「Resistors」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

At the time of light source adjustment, a system controller 10 makes each LED nR, nG, and nB (n=1 to M) constituting the light source emit light in turn, and adjust resistance values of variable resistors VRnR, VRnG, and VRnB so that brightness detected by a light receiving sensor S be a prescribed value at that time.例文帳に追加

光源調整時において、システムコントローラ１０は、光源を構成する各ＬＥＤｎＲ、ｎＧ、ｎＢ（ｎ＝１〜Ｍ）を順に発光させ、そのとき受光センサＳにより検出される輝度が規定値となるように可変抵抗器ＶＲｎＲ、ＶＲｎＧ、ＶＲｎＢの抵抗値を調整する。 - 特許庁

This reference voltage generating circuit is characterized by that the dense resistor groups 12, 13, 15, and 16 are provided by the groups of the switches SA1 to SA4 and SB1 to SB4 and the respective dense resistor groups 12, 13, 15, and 16 are connected to the resistors R1 constituting the coarse resistor group 11 in parallel.例文帳に追加

この基準電圧発生回路は、密の抵抗群１２，１３，１５，１６がスイッチＳＡ１〜ＳＡ４，ＳＢ１〜ＳＢ４の各組毎に設けられ、各密の抵抗群１２，１３，１５，１６を粗の抵抗群１１を構成する抵抗Ｒ１に並列に接続される。 - 特許庁

Differential amplifiers 12A and 12B control currents Ix and Ix/b, flowing through resistors R and b*R, such that the potential Vx at the inverted input end is equalized to potentials Vya and Vyb at the noninverted input end in each of operational amplifiers 12a, 12a.例文帳に追加

差動アンプ１２Ａ，１２Ｂでは、各オペアンプ１２ａ，１２ａの、反転入力端の電位Ｖｘと非反転入力端の電位Ｖｙａ，Ｖｙｂとが等しくなるように、それぞれ、抵抗Ｒ，ｂ＊Ｒに流れる電流Ｉｘ，Ｉｘ／ｂを制御する。 - 特許庁

Capacitors C6, C7 are uniformly charged through diodes from secondary windings n23, n21 of the transformer T1 of the inverter circuit, and direct currents are made to flow in a high-voltage side filament and a low-voltage side filament from each capacitor C6, C7 through resistors R11; R12 and a resistor R2.例文帳に追加

インバータ回路のトランスＴ１の２次巻線ｎ２３，ｎ２１からダイオードを介してコンデンサＣ６，Ｃ７を均等に充電し、各コンデンサＣ６，Ｃ７から高圧側フィラメントと低圧側フィラメントに抵抗Ｒ１１；Ｒ１２、抵抗Ｒ２を介して直流電流を流す。 - 特許庁

Feedback resistors R1 and R2 are switched so that the gain of a preamplifier 40 is lowered while frequency band is widened if scanning speed is high, and the gain of the preamplifier 40 is raised and the frequency band is narrowed if the scanning speed is low, depending on the scanning speed set by a user.例文帳に追加

使用者により設定されるスキャン速度に応じて、スキャン速度が速い場合にはプリアンプ４０のゲインを下げる一方、周波数帯域を広げ、スキャン速度が遅い場合にはプリアンプ４０のゲインを上げる一方、周波数帯域を狭くするように帰還抵抗Ｒ１、Ｒ２を切り替える。 - 特許庁

On the other hand, this has a constitution so that a high voltage is outputted to the anion electrode 32 by supplying a current to the series resonating circuit Sr while a current flowing through the ground wire 30 is grounded after being consumed with resistors R4, R5 installed at the ground wire 30.例文帳に追加

そして、上記直列共振回路Ｓｒの通電によりマイナスイオン電極３２に高電圧が出力され、一方、上記アース線３０を流れる電流が、アース線３０に設けた抵抗Ｒ４，Ｒ５で消耗されたのちアースされるように構成されている。 - 特許庁

When the respective switching elements 32a, 32b are set to the on-state, prescribed current I outputted from a positive electrode-side constant current source 34a and a negative electrode-side constant current source 34b or a part of the current I flows through respective detection resistors 33a, 33b.例文帳に追加

各スイッチング素子３２ａ，３２ｂがオン状態に設定されると、正極側定電流源３４ａおよび負極側定電流源３４ｂから出力される所定の電流Ｉまたはこの電流Ｉの一部が各検出抵抗３３ａ，３３ｂを流れる。 - 特許庁

The hybrid circuit apparatus includes: a reception amplifier for outputting a differential signal between first and second reception terminals; two variable gain amplifiers respectively driving first and second transmission terminals; and four resistors for interconnecting the first and second transmission terminals and the first and second reception terminals.例文帳に追加

ハイブリッド回路は、第１および第２の受信端の間の差分信号を出力する受信アンプと、第１および第２の送信端をそれぞれ駆動する２つの可変利得アンプと、前記第１、２の送信端と前記第１、２の受信端とを接続する４個の抵抗を備える。 - 特許庁

The gates 21a, 31a of the JFETs 21, 31 constituting the capacitive voltage conversion circuits 20, 30 are connected to a bias power supply Vc via bias resistors 21f, 31f, and the capacitive voltage conversion sensitivity of the capacitive voltage conversion circuits 20, 30 is stabilized in spite of the dispersion of the drain current.例文帳に追加

容量電圧変換回路２０，３０を構成するＪＦＥＴ２１，３１のゲート２１ａ，３１ａをバイアス抵抗２１ｆ，３１ｆを介してバイアス電源Ｖｃに接続し、ドレイン電流のバラ付きに拘わらず、容量電圧変換回路２０，３０の容量電圧変換感度を安定にする。 - 特許庁

Collector output of the transistor Q_2 is connected to the base of the transistor Q_1, and composes a positive feedback circuit p, and simultaneously the collector output voltage is divided by resistors R_4, R_5, R_6, and connected to the emitter of the transistor Q_1, and composes a negative feedback circuit n.例文帳に追加

トランジスタＱ_２のコレクタ出力はトランジスタＱ_１のベースへ接続されて正帰還路ｐを構成すると共に上記コレクタ出力は抵抗Ｒ_４，Ｒ_５，Ｒ_６により電圧分割されてＱ_１のエミッタへ接続されて負帰還路ｎを構成する。 - 特許庁

In a normal state, most of the electrical current flows to a load 4 through the main circuit 2, but when an overcurrent occurs, the electric current is inhibited from flowing to the load 4, because the ratio between the resistance values of the resistors R1 and R2 is switched so that most of the electrical current flows to the grounded auxiliary circuit 3.例文帳に追加

定常時は大部分の電流が主回路２を通して負荷４に流れるが、過電流発生時は、大部分の電流が接地した副回路３に流れるように、両抵抗体Ｒ１、Ｒ２の抵抗値の比率が切り替わり、過電流発生時に負荷４へ電流が流れることを阻止する。 - 特許庁

On the side walls 8 of a storage room 2, resistors 9 which adjust the flow resistance to cooling air flowing in the direction parallel to the side walls to be almost the same as that in the center part of the storage room 2 apart from the side walls are placed.例文帳に追加

前記貯蔵室の側壁部に、前記側壁面に平行な方向に流れる冷却空気の流動抵抗が側壁面から離れた貯蔵室中央部における冷却空気の流動抵抗と概略同等となるような抵抗体を設ける。 - 特許庁

A depression type FET 2 to which a voltage lower than the constant voltage Vdd by a threshold voltage or more is supplied to the gate is connected between the second node P2 and a third node P3, and the control signal fc is guided to both terminals of a current path of the FET2 by using resistors R7, R3, R6.例文帳に追加

第２のノードＰ２と第３のノードＰ３の相互間に一定電圧Ｖｄｄより閾値電圧分以上低い電圧がゲートに供給されたデプレション型のＦＥＴ２を接続し、抵抗Ｒ７、Ｒ３、Ｒ６によりＦＥＴ２の電流通路の両端に制御信号ｆｃを導いている。 - 特許庁

Between the first and second reference voltage generating resistors 221 and 222, a resistor circuit 224 is provided which comprises parasitic resistance components of two lines, having the same width as other lines, in such manner as to go through a foldback line 225 in an LSI202 for canceling parasitic resistance component of other lines.例文帳に追加

第１および第２の参照電圧生成抵抗２２１、２２２の間には、ＬＳＩ２０２内の折り返し線２２５を経由する形で他の線路と同一幅の２本ずつの線路の寄生抵抗分からなる抵抗回路２２４が設けられており、調整に悪影響となる他の線路の寄生抵抗分をキャンセルする。 - 特許庁

A heater is configured in such a manner that a first heat generation line and a second heat generation line constituted so that a plurality of heating resistors having positive resistance temperature characteristic are electrically connected in parallel between a first conductor and a second conductor provided along the longitudinal direction of a base plate on the base plate are connected in parallel.例文帳に追加

基板上に基板長手方向に沿って設けられている二本の導電体間に正の抵抗温度特性を有する複数本の発熱抵抗体を並列接続した構成の第１の発熱ライン及び第２の発熱ラインを並列に接続した構成とする。 - 特許庁

The plurality of resistors include a first resistor 31 exhibiting a resistance value equal to that of the humidity sensor 21 at a lower limit value within the humidity detection range, and a second resistor 32 exhibiting a resistance value equal to that of the humidity sensor 22 at an upper limit value within the humidity detection range.例文帳に追加

また、複数の抵抗には、湿度の検出範囲における下限値において、湿度センサ２１の抵抗値と等しい抵抗値を示す第１の抵抗３１と、湿度の検出範囲における上限値において、湿度センサ２２の抵抗値と等しい抵抗値を示す第２の抵抗３２とが含まれる。 - 特許庁

The method for mounting on the mounting board comprises the steps of sequentially aligning and disposing chip resistors 2, 3, chip capacitors 4, 5, a transistor 6, and an IC 7 of the mounting components along a solder dipping direction on the printed board 1, in this order from the small height chip resistor 2 to the large-height IC 7.例文帳に追加

プリント基板１上に、はんだディップ方向に沿って、実装部品であるチップ抵抗２，３、チップコンデンサ４，５、トランジスタ６、そしてＩＣ７を、高さの低いチップ抵抗２から高さの高いＩＣ７に順次に整列し配置する。 - 特許庁

This circuit is composed of P-type MOS transistors P1-P3, N-type MOS transistors N1, N2 and N6, a diode D1 and resistors R1 and R2, and the fixed reference voltage Vref is obtained from given high potential side power source VDD and low potential side power source GND at an output terminal ref.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタＰ１〜Ｐ３と、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＮ１、Ｎ２及びＮ６と、ダイオードＤ１と、抵抗素子Ｒ１及びＲ２と、から構成され、与えられた高電位側電源ＶＤＤ及び低電位側電源ＧＮＤから一定の基準電圧Ｖｒｅｆを出力端子ｒｅｆに得る。 - 特許庁

The modular battery comprises a battery set of a plurality of secondary batteries B1, B2, B3,... Bn connected in series, and a battery voltage detecting circuit comprising an operational amplifier IC3, multiplexers IC4, IC5, a microcomputer IC6 and resistors R12-R17.例文帳に追加

モジュール電池は、複数個の二次電池Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、・・・Ｂｎが直列に接続された組電池と、オペアンプＩＣ３、マルチプレクサＩＣ４及びＩＣ５、マイコンＩＣ６及び抵抗Ｒ１２〜Ｒ１７で構成された電池電圧検出回路と、を備えている。 - 特許庁

A microcomputer 20 adjusts the charging reference voltage (that is, the determination of the charging voltage of the condenser C1) to obtain a desired peak value on the basis of the peak value of the actually applied voltage taken from detecting resistors R5, R6 through a peak hold circuit 37.例文帳に追加

マイコン２０は、検出抵抗Ｒ５，Ｒ６からピークホールド回路３７を介して取り込まれた実際の印加電圧のピーク値に基づいて、ピーク値が所望の値になるように充電基準電圧を調整（つまりコンデンサＣ１の充電電圧を決定）する。 - 特許庁

Since the emitters of three transistors are connected with the common current source in the three differential buffers, sum of voltage drops of the resistors R10-R12 connected with respective collectors becomes constant, and common mode voltages appearing commonly on three signals constituting the three-valued three differential logic signals are canceled.例文帳に追加

３差動バッファは、３個のトランジスタのエミッタが共通の電流源に接続されるため、夫々のコレクタに接続された抵抗Ｒ１０〜Ｒ１２の電圧降下の和が一定値となり、３値３差動論理信号の３本の信号に共通して現れるコモンモード電圧がキャンセルされる。 - 特許庁

A detecting part structure for a gas sensor is a structure in which electrode pads (50) in square portions (40) of the substrate (10), and the sensing resistors (51) in thin connection sections (41) between the square portions (40) are formed of platinum thin films through vapor deposition.例文帳に追加

本発明によるガスレートセンサの検出部構造は、基板(10)の四角部(40)の電極パッド(50)と、前記各四角部(40)間の細状接続部(41)に設けたセンシング用抵抗体(51)と、を蒸着成膜した白金薄膜で形成した構成である。 - 特許庁

A variable resistor 52 and bleeder resistors 58 and 60 are connected in series between the other end of a bleeder resistor 64 whose one end is connected to a ground potential point and an operating potential point 44 and an arm of the variable resistor 52 is connected to the base of a transistor 38.例文帳に追加

一端が接地電位点に接続されたブリーダ抵抗器６４の他端と動作電位点４４との間に可変抵抗器５２とブリーダ抵抗器５８、６０が、直列に接続され、可変抵抗器５２の腕がトランジスタ３８のベースに接続されている。 - 特許庁

In addition, if polysilicon is used in the thin film resistors, fluctuation in the resistance values is suppressed and temperature dependence of the resistance value is eliminated by making a film thickness of the polysilicon thin film resistor thin, and making an impurity introduced into the polysilicon thin film resistor p-type.例文帳に追加

および、薄膜抵抗体にポリシリコンを用いる場合、ポリシリコン薄膜抵抗体の膜厚を薄くし、ポリシリコン薄膜抵抗体に導入した不純物をＰ型にしたことにより抵抗値バラツキを抑え、かつ抵抗値の温度依存性をなくしたことを特徴とする。 - 特許庁

The midpoints of the first and second termination resistors act like an imaginary ground level, and the impedance of the termination resistor related to the third differential signals and the impedance of signal lines related to the third differential signals can be adjusted to prevent the third differential signals from being reflected.例文帳に追加

第１の終端抵抗の中点と第２の終端抵抗の中点とが第３の差動信号の仮想グランドとなり、第３の差動信号に関連する終端抵抗のインピーダンスと第３の差動信号に関連する信号線のインピーダンスとを調整でき、第３の差動信号の反射を防止できる。 - 特許庁

When the temperature data TA, TB, and TC are "111", because the temperature data TC are "1", the transistor 26 is also in the off state, so that the supply of the current to the resistors 21 and 22 is shut off; and the comparator 20 forcedly outputs "1", in which the constant current source is shut off.例文帳に追加

温度データＴＡ，ＴＢ，ＴＣが“１１１”の場合、温度データＴＣが“１”のため、さらにトランジスタ２６がオフ状態となって抵抗器２１、２２への電流供給が遮断され、比較器２０は定電流源が遮断されて強制的に“１”を出力する。 - 特許庁

A plurality of resistors (R1 to R8) are adopted for the interconnection system interconnecting a first operational amplifier (1) and a second operational amplifier (4) in the limit circuit, and the limit circuit is configured to set reference voltage (Es) equal to or below a range of a forward voltage drop of the diode of a conventional limit circuit section.例文帳に追加

本発明によるリミット回路は、第１オペアンプ(1)と第２オペアンプ(4)を接続する接続系を複数の抵抗器(R1〜R8)のみとし、従来のリミット回路部のダイオード順方向電圧降下範囲以下に基準電圧(Es)を設定できる構成である。 - 特許庁

Output terminals 4a and 4b of a D.C./A.C. inverter 2 are connected to each other through resistors 12 and 13, and a central point voltage Vcent between the output terminals 4a and 4b is detected from a connection point between the resistor 12 and the resistor 13, and input to a CPU 5.例文帳に追加

ＤＣ／ＡＣインバータ２の出力端子４ａ，４ｂ間を抵抗１２，１３で接続し、抵抗１２と抵抗１３との接続点から出力端子４ａ，４ｂ間の中点電圧Ｖｃｅｎｔを検出してＣＰＵ５へ入力する。 - 特許庁

An inverter 14 can be used as a power-consuming equipment, and the inverter 14 and a motor 11 can be used as variable resistors by changing current-flowing channels of the motor 11 through the on-off control of the switching elements of the inverter 14.例文帳に追加

電力消費機器として、インバータ１４を用いることができ、インバータ１４のスイッチング素子をオンオフ制御してモータ１１の電流経路を変更することで、インバータ１４とモータ１１を可変抵抗として用いることができる。 - 特許庁

A mask signal generating part 24 generates a mask signal Sm in response to count values C5, C6, a mode assigned value M set in resistors 40a, 40b, 44, and a pulse signal So comprising composition of the original signal Sg and the chattering signal Sc is generated in a signal composing part 28 according to the mask signal Sm.例文帳に追加

マスク信号生成部２４は、レジスタ４０ａ，４０ｂ，４４に設定されるカウント値Ｃ５，Ｃ６，モード指定値Ｍに応じてマスク信号Ｓｍを生成し、マスク信号Ｓｍに従って、元信号Ｓｇとチャタリング信号Ｓｃを合成してなるパルス信号Ｓｏを信号合成部２８にて生成する。 - 特許庁

The monitoring system is configured so as to provide on any one of a valve rod 10, a valve yoke 9, a torque spring 28 and a shaft of the valve apparatus a semiconductor substrate 2 which includes a bridge circuit composed of a plurality of impurity diffused resistors and to determine thrust force and torque from measurement values of the bridge circuit and to be available for monitoring the valve apparatus.例文帳に追加

複数の不純物拡散抵抗で構成されるブリッジ回路を有する半導体基板２を、弁装置の弁棒１０，バルブヨーク９，トルクスプリング２８、軸のうちの何れかに設け、該ブリッジ回路の計測値からスラスト力とトルクを求め、弁装置の監視に供する。 - 特許庁

Thereby, an electric route bypassing the fuse 62 is formed by short-circuiting the positive electrode side of the block 4 and the negative electrode side of the block 5 by using lines L5, L6 serving as electric routes in the detection unit 20, input switches S5, S6, and resistors R5, R6.例文帳に追加

これにより、検出ユニット２０内の電気経路としてのラインＬ５、Ｌ６、入力スイッチＳ５、Ｓ６及び抵抗体Ｒ５、Ｒ６を利用してブロックＶ４の正極側とブロックＶ５の負極側とを短絡させることで、ヒューズ６２を迂回する電気経路を形成する。 - 特許庁

The signal lines 8A, 8B to indicate positive polarity and negative polarity are provided separately, both of which are active at "H" and non-active at "L", and pull-down resistors 51, 52, 61, 62 are connected to input ports of the voltage gererating parts 5, 6 of each signal line 8A, 8B.例文帳に追加

正極性、負極性を指示する信号線８Ａ、８Ｂを独立に設け、共に「Ｈ」でアクティブ、「Ｌ」で非アクティブとし、各信号線８Ａ、８Ｂの電圧発生部５、６の入力端にはプルダウン抵抗５１、５２、６１、６２を接続する。 - 特許庁

A position detection portion (40) of a motor drive unit detects zerocross of fundamental harmonic components of the induced voltage to perform a rotor position detection by a differential amplifying signal for a false neutral point voltage Vn from a pseudo-neutral point generating portion (90) comporising resistors (91 to 93) and a neutral point voltage Vc of the motor (10).例文帳に追加

モータ駆動装置の位置検出部（４０）は、抵抗（９１〜９３）で構成された擬似中性点生成部（９０）からの擬似中性点電圧Ｖｎとモータ（１０）の中性点電圧Ｖｃの差動増幅信号により誘起電圧の基本波成分のゼロクロスを検出してロータ位置検出を行う。 - 特許庁

Then, respective liquid crystal segments of a liquid crystal display are driven by the combination of common port outputs, which are to be obtained by dividing the voltages of rectangular waves each of whose phases differs by π/4 (90°) with a set of the voltage-dividing resistors and output port outputs of the controller.例文帳に追加

液晶表示器の各液晶セグメントは、π／４（９０°）づつ位相の異なる矩形波を一組の分圧抵抗によって分圧することにより得られる共通ポート出力と出力ポート出力との組合せによって駆動される。 - 特許庁

In addition, since charging is performed via the resistor R2a when the gate of the MOS transistor Q1 is set to a high, and discharging is performed via the resistors R2a and R1a when the gate is set to a low, the turn-on time Ton becomes longer than the turn-off time Toff.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートをハイに設定する場合は抵抗Ｒ２ａを介して充電し、ロウに設定する場合は抵抗Ｒ２ａ，Ｒ１ａを介して放電するため、ターンオフ時間Ｔｏｆｆよりターンオン時間Ｔｏｎが長くなる。 - 特許庁

Each value of resistances of the resistors is determined so that the NMOS transistor is allowed to be conductive at the time of a high level of an input signal, while the same is allowed to be nonconductive at the time of a low level thereof and vice versa with respect to the conduction and input signal level of each transistor.例文帳に追加

入力信号が高レベルである場合にはＮＭＯＳトランジスタは導通、ＰＭＯＳトランジスタは非導通、入力信号が低レベルである場合にはＮＭＯＳトランジスタは非導通、ＰＭＯＳトランジスタは導通となるように各抵抗の値を決定する。 - 特許庁

A resistor R1, an N channel MOS transistor Tr2, and a P channel MOS transistor Tr3 are connected with the output signal line 11 of a semiconductor integrated device (device) IC1 incorporating an output circuit comprising an N channel MOS transistor Tr1 and constitute a pull-up circuit together with resistors R2, R3 and R4.例文帳に追加

ＮチャネルＭＯＳトランジスタTr1からなる出力回路を内蔵する半導体集積装置（デバイス）IC1の出力信号線１１に抵抗R1、ＮチャネルＭＯＳトランジスタTr2、ＰチャネルＭＯＳトランジスタTr3を接続し、抵抗R2,R3,R4とともにプルアップ回路を構成する。 - 特許庁

The switching regulator further has: a battery 11; a switching transistor 12; a coil 13; a capacitor 14; a load 15; resistors 16, 17; a diode 18; a reference voltage circuit 19; a soft starting circuit 20; an error amplifier 21; a PWM control circuit 22; and a buffer 23.例文帳に追加

また、スイッチングレギュレータは、電池１１、スイッチトランジスタ１２、コイル１３、容量１４、負荷１５、抵抗１６〜１７、ダイオード１８、基準電圧回路１９、ソフトスタート回路２０、エラーアンプ２１、ＰＷＭ制御回路２２及びバッファ２３を有する。 - 特許庁

A plurality of resistors Rg(ext) and Rg(int) are arranged, in series between a transistor TR1 at the final stage of a gate drive circuit and an IGBT, and between them, a capacitor C(ext) is arranged so as to make them juxtaposed in connection between the gate and the emitter of the IGBT.例文帳に追加

ゲート駆動回路の最終段のトランジスタＴＲ１とＩＧＢＴの間に、直列に複数の抵抗Ｒｇ（ｅｘｔ）、Ｒｇ（ｉｎｔ）を配置し、その間にキャパシタンスＣ（ｅｘｔ）をＩＧＢＴのゲート−エミッタ間に並列接続となるように設置する。 - 特許庁

In testing, when a test switch 17 in a test circuit 19 is turned on, a voltage of a voltage line 3 is directly applied to voltage-dividing resistors 9, 10, 11 in a voltage-dividing circuit 8, the voltage across the voltage-dividing resistor 11 is raised, and the detection circuit 12 delivers an output.例文帳に追加

また、テスト時は、テスト回路１９のテストスイッチ１７をオンすると、電圧線３の電圧が直接、分圧回路８の分圧抵抗９、１０、１１に印加されて、分圧抵抗１１の両端電圧が上昇し検出回路１２が出力する。 - 特許庁

The capacitance values of capacitors CE1 to CE3 constituting respective capacitor-resistor pairs of the capacitor-resistor pair 10C are set to individually different values, and resistance values of series resistors REE1 to REE3 are set in the same order as the level relation of the capacitance values of the capacitors CE1 to CE3.例文帳に追加

キャパシタ・抵抗対１０Ｃそれぞれを構成するキャパシタＣＥ１〜ＣＥ３の容量値を異なる値に設定し、直列抵抗ＲＥＥ１〜ＲＥＥ３の抵抗値を、キャパシタＣＥ１〜ＣＥ３の容量値の大小関係と同一順序に設定する。 - 特許庁

A pump LD power supply circuit 32 is connected to a DC power supply 52 in parallel to each other and has a plurality of driving transistors 54(1), 54(2), 54(3) and a plurality of output resistors 56(1), 56(2), 56(3), connected to a pump LD 36(38) in series.例文帳に追加

このポンプＬＤ電源回路３２は、直流電源５２に対して、互いに並列に接続され、ポンプＬＤ３６（３８）とは直列に接続される複数の駆動トランジスタ５４(1)，５４(2)，５４(3)および複数の出力抵抗５６(1)，５６(2)，５６(3)を有している。 - 特許庁

Since the impedance (resistance values of resistors R4, R5) viewing a video signal reception section 12 from each of transmission lines Ls is higher than the characteristic impedance of each transmission line Ls at a transmission frequency band of the video signal, the video signal can efficiently be transmitted.例文帳に追加

各々の伝送線路Ｌｓから映像信号受信部１２をみたインピーダンス（抵抗Ｒ４，Ｒ５の抵抗値）が映像信号の伝送周波数帯域において伝送線路Ｌｓの特性インピーダンスよりも高くなっているために映像信号が効率よく伝送できる。 - 特許庁

To provide an airflow measuring device capable of assuring detection accuracy of the inhalation amount of air flowing through an intake pathway 2 by inhibiting pollution degradation or breakage of heat resistors (flow metering element), thermostatic resistive elements (temperature-compensating resistive element) and the like of a sensing section 4 of the airflow measuring device.例文帳に追加

空気流量測定装置のセンシング部４の発熱抵抗体（流量測定素子）および感温抵抗体（温度補償抵抗体）等の汚損劣化または破損を防止することで、吸気通路２を流れる吸入空気量の検出精度を確保することを課題とする。 - 特許庁