「Memory Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve reliability of data storing characteristics for a long period of time in a non-volatile semiconductor memory using a blowable, displaceable, and sudden-cooling type fuse element.例文帳に追加

本発明は、溶融・偏在・急冷型のフューズ素子を用いた不揮発性の半導体メモリ装置において、データ保持特性における長期信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device of a stuck type memory cell structure which can be micronized while keeping the insulation breakdown voltage of an inter-gate insulation film, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

ゲート間絶縁膜の絶縁耐圧を維持しつつ、微細化が可能なスタック型メモリセル構造の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of verifying and reading a program by a wired-OR system and having a load free type wired-OR configuration and to provide its driving method.例文帳に追加

ワイアードオア方式でプログラム確認読み出しが可能であり、ロードフリー型ワイアードオアの構成を有する不揮発性半導体メモリ装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

A comparator S8 compares the values of an R set storage register S7 and the picture element counter S4 and outputs a read command to the FIFO type memory S3 at the timing when reading is required.例文帳に追加

比較器Ｓ８がＲ設定Ｓ７と画素カウンタＳ４との値を比較し、読出しの必要なタイミングになるとＦＩＦＯ型メモリＳ３へ読出し指令を出力する。 - 特許庁

To provide a variable resistance element that can perform a bipolar-type operation in its predetermined principle of operation and can be used as a memory element, and its manufacturing method.例文帳に追加

所定の動作原理においてバイポーラ型の動作が可能であって記憶素子として利用可能な抵抗変化型素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the injection efficiency and locally inject charges in a part of distributed regions of charge storing means to store a plurality of bits in an MONOS type memory transistor.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型メモリトランジスタにおいて、注入効率を上げ、また電荷蓄積手段の分布領域の一部に電荷を局所的に注入して複数ビットを記憶する。 - 特許庁

A limitation corresponding to a mobile broadcast service is represented by "security-type" such as contents are permitted to be recorded only in an internal memory but are not permitted to be outputted outside.例文帳に追加

「security_type」により、内部のメモリにのみコンテンツを記録することが許可され、外部の出力は不許可とすることなどの、携帯放送サービスに応じた制限が表される。 - 特許庁

To suppress a second phase from growing by controlling the atmosphere in forming PGO films prospective for forming memory cells of 1T type FeRAMs by MOCVD.例文帳に追加

１Ｔ型ＦｅＲＡＭのメモリセルを形成するのに有望なＰＧＯ膜をＭＯＣＶＤで形成する場合に雰囲気を制御して第２の相の成長を抑制すること。 - 特許庁

In the write operation to an 8-valued NAND type flash memory, a drain side selected gate line DSG to a level Vcc to execute a multivalued parallel write, using a self boost.例文帳に追加

８値型のＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み動作時において、ドレイン側選択ゲート線ＤＳＧをＶ_CCレベルに設定し、セルフブーストを用いて多値並列書き込みを行う。 - 特許庁

To provide a magnetic memory of a spin tunnel magneto-resistance effect type which has an satisfactory productivity capable of simply and uniformly producing an insulating layer having an excellent characteristic.例文帳に追加

良好な特性の絶縁層を、簡単にしかも均一に作製することができる生産性のよいスピントンネル磁気抵抗効果型の磁性メモリを提供する。 - 特許庁

In accordance with a defect type stored in the memory 15, a control section 14 reads a correction gain value or offset correction value and outputs it to the PGA 11 as a control signal.例文帳に追加

制御部１４はメモリ１５に格納されている欠陥の種類に応じて、補正ゲイン値又はオフセット補正値を読み出し、制御信号としてＰＧＡ１１に出力する。 - 特許庁

In a NAND-type flash memory, a row decoder selects a first block and a second block out of a plurality of blocks according to an address signal and simultaneous selection signal.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのロウデコーダは、アドレス信号および同時選択信号に応じて、複数のブロックのうち第１のブロックと第２のブロックとを選択する。 - 特許庁

To provide a cover lift-up type memory card connector having improved fixing performance when lifting up a metal cover at a selective angle, while avoiding the deformation of an insulating base in high-temperature environment.例文帳に追加

高温環境において絶縁ベースの変形が避けられ、金属蓋を任意角度に持ち上げても優れた固定性を有する蓋持ち上げ式メモリカードコネクタを提供する。 - 特許庁

The cartridge type lamp unit 100 used for the projector includes the lamp 120 emitting light and a memory 130 storing information about operating conditions for the lamp 120.例文帳に追加

プロジェクタに用いられるカートリッジ式のランプユニット１００は、光を放出するランプ１２０と、ランプ１２０の動作条件に関する情報を記憶するメモリ１３０とを有する。 - 特許庁

To improve the reliability by enhancing the product yield of a dynamic tape RAM, etc., provided with a lot of banks and by achieving a memory module of the dynamic type RAM, etc., which cannot be accessed to.例文帳に追加

多数のバンクを備えるダイナミック型ＲＡＭ等の製品歩留りを高め、アクセス不能なダイナミック型ＲＡＭ等のメモリモジュールを実現し、信頼性を高める。 - 特許庁

To prevent troubles such as a phenomenon in which inversion data due to occurrence of imprint becomes hard to write, read of data are made defective or the like, in a 2T2C type ferroelectric memory.例文帳に追加

２Ｔ２Ｃ型の強誘電体メモリにおいて、インプリント発生による反転データが書き込みにくくなる現象やデータ読み出し不良等の不具合を回避する。 - 特許庁

To provide a processing device for a token type memory medium which can avoid jamming with tokens or other troubles by discharging a small-diameter token or the like when this sort of token is cast.例文帳に追加

小径コインなどが投入された場合に、当該コインを確実に外部に排出してコイン詰まりなどを回避可能なコイン型記憶媒体の処理機を提案すること。 - 特許庁

To provide a shared memory type information processing system constituted of a multiprocessors (plural CPUs) that is prevented from being stopped with a fault of a main storage in spite of the small number of hardware elements.例文帳に追加

少ないハードウェア量に関わらず、主記憶の故障で停止しないマルチプロセッサ(複数のCPU)で構成される共有メモリ型情報処理システムを提供する。 - 特許庁

The radio communication device 2 further comprises: an image size conversion section 39 for performing size conversion of image data; and an operation type selection means capable of selecting a radio communication operation or a memory operation.例文帳に追加

また、画像データのサイズ変換を行う画像サイズ変換部３９と、無線通信動作かメモリ動作を選択可能な動作種別選択手段を設ける。 - 特許庁

To provide a plurality of micro-movers regulated to move in reverse directions so as to give dynamical balance to an MEMS driving type information memory system.例文帳に追加

ＭＥＭＳ駆動型の情報記憶システムに力学的平衡を与えるために、逆方向に動くように調整された複数の超小型可動子を提供する。 - 特許庁

When a consumption type video scope 10 is connected to a processor 30, data relating to using conditions are read from a memory 20 and whether or not it is used is judged.例文帳に追加

消耗型のビデオスコープ１０がプロセッサ３０に接続された場合、メモリ２０から使用状況に関するデータを読み出し、使用済であるか否か判断する。 - 特許庁

To provide a multi-value storage type nonvolatile memory device which can achieve write, read and erasure operations with a high degree of accuracy at short time by suppressing increase of circuit scale to minimum.例文帳に追加

回路の規模の増大を最少に抑え、短時間で高精度の書込み、読み出し、消去動作を実現可能な多値記憶型不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To enable a distributed memory type parallel computer, with which data are transferred by a SEND/RECV model, to properly execute a program including a block to which execution by a specified processor is designated.例文帳に追加

SEND/RECV モデルでデータ転送を行う分散メモリ型並列計算機において、特定プロセッサでの実行を指定されたブロックを含むプログラムを正しく実行できるようにする。 - 特許庁

To easily construct an information processor in which a program such as a BIOS (basic input output system) to be executed when started in a flash memory constituted of NAND type flash memories.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリで構成されたフラッシュメモリに、起動時に実行されるＢＩＯＳ等のプログラムを記憶させた情報処理装置を、容易に構成できるようにする。 - 特許庁

To enable speed read out of a memory cell by realizing lowering the resistance of buried digit lines in a NOR-type mask ROM and reducing the junction capacitance at the same time.例文帳に追加

ＮＯＲ型マスクＲＯＭにおける埋め込みデジット線の低抵抗化と、接合容量の低減を同時に実現し、メモリセルの読み出しスピードの高速化を可能にする。 - 特許庁

When a developing unit 13 is attached to the 2 of the apparatus, an antenna 121 transmits the type information, stored in the cartridge side memory 122, to an RFID unit 22.例文帳に追加

現像ユニット１３が装置本体２に取り付けられると、アンテナ１２１はカートリッジ側メモリ１２２に記憶されている種別情報をＲＦＩＤユニット２２に送信する。 - 特許庁

To provide a 2T-1C type ferroelectric random access memory having excellent reliability by solving the problem of fatigue or deterioration of an imprint, and to provide a method for operating the same.例文帳に追加

疲労やインプリントといった劣化の問題を解決し、信頼性に優れた２Ｔ−１Ｃ型強誘電体ランダムアクセスメモリ及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated-type nonvolatile semiconductor memory device capable of suppressing an increase of semiconductor pillar resistance and increasing the number of lamination layers, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体ピラーの抵抗の増加を抑制し、積層数を増やすことができる積層型の不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An inlet chamber 12 communicated from the valve chest 3 to a back surface of the second valve seat 10 is formed, and a coil type shape memory alloy 13 is arranged as a temperature reacting member.例文帳に追加

第２弁座１０の背面に弁室３から連通する入口室１２を形成し、温度応動部材としてのコイル状の形状記憶合金１３を配置する。 - 特許庁

This semiconductor memory device is mounted in a non-ODIC(outer DQ inner control) type package having a pin arrangement structure wherein data input/output pins are converged on one side.例文帳に追加

半導体メモリ装置は、データ入／出力ピンが一方側に集中的に配列されるピン構造を有する非ＯＤＩＣタイプのパッケージによって実装される。 - 特許庁

Only the detected value selected according to the type of the failure is recorded, thus memory capacitance for recording is saved, and efficient failure analysis is conducted.例文帳に追加

このように異常種別に応じて選択された検出値のみを記録するため、記録用のメモリ容量が小さくて済み、効率的な異常解析が可能となる。 - 特許庁

Also, the CPU 2 saves information stored in the DRAM 8 to an NAND type flash memory 6, and performs second resume processing to disconnect the power supply to the DRAM 8.例文帳に追加

また、ＣＰＵ２は、ＤＲＡＭ８に記憶された情報をＮＡＮＤ型フラッシュメモリ６に退避するとともにＤＲＡＭ８への電源供給を切断する第２レジューム処理を行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having an embedded gate electrode in a memory cell region and a planar-type gate electrode and a through electrode in a peripheral circuit region.例文帳に追加

メモリセル領域に埋め込みゲート電極を有し、周辺回路領域にプレーナ型ゲート電極と貫通電極を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for reducing a semiconductor chip area, in a nonvolatile semiconductor storage device having a split gate type memory cell of a MONOS method.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ方式のスプリットゲート型メモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、半導体チップ面積の縮小を図ることのできる技術を提供する。 - 特許庁

When the amount exceeds the total capacity of the large capacities, a memory address on a network storing the tag data is recorded in the non-contact type tag having the small capacity (S420-S450).例文帳に追加

大容量の合計容量を超えるときには、小容量の非接触型タグにネットワーク上のタグデータが記憶されたアドレスを記憶させる（Ｓ４２０〜Ｓ４５０）。 - 特許庁

In accordance with execution of operation for instructing the execution of refreshing the dialog image, refreshing for the storage area of the NAND type flash memory is executed.例文帳に追加

ダイアログ画像に対してリフレッシュの実行を指示する操作が行われ太ことに応じて、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記憶領域を対象とするリフレッシュを実行する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and a redundancy judging method in which current consumption can be reduced when redundancy discriminating operation of a static type is performed.例文帳に追加

スタティック型の冗長判定動作を行なう際の消費電流を低減することができる半導体記憶装置、及び冗長判定方法を提供すること - 特許庁

To shorten a cycle time in data write/read without any difficult timing design in a semiconductor integrated circuit including the memory cell of a synchronous type SRAM.例文帳に追加

同期型ＳＲＡＭのメモリセルを含む半導体集積回路において、難しいタイミング設計をすることなしに、データの書込み又は読出しにおけるサイクルタイムを短縮する。 - 特許庁

The reconfigurable integrated circuit includes a plurality of nonvolatile memory devices for composing programmable wiring switches of multiplexer type provided with a plurality of input terminals and output terminals.例文帳に追加

再構成可能集積回路は、複数の入力端子と出力端子を備えるマルチプレクサ型のプログラマブル配線スイッチを構成する複数の不揮発性記憶素子を備える。 - 特許庁

Sphingomyelin has an effect for suppressing the reduction of a protein kinase C activity caused by aging and it is suggested that the compound is effective for preventing and treating the Alzheimer type defect of memory.例文帳に追加

スフィンゴミエリンには、老化によるプロテインキナーゼＣ活性の低下を抑制する効果があり、アルツハイマー型記憶障害の予防や治療に有効であることが示唆された。 - 特許庁

The NAND type flash memory element comprises a cell array area 100b composed of first, second cell blocks B1, B2, a row decoder 300b driving the cell array area 100b.例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ素子は第１、第２セルブロックＢ１、Ｂ２から構成されたセルアレイ領域１００ｂと、セルアレイ領域１００ｂを駆動させるロウデコーダ３００ｂとを含む。 - 特許庁

A synchronization-type semiconductor memory device is provided with a differential amplifier circuit 202, a dynamic inverter circuit 204, and a clock generation circuit 200 including a reset circuit 206.例文帳に追加

本発明の同期型半導体メモリ装置は、差動増幅器回路２０２、ダイナミックインバータ回路２０４及びリセット回路２０６を含むクロック発生回路２００を備える。 - 特許庁

To provide a file storage type nonvolatile semiconductor device being suitable for reading or programming simultaneously data having bit numbers being more than the number of I/O terminals for a memory cell.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ端子の数よりも多いビット数のデータを、メモリセルに対して同時にリードまたはプログラムするのに好適なファイルストレージ型不揮発性半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Data of an attribute suited to the input attribute type is read from the individual information data memory 18A and is inputted to the pertinent input item in the input form.例文帳に追加

そして、その入力属性種に合った属性のデータを個人情報データメモリ１８Ａから読み込んで、上記入力フォーム内の該当する入力項目に入力する。 - 特許庁

In a DRAM memory cell constituted of an access Tr103 and a cell capacitor 104, a depletion type MOSFET is used for the access Tr103 and the cell capacitor 104.例文帳に追加

アクセスＴｒ１０３及びセルキャパシタ１０４とで構成されるＤＲＡＭメモリセルにおいて、アクセスＴｒ１０３及びセルキャパシタ１０４にデプレッション型ＭＯＳＦＥＴを用いる。 - 特許庁