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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Sputtering Systemの意味・解説 > Sputtering Systemに関連した英語例文

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Sputtering Systemの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 442



例文

The inside of a vacuum vessel 12 of the sputtering system 10 is partitioned into a space 24 inside a differential pressure shield 26 and a space 40 other than that.例文帳に追加

本発明に係るスパッタリング装置10の真空槽12内は、差圧シールド26内の空間24と、それ以外の空間40とに、隔離されている。 - 特許庁

In the sputtering system, places for setting a collimator are provided to a sputter chamber and a transfer chamber, respectively, to make movement of the collimator between the chambers possible.例文帳に追加

スパッタリング装置において、スパッタチャンバーと搬送チャンバーにおのおのコリメーターを設置する場所を備えてチャンバー間でコリメーターを移動可能とする。 - 特許庁

According to the magnetron sputtering system in this invention, since a magnetic field forming part 30 is composed of one magnet, the cost of the material can be reduced.例文帳に追加

本発明に係るマグネトロンスパッタリング装置によれば、磁界形成部30が1つの磁石によって構成されるため、材料コストの削減を図ることができる。 - 特許庁

To provide a film deposition method where a thin film can be deposited without using a sputtering system even in the case of a gaseous starting material having weak surface adsorption power.例文帳に追加

表面吸着力の弱い原料ガスであっても、スパッタ装置を用いることなく薄膜を堆積させることができる成膜方法を提供する。 - 特許庁

例文

ROLL-UP TYPE SPUTTERING SYSTEM OF FILM SUBSTRATE FOR DISK TYPE STORAGE MEDIUM, AND PRODUCTION METHOD OF FILM SUBSTRATE FOR DISK TYPE STORAGE MEDIUM USING THE SAME例文帳に追加

ディスク型記憶媒体用フィルム基板の巻取り式スパッタリング装置及びこの装置を用いたディスク型記憶媒体用フィルム基板の製造方法 - 特許庁


例文

In the power supply system for introducing electric power for sputtering electric discharge to the respective targets 30, the electric power to be supplied can be independently controlled.例文帳に追加

各ターゲット30にスパッタ放電のための電力を導入する電力供給系は、供給する電力を各々独立して制御するものである。 - 特許庁

To provide a power supply and a system for sputtering for forming a highly reliable film with high efficiency by suppressing abnormal discharge such as arc discharge, and preventing debris.例文帳に追加

アーク放電等異常放電を抑えてデブリを防ぎ、効率的で信頼性の高い膜を形成するためのスパッタリング用電源及びシステムを提供する。 - 特許庁

To provide an ECR(electron coupling resonance) film deposition system capable of forming a protective film by means of ECR sputtering and ECR plasma enhanced CVD selectively or simultaneously.例文帳に追加

ECRスパッタ法およびECRプラズマCVD法を選択的にまたは同時に用いて保護膜の成膜ができるECR成膜装置の提供。 - 特許庁

To provide a fluorescent lamp, capable of restraining the electrode consumption due to the sputtering as much as possible while utilizing the hollow cathode effect, and to provide a lighting system using this fluorescent lamp.例文帳に追加

ホローカソード効果を利用しつつスパッタリングによる電極消耗を極力抑制した蛍光ランプおよび照明装置を提供すること。 - 特許庁

例文

In the multicathode structure of the sputtering system, a backing 12 provided with a target 9 includes a plurality of partition plates 14 fitted via an insulation plate 19.例文帳に追加

スパッタリング装置のマルチカソード構造は、ターゲット9を備えた裏板12が絶縁板19を介して取り付けられた複数の隔壁板14を有する。 - 特許庁

例文

To prevent destabilization of an ion source due to the sputtering of a diaphragm base or reattachment in the diaphragm for an ion beam optical system, with its surface coated with liquid metal.例文帳に追加

表面に液体金属を塗布したイオンビーム光学系用絞りにおいて、絞りベースのスパッタ,再付着によるイオン源の不安定化を防止する。 - 特許庁

To provide a structure of a target which is capable of achieving the uniformity of a film thickness distribution in the progressing direction of a rotating substrate with a carousel-type sputtering system.例文帳に追加

カルーセル型スパッタ装置において、回転する基板の進行方向に対する膜厚分布の均一化を達成できるターゲットの構造を提供する。 - 特許庁

To provide a target for magnetron sputtering in which the sputtering rate in the corner part can be made equal to that in the straight line part even when the conventional magnetron sputtering system is used, and which can effectively be consumed at least in the truck-shaped elliptical part, and allows to widen an effective range where film is deposited so as to have a uniform film thickness.例文帳に追加

従来のマグネトロンスパッタリング装置を用いても、ターゲットのコーナー部のスパッタリングレートを直線部のスパッタリングレートと同等のものとし、少なくともトラック状の長円形部分においてはターゲットを有効に消耗させることのできる、また、均一な膜厚に成膜される有効範囲を広くすることのできるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供すること。 - 特許庁

To provide a fine and stable target used when a ternary system sulfide phosphor thin film, such as a thioaluminate system or a thiogallate system is formed by a sputtering method, and capable of forming a high intensity phosphor thin film.例文帳に追加

チオアルミネート系やチオガレート系などの三元系硫化物蛍光体薄膜をスパッタリング法により形成する際に用いられ、高輝度の蛍光体薄膜の形成が可能であり、緻密であり、安定性が高いターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a double shutter control method for a multitarget sputtering deposition system capable of preventing the occurrence of crosscontamination between targets due to target substances etc., sticking to shutter plates with a multitarget sputtering deposition system which is equipped with a plurality of the targets within a chamber and is constituted to perform the selection of the target with double rotary shutter mechanisms.例文帳に追加

チャンバ内に複数のターゲットを備えかつ二重回転シャッタ機構でターゲットの選択を行うようにした多元スパッタ成膜装置で、シャッタ板に付着するターゲット物質等に起因してターゲット間にクロスコンタミネーションが生じることを防止できる多元スパッタ成膜装置の二重シャッタ制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target, for depositing a film having different compositions in the inner circumferential side and the outer circumferential side on a disk substrate, which can use a sputtering system same as the one used for the conventional disk shaped target having a uniform composition on the whole, and whose production is facilitated.例文帳に追加

ディスク基板上に、内周側と外周側とで組成の異なる膜を形成するために、従来の全体が均一組成の円盤状ターゲットに用いられるものと同じスパッタ装置が使用でき、かつ作成が容易であるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A plurality of substrate holders 1 in the sputtering system are respectively provided with an optical sensor 28 for detecting the substrate and an optical fiber 31, the existence/non-existence of the disk substrate 10 on each substrate holder 1 is detected, and when the disk substrate 10 exists, a film depositing operation by sputtering is performed.例文帳に追加

スパッタ装置における複数の基板ホルダ1にそれぞれ基板検知用光センサ28及び光ファイバ31を設けて、各基板ホルダ1上のディスク基板10の有無を検知し、ディスク基板10が存在するときスパッタ成膜動作を行う。 - 特許庁

To provide a process and a system for a magnetron sputtering by which a highly efficient film deposition can be realized at low temperature near to ordinary temperature by preventing the temperature of a base material from rising.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリングにおいて、基材の温度上昇を防止して常温に近い低い温度で高能率の薄膜形成を可能にする方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system where the confinement of plasma at the surface of a target is improved, plasma near a substrate is reduced, and low temperature film deposition is possible with low damage.例文帳に追加

ターゲット表面でのプラズマの閉じ込めを向上し、基板の近くでのプラズマを減少して、低ダメージで低温成膜が可能なスパッタ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering system where a device having high reliability can be produced by depositing a thin film of high quality on the surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面に高品質の薄膜を形成することにより、信頼性の高いデバイスを製造することができるECRスパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

In the film deposition system A, a crucible 3 is arranged at the lower part of a cylindrical object 2 for film deposition, and an arc evaporation source 4 and a sputtering target 5 are arranged at the upper part.例文帳に追加

本発明の成膜装置Aは、円筒形の成膜対象物2の下方にルツボ3が配置され、上方にアーク蒸発源4とスパッタリングターゲット5が配置されている。 - 特許庁

To provide an ion beam sputtering system capable of forming a laminated structure improved in the uniformity of the physical characteristics and thickness of each layer on a wafer substrate.例文帳に追加

ウェーハ基板上に、各層の物理的特性および厚さの均一性の向上した積層構造を形成することを可能にするイオン・ビーム・スパッタ・システムを提供する。 - 特許庁

To provide a technique where splashes generated upon film deposition using an Al-Ni-La system Al-based alloy sputtering target comprising Ni and La can be reduced.例文帳に追加

Ni及びLaを含むAl−Ni−La系Al基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。 - 特許庁

To provide a coaxial type sputtering deposition system which prevents the damage of a substrate by the impurities sticking to the surface of a target and enables deposition with good quality.例文帳に追加

ターゲットの表面に付着した不純物による基板の損傷を防ぎ、良好な品質の成膜が可能な同軸型スパッタ成膜装置を提供すること。 - 特許庁

The chamber 10 is used for a sputtering system, and a target 3 is attached to the member 5a and a wafer 4 to a table 6 near the member 5b.例文帳に追加

チャンバー10はスパッタ装置に用いられており、絶縁部材5aにターゲット3が取り付けられ、絶縁部材5bの近傍のテーブル6上にウエハ4が取り付けられる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical disk having excellent performance by suppressing the adverse influence of masks in the case of depositing a plurality of film layers by a sputtering system.例文帳に追加

スパッタリングによって複数層の膜を順次形成する場合におけるマスクの悪影響を抑制して優れた性能の光ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system by which the temperature of a chimney in the process of operation is fixed to set degassing quantity, and film deposition free from the variation in film thickness is possible and to provide a film deposition method.例文帳に追加

稼働中のチムニーの温度を一定にしてデガス量を一定とし、膜厚の変動のない成膜が可能なスパッタリング装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide sputtering system and method which can form a thin film with good coverage even in a through-hole having a high aspect ratio without reducing the deposition rate.例文帳に追加

高アスペクト比の貫通穴であっても、貫通穴内部に薄膜をカバレッジ良く形成することができ、かつ成膜レートを低下させないスパッタリング装置及び方法を提供する。 - 特許庁

In a vacuum film coating system, a magnetron sputtering device is provided with a cylindrical cathode 1 which is mounted rotatably around the axial longitudinal shaft, and a magnetic system arranged inside the cylindrical cathode 1.例文帳に追加

真空成膜システムにおいて、長手方向軸線を中心として回転可能に取り付けられた円筒陰極1が設けられるとともに、円筒陰極1の内側に配置された磁気システムが更に設けられる。 - 特許庁

The sputtering system 100 includes the sputtering chamber 30, a plasma gun 40 capable of forming plasma by discharging between a cathode unit 41 and an anode A, and magnetic field generating means 24A and 24B, capable of deforming plasma 22 discharged from the plasma gun 40 to a sheet by action of magnetic field.例文帳に追加

スパッタリング装置100は、スパッタリングチャンバ30と、カソードユニット41およびアノードA間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン40と、プラズマガン40から放出されたプラズマ22を磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段24A、24Bと、を備える。 - 特許庁

In a magnetron sputtering system, the transition sputtering is performed by supplying an inert gas and a reactive gas in respective desired flow rates into a vacuum chamber while adjusting the variation with time of discharge electric power or discharge admittance to be within ±10% and controlling the voltage of a sputter electric source.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置において、真空チャンバー内に不活性ガスと反応性ガスをそれぞれ所望の流量で供給し、放電電力、または放電アドミッタンスの時間変動を±10%以内で行い、且つ該スパッタ電源の電圧を制御して遷移スパッタを行う。 - 特許庁

Because a film can be deposited on the surface of the substrate by means of sputtering using glow discharge by impressing voltage while alternately reversing the polarities of the respective targets 2A and 2B, the execution of sputtering together with charge neutralization can be carried out using a small-sized, space-saving system of inline type, belljar type, etc.例文帳に追加

ターゲット2A、2Bの極性を交互に反転させ、電圧を印加させる方法で、グロー放電によるスパッタリングにより基体表面に被膜を形成させることにより除電を行いながらのスパッタリングが小型のスペースのないインライン型やベルジャー型装置などを用いることもできる。 - 特許庁

To provide a shutter for a sputtering system arranged at a position between a target and the object to be film-deposited for cutting off target particles produced by sputtering and free from the generation of deformation even in the case a film composed of target particles is deposited to a thickness of a certain degree.例文帳に追加

スパッタリングにより生じたターゲット粒子を遮断するためにターゲットと成膜対象物との間の位置に配されるスパッタリング装置用シャッタであって、ターゲット粒子からなる膜が或る程度の厚さに付着したとしても変形を起こしにくいものを提供する。 - 特許庁

To prevent the cooling capability of a target 1 from being more lowered due to that a backing plate 2 to support/cool the target is expanded and warped to form a gap at its center part caused by the temperature rising together with the target 1 by temporarily exceeding its cooling capability by the sputtering of large electric power supply in a sputtering source of a magnetron type sputtering system.例文帳に追加

本発明は、マグネトロン型スパッタリング装置のスパッタ源において、ターゲット1及びこれを支えかつ冷却する目的のバッキングプレート2が、大電力供給によるスパッタリングで一時的にバッキングプレートの冷却能力を超えて、ターゲットと共に温度上昇して膨張し、中央部分が反りかえって間隙6を作り、ターゲットの冷却能力が更に低下するのを防ぐことを目的とする。 - 特許庁

To provide a sputtering system and a thin film deposition method by which an insulator thin film excellent in the uniformity of film thickness can be deposited over a wide range of a large substrate.例文帳に追加

本発明の目的は、大型基板の広範囲にわたって膜厚均一性に優れた絶縁物薄膜を形成可能なスパッタリング装置および薄膜形成方法を提供することにある。 - 特許庁

To solve the problem that it is liable to cause an abnormal discharge since a magnet assembly is continuously moved during film deposition to swing plasm in front of a target in the conventional magnetron sputtering system.例文帳に追加

従来のマグネトロンスパッタリング装置では、成膜する間、磁石組立体を連続して移動させていたので、ターゲット前方のプラズマが揺らぎ、異常放電が発生し易くなる。 - 特許庁

To provide a plasma processing system and a plasma processing method by which contamination to an object to be processed can be suppressed and sputtering and etching of the inside wall of a plasma processing chamber be also effectively prevented.例文帳に追加

被処理体に対するコンタミネーションを抑制しつつ、プラズマ処理室内壁のスパッタリングおよびエッチングをも効果的に防止したプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma-assisted sputter deposition system which provides the fixed sputtering rate of a target with the lapse of time, and also can make process conditions which are not varied.例文帳に追加

時間の経過に伴なってターゲット部材の一定のスパッタ速度を提供し、かつ変動しないプロセス条件を作ることのできるプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system capable of directly measuring changes in the amount of target erosion with high precision when necessary after one stage of substrate processing while maintaining the vacuum of a vacuum vessel.例文帳に追加

真空容器の真空を維持したまま、基板処理の区切りで必要に応じてターゲットの侵食量の変化を、直接的に、精度よく計測可能なスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To effectively cool a rotary shaft and a magnet, and at the same time, to prevent any thermal expansion and breakage attributable to non-uniform cooling of a target in a cooling system of a rotatable target for sputtering.例文帳に追加

スパッタリング用の回転ターゲットの冷却システムにおいて、回転軸、マグネットの冷却を効果的に行い、また同時にターゲットの不均一冷却に起因する熱膨張破損を防止する。 - 特許庁

A wafer W on which a lower conductor film of a metal oxide is formed is sputtered in the sputtering system 1 to form a ferroelectric film on the lower conductor film.例文帳に追加

そして,金属酸化物からなる下部導電体膜の形成されたウェハWが,前記装置1においてスパッタ処理され,下部導電体膜上に強誘電体膜が形成される。 - 特許庁

A DC magnetron sputtering system 22 for depositing an intermediate layer on an Si film on a substrate S is provided with a gaseous oxygen supplying section 27 for supplying gaseous oxygen into a chamber 10.例文帳に追加

基板S上にSi膜の中間層を成膜するDCマグネトロンスパッタ装置22には、チャンバ10内に酸素ガスを供給する酸素ガス供給部27が設けられている。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system for depositing a thin film on a base material of an optical storage medium which is capable of preventing electrons escaping from plasma from being incident on the base material.例文帳に追加

光記憶媒体の母材に薄膜をつけるマグネトロンスパッタ装置において、プラズマから逃げ出した電子が母材に入射することを防止可能なスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing sputter film, the optical thin film is deposited while setting the temperature of the cooling water for a cathode for target in the sputtering system to the predetermined value between 30 and 80°C.例文帳に追加

スパッタリング装置のターゲット用カソード冷却水の温度を30℃〜80℃の間で一定に設定して光学薄膜を成膜することを特徴とするスパッタリング膜の製造方法。 - 特許庁

At least one portion of the wiring films is formed by the printing method, coating method, and transfer method that differ from those of vacuum system thin-film formation such as the CVD method and sputtering.例文帳に追加

少なくとも一部の配線膜は、CVD方式やスパッタリングなどの真空系薄膜形成とは異なる、印刷法、コート法、転写法またはメッキ法により形成されている。 - 特許庁

The deposition system for forming the thin films of the materials of targets 30 and 35 on a substrate 50 by sputtering the targets 30 and 35 has an etching source 60 for etching the thin films.例文帳に追加

ターゲット30、35をスパッタリングして、基板50に前記ターゲット30、35の材料の薄膜を形成する成膜装置において、薄膜をエッチングするエッチング源60を有する。 - 特許庁

As for the method of forming a deposited film using a vacuum treatment system in a sputtering method provided with a load lock chamber, a substrate is loaded from the load lock chamber to a vacuum vessel while glow discharge is held.例文帳に追加

ロードロック室を備えるスパッタリング法に真空処理装置を用いた堆積膜の形成方法において、グロー放電を維持したまま基体をロードロック室から真空容器へロードする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magneto-optical recording medium capable of manufacturing the magneto-optical recording medium of high recording density using magnetic super high resolution technology with high mass productivity, and further provide a sputtering system.例文帳に追加

磁気的超解像技術を用いる高記録密度の光磁気記録媒体を量産性よく製造できる光磁気記録媒体の製造方法とスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

The sputtering system 1 further comprises a cover 9 which is provided on a face of at least one of the covers 4 and 5 on the O-ring 8 side via an insulating material, and consists of a conductive material.例文帳に追加

さらに、スパッタ装置1は、カバー4と5の少なくとも一方の、Oリング8側の面上に絶縁性材料を介して設けられ、導電性材料からなるカバー9とを有する。 - 特許庁

例文

To provide a technology that can reduce splashes produced when an Al-Ni-La-Si system Al-based alloy sputtering target containing Ni, La and Si is used to deposit a film.例文帳に追加

Ni、La、およびSiを含むAl−Ni−La−Si系Al合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。 - 特許庁




  
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