御部１４はメモリ１５に格納されている欠陥の種類に応じて、補正ゲイン値又はオフセット補正値を読み出し、制御信号としてＰＧＡ１１に出力する。 - 特許庁

In a NAND-type flash memory, a row decoder selects a first block and a second block out of a plurality of blocks according to an address signal and simultaneous selection signal.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのロウデコーダは、アドレス信号および同時選択信号に応じて、複数のブロックのうち第１のブロックと第２のブロックとを選択する。 - 特許庁

To provide memory dial type communication terminal equipment in which call origination buttons and a push button dial for registration setting are arranged so as to be easily operated and hardly operated erroneously.例文帳に追加

発信ボタンおよび登録設定用の押しボタンダイヤルの配置を、操作しやすく、かつ、誤操作されにくいようにしたメモリダイヤル式通信端末装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electric charges saving type write-in method and a device for reducing an average write-in current in an integrated circuit magnetic resistance random access memory (MRAM) system.例文帳に追加

集積回路（IC）磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（MRAM）システムにおける平均的書込電流を低減するための電荷節約書込方法および装置を提供する。 - 特許庁

To enable to perform easily partial change of control information controlling recording information of an information recording and reproducing device using a batch erasing type memory.例文帳に追加

一括消去型メモリを用いた情報記録再生装置の記録情報を管理する管理情報の部分的な変更を簡単に行うことができるようにする。 - 特許庁

To allow a user to mount a plug connection type memory module, to improve performance after manufacturing a product and purchasing it, to reduce the processing scale of cache and to reduce its cost.例文帳に追加

ユーザがプラグ接続式メモリモジュールを装着して、製品製造後及び購入後の性能向上を図り、キャッシュの処理規模を縮小して、そのコスト低減を可能にする。 - 特許庁

In a semiconductor memory device 70, each STI (shallow trench isolation) 2 is buried in a first main face (surface) of a semiconductor substrate 1, which is P-type silicon in a word-line direction.例文帳に追加

半導体記憶装置７０では、ワード線方向において、P型シリコンである半導体基板１の第１主面（表面）にＳＴＩ（シャロートレンチアイソレーション）２が埋設される。 - 特許庁

In each of these NAND type memory cell units ND1 and ND2, a floating gate FG and a control gate CG are formed in the manner of self-matching without using a photoresist.例文帳に追加

これらＮＡＮＤ型メモリセルユニットＮＤ１、ＮＤ２における浮遊ゲートＦＧ及び制御ゲートＣＧは、フォトレジストを用いることなく自己整合的に形成する。 - 特許庁

An image reading device 1 has: a memory 3 storing each pixel data outputted from a CIS 2 in an address depending on an output type of the CIS 2; and a storage control circuit 4.例文帳に追加

画像読取装置１は、ＣＩＳ２から出力される各画素データをＣＩＳ２の出力タイプに応じたアドレスに記憶するメモリ３と、記憶制御回路４とを備える。 - 特許庁

To enable processing a refresh-cycle and an external read/write access cycle in parallel in a dynamic type memory device to/from which data is inputted/outputted to the outside through a data buffer register.例文帳に追加

データ・バッファ・レジスタを介して外部とデータを入出力するダイナミック型メモリ装置において、リフレッシュ・サイクルと外部リード/ライト・アクセス・サイクルとを並行処理可能にする。 - 特許庁

To provide a cover lift-up type memory card connector having improved fixing performance when lifting up a metal cover at a selective angle, while avoiding the deformation of an insulating base in high-temperature environment.例文帳に追加

高温環境において絶縁ベースの変形が避けられ、金属蓋を任意角度に持ち上げても優れた固定性を有する蓋持ち上げ式メモリカードコネクタを提供する。 - 特許庁

To improve the reliability by enhancing the product yield of a dynamic tape RAM, etc., provided with a lot of banks and by achieving a memory module of the dynamic type RAM, etc., which cannot be accessed to.例文帳に追加

多数のバンクを備えるダイナミック型ＲＡＭ等の製品歩留りを高め、アクセス不能なダイナミック型ＲＡＭ等のメモリモジュールを実現し、信頼性を高める。 - 特許庁

The cartridge type lamp unit 100 used for the projector includes the lamp 120 emitting light and a memory 130 storing information about operating conditions for the lamp 120.例文帳に追加

プロジェクタに用いられるカートリッジ式のランプユニット１００は、光を放出するランプ１２０と、ランプ１２０の動作条件に関する情報を記憶するメモリ１３０とを有する。 - 特許庁

To provide a card type memory capable of exchanging easily data with a host having no slot for an EXPRESS card such as a desktop PC, even when using the EXPRESS card for Ready Boost.例文帳に追加

ReadyBoost用にEXPRESSカードを使用する場合であっても、デスクトップＰＣなど、EXPRESSカード用スロットを有しないホストとの間で容易にデータ交換可能なカード型メモリの提供。 - 特許庁

Thus, it is possible for the start server to quickly provide desired data in the case of starting the hard disk-less type computer by utilizing the characteristics of the memory whose access speed is more faster.例文帳に追加

これにより、アクセス速度がより速いメモリの特性を活用して、ハードディスクレス型コンピュータの起動時における所望のデータを起動サーバが迅速に提供できる。 - 特許庁

A cascade-connected N type electric field-effect transistor 526 is arranged in the drain terminal of the transistor 525, and a drain bias is applied to the side wall memory element 522.例文帳に追加

トランジスタ５２５のドレイン端子には、カスケード接続されたＮ型電界効果トランジスタ５２６が配置され、サイドウォールメモリ素子５２２に対してドレインバイアスを供給する。 - 特許庁

The converting device comprises a control unit, a device for signal conversion, and a NOR type flash memory, and performs conversion in accordance with an IDE interface.例文帳に追加

本発明は、コントロール装置と、信号変換用装置と、ＮＯＲ型フラッシュメモリの構成により、ＩＤＥインターフェース対応して変換することを特徴とするものである。 - 特許庁

A mounting type input device 120 includes a sensor 121; a preamplifier 201; a filter 202; a pulse detector 203; a rhythm detector 204; a rhythm memory 207; and an output module 205.例文帳に追加

装着型入力装置１２０は、センサ１２１、プリアンプ２０１、フィルタ２０２、パルス検出器２０３、リズム検出器２０４、リズムメモリ２０７、出力モジュール２０５を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving respective resistance when a split gate type memory transistor, a capacity element and another capacity element are mixed on the same chip.例文帳に追加

スプリットゲート型メモリトランジスタと、容量素子と、他の容量素子と、を同一チップに混載するとき、それぞれの耐圧を向上させることができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a ferroelectric type non-volatile semiconductor memory in which capacity can be made larger without being restricted by minimum machining size and further high integration is realized.例文帳に追加

最小加工寸法に制限されずに大容量化を図ることができ、より一層、高集積化された強誘電体型不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory of a semi-custom system that is a dual operation type by bank division using bit line separation and can change the bank capacity easily.例文帳に追加

ビット線分離を利用したバンク分割によるデュアルオペレーション型であって、バンク容量の変更が容易にできるセミカスタム方式の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide the new device configuration of an electronic element or an electronic device including one transistor/one capacitor type random access memory (RAM) for high speed access and high density.例文帳に追加

高速アクセスと高密度化のための１トランジスタ１キャパシタ型ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）を含む、電子素子又は電子装置の新規なデバイス構造を提供する。 - 特許庁

A 1poly type memory cell 10 has a pair of source-drain region 11, a floating gate electrode layer 13, and an impurity diffusion region 14 for control gate.例文帳に追加

１ｐｏｌｙ型メモリセル１０は、１対のソース／ドレイン領域１１と、フローティングゲート電極層１３と、コントロールゲート用不純物拡散領域１４とを有している。 - 特許庁

To obtain a stable reference current, by suppressing variations in the threshold with time in a reference cell in an electrically rewritable flash memory for integrating MONOS-type transistors.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型トランジスタを集積した電気的に書き換え可能なフラッシュメモリにおいて、リファレンスセルの経時的なしきい値の変動を抑制し、安定した基準電流を得る。 - 特許庁

To freely switch card access to a card type memory to the start control state of this system and the transfer control state of data during the operation of this system.例文帳に追加

システムの動作中であればカード型メモリに対するカードアクセスをシステムの起動制御状態とデータの転送制御状態とに自由に切り替えできるようにする。 - 特許庁

A non-contact type scanner 10 images a two-dimensional area including a slip while executing pixel sliding, and successively writes imaged scan image data in a scan image memory 21.例文帳に追加

非接触型スキャナ１０は、画素ずらしを行ないながら帳票を含む２次元領域を撮像し、撮像したスキャン画像データをスキャン画像メモリ２１に順次書き込む。 - 特許庁

The NW voltage control circuit 13 changes the potential of an N type well which constitutes the diode connected in the forward direction 14a depending on the driving state of the flash memory cell 11.例文帳に追加

ＮＷ電圧制御回路１３は、順方向接続ダイオード１４ａを構成するＮ型ウェルの電位をフラッシュメモリセル１１の駆動状態に応じて変更する。 - 特許庁

The data bus 107 is shared in time-sharing, and the other control lines are individually connected to the SRAM 122, the NOR type flash memory 123 and the SDRAM 124.例文帳に追加

そして、データバス１０７を時分割で共用する構成とし、その他の制御線をＳＲＡＭ１２２、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２３とＳＤＲＡＭ１２４とに個別に接続する。 - 特許庁

IMPROVED SPLIT GATE TYPE NON-VOLATILE FLASH MEMORY CELL AND ARRAY WHICH HAVE FLOATING GATE, CONTROL GATE, SELECTION GATE, AND ERASE GATE WITH OVERHANG ON FLOATING GATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING例文帳に追加

浮遊ゲート、制御ゲート、選択ゲート、及び浮遊ゲートの上にオーバーハングをもつ消去ゲートを有する、改善されたスプリット・ゲート型不揮発性フラッシュメモリ・セル、アレイ、及び製造方法 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR USING COMPLETELY CONFIGURABLE MEMORY MULTI-STAGE PIPELINE LOGIC AND EMBEDDED TYPE PROCESSOR TO REALIZE MULTI-BIT TRIE ALGORITHM NETWORK SEARCH ENGINE例文帳に追加

マルチビットトライアルゴリズムネットワーク検索エンジンを実現するために完全に形態特定可能なメモリ多段パイプライン論理及び埋込型プロセッサを使用する装置及び方法 - 特許庁

In the printer 1, a sequential access type EEPROM having a small number of rewritable times is employed as a memory element 80 mounted on an ink cartridge 107K, 107F.例文帳に追加

プリンタ１において、インクカートリッジ１０７Ｋ、１０７Ｆに搭載の記憶素子８０として、シーケンシャルアクセスタイプであり、書き換え許容回数の低いＥＥＰＲＯＭを用いる。 - 特許庁

To provide a NAND type EEPROM enabling high speed rewriting by enlarging a memory cell current of write-in-verify-read-out for normal read- out of data.例文帳に追加

通常のデータ読出しに対して書込みベリファイ読出しのメモリセル電流を大きくすることにより、高速書き換えを可能としたＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭを提供する。 - 特許庁

To provide a shape memory alloy thin film driving type breaker in which downsizing can be carried out easily, and an overcurrent against a semiconductor integrated circuit is prevented, and in which operating reliability is superior.例文帳に追加

小型化が容易にでき半導体集積回路に対する過電流を防止して動作信頼性に優れた形状記憶合金薄膜駆動型ブレーカを提供する。 - 特許庁

To provide a file management device, a file management method and a program for properly and efficiently selecting a mode corresponding to the type of a file stored in a memory.例文帳に追加

メモリに記憶されているファイルの種類に応じたモードを適切にかつ効率的に選択させることができるファイル管理装置、ファイル管理方法、およびプログラムを提供する。 - 特許庁

A mounting type input device 120 is provided with: a sensor 121; a pre-amplifier 201; a filter 202; a pulse detector 203; a rhythm detector 204; a rhythm memory 903; and an output module 205.例文帳に追加

装着型入力装置１２０は、センサ１２１、プリアンプ２０１、フィルタ２０２、パルスディテクタ２０３、リズム検出器２０４、リズムメモリ９０３、出力モジュール２０５を備える。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction type memory cell, suitable for high integration which reduces magnetic influence from ambient, and can write stable magnetic information.例文帳に追加

周囲からの磁気的な影響を低減し、安定した磁気情報の書込をおこなうことのできる、高集積化に適した磁気トンネル接合型メモリセルを提供する。 - 特許庁

The insertion of the PC card is detected by means of the control software stored in the program memory 3 and a type of the data recorded in the PC card is judged.例文帳に追加

プログラムメモリ部３に格納された制御ソフトウェアによりＰＣカードが挿入されたことを検知するとともに、ＰＣカードに記録されたデータの形式を判断する。 - 特許庁

Data corresponding to a diagnostic result are stored in the sensor abnormality detection contact memory as an operation state of an abnormality detection contact of each the corresponding transmission type photoelectric sensor.例文帳に追加

診断結果に相当するデータは、各対応する透過型光電センサの異常検出接点の動作状態としてセンサ異常検出接点メモリに格納される。 - 特許庁

A memory portion 123 comprises an N-type buried channel 135 formed under a gate electrode 122A, and holds the electric charge transferred from the photodiode 121.例文帳に追加

メモリ部１２３は、ゲート電極１２２Ａの下に形成されたＮ型の埋め込みチャネル１３５によって形成され、フォトダイオード１２１から転送された電荷を保持する。 - 特許庁

A sun disk type flash memory has a floating gate 18 at a drain 15 side of a channel region 17, and a selection gate being one part of a control gate 16 at a source 14 side.例文帳に追加

サンディスク型フラッシュメモリはチャネル領域１７のドレイン１５側にフローティングゲート１８、ソース１４側にコントロールゲート１６の一部である選択ゲート１９を有している。 - 特許庁

To shorten a data write operation time, in a NAND type flash memory adopting a write method which needs two data write operations.例文帳に追加

本発明は、２回のデータ書き込み動作が必要な書き込み方式を採用するＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、データ書き込み動作時間を短縮できるようにする。 - 特許庁