| 意味 | 例文 |
Memory Typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2649件
Diffused layers 4 are formed on each side of the control gate 3 on the silicon substrate 1 through ion implantation to serve as a source region and a drain region for the formation of a memory transistor, and thus a MONOS- type semiconductor nonvolatile memory device is fabricated.例文帳に追加
コントロールゲート3の両側の部分のシリコン基板1に、イオン注入によりソース領域およびドレイン領域としての拡散層4を形成してメモリトランジスタを形成し、MONOS型半導体不揮発性記憶装置を製造する。 - 特許庁
To improve the readout margin, while taking into account a leak current varied according to the resistance value of a memory cell to be read out consisting of a variable resistance element for storing multi-value information, in a semiconductor storage device having a memory cell array of a cross point type.例文帳に追加
クロスポイントタイプのメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、多値情報を記憶する可変抵抗素子からなる読出し対象のメモリセルの抵抗値に依存して変化するリーク電流を考慮して、読出しマージンの向上を図る。 - 特許庁
In such a case, a memory means is constituted by an HDD or a disk type memory medium, and in a plurality of points on the map, a picture data imaged at the point and position information of the point are related and stored.例文帳に追加
この場合、記憶手段は、HDDやディスク状記憶媒体などにより構成することができ、地理上の複数の地点について、当該地点において撮影された写真データと、当該地点の位置情報とを対応付けて記憶する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which operation can be performed by only one test result output terminal even when a plurality of memories having different specifications one another, in a one chip type semiconductor device which mounts a memory and can perform a self test of the memory.例文帳に追加
メモリを搭載し、メモリの自己テストを実行可能な1チップ型半導体装置において、相異なる仕様を持つ複数のメモリを搭載する場合でも、テスト結果出力端子を1つで済ますことができる半導体装置の提供。 - 特許庁
The apparatus for transmitting data in a communication system includes a buffer descriptor (BD) generator for generating a BD referencing constituent elements constituting second type data, if there is first type data to be transmitted, and a direct memory access (DMA) controller for controlling the apparatus so as to generate the second type data from the first type data according to the BD and to transmit the generated second type data.例文帳に追加
本発明は、通信システムにおけるデータ送信装置であって、送信する第1のタイプのデータが発生すると、第2のタイプのデータを構成する構成エレメントを参照してバッファディスクリプタ(BD)を生成するBD生成器と、第1のタイプのデータをBDに対応して第2のタイプのデータとして生成して送信するように制御する直接メモリ接続(DMA)制御器と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
To provide an electric charges saving type write-in method and a device for reducing an average write-in current in an integrated circuit magnetic resistance random access memory (MRAM) system.例文帳に追加
集積回路(IC)磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)システムにおける平均的書込電流を低減するための電荷節約書込方法および装置を提供する。 - 特許庁
To enable to perform easily partial change of control information controlling recording information of an information recording and reproducing device using a batch erasing type memory.例文帳に追加
一括消去型メモリを用いた情報記録再生装置の記録情報を管理する管理情報の部分的な変更を簡単に行うことができるようにする。 - 特許庁
To allow a user to mount a plug connection type memory module, to improve performance after manufacturing a product and purchasing it, to reduce the processing scale of cache and to reduce its cost.例文帳に追加
ユーザがプラグ接続式メモリモジュールを装着して、製品製造後及び購入後の性能向上を図り、キャッシュの処理規模を縮小して、そのコスト低減を可能にする。 - 特許庁
To provide memory dial type communication terminal equipment in which call origination buttons and a push button dial for registration setting are arranged so as to be easily operated and hardly operated erroneously.例文帳に追加
発信ボタンおよび登録設定用の押しボタンダイヤルの配置を、操作しやすく、かつ、誤操作されにくいようにしたメモリダイヤル式通信端末装置を提供する。 - 特許庁
To provide a card type memory capable of exchanging easily data with a host having no slot for an EXPRESS card such as a desktop PC, even when using the EXPRESS card for Ready Boost.例文帳に追加
ReadyBoost用にEXPRESSカードを使用する場合であっても、デスクトップPCなど、EXPRESSカード用スロットを有しないホストとの間で容易にデータ交換可能なカード型メモリの提供。 - 特許庁
Thus, it is possible for the start server to quickly provide desired data in the case of starting the hard disk-less type computer by utilizing the characteristics of the memory whose access speed is more faster.例文帳に追加
これにより、アクセス速度がより速いメモリの特性を活用して、ハードディスクレス型コンピュータの起動時における所望のデータを起動サーバが迅速に提供できる。 - 特許庁
An image reading device 1 has: a memory 3 storing each pixel data outputted from a CIS 2 in an address depending on an output type of the CIS 2; and a storage control circuit 4.例文帳に追加
画像読取装置1は、CIS2から出力される各画素データをCIS2の出力タイプに応じたアドレスに記憶するメモリ3と、記憶制御回路4とを備える。 - 特許庁
To enable processing a refresh-cycle and an external read/write access cycle in parallel in a dynamic type memory device to/from which data is inputted/outputted to the outside through a data buffer register.例文帳に追加
データ・バッファ・レジスタを介して外部とデータを入出力するダイナミック型メモリ装置において、リフレッシュ・サイクルと外部リード/ライト・アクセス・サイクルとを並行処理可能にする。 - 特許庁
The converting device comprises a control unit, a device for signal conversion, and a NOR type flash memory, and performs conversion in accordance with an IDE interface.例文帳に追加
本発明は、コントロール装置と、信号変換用装置と、NOR型フラッシュメモリの構成により、IDEインターフェース対応して変換することを特徴とするものである。 - 特許庁
A cascade-connected N type electric field-effect transistor 526 is arranged in the drain terminal of the transistor 525, and a drain bias is applied to the side wall memory element 522.例文帳に追加
トランジスタ525のドレイン端子には、カスケード接続されたN型電界効果トランジスタ526が配置され、サイドウォールメモリ素子522に対してドレインバイアスを供給する。 - 特許庁
In each of these NAND type memory cell units ND1 and ND2, a floating gate FG and a control gate CG are formed in the manner of self-matching without using a photoresist.例文帳に追加
これらNAND型メモリセルユニットND1、ND2における浮遊ゲートFG及び制御ゲートCGは、フォトレジストを用いることなく自己整合的に形成する。 - 特許庁
A mounting type input device 120 includes a sensor 121; a preamplifier 201; a filter 202; a pulse detector 203; a rhythm detector 204; a rhythm memory 207; and an output module 205.例文帳に追加
装着型入力装置120は、センサ121、プリアンプ201、フィルタ202、パルス検出器203、リズム検出器204、リズムメモリ207、出力モジュール205を備える。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of improving respective resistance when a split gate type memory transistor, a capacity element and another capacity element are mixed on the same chip.例文帳に追加
スプリットゲート型メモリトランジスタと、容量素子と、他の容量素子と、を同一チップに混載するとき、それぞれの耐圧を向上させることができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a ferroelectric type non-volatile semiconductor memory in which capacity can be made larger without being restricted by minimum machining size and further high integration is realized.例文帳に追加
最小加工寸法に制限されずに大容量化を図ることができ、より一層、高集積化された強誘電体型不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory of a semi-custom system that is a dual operation type by bank division using bit line separation and can change the bank capacity easily.例文帳に追加
ビット線分離を利用したバンク分割によるデュアルオペレーション型であって、バンク容量の変更が容易にできるセミカスタム方式の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide the new device configuration of an electronic element or an electronic device including one transistor/one capacitor type random access memory (RAM) for high speed access and high density.例文帳に追加
高速アクセスと高密度化のための1トランジスタ1キャパシタ型ランダム・アクセス・メモリ(RAM)を含む、電子素子又は電子装置の新規なデバイス構造を提供する。 - 特許庁
A 1poly type memory cell 10 has a pair of source-drain region 11, a floating gate electrode layer 13, and an impurity diffusion region 14 for control gate.例文帳に追加
1poly型メモリセル10は、1対のソース/ドレイン領域11と、フローティングゲート電極層13と、コントロールゲート用不純物拡散領域14とを有している。 - 特許庁
To obtain a stable reference current, by suppressing variations in the threshold with time in a reference cell in an electrically rewritable flash memory for integrating MONOS-type transistors.例文帳に追加
MONOS型トランジスタを集積した電気的に書き換え可能なフラッシュメモリにおいて、リファレンスセルの経時的なしきい値の変動を抑制し、安定した基準電流を得る。 - 特許庁
To freely switch card access to a card type memory to the start control state of this system and the transfer control state of data during the operation of this system.例文帳に追加
システムの動作中であればカード型メモリに対するカードアクセスをシステムの起動制御状態とデータの転送制御状態とに自由に切り替えできるようにする。 - 特許庁
A non-contact type scanner 10 images a two-dimensional area including a slip while executing pixel sliding, and successively writes imaged scan image data in a scan image memory 21.例文帳に追加
非接触型スキャナ10は、画素ずらしを行ないながら帳票を含む2次元領域を撮像し、撮像したスキャン画像データをスキャン画像メモリ21に順次書き込む。 - 特許庁
The NW voltage control circuit 13 changes the potential of an N type well which constitutes the diode connected in the forward direction 14a depending on the driving state of the flash memory cell 11.例文帳に追加
NW電圧制御回路13は、順方向接続ダイオード14aを構成するN型ウェルの電位をフラッシュメモリセル11の駆動状態に応じて変更する。 - 特許庁
The data bus 107 is shared in time-sharing, and the other control lines are individually connected to the SRAM 122, the NOR type flash memory 123 and the SDRAM 124.例文帳に追加
そして、データバス107を時分割で共用する構成とし、その他の制御線をSRAM122、NOR型フラッシュメモリ123とSDRAM124とに個別に接続する。 - 特許庁
IMPROVED SPLIT GATE TYPE NON-VOLATILE FLASH MEMORY CELL AND ARRAY WHICH HAVE FLOATING GATE, CONTROL GATE, SELECTION GATE, AND ERASE GATE WITH OVERHANG ON FLOATING GATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING例文帳に追加
浮遊ゲート、制御ゲート、選択ゲート、及び浮遊ゲートの上にオーバーハングをもつ消去ゲートを有する、改善されたスプリット・ゲート型不揮発性フラッシュメモリ・セル、アレイ、及び製造方法 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR USING COMPLETELY CONFIGURABLE MEMORY MULTI-STAGE PIPELINE LOGIC AND EMBEDDED TYPE PROCESSOR TO REALIZE MULTI-BIT TRIE ALGORITHM NETWORK SEARCH ENGINE例文帳に追加
マルチビットトライアルゴリズムネットワーク検索エンジンを実現するために完全に形態特定可能なメモリ多段パイプライン論理及び埋込型プロセッサを使用する装置及び方法 - 特許庁
In the printer 1, a sequential access type EEPROM having a small number of rewritable times is employed as a memory element 80 mounted on an ink cartridge 107K, 107F.例文帳に追加
プリンタ1において、インクカートリッジ107K、107Fに搭載の記憶素子80として、シーケンシャルアクセスタイプであり、書き換え許容回数の低いEEPROMを用いる。 - 特許庁
To provide a NAND type EEPROM enabling high speed rewriting by enlarging a memory cell current of write-in-verify-read-out for normal read- out of data.例文帳に追加
通常のデータ読出しに対して書込みベリファイ読出しのメモリセル電流を大きくすることにより、高速書き換えを可能としたNAND型EEPROMを提供する。 - 特許庁
To provide a shape memory alloy thin film driving type breaker in which downsizing can be carried out easily, and an overcurrent against a semiconductor integrated circuit is prevented, and in which operating reliability is superior.例文帳に追加
小型化が容易にでき半導体集積回路に対する過電流を防止して動作信頼性に優れた形状記憶合金薄膜駆動型ブレーカを提供する。 - 特許庁
To provide a file management device, a file management method and a program for properly and efficiently selecting a mode corresponding to the type of a file stored in a memory.例文帳に追加
メモリに記憶されているファイルの種類に応じたモードを適切にかつ効率的に選択させることができるファイル管理装置、ファイル管理方法、およびプログラムを提供する。 - 特許庁
A mounting type input device 120 is provided with: a sensor 121; a pre-amplifier 201; a filter 202; a pulse detector 203; a rhythm detector 204; a rhythm memory 903; and an output module 205.例文帳に追加
装着型入力装置120は、センサ121、プリアンプ201、フィルタ202、パルスディテクタ203、リズム検出器204、リズムメモリ903、出力モジュール205を備える。 - 特許庁
To provide a magnetic tunnel junction type memory cell, suitable for high integration which reduces magnetic influence from ambient, and can write stable magnetic information.例文帳に追加
周囲からの磁気的な影響を低減し、安定した磁気情報の書込をおこなうことのできる、高集積化に適した磁気トンネル接合型メモリセルを提供する。 - 特許庁
The insertion of the PC card is detected by means of the control software stored in the program memory 3 and a type of the data recorded in the PC card is judged.例文帳に追加
プログラムメモリ部3に格納された制御ソフトウェアによりPCカードが挿入されたことを検知するとともに、PCカードに記録されたデータの形式を判断する。 - 特許庁
A memory portion 123 comprises an N-type buried channel 135 formed under a gate electrode 122A, and holds the electric charge transferred from the photodiode 121.例文帳に追加
メモリ部123は、ゲート電極122Aの下に形成されたN型の埋め込みチャネル135によって形成され、フォトダイオード121から転送された電荷を保持する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device provided with a sense amplifier of a current detection type which prevents excessive initial current from being made to flow in initial charging of bit lines.例文帳に追加
ビット線の初期充電時に過大な初期電流が流れるのを防止するこてができる電流検知型のセンスアンプを備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To save a memory in an idle rotation speed control device by constituting the control device so as to control idle rotation speed of a diesel engine using estimated correction amount derived by calculation, even when estimated correction amount for each type of load states is not stored.例文帳に追加
ディーゼルエンジンのアイドル回転数制御において負荷毎の見込み補正量を記憶しておかなくても見込み補正量を使用できるようにする。 - 特許庁
To provide a multi-level storing type nonvolatile memory in which increment of circuit scale is suppressed to the minimum, and highly accurate write, read, and erasure operation can be realized in a short time.例文帳に追加
回路の規模の増大を最少に抑え、かつ短時間で高精度の書込み、読み出し、消去動作を実現可能な多値記憶型不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁
A sun disk type flash memory has a floating gate 18 at a drain 15 side of a channel region 17, and a selection gate being one part of a control gate 16 at a source 14 side.例文帳に追加
サンディスク型フラッシュメモリはチャネル領域17のドレイン15側にフローティングゲート18、ソース14側にコントロールゲート16の一部である選択ゲート19を有している。 - 特許庁
To shorten a data write operation time, in a NAND type flash memory adopting a write method which needs two data write operations.例文帳に追加
本発明は、2回のデータ書き込み動作が必要な書き込み方式を採用するNAND型フラッシュメモリにおいて、データ書き込み動作時間を短縮できるようにする。 - 特許庁
To provide a synchronous semiconductor memory device provided with an NOEMI type output buffer circuit in which load capacity of output terminals is suppressed and enabling high speed data transfer.例文帳に追加
出力端子の負荷容量が抑制されたNOEMI型の出力バッファ回路を備え、高速なデータ転送を可能とする同期型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A serial protocol control section 31 supplies audio data from a card type recording medium 20 to a memory 33, and supplies redundant data to a PC interface control section 32.例文帳に追加
シリアルプロトコル制御部31は、カード型記録媒体20からのオーディオデータをメモリ33に供給し、冗長データをPCインターフェース制御部32に供給する。 - 特許庁
The mount type computer includes a central processing unit 50, a memory 52, peripheral devices 44, 42, 40, and 38, and a remote communication device 36 which communicates with a host computer.例文帳に追加
装着型コンピュータは、中央処理ユニット50と、メモリ52と、周辺装置44、42、40、38と、ホストコンピュータと通信するリモート通信装置36とを含む。 - 特許庁
To perform access in using a memory which continuously deals with a plurality of data of a data prefetch type in both a normal horizontal direction and a vertical direction without deteriorating efficiency.例文帳に追加
データをプリフェッチするタイプの複数のデータを連続して扱うメモリを用いた場合において、通常の横方向でも、縦方向でも、共に効率を落とすことなく、アクセスする。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory which can operate a current mirror type sense amplifier circuit at high speed and in which low power consumption can be realized.例文帳に追加
カレントミラー型センスアンプ回路を高速に動作させることができ,低消費電力であることが可能になる半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a nonvolatile magnetic memory device having such constitution and structure that the easy axis of magnetization in a perpendicular magnetization type recording layer is oriented in a perpendicular direction more reliably.例文帳に追加
垂直磁化型の記録層における磁化容易軸をより確実に垂直方向に向かせ得る構成、構造を有する不揮発性磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁
To provide an extension type capacitor for memory allowing the capacitor with high capacity to be formed in a storage cell with a small area at a high density and a method of manufacturing it.例文帳に追加
面積の小さい記憶セル内に高い容量のキャパシターを高密度に形成させることができるメモリ用延出式キャパシター及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
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