「Memory Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a memory device which achieves high data transfer rate and uniform latency time, the memory device being of a type for outputting a ready signal to the outside.例文帳に追加

本発明は、レディ信号を外部に出力するタイプのメモリ装置において、データ転送レートの高速化およびレイテンシ時間の均一化を図ることが可能な、メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a self-adjustment type memory control system and its method capable of improving actual performance in memory control and having a proactive property sensible by a human body and restoration force.例文帳に追加

メモリ管理における実際のパフォーマンスを向上させ、体感上も知覚されるプロアクティブで復元力のある自己調節型のメモリ管理システムおよび方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device forms a memory cell of an n-channel MISFETQ_L including an n-type gate electrode 10N made of a polycrystalline silicon film with impurities having an n-type conductivity type introduced, and an n-channel MISFETQ_H including a p-type gate electrode 10P made of a polycrystalline silicon film with impurities having a p-type conductivity type introduced.例文帳に追加

ｎ型の導電型を有する不純物が導入された多結晶シリコン膜からなるｎ型ゲート電極１０Ｎを備えるｎチャネル型のＭＩＳＦＥＴＱ_Ｌと、ｐ型の導電型を有する不純物が導入された多結晶シリコン膜からなるｐ型ゲート電極１０Ｐを備えるｎチャネル型のＭＩＳＦＥＴＱ_Ｈとからメモリセルを形成する。 - 特許庁

The memory cell array is provided with a first memory cell area where data are written according to whether or not electrons 90 are injected into a floating gate 29 of a memory transistor 23 and a second memory cell area where data are written according to whether or not a p-type impurity area 55 functioning as a channel area is formed in a memory transistor 43.例文帳に追加

メモリセルアレイは、メモリトランジスタ２３のフローティングゲート２９に電子９０が注入されるか否かでデータの書き込みが行われる第１のメモリセル領域と、メモリトランジスタ４３にチャネル領域として機能するｐ型の不純物領域５５が形成されるか否かでデータが書き込まれる第２のメモリセル領域とを有している。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a memory cell array region A formed in a p-type well 1 where a plurality of memory cells are arranged in a matrix, a plurality of word lines 13 for commonly connecting memory cells aligned in the same row, and a protective diode region B formed in the p-well 1 to be separated from the memory cell array region A.例文帳に追加

半導体記憶装置は、Ｐ型ウェル１に形成され、複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリセルアレイ領域Ａと、複数のメモリセルのうち同一の行に並ぶメモリセル同士を共通に接続する複数のワード線１３と、Ｐ型ウェル１にメモリセルアレイ領域Ａと分離して形成された保護ダイオード領域Ｂとを有している。 - 特許庁

A reference image object picture type StrPTYPE is a picture type when the image stored in a frame memory Mem 3 is encoded, and when the StrPTYPE for encoding a block prediction type MBtype is a picture type impossible for reference, no correction reference image number RIdx is assigned to the StrPTYPE.例文帳に追加

参照画像候補ピクチャタイプStrPTYPEはフレームメモリMem3に格納されている画像が符号化された際のピクチャタイプであり、ブロック予測タイプMBtypeでの符号化の際にStrPTYPEが参照不可能なピクチャタイプの場合は、そのStrPTYPEに対する修正参照画像番号RIdxは割り当てない。 - 特許庁

To provide a ferroelectric thin film having good hysteresis characteristics applicable to a ferroelectric capacitor, 1T1C, 2T2C type ferroelectric memory consisting of a select CMOS transistor, and simple matrix type ferroelectric memory, and the like.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ及び選択用ＣＭＯＳトランジスタからなる１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ型強誘電体メモリ及び単純マトリクス型強誘電体メモリ等に使用可能な良好なヒステリシス特性を持つ強誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁

The position fixing device 60 supplies power to the coil type shape memory alloy 66 when the fixing of the imaging device mount plate is released by the head part 61, so as to restore the shape of the coil type shape memory alloy 66 to predetermined contracted shape.例文帳に追加

この位置固定装置６０は、ヘッド部６１によって撮像素子取付板の固定を解除する場合にはコイル状形状記憶合金６６に通電して、コイル状形状記憶合金６６の形状を、収縮した所定形状に復帰させる。 - 特許庁

To hold semiconductor memory cards having different sizes, especially thickness, while securing good electrical connection and at the prescribed position of a card type electronic apparatus whose thickness is restricted, and to make the thickness of the card type electronic apparatus thinner into and from which the semiconductor memory card is inserted and pulled out.例文帳に追加

厚みが制限されたカード型電子機器に対して、サイズ特に厚みを異にする半導体メモリカードを所定位置にかつ良好な電気的接続を確保して保持させ、また、半導体メモリカードを挿抜するカード型電子機器の厚みを薄くする。 - 特許庁

To provide an FIFO type memory control circuit device, an image processing circuit device, and an image processing device provided with them capable of reducing the load on a CPU, simplifying the device, and increasing the image processing speed by using an FIFO type memory.例文帳に追加

先入れ先出し型メモリを用いてＣＰＵの負荷軽減、装置の簡略化および画像処理の高速化を可能とする先入れ先出し型メモリ制御回路装置、画像処理回路装置およびそれらを備えた画像処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device such as a NOR type flash memory and the like which can suppress a depletion of a control gate electrode between floating gate electrodes drastically and contains a multi-value type in which a read error is difficult to occur, and its manufacturing method.例文帳に追加

浮遊ゲート電極間の制御ゲート電極の空乏化を大幅に抑制できて、読み出しエラーが起こりにくい多値型を含むＮＯＲ型のフラッシュメモリ等の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The data storage deletion processing circuit 25 creates a recording signal for selectively recording first type data or second type data selected by the menu selection key 14 and the data storage deletion key 17 into a first data memory 23 or a second data memory 24.例文帳に追加

データ保存消去処理回路２５は、メニュー選択ボタン１４とデータ保存消去ボタン１７とにより選択される第１種データ又は第２種データを選択的に第１データメモリ２３又は第２データメモリ２４に記録する記録信号を生成する。 - 特許庁

There is disclosed a printer that can print a label of a card type memory device by using a label printing function of an existing compact disk by means of a jig 3 which is in an outer shape roughly the same as a compact disk and has fixing mechanisms (printing windows 5-8) of the card type memory device.例文帳に追加

コンパクトディスクと同様の外形であり、カード型記憶装置の固定機構（印刷窓５〜８）を有する治具３によって、カード型記憶装置のラベルを既存のコンパクトディスクのラベル印刷機能を用いて印刷可能な印刷装置を実現する。 - 特許庁

A manganese oxide memory element having a huge electric resistance memory function uses manganese oxide having a 214 type crystal structure such as Eu_0.5Ca_1.5MnO_4 or a manganese oxide having a 327 type crystal structure such as PrCa_2Mn_2O_7.例文帳に追加

巨大電気抵抗メモリ機能を有するマンガン酸化物メモリ素子において、Ｅｕ_0.5 Ｃａ_1.5 ＭｎＯ_4 のような２１４型結晶構造をもつマンガン酸化物、もしくはＰｒＣａ_2 Ｍｎ_2 Ｏ_7 のような３２７型結晶構造をもつマンガン酸化物を用いる。 - 特許庁

Even if a folded part of an adhesion layer is generated and thickness is thickened when release paper is removed from the double-sided tapes 30a and 30b, stress distortion is not left in the memory type liquid crystal display device 6 since the memory type liquid crystal display device is within the recessed parts.例文帳に追加

両面テープ３０ａ、３０ｂから剥離紙を剥がすときに粘着層に折返部が生じて厚さが厚くなっても、凹所内であるため、その上から貼り付けた記憶型液晶表示装置６に応力歪みが残ることはない。 - 特許庁

The command code is stored in the NAND type flash memory 1-6 as a packet constitution added with a header including an error correction code, and a NAND type flash memory driver 1-5 error-corrects the data of the command code of the packet constitution, based on the error correction code, to be transferred to the memory pool of the SDRAM 1-4.例文帳に追加

命令コードは誤り訂正符号を含むヘッダを付加したパケット構成としてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１−６内に格納され、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリドライバ１−５は、該パケット構成の命令コードのデータに対して誤り訂正符号を基にエラー訂正を行い、ＳＤＲＡＭ１−４のメモリプールに転送する。 - 特許庁

The nonvolatile memory includes: a plurality of memory transistors in series; and two select transistors provided at each end of the plurality of memory transistors in series, wherein source/drain and channel regions therebetween are of a first type, and channels regions of each of the two select transistors are of the first type.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリは、直列に連結された複数個のメモリトランジスタと、前記直列に連結された複数個のメモリトランジスタの両端にある二つの選択トランジスタを含み、前記メモリトランジスタの間のソース／ドレイン及びチャネル領域は第１型であり、前記二つの選択トランジスタのチャネル領域は第１型である。 - 特許庁

In a NAND type flash memory in which a memory cell array 1 is provided in a p-well 13, a positive voltage is applied to a source line SL consisting of n+ type diffusing layers or a negative voltage is applied to the p-well 13 at the time of erasing verifying operation by which threshold voltage of a memory cell in an erasing state is judged.例文帳に追加

ｐウェル１３中にメモリセルアレイ１が設けられたＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、消去状態のメモリセルのしきい値電圧を判定する消去ベリファイ動作時に、ｎ^+ 型拡散層からなるソース線ＳＬに正の電圧を印加するか、または、ｐウェル１３に負の電圧を印加する。 - 特許庁

The rudders are so constituted that symmetrical rudder actions are effected when the first rudder 17 is moved in the prescribed first direction by the shape memory alloy 21 of the monostable type shape memory alloy actuator for the rudder 17 and when the second rudder 19 is moved in the prescribed second direction by the shape memory alloy 23 of the monostable type shape memory alloy actuator for the rudder 19.例文帳に追加

第一の舵１７がこの舵１７用の単安定型形状記憶合金アクチュエータの形状記憶合金２１により所定の第一の方向に動かされたときと、第二の舵１９がこの舵１９用の単安定型形状記憶合金アクチュエータの形状記憶合金２３により所定の第二の方向に動かされたときとでは、対称的な舵作用がなされるようにする。 - 特許庁

NOR type flash memory (nonvolatile semiconductor storage device) 1 includes: a memory cell array 11; a dummy memory cell array (reference circuit) 12; a sense amplifier 13; load circuits 14 and 15; pre-charge circuits 16 and 17; and a reference voltage generation circuit 20.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリ（不揮発性半導体記憶装置）１は、メモリセルアレイ１１と、ダミーメモリセルアレイ（リファレンス回路）１２と、センスアンプ１３と、負荷回路１４及び１５と、プリチャージ回路１６及び１７と、基準電圧発生回路２０とを備えている。 - 特許庁

When an external address signal MA indicates an address set by the address control circuit, the address is transferred to the redundant memory block and then a defective type of the memory cell is replaced with a spare byte of the memory cell to improve the yield.例文帳に追加

外部アドレス信号（ＭＡ）がアドレス制御回路によって設定されたアドレスと同一であるときには、そのアドレスは冗長メモリ・ブロックに転送され、それによって、メモリ・セルの欠陥バイトは、メモリ・セルのスペア・バイトを用いて代替され、歩留りが改善される。 - 特許庁

To provide a tone generation apparatus in which waveform data are stored in a NAND-type flash memory, and read out from the flash memory to a waveform memory through a buffer and simultaneously reproduced, lightening load to a CPU, and achieving well-balanced design.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに波形データを格納しておき、そこから波形データをバッファ経由で波形メモリに読出しつつ再生を行う楽音生成装置において、ＣＰＵにかかる負荷を軽減し、バランスの良い設計が実現できるようにすること。 - 特許庁

To provide a memory board for game machine capable of facilitating the inspections and enabling the recycle of an IC memory by enabling mounting on a conventional DIP socket in the case of using a surface mounted type IC memory for a motherboard.例文帳に追加

マザーボードに対して表面実装型のＩＣメモリを使用する場合に、従来のＤＩＰソケットに装着可能とすることにより、容易に検査を行うことができるとともに、ＩＣメモリの再利用が可能な遊技機のメモリボードを提供する。 - 特許庁

When a user operates a touch panel 5, and selects a second memory card 21, the type information KD2 of the selected memory card 21 blinks, and the position information PD2 of the second insertion port 31 having a correspondence relation with the memory card 21 blinks.例文帳に追加

ユーザがタッチパネル５を操作して第２のメモリカード２１を選択したとき、この選択されたメモリカード２１の種類情報ＫＤ２が点滅し、メモリカード２１と対応関係にある第２の挿入口３１の位置情報ＰＤ２が点滅する。 - 特許庁

A program used for PE#0 can refer and change data in a common memory of PE#1, for example, in the MPMD programming based on the distributed common memory type multiprocessor system, but address of those data (position in a memory space) is different at each PE.例文帳に追加

分散共有メモリ型マルチプロセッサ方式を前提とするＭＰＭＤプログラミングでは、たとえばＰＥ＃０用のプログラムがＰＥ＃１の共有メモリ上のデータを参照・変更することがあるが、当該データのアドレス（メモリ空間上での位置）はＰＥごとに異なっている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device integrated type memory capable of tinning the main body of a computer and capable of reducing the manufacturing cost of a memory and, moreover, capable of being used suitably as buffer of various input/output data as well, and a computer which is mounted with the memory.例文帳に追加

コンピュータ本体の薄型化を図り、メモリの製造コストを低減することができ、さらに各種入出力データのバッファとしても好適に使用できる液晶表示装置一体型メモリおよびこれを搭載したコンピュータを提供する。 - 特許庁

A memory cell power source control circuit 3 controls a power source (memory cell power source VDDM1) of a memory cell 1 of a column selected during write-in of data to a lower voltage value than a VDD level decided by divided voltage ratio of P type MOS transistors QP6 and QP7.例文帳に追加

メモリセル電源制御回路３は、データの書き込み時に選択されるカラムのメモリセル１の電源（メモリセル電源ＶＤＤＭ１）を、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱＰ６とＱＰ７の分圧比で決定される、ＶＤＤレベルより低い電圧値に制御する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory 20 is of NAND type and comprises a unit array of 16 memory transistors 21, connected in series and selective transistors 22A, 22B which are connected to the ends of the unit array of memory transistors.例文帳に追加

本不揮発性半導体記憶装置２０は、ＮＡＮＤ型の記憶装置であって、１６個のメモリトランジスタ２１を直列に接続してなるメモリトランジスタの単位列と、メモリトランジスタの単位列の列端に接続された選択トランジスタ２２Ａ、Ｂとを備えている。 - 特許庁

A memory cell power control circuit 3 controls the power source (memory cell power VDDM1) of the memory cell 1 of a column selected when writing data to a voltage value lower than a VDD level decided by the voltage dividing ratio of P type MOS transistors QP6 and QP7.例文帳に追加

メモリセル電源制御回路３は、データの書き込み時に選択されるカラムのメモリセル１の電源（メモリセル電源ＶＤＤＭ１）を、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱＰ６とＱＰ７の分圧比で決定される、ＶＤＤレベルより低い電圧値に制御する。 - 特許庁

The same pin type as that of pins number 2 to 6 of the memory card MC 21 is allocated to pins number 2 to 6 of the memory card MC 22, data bits 3 are allocated to the first pin (corresponding to as RSV(reserve) pin as the first pin of the memory card MC 21), data bits 1, 2 are allocated to pins number 8, 9 respectively.例文帳に追加

ＭＣ２２の２〜６番ピンにはＭＣ２１の２〜６番ピンと同一のピンタイプが、１番ピン（ＭＣ２１の１番ピンであるＲＳＶ（リザーブ）ピンに対応）にはデータビット３が、８，９番ピンにはデータビット１，２が、それぞれ割り当てられる。 - 特許庁

Folded type pairs of bit lines formed by bit lines BL, /BL are arranged corresponding to each column of a MTJ memory cell.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルの各列に対応して、ビット線ＢＬ，／ＢＬによって形成される折返し型のビット線対が配置される。 - 特許庁

To simplify control of a semiconductor memory device of a type where time required for writing varies depending on a logical value to be written.例文帳に追加

書き込むべき論理値によって書き込み時の所要時間が異なるタイプの半導体記憶装置の制御を簡素化する。 - 特許庁

To stabilize operation of a NAND type flash memory by reducing charge and discharge current and noise caused during read-out access.例文帳に追加

読み出しアクセス時に発生する充放電電流及びノイズを低減し、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの動作を安定化させる。 - 特許庁

To generate a reference voltage by which read-out is performed accurately, without causing malfunction, in a 1T1C-type ferroelectric memory device.例文帳に追加

１Ｔ１Ｃ型強誘電体メモリ装置において、誤作動することなく正確に読み出せるリファレンス電圧を発生する。 - 特許庁

In a self scanning type light emitting element array, one bit memory elements to be electrically written/erased externally 200a, 200b, 200c, 200d are integrated.例文帳に追加

自己走査型発光素子アレイに、外部から電気的に書き込み／消去が可能な１ビットのメモリ素子２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄを集積している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high performance including a MONOS-type nonvolatile memory device, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性記憶装置を含む、高い性能を有する半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide technologies capable of preventing a chip crack that occurs in transfer molding, in collectively molded type memory cards.例文帳に追加

一括モールドタイプのメモリカードにおいて、トランスファモールド成形時に発生するチップクラックを防止することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a page buffer of a NAND type flash memory capable of increasing a data loading speed and reducing a chip area.例文帳に追加

データローディング速度を増加させ、かつ、チップの面積を減らすことができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリのページバッファーを提供する。 - 特許庁

To construct an inexpensive and flexible system in electronic equipment configured to store a main program in a serial type flash memory.例文帳に追加

シリアル型のフラッシュメモリにメインプログラムを格納するようした電子機器において、低コストで柔軟なシステムの構築を可能にする。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory of a 1T/1C type which can accurately read out stored information and its driving method.例文帳に追加

正確に格納情報を読み出すことが可能な１Ｔ／１Ｃタイプの強誘電体メモリおよびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently manufacturing a flash memory having a surface channel type CMOS transistor in a peripheral circuit.例文帳に追加

周辺回路に表面チャネル型のＣＭＯＳトランジスタを有するフラッシュメモリを、効率的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of pieces of dictionary data which register the registration image of each type of object are prestored in the second dictionary memory 29.例文帳に追加

第２辞書メモリ２９には、被写体の種類毎の登録画像を登録する辞書データが予め複数格納されている。 - 特許庁

To provide a memory-type display device reducing excessive voltage application in a display changing process for preventing deterioration of an element.例文帳に追加

表示切替の工程において、余計な電圧印加を減らし、素子の劣化を防ぐメモリ性表示デバイスを提供すること。 - 特許庁

To make an individual application vendor develop an application without being aware of a free area of a memory of each native type IC card.例文帳に追加

個々のアプリケーションベンダーが、個々のネイティブ型ＩＣカードのメモリの空き領域を気にすることなく、アプリケーションの開発を行える。 - 特許庁

To provide a NAND-type nonvolatile semiconductor memory device wherein variations in the thresholds caused by an inter-cell interference effect are suppressed.例文帳に追加

セル間干渉効果によるしきい値ばらつきが抑制されたＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁