「Sputtering System」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma sputtering system by which a thin film of required components is deposited on a surface, and a high capacity material is produced by utilizing an electoron beam exciting plasma system and utilizing a solid target in place of gas as for a part of components.例文帳に追加

電子ビーム励起プラズマ装置を利用し、一部の成分についてガスの代わりに固体ターゲットを利用することにより必要な成分の薄膜を表面に堆積させて高性能材料を製造するプラズマスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an arc welding device and an arc welding system capable of preventing welding from being unstable to suppress generation of sputtering by promptly opening a short circuit in response to a welded state.例文帳に追加

溶接状態に応じて速やかに短絡を開放することで、溶接が不安定になることを防止しスパッタの発生を抑制することができるアーク溶接装置およびアーク溶接システムを提供する。 - 特許庁

In a sputtering system, a cathode is supported at a position different from the oscillating shaft of an arm supported by the oscillating shaft, and the cathode is oscillated within a surface parallel to the substrate during film deposition.例文帳に追加

スパッタリング装置において、揺動軸に支持されたアームの揺動軸と異なる位置にカソードを支持することとし、成膜時に、基板に対して平行な面内において当該カソード揺動することとした。 - 特許庁

To provide a sputtering system where the service life of a target is judged by measuring the consumption of the target without breaking a vacuum in the inside of a treatment chamber and where various automatic control can be performed.例文帳に追加

処理室内の真空を破ることなくターゲット消耗量を実測して、ターゲット寿命の判定をするとともに、各種の自動制御をすることができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system where the outer circumferential edge part of a target can be uniformly eroded, the utilizing efficiency of the target is high, further, abnormal discharge is hard to be generated, and satisfactory thin film deposition can be performed.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置において、ターゲットの外周縁部を均等に侵食できてターゲットの利用効率が高く、その上、異常放電が発生し難く、良好な薄膜形成ができるようにする。 - 特許庁

The protecting layer which is mainly composed of a zinc oxide, a niobium oxide and a tantalum oxide but not of a zinc-sulfide system and has a zinc-oxide content of 50 to 90 mol% is formed by sputtering without gaseous oxygen addition.例文帳に追加

硫化亜鉛系でない、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化タンタルを主成分とし、酸化亜鉛含有量が５０〜９０モル％である保護層を酸素ガス添加無しのスパッタ法により成膜する。 - 特許庁

A sputtering target is DC-sputtered at water partial pressure of 3×10^-4 to 5×10^-2 Pa in a system so as to form a formation body, and the formation body is crystallized in the film formation method of the oxide semiconductor.例文帳に追加

系内の水分圧３×１０^−４〜５×１０^−２Ｐａで、スパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングして成膜体を成膜し、前記成膜体を結晶化する酸化物半導体の成膜方法。 - 特許庁

To provide a sputtering system in which the change command of power source control is transmitted synchronously with the timing of a process treatment change to eliminate an error by the delay of a serial communication, and which has high precision and high reproducibility.例文帳に追加

プロセス処理変更のタイミングに同期させて電源制御の変更コマンドを送信することで、シリアル通信の遅れによる誤差をなくし、高精度且つ再現性のよいスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system improved in a film thickness distribution by arranging a gas jet tube is arranged around a cathode case housing a cathode, thereby spreading a process gas uniformly near the center of a substrate.例文帳に追加

カソードを収容するカソードケースの周囲にガス噴出管を配置し、プロセスガスを基板中央付近まで均一に行き渡るようにして膜厚分布を改善したスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

The magnetron sputtering system has a substrate holder 3 for holding a substrate 4 where a thin film is to be deposited on the surface and a target 12 disposed to be opposed to the substrate 4 in a vacuum vessel 1.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置は、表面に薄膜が形成される基板４を保持する基板ホルダー３と、基板４に対向配置されたターゲット１２とを真空容器１内に収容している。 - 特許庁

To provide a sputtering system which realizes a thin film deposition of uniform and excellent quality in depositing the thin film corresponding to the substrate of a large area, and can manufacture the thin film while suppressing the cost.例文帳に追加

大面積の基板に対応する薄膜形成においても、均一な優れた品質の薄膜形成を実現し、しかもその経済的コストを抑えて製造することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system by which damage given to a film in the process of film formation is reduced, a thin film uniform in film characteristics and film thickness can be formed at a high speed, and the material of a target can effectively be utilized.例文帳に追加

成膜中に膜に与えるダメージが小さく、膜特性および膜厚が均一な薄膜を高速で形成でき、さらにターゲットの材料を有効利用できるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To inexpensively manufacture a metal oxide semiconductor and control characteristics of the metal oxide semiconductor in a wide range without using a complicated and expensive apparatus such as a sputtering system or an ion implanter.例文帳に追加

スパッタリング装置やイオン注入装置などの複雑かつ高価な装置を用いることなく、金属酸化物半導体を廉価に製造するとともに、金属酸化物半導体の特性を広範囲に制御する。 - 特許庁

An antenna coil is directly formed on a base material of an IC card by using a selective film forming system represented by a jet printing method, vacuum deposition using a metal mask and sputtering.例文帳に追加

ＩＣカード基材の上に、ジェットプリンティング方式や、メタルマスクを用いた真空蒸着またはスパッタリングなどを代表とする、選択成膜方式を用いることにより、アンテナコイルを直接形成する。 - 特許庁

To provide a composite film deposition system which suppresses interference between an arc evaporation source and a magnetron sputtering evaporation source, and allows the respective evaporation sources to sufficiently exhibit each function.例文帳に追加

アーク蒸発源とマグネトロンスパッタ蒸発源との磁界の相互干渉を抑制し、それぞれの蒸発源が具備する機能を十分に発揮させることができる複合成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for adding a new means of increasing degree of vacuum to a film deposition chamber for sputtering, CVD and vapor deposition and to improve the throughput of the system.例文帳に追加

本願発明は、スパッタ成膜、ＣＶＤ成膜，蒸着成膜チャンバーに新たな真空度を高める手段を追加する方法を提供し、装置のスループットを向上させることを課題とする。 - 特許庁

To provide a sputtering system where the change of a target material is uniformized, the uniformization in the distribution of film thickness in a substrate is attained, and film growing components are uniformized so as to obtain stable film quality.例文帳に追加

この発明は、ターゲット材の変化を均一にし、基板内の膜厚分布の均一化を図り、且つ膜成長成分を均一化して、安定した膜質を得ることのできるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

In the system where the thin film is continuously deposited onto a substrate moving in the position facing a cathode arranged in a sputtering chamber by sputtering a target material located on the surface of the cathode, two magnetron magnetic circuits are arranged on the back side of the cathode of equipotential and constituted in such a way that two magnetron plasmas each having a closed loop can be generated.例文帳に追加

スパッタ室内に配置されたカソードに対向した位置を移動する基板に対し、カソード表面に設置されたターゲット材をスパッタすることにより連続的に薄膜を形成する装置において、同電位のカソード背面に２つのマグネトロン磁気回路を配置し、それぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを２つ発生させるように構成される。 - 特許庁

To provide a method and system for depositing a metal oxide, in which deposition is performed with good film characteristics on an organic layer while making effective use of the excellent features of the film structure by ordinary sputtering by reducing the kinetic energy possessed by the sputter particles (thin film-constituting atoms) in sputtering and a method and apparatus for manufacturing an organic EL element.例文帳に追加

スパッタリングにおけるスパッタ粒子（薄膜構成原子）の持つ運動エネルギーを軽減することにより、通常のスパッタリングによる優れた膜構造の特徴を活かしつつ有機層上に特性の良い成膜を可能にする、金属酸化物の成膜方法および成膜装置、有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system which is capable of preventing the corrosion of a permanent magnet surface and the degradation in the strength of adhesion of bonded parts, is strong in the magnetic field near a target, is inexpensive and is stable in quality, and a magnetic circuit for the same.例文帳に追加

永久磁石表面の腐食および接着部の接着強度の低下を防止でき、ターゲット近傍の磁場が強く、安価で、品質が安定した、スパッタリング装置およびその磁気回路を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system which can form a film with a uniform composition, and prevents the state of a plasma from changing with time, thereby not reducing a productivity.例文帳に追加

組成の均一な成膜ができるスパッタリング装置を提供することを目的とするものであり、さらに経時的にプラズマの状態が変化することを防ぐことで、生産性が低下しないスパッタリング装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a sputter deposition system having shields which catch inclined sputtering targets and particles having the possibility of being fallen from the targets on the way and prevent the deposition of the particles on a workpiece and to provide a method therefor.例文帳に追加

傾斜したスパッタリングターゲットとターゲットから落下する可能性のある粒子を途中捕捉して該粒子がワークピースに堆積しないようにするシールドとを有するスパッタ堆積装置および方法を提供する。 - 特許庁

And the film is formed by a thermal decomposition system of organic metal or sputtering to prevent the elution of the glass component and compressive stress is introduced to the surface of the glass to enhance the strength of the glass substrate.例文帳に追加

また、これらの膜を有機金属の熱分解方式あるいはスパッタリングで作製してガラス成分の溶出防止をすると同時に、ガラス表面に圧縮応力を導入してガラス基板の強度も向上させる。 - 特許庁

In the ion sputtering system provided with a freely rotatable sample stand to be mounted with a sample, a tilting support stand of tilting the sample stand in accordance with the rotary movement of the sample stand is provided.例文帳に追加

本発明は、試料を載置する回転自在なる試料台が備わるイオンスパッタ装置において、前記試料台の回転移動に伴い試料台を傾斜させる傾斜支持台を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

To extend the possibility of material selection for a target material and a backing tube supporting it in a cylindrical target to be used for a magnetron sputtering system, to simplify its manufacture and to attain its recycling.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置に適用される円筒状ターゲットにおいて、ターゲット材料と、これを支持するバッキングチューブの材料選択の可能性を広げるとともに、製造の簡易化と再利用化を可能にする。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system in which a vapor deposition rate is high, a multi-element thin film is deposited at a high speed, the composition control of the film is flexible, a denser multi-element thin film is easily covered at a high speed, and, moreover, maintenance is easy.例文帳に追加

蒸着速度が早く、多元素薄膜を高速で成膜し、膜の組成制御がフレキシブルで、より緻密な多元素薄膜を高速で容易に被覆し、さらにはメンテナンスの容易なマグネトロンスパツタ装置を提供。 - 特許庁

In this case, from the viewpoint of effectively and efficiently performing the presputtering, as a standard time, the time obtained from the preliminary investigation of the relation between the continuous unusing time of the sputtering system and the occurrence of failures in a thin film is preferably used.例文帳に追加

ここで効果的・効率的にプリスパッタを行う観点から、基準時間として、スパッタリング装置の連続不使用時間と薄膜の不具合発生との関係の予備調査から求めた時間を用いるのが好ましい。 - 特許庁

In a sputtering system of a structure wherein a magnetron unit 31 is arranged on the opposite side to a target 16, the unit 31 has first magnet parts 43 and 49 and second magnet parts 43 and 47 arranged on the outsides of the magnet parts 43 and 49.例文帳に追加

マグネトロンユニット(31)をターゲット(16)とは反対の側に配置したスパッタリング装置において、マグネトロンユニット(31)は、第１のマグネット部(43,49a)と、第１のマグネット部(43,49a)の外側に配置されて第２のマグネット部(43,47a)とを有する。 - 特許庁

The apparatus for depositing the NaTaO_3 film is of a vacuum sputtering system equipped with a substrate 1a, a substrate heating means 5 and a target 2a composed of Ta or Ta oxide, in which the substrate contains Na.例文帳に追加

本発明のＮａＴａＯ_３膜作製装置は、基材１ａと、基材加熱手段５と、ＴａまたはＴａ酸化物から成るターゲット２ａとを備えた真空スパッタリング方式のもので、基材がＮａを含んだものである。 - 特許庁

To provide a thin film deposition method by catalyst sputtering for deposit high-quality thin films on a substrate and a thin film deposition system as well as a method for manufacturing semiconductor devices.例文帳に追加

本発明の目的は、基板上に高品質な薄膜を形成するための触媒スパッタリングによる薄膜形成方法及び薄膜形成装置並びに半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Also, in the apparatus for depositing the NaTaO_3 film of the vacuum sputtering system equipped with the substrate, the substrate heating means and a plurality of targets varying in composition, Na is contained in at least one of the targets.例文帳に追加

また、基材と、基材加熱手段と、組成の異なる複数のターゲットとを備えた真空スパッタリング方式のＮａＴａＯ_３膜作製装置において、ターゲットの少なくとも１つに、Ｎａが含まれているものである。 - 特許庁

To provide a sputtering system where, by using sputtered neutral atoms at respective tilted multicathodes, the satisfactory coverage of a side wall and a bottom part can be formed in a patterned hole or groove on the surface of a wafer.例文帳に追加

傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system capable of efficiently forming films having a uniform film thickness distribution without the need for preparing a fresh collimator every time the erosion form of a target changes, and to provide a film forming method.例文帳に追加

ターゲットのエロージョン形態が変わるたびに、新しいコリメータを用意することを必要とせずに、膜厚分布の均一な膜を効率よく形成することが可能なスパッタ装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises: a previous process where a chromium layer is deposited on the basis material in a magnetron sputtering system; and an after process where the temperature of the basis material is held at 100-200°C and a CrN layer is deposited on the above Cr layer in an arc discharge ion plating system.例文帳に追加

本発明は、マグネトロンスパッタ装置において基材上にクロム層を形成する前行程と、アーク式イオンプレーティング装置において基材の温度を１００〜２００℃に保持して前記Ｃｒ層の上にＣｒＮ層を形成する後行程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This system has a vacuum chamber 30 provided with an exhaust system, a target 31 arranged at the inside thereof, an electrode 32 for generating sputter discharge for sputtering the target 31 and a substrate holder 22 allowing the substrate 21 to be treated to confront with the target 31 and parallelly hold the same.例文帳に追加

排気系を備えた真空チャンバー３０と、その内部に配置されたターゲット３１と、ターゲット３１をスパッタするためのスパッタ放電を発生させる電極３２と、被処理基板２１をターゲット３１と対向させ平行に保持する基板ホルダー２２とを具備する構成とする。 - 特許庁

In the carrying/supporting methods, a sputtering system 100 is used wherein the system includes a chamber 104 having a decompression chamber 101, a target holder 102 and an object holder 103, a superconducting magnet 105 provided at the rear side of the target holder 102, and a freezer 108 which cools the superconductive magnet 105 to cryogenic temperatures.例文帳に追加

減圧室１０１とターゲットホルダ１０２と対象物ホルダ１０３とをもつチャンバ１０４と、ターゲットホルダ１０２の裏側に設けられた超電導磁石１０５と、超電導磁石１０５を極低温に冷却する冷凍機１０８とをもつスパッタ装置１００を用いる。 - 特許庁

An amorphous oxychalcogenide system thin film 102 is grown on a substrate 101 comprising a YSZ substrate, a MgO substrate, or the like, by the pulse laser deposition method and the sputtering method, and a single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 is formed by crystallizing the amorphous oxychalcogenide system thin film 102 by the reactive solid-phase epitaxial growth method.例文帳に追加

ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。 - 特許庁

The multitarget system for sputtering comprises a positioning means performing positioning in such a manner that a target 29 in a target table 21 is stopped directly below a target holding part 30, and a plurality of targets 9 are successively fed to the position of the target holding part 30.例文帳に追加

スパッタリング用マルチターゲット装置は、ターゲットテーブル２１のターゲット２９がターゲット保持部３０の真下に停止するよう位置決めする位置決め手段を有し、前記ターゲット保持部３０の位置に複数のターゲット９を順次供給する。 - 特許庁

To form a film having uniform thickness with a high film-forming speed by using a plurality of target divided bodies which are arranged side by side, as a target having a large surface area is difficult to produce, in a magnetron sputtering device of a plural magnet moving system.例文帳に追加

複数磁石移動方式のマグネトロンスパッタリング装置において、大面積のターゲットは作製困難なことから複数のターゲット分割体の並設体とするが、成膜速度を高くしながら、均一膜厚での成膜を可能とする。 - 特許庁

To provide a sputtering method and system with which occurrence of arc discharge on a target can be suppressed over a long period of time, and also, an extremely thin film can be secured at a high film deposition rate with high in-plane uniformity.例文帳に追加

本発明は、ターゲット上でのアーク放電の発生を長期的に抑制でき、かつ、速い成膜速度にて非常に薄い膜を高い面内均一性で確保できるスパッタリング方法及び装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a sputtering system whose structure is simple and also which can deposit a thin film having satisfactory uniformity and satisfactory film quality on a relatively large-sized rectangular substrate, to provide a method for producing a thin film, and to provide a method for producing an electronic element.例文帳に追加

比較的に大型の矩形基板に対して、構造が簡易で、かつ、均一性の良く膜質が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置、薄膜の製造方法及び電子素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a shield system usable with an inductively coupled plasma sputtering reactor, which protects a chamber wall from sputter deposition and is replaced after a fixed number of deposition cycles such that accumulated deposition material does not flake off and form particles.例文帳に追加

チャンバー壁をスパッタ堆積から保護するもので、蓄積した堆積材料が剥げ落ちて粒子を形成しないように固定数の堆積サイクル後に交換される、誘導結合プラズマスパッタリアクタと共に使用可能なシールドシステム提供する。 - 特許庁

By using a pallet conveyance type of film-forming system sputtering film-forming apparatus for mounting a substrate 11 to a pallet 12 for conveying, diverse targets 13, 14 are successively and repeatedly mounted to one cathode 15, thus forming an extremely thin multilayer laminated magnetic film.例文帳に追加

基板11をパレット12に搭載し搬送するパレット搬送型成膜方式のスパッタリング成膜装置を用いて、1カソード15に多種ターゲット13、14を順次繰り返し搭載することで、極薄多層積層磁性膜の成膜を可能とした。 - 特許庁

The ion beam sputtering system performs deposition on a substrate 14 by the particles jumped out of a target 21 by irradiating the target 21 with the ion beam 17, in which the shape of the sputtered surface 21a of the target 21 is formed as a recessed surface shape.例文帳に追加

ターゲット２１にイオンビーム１７を照射し、ターゲット２１から飛び出した粒子によって基板１４上に成膜を行うイオンビームスパッタ装置において、ターゲット２１のスパッタリングされる表面２１ａの形状を凹面形状とする。 - 特許庁

The improved sputtering system has an airtight chamber provided behind a cathode electrode in such a way that the cathode electrode is insulated from the outside air and also has a mechanism for evacuating the airtight chamber to a prescribed degree of vacuum.例文帳に追加

本発明の改良されたスパッタ装置は、カソード電極部を外気から遮断するようカソード電極部の背後に設けられた気密室を備え、及びこの気密室内部を所定の真空度まで減圧する機構を備えている。 - 特許庁