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P-Bの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1479



例文

Then the user can read the updated page 'P+X' by reversing the device (in a direction B).例文帳に追加

次に、A方向とは逆方向(B方向)に回転することにより、ユーザは、更新された「P+X」ページを読むことができる。 - 特許庁

Thereafter, a barrier metal layer F2 is deposited on the whole surfaces of the substrate P comprising the upper surfaces of the pattern F1 and the bank B.例文帳に追加

その後、膜パターンF1、及びバンクBの上面を含む基板Pの全面に、バリアメタル層F2を成膜する。 - 特許庁

For a non-encoded processing unit, the quantization error average value Diff_Ave of I, P, B pictures is set as a target value small in dispersion.例文帳に追加

未符号化処理単位については、I,P,Bピクチャの量子化誤差平均値Diff_Aveは、ばらつきの小さい目標値として設定される。 - 特許庁

A virtual extension PL is presumed extending from the viewpoint position V(i) to the virtual plane B(i) through the selected one pixel P(j, k).例文帳に追加

次に視点位置V(i)から選択した1つの画素P(j,k)を通って仮想面B(i)まで延びる仮想延長線PLを想定する。 - 特許庁

例文

Then a hash h is generated based on the accepted pass phrase p in S102 (S103) and a bit string b is generated from the hash h (S104).例文帳に追加

つぎにS102で受け付けたパスフレーズpに基づきハッシュhを生成し(S103)、該ハッシュhからビット列bを生成する(S104)。 - 特許庁


例文

A B-containing adhesion property improving layer 2 containing boron is disposed between a nonmagnetic substrate 1 and an NiP based layer 3 essentially consisting of Ni and P.例文帳に追加

非磁性基板1とNiとPを主成分とするNiP系層3の間にボロンを含むB含有密着性改善層2を設ける。 - 特許庁

Furthermore, the negative electrode active material layer 12 preferably contains at least one kind of B, C, P, and S.例文帳に追加

更に、負極活物質層12は、構成元素としてB,C,PおよびSのうちの少なくとも1種を含むことが好ましい。 - 特許庁

A groove is formed in a P-well region C provided at an epitaxial layer (b) on a semiconductor substrate (a), and a gate finger region is formed in the groove.例文帳に追加

半導体基板a上のエピタキシャル層bに設けたPウェル領域に溝を形成し、この溝内にゲートフィンガー領域を形成する。 - 特許庁

Therefore, when a P-type base region 3 is formed, the diffusion of B caused by the holes of carbon sites can be prevented.例文帳に追加

このため、p型ベース領域3を形成する際に、炭素サイトの空孔に起因して発生するBの拡散を防止することができる。 - 特許庁

例文

The image sensor 48 is constituted to periodically read the brightness pattern within the certain region B of the paper sheet P which is being carried.例文帳に追加

イメージセンサー48は、周期的に搬送中の用紙Pの前記一定領域B内の明暗パターンを読み取るように構成されている。 - 特許庁

例文

After atmosphere breaking is once performed (b), the p-type a-Si layer 3 is subjected to plasma treatment, and defects on the surface are increase (c).例文帳に追加

一旦大気ブレイクさせた後(b)、p型a−Si層3にプラズマ処理を施して表面の欠陥を増加させる(c)。 - 特許庁

An adder 125 adds the motion compensation output from the discrete cosine transform section 130 to a P-picture and a B-picture which are partially decoded.例文帳に追加

加算器125は、一部復号化されたPピクチャ及びBピクチャに、離散コサイン変換部130からの疎き補償出力を加算する。 - 特許庁

When inclination of tangential lines p and q at each of the points A and B are assumed α and α', respectively, α is larger than α'.例文帳に追加

各点A,Bにおける接線p,qの傾きをそれぞれα,α′とするとき、α>α′の関係がある。 - 特許庁

This iron powder contains one or ≥2 kinds selected from 0.020-0.5%, by weight, P, 0.020-0.5% S, and 0.020-0.5% B.例文帳に追加

P:0.020〜0.5 wt%、S:0.020〜0.5 wt%およびB:0.020〜0.5wt%の内から選ばれる1種または2種以上を含有した鉄粉とする。 - 特許庁

A pointer image P is constituted of four sub-pointer image display segment columns Sx+1 to Sx+4 as shown in Fig.(b).例文帳に追加

指針像Pは、図1(b)のように4列の副指針像表示セグメント列Sx+1〜Sx+4により構成する。 - 特許庁

An N-well region NWEL and a P-well region PWEL built in as an intermediate layer are alternately aligned on a N-type layer B-N.例文帳に追加

中間層として埋め込まれるN型層B-N上にNウェル領域NWEL、Pウェル領域PWELが交互に配列されている。 - 特許庁

For example, in respective times t3 and t4, recording on the b-line and on the c-line of the two sheets P are simultaneously performed.例文帳に追加

例えば、時刻t3及びt4のそれぞれにおいて、2枚の用紙Pに亘るb,cラインに対する記録が同時に行われるようにする。 - 特許庁

A base B and a subemitter S of p-type semiconductor are joined to a collector C of n-type semiconductor, so as not to contact each other.例文帳に追加

p型半導体からなるベースBとサブエミッタSは、互いに接しないようにして、n型半導体からなるコレクタCに接合されている。 - 特許庁

In the step 120, the difference P between the signals B when the quantity of light emission is large and the signals S when the quantity of light emission is small is obtained.例文帳に追加

ステップ120では、発光量が大きな場合の信号Bと発光量が小さい場合の信号Sとの差分Pをとる。 - 特許庁

A data error of I slice is reduced and deterioration in image quality of I slice, P slide and B slice is avoided.例文帳に追加

Iスライスのデータ誤差が低減され、Iスライス、Pスライス、Bスライスの画質劣化が回避される。 - 特許庁

Metal wires 11 and 12 are formed by liquid phase process in a wiring forming region 34 partitioned by banks B provided on a substrate P.例文帳に追加

基板P上に設けられたバンクBによって区画された配線形成領域34に液相法により金属配線11、12が形成される。 - 特許庁

The temperature of the adhesive in the syringe is kept adequate and the desired supply (and coating) of the adhesive S to an electrode pad P of a substrate B is carried out.例文帳に追加

シリンジ内の接着剤は適温に保たれ、基板Bの電極パッドP上に意図した接着剤Sの供給(塗布)を行うことができる。 - 特許庁

When a sheet P intrudes the inside of the tray as the drawing 2 (b), the filler 16 is pushed by the sheet and revolves and makes contact with the static eliminating brush 17.例文帳に追加

図2(b)の如くトレイ内に用紙P が進入すると、フィラー16が用紙に押されて回動し除電ブラシ17と当接する。 - 特許庁

A depth C from the surface of the p-type channel layer 103 to the bottom of the gate oxide film 3 is 1.3 times or more the depth B.例文帳に追加

P型チャネル層103の表面からゲート酸化膜3の底面までの深さCは、上記Bの1.3倍以上である。 - 特許庁

Consequently, the air remaining within the resin adhesive P can be excluded, and generation of void B can be suppressed.例文帳に追加

これにより、樹脂接着剤P内に残留したエアが排出され、ボイドBの発生を抑制することができる。 - 特許庁

The shift lock member B is movable to the locking position only in a condition in which the shift stopper 7 is engaged with the detent part 32 in the P range.例文帳に追加

Pレンジでディテント部32にシフトストッパ7が係合した状態でのみシフトロック部材Bをロック位置へ移動可能とする。 - 特許庁

On the sheet path (b), a color original detecting section 99 which detects color portions contained in the originals P is provided.例文帳に追加

このシートパスb上には、原稿にカラー部分があるか否かを検出するためのカラー原稿検出部99が設けられている。 - 特許庁

An imaging apparatus 10 sends out data while thinning them for the unit of an MPEG frame (I, P, B or the like) in accordance with a line status during photographing.例文帳に追加

撮像装置10は、撮影中に回線状態に応じてMPEGフレーム(I,P,B等)単位で間引いて送出する。 - 特許庁

By respectively the processes (a) and (b) are repeated a plurality number of times, the p-type ZnO-family oxide semiconductor layer is grown.例文帳に追加

この(a)工程および(b)工程を複数回繰り返すことによりp形ZnO系酸化物半導体層を成長する。 - 特許庁

The image sensor 48 reads the interference fringe pattern within the fixed area B of the paper P being periodically transferred.例文帳に追加

イメージセンサー48は、周期的に搬送中の用紙Pの前記一定領域B内の干渉縞パターンを読み取るように構成されている。 - 特許庁

The entire body of the fastening tool is inserted into a mounting hole in the state that the board B is aligned with the mounting hole of the body panel P.例文帳に追加

ボードBとボディパネルPの取付け孔を整合させた状態で、締結具全体を取付け孔へ差し込む。 - 特許庁

The mat M body is provided with an elastomer backing A on the underside of the basic cloth B (original fabric part S) where loop piles P are implanted.例文帳に追加

マットM本体は、ループパイルPが植設された基布B(原反部S)の下面側にエラストマー製のバッキングAが施されてなる。 - 特許庁

At this time, P of 0.03 mass% or less, or B of 0.0005-0.002 mass% is preferably added.例文帳に追加

その際、更に、0.03mass%以下の範囲でPを添加する、又は、0.0005〜0.002mass%の範囲でBを添加することが好ましい。 - 特許庁

Three marks R, Y, B or marks O, G, P different in color are put on the surface or back of the input device 18.例文帳に追加

入力装置18の表面又は裏面には、色彩の異なる3つのマークR,Y,B又はマークO,G,Pが付けられている。 - 特許庁

A table calculation changeover switch 116 determines a slice type to be coded, and is set at (b) in the case of one-way prediction (P slice).例文帳に追加

テーブル算出切替えスイッチ116は、符号化しようとするスライスタイプを判定し、片方向予測(Pスライス)であればロ側にセットする。 - 特許庁

Moreover, it is preferable that height difference between the semiconductor chips A and B (p-q) is 50 μm or more.例文帳に追加

更に、半導体チップAと半導体チップBの高さの差(p−q)が50μm以上あることが好ましい。 - 特許庁

A destaticizing needle 22 is arranged downstream in the conveying direction of a separating section B for separating the recording material P from a transfer belt 15.例文帳に追加

記録材Pを転写ベルト15から分離する分離部Bの搬送方向下流に、除電針22を配置する。 - 特許庁

Therefore, if the connection tool is drawn from the mounting hole, the board B can be easily separated from the body panel P.例文帳に追加

このため、締結具を取付け孔から抜き取れば、ボードBをボディパネルPから簡単に解離させることができる。 - 特許庁

A laser pointer C for irradiating the tunnel heading face 10 with a luminescent spot P is provided in an intermediate position between the paired devices A, B.例文帳に追加

また、一対の撮像機A,Bの中間位置には、トンネル切羽面10に輝点Pを照射するレーザポインタCが設けられている。 - 特許庁

Accordingly, diffusion of B at activation thermal treatment can be suppressed and areas made of p-type semiconductor are formed without spreading.例文帳に追加

これにより、活性化熱処理の際のBの拡散が抑制され、p型半導体で構成される各領域が広がらずに形成される。 - 特許庁

An earth terminal 22 has a contact part 22a being clamped in contact with a body panel P by means of a bolt B.例文帳に追加

アース端子22は、ボルトBにより車体パネルPに接触状態で挟持される接触部22aを備えている。 - 特許庁

The object B is recognized from a normal vector group at all of the processing points (p) arranged at the equal intervals.例文帳に追加

前記等間隔に配置されたすべての処理点pにおける法線ベクトル群から前記物体Bを認識する。 - 特許庁

"Co-containing" means containing elemental Co only or containing at least one of elemental Co and P or B.例文帳に追加

「Co含有」とは、ライナが、元素状Coのみを含むか、又は元素状CoとP又はBの少なくとも1つを含むことを意味する。 - 特許庁

The insect deterrent for apparel includes, as effective components, (a) p-menthane-3,8-diol and (b) an ordinary-temperature volatile pyrethroid-based insecticidal ingredient.例文帳に追加

有効成分として(a)p−メンタン−3,8−ジオールと(b)常温揮散性ピレスロイド系殺虫成分の双方を含有する衣料用防虫剤。 - 特許庁

To provide means to highly accurately measure iron concentration of a boron doped p-type silicon wafer by using an Fe-B pair dissociation phenomenon.例文帳に追加

ボロンドープp型シリコンウェーハの鉄濃度を、Fe−Bペア乖離現象を利用して高精度に測定するための手段を提供すること。 - 特許庁

The agent mainly consists of magnesia containing 0.05-0.20 mass% of B and includes 0.1-1.0 pt.mass of phosphate expressed in terms of P per 100 pts.mass of the magnesia.例文帳に追加

Bを0.05〜0.20質量%含有するマグネシアを主体とし、かかるマグネシア:100質量部当たり、リン酸塩をP換算で0.1〜1.0質量部配合する。 - 特許庁

The alloy further comprises at least one chosen from B, P, Zr, Fe, Co, Cr and Ag in a range of 0.01-1 atom%.例文帳に追加

さらに、B,P,Zr,Fe,Co,Cr,Agのうちの少なくとも1種以上を含み、その含有量が0.01原子%以上1原子%以下とされていることを特徴とする。 - 特許庁

To apply motion estimation (ME) based on reconstructed reference pictures in a bi-predictive frame (B frame) or in a predicted frame (P frame) at a video decoder.例文帳に追加

ビデオデコーダの双予測フレーム又は予測フレームにおいて再構成された参照ピクチャに基づいて動き推定(ME)を適用する。 - 特許庁

To improve an effect for retaining a cable P coming out of a terminal box B in a solar photovoltaic power generation system.例文帳に追加

太陽光発電システムにおけるケーブルPの端子ボックスB等からの抜け止め効果を向上させる。 - 特許庁

例文

Based on these operating condition parameters and model constants A-H, a function model parameter X is calculated according to equation: X=A×P^B×Veff^C×Pc^D×EGR^E×Ne^F×q^G×exp(H/T).例文帳に追加

X=A×P^B×Veff^C×Pc^D×EGR^E×Ne^F×q^G×exp(H/T) - 特許庁

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