「Metal polish」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To effectively polish a metal layer formed on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ上に形成された金属層を効果的に研磨する。 - 特許庁

To provide a metal abrasive that can polish metal at a high speed.例文帳に追加

金属を速い速度で研磨することができる金属研磨材組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a lightweight metal recovery device enabling cut and polish scatter prevention.例文帳に追加

歯科用切削・研磨飛散防止を備えた軽量型金属回収装置を提供する。 - 特許庁

This method for preventing metal contamination is provided to polish the semiconductor wafer by using polishing composition containing metal contamination prevention agent.例文帳に追加

また本発明に係る金属汚染防止方法は、本発明に係る金属汚染防止剤を含む研磨組成物を用いて半導体ウエーハを研磨する。 - 特許庁

Then the CMP process is performed to chemically and physically polish the metal wiring film 9 and the polishing rate adjustment film 10.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ処理を行って、金属配線膜９および研磨レート調整膜１０を化学的および物理的に研磨していく。 - 特許庁

To obtain a polishing pad which can polish a metal film covering a semiconductor wafer at a high polishing speed and exhibits an excellent smoothing performance.例文帳に追加

半導体ウェハー上に被覆した金属膜を高い研磨速度で研磨でき、平坦化の性能に優れる研磨パッドを提供する。 - 特許庁

To provide CMP polishing liquid that can polish a metal film at high polishing speed with excellent flatness and a method of polishing a substrate using the same.例文帳に追加

金属膜を高研磨速度で且つ平坦性よく研磨することが可能なＣＭＰ研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To highly accurately polish an optical element or its metal mold in a short time without generation of microscopic meandering flaw caused by scanning by a tool.例文帳に追加

光学素子またはその金型を、工具走査による微小なうねり傷を発生させず、短時間で高精度に研磨する。 - 特許庁

To obtain an abrasive for a barrier film which can polish a barrier film at a polishing speed equal to or higher than that in the case of polishing a metal film, can polish a metal film and an insulation film at about the same speed, and can finish the surface of a semiconductor substrate flatly.例文帳に追加

バリア膜を金属膜に対して同等以上の研磨速度で研磨でき、更に金属膜と絶縁膜とをほぼ等しい研磨速度で研磨できる、半導体基板表面を平坦に仕上げることが可能なバリア膜用研磨剤を提供する。 - 特許庁

To provide a metal polishing material composition which can polish metal wiring at high speed when manufacturing semiconductor devices and can reduce the etching rate of the metal wiring.例文帳に追加

半導体デバイス製造時に金属配線を高速に研磨可能で、金属配線のエッチング速度を抑制することができる金属研磨剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a slurry for a metal film CMP to polish the metal film stably and evenly at a low friction without causing a defect on the metal film and an insulating film.例文帳に追加

金属膜や絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、低摩擦で均一に金属膜を安定して研磨し得る金属膜ＣＭＰ用スラリーを提供する。 - 特許庁

This method for producing a cerium-based polish comprises mixing a cerium-based rare earth carbonate and/or a cerium-based rare earth oxide with an alkali metal salt and/or an alkaline earth metal salt and baking the resultant, and the cerium-based polish thus obtained contains an alkali metal and/or an alkaline earth metal and ≤0.5 wt.% F.例文帳に追加

セリウム系希土類炭酸塩及び／又はセリウム系希土類酸化物と、アルカリ金属塩及び／又はアルカリ土類金属塩と を混合して焼成する セリウム系研摩材の製造方法であり、また、 ０．５wt％以下のＦ含有量で、 アルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属を 含有するセリウム系研摩材である。 - 特許庁

The invention is a polishing agent comprising water, a polish substance and/or colloid, methyl glycine diacetate, or disuccinate and gluconic acid of alkali metal salt or alkaline earth metal salt as components.例文帳に追加

成分として水、研磨物質および／またはコロイド、メチルグリシン二酢酸またはジスクシネートおよびグルコン酸のアルカリ金属塩またはアルカリ土類金属塩を含有するポリッシング剤。 - 特許庁

The polishing liquid for metal is used to chemical-mechanically polish a metal film in a semiconductor device manufacturing step, and contains the following components (1), (2), (3), (4) and (5).例文帳に追加

半導体デバイス製造工程において、金属膜を化学的機械的に研磨する際に用いられ、下記（１）、（２）、（３）、（４）及び（５）の各成分を含有する金属用研磨液である。 - 特許庁

To eliminate production of noticeable stripes on a polishing surface by improving the polishing direction of a polishing means by uniformly attaching an abrasive material on a metal sheet surface on a polishing device to continuously polish a lengthy metal sheet.例文帳に追加

長尺金属シートを連続で研磨する研磨装置において金属シート面に研磨剤を均一に付着させ、研磨手段の研磨方向を改良することにより研磨面に目立つ筋目の発生を解消する。 - 特許庁

The method of polishing a substrate supplies the CMP polishing liquid between a metal film on the surface of the substrate and a polishing cloth to polish the metal film by relatively moving the substrate and the polishing cloth.例文帳に追加

本発明に係る基板の研磨方法は、金属膜を表面に有する基板の当該金属膜と研磨布との間に前記ＣＭＰ研磨液を供給しながら、基板と研磨布とを相対的に動かすことにより金属膜を研磨する。 - 特許庁

To provide a wiring metal polishing composition which does not produce a scar called scratch and has a high polish rate in polishing a substrate having a metal such as wiring formed on a semiconductor wafer, to provide a manufacturing method, and to provide a polishing method.例文帳に追加

半導体ウェハー上に形成された配線などの金属を有する基盤の研磨において、スクラッチと呼ばれる傷がなく研磨速度の高い配線金属研磨用組成物、製造方法、および研磨方法を提供する。 - 特許庁

To make it possible to polish a surface of a board into a flat face even if materials of different polishing rates such as a metal layer and an insulated layer are mixed and finish the metal layer into predetermined film thickness without variation.例文帳に追加

金属層と絶縁層といったように研磨レートが異なる材料が混在している場合でも、基板の表面を平坦面に研磨することができ、金属層を所定の膜厚にばらつきなく仕上げることを可能にする。 - 特許庁

To provide a polishing solution for metal which can continuously polish a substrate having an insulating film, a conductor film and a barrier metal film with the same polishing solution for metal, can obtain good flatness of a polished face, and can reduce the occurrence of scratches, and to provide a polishing method employing the same.例文帳に追加

絶縁膜、導体膜及びバリア金属膜を有する基板を、同一の金属用研磨液で連続的に研磨することが可能であり、研磨後の被研磨面の平坦性が良好で、且つ、スクラッチの発生を低減できる金属用研磨液、及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method which can continuously polish a substrate having an insulating film, a barrier metal film and a conductor film with the same polishing solution for metal, can obtain good flatness of a wiring portion and an insulating film convex portion, and can reduce scratches, and to provide a polishing solution for metal used therefor.例文帳に追加

絶縁膜、バリア金属膜及び導体膜を有する基板を、同一金属用研磨液で連続的に研磨することが可能であり、配線部と絶縁膜凸部の平坦性が良好で、かつ、スクラッチを低減することが可能な研磨方法及びそれに用いる金属用研磨液を提供する。 - 特許庁

To provide an aqueous polymer dispersion containing a higher level of a polyvalent metal cation useful as an ingredient in a leather treatment and a floor polish.例文帳に追加

皮革手入れ剤およびフロアポリッシュにおける成分として有用な高いレベルの多価金属カチオンを含有する水性ポリマー分散体を提供する。 - 特許庁

Etchings to the magnetoresistive effect film and the 1st stopper layer are performed simultaneously and a pattern is formed by using at least metal of slow CMP polish rate for the first stopper layer.例文帳に追加

少なくとも第一のストッパー層をＣＭＰ研磨レートの遅い金属とすることによって、磁気抵抗効果膜と第一のストッパー層を同時にエッチングしパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing slurry and a method of polishing a substrate using the slurry, which can polish the substrate having a metal in a reproducible and tolerable speed.例文帳に追加

再現可能で許容できる速度で、金属を有する基材を研磨することができる化学機械的研磨スラリーと、そのスラリーを使用して基材を研磨する方法を提供すること。 - 特許庁

To solve a problem of difficulty in integrating an upper electrode on an IC device because an upper electrode material such as platinum and iridium is a precious metal, and is hard to etch or polish.例文帳に追加

プラチナ、イリジウム等の上部電極材料は貴金属であり、エッチングおよび研磨が難しいため、ＩＣデバイスに上部電極を集積することが困難である。 - 特許庁

To provide a polishing solution for metal having a quick copper polishing speed and good copper/tantalum polish selectivity and capable of enhancing planarity by reducing the dishing.例文帳に追加

迅速な銅研磨速度、及び、良好な銅／タンタル研磨選択性を有し、更に、ディッシングが少なく平坦性を向上させることが可能な金属用研磨液を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing solution for metal having a quick copper polishing speed and a good copper/tantalum polish selectivity and capable of enhancing planarity by reducing the dishing.例文帳に追加

迅速な銅研磨速度、及び、良好な銅／タンタル研磨選択性を有し、更に、ディッシングが少なく平坦性を向上させることが可能な金属用研磨液を提供すること。 - 特許庁

To provide a floor polish composition which exhibits sufficient serviceability and is phosphorus-free and substantially free from a multivalent metal compound or styrene in consideration of environmental problems.例文帳に追加

充分な実用性を発現するとともに、環境問題を配慮した無リン化、さらには、実質的に多価金属化合物やスチレンを含有しないフロアーポリッシュ組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

Consequently, an advancing wave as a compression wave passes the vibration member 18, the uniform ultrasonic wave is transmitted to all points of resin tools 24, 34 and it is possible to uniformly polish metal molds 20, 30.例文帳に追加

これによって、振動部材１８を疎密波としての進行波が通過することになり、樹脂工具２４，３４の全ての箇所に均等な超音波が伝わり、金型２２，３０を均等に研磨することができる。 - 特許庁

To polish the conductor used for a barrier layer at a high rate, by using the polishing fluid having a low abrasive grain concentration and a low metal anticorrosive concentration, in a wiring process for semiconductor devices.例文帳に追加

低砥粒濃度、低金属防食剤濃度の研磨液を用いることにより、半導体デバイスの配線形成工程において、バリア層に用いられる導体を高い研磨速度で研磨できる。 - 特許庁

To provide a polishing apparatus that allows the implementation of exhaust sufficient to keep particles and metal pollutants on an object to be polished for polish processing to a level causing no problem and saving of the substantial amount of energy required for the exhaust.例文帳に追加

研磨処理する研磨対象物のパーティクルや金属汚染を問題にならないレベルに維持するために必要な排気が十分に実施でき、且つ排気に要するエネルギーが大幅に節約できる研磨装置を提供すること。 - 特許庁

To polish a workpiece in a short time with high accuracy, using a polisher for polishing workpieces made of a material such as ceramic, glass, metal, semiconductor, or plastic.例文帳に追加

セラミックス、ガラス、金属、半導体、プラスチックなどの材料からなるワークを研磨する研磨ポリシャにおいて、ワークを短時間で高精度に研磨する。 - 特許庁

The polishing method includes: supplying the diluted metal-polishing liquid to a polishing pad on a polishing plate; and bringing it into contact with a surface to be polished and relatively moving the surface to be polished and the polishing pad to polish the surface to be polished.例文帳に追加

前記の希釈した金属用研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する研磨方法。 - 特許庁

To provide abrasive particles that can be tailored to polish specific metal and/or dielectric layers at controlled rates while minimizing substrate defectivity.例文帳に追加

基体の欠陥を最少化しながら、制御された速度で特定の金属及び／又は誘電体の層を研磨するように調節できる砥粒を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing jig which can polish the machined surface of a metal mold for a short time easily and reliably without hurting the machined surface.例文帳に追加

金型等の加工面の研磨を短時間に容易に行うことができかつ加工面を傷つけることなく信頼性のよい研磨処理が可能な研磨治具を提供する。 - 特許庁

The metal polishing liquid is singly used to chemically and mechanically polish a conductor film made of copper or copper alloy and a barrier metal film continuously in the step of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程において、銅又は銅合金からなる導体膜とバリア金属膜とを連続的に一つの金属研摩液で化学的機械的研磨する際に用いられ、下記成分（１）、下記成分（２）及び下記成分（３）の成分を含むことを特徴とする金属用研磨液。 - 特許庁

In a polishing method to polish a metal film 32, which is formed on a surface of a wafer, where a concave-convex pattern is formed, and to embed the recess, the polishing of the metal film 32 is conducted by performing the electrolytic polishing and the chemical mechanical polishing or chemical buffing by turns.例文帳に追加

ウエハ表面に凹凸のパターンが形成され、その凹部を埋め込むように該ウエハ表面に形成された金属膜３２を研磨する研磨方法において、前記金属膜３２の研磨を電解研磨と化学的機械研磨もしくは化学的バフ研磨とを交互に行うことを特徴とする。 - 特許庁

The elastic fixing roll which is provided with a metal core 5, an elastic layer 4 on the metal core 5 and a release layer 3 on the elastic layer 4, and fixes paper on which unfixed toner is transferred, is characterized in that the polishing grain of polish finish of the release layer 3 is non-directional.例文帳に追加

金属製芯金５と、金属製芯金５上の弾性層４と、弾性層４上の離型層３とを備え、未定着トナーが転写された用紙を定着させる弾性定着ローラにおいて、離型層３の研磨仕上の研磨目が無方向性であることを特徴とする。 - 特許庁

The invention provides methods of polishing a substrate including steps of (i) contacting a substrate having at least one metal layer having copper with a chemical-mechanical polishing (CMP) system and (ii) abrading at least a portion of the metal layer having copper to polish the substrate.例文帳に追加

（ｉ）銅を含む少なくとも１つの金属層を含む基材を化学機械研磨（ＣＭＰ）系と接触させる工程と、（ｉｉ）該銅を含む金属層の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程とを含む、基材を研磨する方法が提供される。 - 特許庁

A metal film 21 formed on an insulating film 23 having grooves is polished with the polishing cloth by using a polishing solution which includes a substance making an oxidizer and an oxide water-soluble, does not include abrasive grains substantially, and polish solution that shows a property of a corrosion condition for a metal film.例文帳に追加

溝を有する絶縁膜２３上に形成された金属膜２１を、酸化性物質と酸化物を水溶化する物質を含み、研磨砥粒を実質的に含まず、金属膜の腐食域であるような研磨液を用いて研磨布で研磨する。 - 特許庁

By forming electroplated alloys of copper with metals that form continuous solid solutions therewith, a deposition layer of such an alloy on the surface of a barrier metal layer allows for lowering of the selectivity of the slurry polish used during the CMP process toward the alloy.例文帳に追加

銅とともに一連の均一な固溶体を形成する金属による電気めっきされた銅合金を形成することにより、空乏金属層の表面上にあるかかる合金の堆積層により、合金に対してＣＭＰ処理を行っている間に使用されるスラリー研磨の選択性を低めることが可能となる。 - 特許庁

To provide a polishing method, which can polish the material to be polished with a high throughput, such as glass, semiconductors, dielectric substance/metal composite substances and integrated circuits, while supplying slurry on a polishing pad, and can increase the number of process wafers in the polishing pad.例文帳に追加

ガラス、半導体、誘電／金属複合体及び集積回路等の被研磨材を研磨パッド上にスラリーを供給しながら研磨をおこなう際に、スループットが高く、研磨パッドの処理ウェハー枚数を多く出来る研磨方法を提供する。 - 特許庁

To compose the whole body of the device compact as well as to prevent the generation of a chatter mark by constraining a roll chock securely, and to carry out the replacing a brush roll, in a device to brush or polish the surface of the metal slip during passing in a line by the rotating brush roll.例文帳に追加

通板中の金属スリップの表面を、回転するブラシロールによってブラッシングや研磨する装置において、ロールチョックの拘束をより確実に行うことによりチャタマークの発生を防止すると共に、装置全体をコンパクトに構成し、かつブラシロールの組替を容易に行う。 - 特許庁

To polish an extra metal film or an extra barrier film formed on the surface of a substrate while maintaining a polishing rate and its uniformity in the substrate surface, and preventing the occurrence of dishing or erosion even in a semiconductor device having a very fine wiring structure of 65 nm or later generation.例文帳に追加

たとえ６５ｎｍ乃至それ以降のより微細な配線構造を有する半導体デバイスであっても、基板の表面に形成した余剰な金属膜やバリア膜を、研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ研磨できるようにする。 - 特許庁

Polishing liquid to polish the surface of a substrate with a surface thereof formed of non-ferrous metal such as copper or copper alloy contains univalent and/or divalent copper ions and chlorine ions with the Cu/Cl mole ratio being 10^-1 to 10^3, and the pH value being 0.5-10.例文帳に追加

表面が銅又は銅合金等の非鉄金属材からなる基板の表面を研磨する研磨液であって、１価及び／又は２価の銅イオンと塩素イオンとを含有し、Ｃｕ／Ｃｌモル比が１０^-1〜１０^3の割合であり、ｐＨ０．５〜１０であることを特徴とする非鉄金属材用研磨液。 - 特許庁

To provide a polishing tool capable of easily changing only polishing yarn and polishing along a surface of a polished material having a warp and irregularities concerning the polishing tool using the polishing yarn to polish the surface of the polished material of a metal, a ceramic material, etc., only by small quantity.例文帳に追加

金属やセラミックス材等の被研磨材の表面を微小な量だけ研磨する研磨糸を用いた研磨具において、研磨糸のみを簡単に交換でき、尚且つ、反りや凹凸が有る被研磨材の表面に倣って研磨できる研磨具を提供する。 - 特許庁