「Sputtering System」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a multicathode structure of a sputtering system capable of forming a thin film in which the distributions of film thickness and specific resistance in a substrate causing a problem by the enlargement of a target size accompanying the enlargement of a substrate size are satisfactory.例文帳に追加

基板サイズの大型化に伴うターゲットサイズの大型化により問題となる膜厚と比抵抗の基板内分布で該特性の良好な薄膜を形成することを可能とするスパッタリング装置のマルチカソード構造を提供する。 - 特許庁

In sputtering a silicon target by using, as a reactive gas, a gas containing oxygen and nitrogen in a vacuum system in which reduced pressure atmosphere can be regulated, the amounts of oxygen and nitrogen to be introduced into the vacuum system during deposition are altered to deposit a single-layer film having refractive index distribution due to changes in composition in a thickness direction.例文帳に追加

減圧した雰囲気が調整できる真空装置内でシリコンターゲットを反応性ガスとしての酸素と窒素を含むガスでスパッタリングするに際し、被覆中に真空装置内に導入する酸素と窒素の量を変更し、厚み方向に組成変化により生じる屈折率分布を有する単層膜を被膜する。 - 特許庁

In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。 - 特許庁

To provide a means for efficiently implementing the maintenance method of a vacuum film deposition apparatus, in particular, the method of a system vent when executing maintenance of an in-line type sputtering apparatus under a necessary and sufficient condition, and to provide an optimal vacuum film deposition apparatus.例文帳に追加

真空成膜装置のメンテナンス方法、とりわけ、インライン式スパッタ装置をメンテナンスする場合のシステムベントの方法を必要かつ充分な条件で効率的に行うための手段を提供し、最適な真空成膜装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetic thin film capable of performing a regulation at a low temperature rather than a Pt-Fe duality system alloy film, even if any special treatment isn't carried out in physical vapor growth methods for forming general film such as a sputtering method and a deposition method or the like.例文帳に追加

一般的な成膜方法であるスパッタリング法や蒸着法等の物理的気相成長法において、特殊な処理をしなくても、Ｐｔ−Ｆｅ二元系合金膜よりも低温で規則化することができる磁性薄膜を提供すること。 - 特許庁

The ECR sputtering system 100 is provided with: a plasma generation chamber 10 generating ECR plasma on a magnetic field space; and a treatment chamber 20 storing a target 21 sputtered by ions in the ECR plasma and a substrate holder 22 holding a substrate S.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタリング装置１００は、磁場空間にＥＣＲプラズマを生成させるプラズマ生成室１０と、ＥＣＲプラズマ中のイオンによりスパッタされるターゲット２１と基板Ｓを保持する基板ホルダー２２とを収納する処理室２０とを備える。 - 特許庁

The objective sputtering apparatus 101 has a mask 103 which is held by a shaft 102 so as to be rotatable through a rotational drive system (not shown), in a space between a target 3 and a substrate 5 to be treated, and which is used for forming a film on a dummy substrate 5b.例文帳に追加

本発明のスパッタ装置１０１は、ターゲット３と処理基板５との間の空間に、回転駆動系（図示せず）によって回転可能に軸１０２に保持されたマスク１０３を配設しており、ダミー基板５ｂに成膜するときに用いる。 - 特許庁

The magnetron sputtering system 1 comprises: a cathode electrode 11 having a holding face 11a to which a target is held; and a magnetic field forming part 80 forming a magnetic field on the target, and further rotating at a rotary axis Z81 orthogonal to the holding face 11a.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置１は、ターゲットが保持される保持面１１ａを有するカソード電極１１と、ターゲット上に磁界を形成すると共に保持面１１ａに直交する回転軸Ｚ８１で回転する磁界形成部８０とを備える。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of omitting separate provision of a chamber exclusive for the pretreatment etching, and also omitting any driving system exclusive for opening/closing a shutter to protect a target or the like from any deposit caused by the pretreatment etching, and its cleaning method.例文帳に追加

前処理エッチング専用のチャンバーを別に設けることを不要し、さらには、前処理エッチングによる付着物からターゲット等を保護するシャッターの開閉専用の駆動系をも不要とするスパッタリング装置及びそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system by which uniform film thickness distribution from the innermost peripheral part toward the outermost peripheral part of a film-deposition object can be attained, to provide a manufacturing method of an optical recording medium using the same and to provide the optical recording medium.例文帳に追加

成膜対象物の最内周から最外周に向かって均一な膜厚分布を実現することができるスパッタリング装置、及び、それを用いた光記録媒体の製造方法、並びに、光記録媒体を提供すること目的とする。 - 特許庁

Ar gas in a chamber (2) is exhausted not only via the exhaust passage part (10) but also via the exhaust passage part (11) in accordance with the operation of a cryopump (14) driven under the control by a controller (100) when the sputtering system (1) lies in a standby state.例文帳に追加

チャンバ（２）内のＡｒガスは、スパッタ装置（１）がスタンバイ状態にある際、排気経路部（１０）だけでなく、制御装置（１００）の制御下で駆動されるクライオポンプ（１４）の動作に応じて排気経路部（１１）を介しても排出される。 - 特許庁

The ECR (electron cyclotron resonance) sputtering system 100 is provided with: a plasma generation chamber 10 for generating ECR plasma on an irradiation magnetic field space; and a treatment chamber 20 storing a target 21 sputtered by ions in the ECR plasma and a substrate holder 22 for holding a substrate S.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタリング装置１００は、発散磁場空間にＥＣＲプラズマを生成させるプラズマ生成室１０と、ＥＣＲプラズマ中のイオンによりスパッタされるターゲット２１と基板Ｓを保持する基板ホルダー２２とを収納する処理室２０とを備える。 - 特許庁

In a sputtering system having a driving part rotating a magnetron unit 31 around a rotary axis 38 passing through the point on an erosion face 16a as the center, the unit 31 has a magnet part 43 provided on one of regions separated by the face including the rotary axis 38.例文帳に追加

エロージョン面(16a)上の点を通過する回転軸(38)を中心にしてマグネトロンユニット(31)を回転する駆動部を有するスパッタリング装置において、ユニット(31)は、回転軸(38)を含む面によって分離される領域(32a)のいずれか一方に設けられたマグネット部(41,43,47a,49a)を有する。 - 特許庁

A plasma treating system for application to sputtering treatment is composed of two parallel capacity coupling type electrodes 11 and 14 called as upper and lower electrodes and a reaction vessel 10 provided with a multipolar electrode array over the outside region of the upper electrode.例文帳に追加

スパッタ処理応用のためのプラズマ処理装置は、上部および下部の電極と呼ばれる２つの平行な容量結合型電極１１，１４、上部電極の外側領域にわたって多極マグネット配列を備える反応容器１０によって構成される。 - 特許庁

To provide a sputtering film deposition system in which, as for film deposition on a film depositing substrate, the film thickness is correctly controlled in continuous film deposition without stopping the film deposition one or more times in the process of the film deposition, and actual film deposition working is performed so as to obtain an objective film thickness.例文帳に追加

本発明の目的は、成膜途上で成膜基板への成膜を一度或いは復数ともに停止させることなく生産性を落とさずに連続成膜の内に正確に膜厚を管理して、目標とする膜厚に実成膜加工を施すスパッタリング成膜装置を提供することにある。 - 特許庁

The upper layer dielectric film 6 of the layered films composing the information signal layer 7 is successively deposited two times by using a fifth vacuum chamber and a sixth vacuum chamber in a sputtering system, and a first upper layer dielectric film 6a and a second upper layer dielectric film 6b.例文帳に追加

情報信号層７を構成する積層膜の上層誘電体膜６を、２回に分け、スパッタリング装置における第５の真空チャンバと第６の真空チャンバとを用いて、第１の上層誘電体膜６ａと第２の上層誘電体膜６ｂとを用いて順次成膜する。 - 特許庁

The sputtering system concerning to the embodiment has a conversion mechanism where, when a target unit 21 is subjected to attachment/detachment operations to a space part 19, a target 31 confronted with a rib 18 can be converted from a first state where it is confronted with the rib 18 to a second state where it is not confronted with the rib 18.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るスパッタリング装置は、ターゲットユニット２１を空間部１９に対して着脱操作する際、リブ１８と対向するターゲット部３１を、リブ１８と対向する第１の状態からリブ１８と対向しない第２の状態へ変換可能な変換機構を備える。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

In the sputtering system, chucking-proof plates 7a, 7b are installed by a plurality of metal members doubly and in a non-contact state therebetween, and also, an amount of a residual gas obtained from a residual gas detecting means 15 is analyzed and a DC negative potential is applied to the outside chucking-proof plate 7b.例文帳に追加

スパッタリング装置において、防着板７ａ、７ｂを複数の金属材にて二重に且つ互いに非接触状態に設置するとともに、外側の防着板７ｂに、残留ガス検出手段１５から得られる残留ガス量を解析して直流負電位を印加するように構成する。 - 特許庁

In an electron beam exciting plasma system provided with a discharge chamber 1 and a process chamber 2 adjacent thereto via a bottleneck and installed with an accelerating electrode 21 and a sample stand 3, target 4 is arranged at the process chamber 2, reaction plasma is acted, and sputtering is performed.例文帳に追加

放電室１とこれと隘路を介して隣接し加速電極２１と試料台３が設置されたプロセス室２とを備える電子ビーム励起プラズマ装置において、プロセス室２にターゲット４を配置して反応プラズマを作用させてスパッタリングするようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD process in the case that a film deposition system is composed so that film deposition by the ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a substrate to be treated on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

To provide a thermally conductive metal sheet 20 interposed between a target material and a back plate in a sputtering system, which has satisfactory thermal conductivity and, in which, even if the target material is heated and a metal layer 27 in the thermally conductive metal sheet 20 is melted, the outflow of the metal layer 27 can be prevented.例文帳に追加

スパッタリング装置のターゲット材と裏板との間に介在される熱伝導性金属シート２０について、熱伝導性が良くかつターゲット材が加熱されて熱伝導性金属シート２０の金属層が２７溶融しても、金属層２７の流出を防止できるようにする。 - 特許庁

A cylindrical sputtering system 4 is constituted so that as one electrode, a tubular material 1 in which the length in the axial direction is longer than the diameter by ≥2 times is used, and, as the other electrode, the long-length material 2 to be treated such as a cable, a belt and a columnar material it self is used.例文帳に追加

直径よりも軸方向長さの方が２倍以上長い管状材１を一方の電極とし、もう片方の電極を管状材１中を通過するケーブル、帯、柱状材などの長尺の被処理材２そのものとする筒状スパッタ装置４を構成する。 - 特許庁

In the case a rutile type titanium oxide thin film 12 is deposited on the surface of an object 11 to be film-deposited by sputtering and this surface is irradiated with a laser beam 88, a titanium oxide crystal system is converted from the rutile type into an anatase type, by which an anatase type titanium oxide thin film 13 high in photocatalytic activity can be obtained.例文帳に追加

成膜対象物１１表面にスパッタリングによりルチル型酸化チタン薄膜１２を形成し、この表面にレーザー光線８８を照射すると、酸化チタン結晶系はルチル型からアナターゼ型に変換されるので、光触媒活性の高い、アナターゼ型酸化チタン薄膜１３を得ることができる。 - 特許庁

To provide a sputtering system for depositing transparent conductive films on substrates of a large size, where uniformity of a film thickness distribution is secured by suppressing bending of a bar-shaped electrode owing to its self weight and its further bending owing to the stress of transparent conductive films deposited on the electrode in accordance with the increase of the number of the substrates.例文帳に追加

大サイズの基板に透明導電膜を成膜するスパッタ装置において、棒状電極がその自重による撓み及び基板の枚数増加に伴いう電極に堆積する透明導電膜の応力による撓みを抑制して膜厚分布の均一性を確保するスパッタ装置の提供にある。 - 特許庁

In a sputtering system of a Carrousel type or in a vacuum evaporation film deposition, substrates to be film-deposited are set in a position horizontal (front) to target faces similarly to the case in normal film deposition so that plural wedge films can be worked by using a film thickness compensation mechanism.例文帳に追加

その構成としては、カルーセルタイプ等のスパッタ装置上あるいは真空蒸着による真空蒸着成膜上に於いて、成膜基板を通常成膜時と同様にターゲット面に対して水平（正面）位置に設置することによって、膜厚補正機構を用いて複数個のウエッジ膜を加工可能とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shape memory alloy microactuator capable of being attached to a finer and more delicate thin line or capillary to constitute a lighter, finer, and more delicate active thin line or active capillary, and a sputtering system to be used in processes of laminating thin films onto the thin line.例文帳に追加

より微細で繊細な細線や細管に装着でき、より軽量で微細で繊細な能動細線、能動細管を構成させることができる形状記憶合金製マイクロアクチュエータの製造方法及び細線への薄膜の積層工程において用いるスパッタリング装置の提供を課題とする。 - 特許庁

In this method, the setting parameter for changing the beam diameter of ion beam of the rare gas at the time of colliding with each electrode face of the lead out electrode system 3 is adjusted, and by converging the ion beam of the rare gas within an effective setting range of beam diameter that has a high strength of sputtering the insulating film, the insulating film is uniformly removed.例文帳に追加

本発明の方法では、引出電極系３の各電極面に衝突する際の希ガスのイオンビームにおけるビーム径を変化させる設定パラメータを調整し、絶縁膜をスパッタする強度が高いビーム径の有効設定範囲に希ガスのイオンビームを集束させて、絶縁膜を均一に除去する。 - 特許庁

The sputtering system 300 comprises: a substrate holding part 301 holding a substrate; opposing magnetic cathodes 302A and 302B arranged at the positions off-axis to the substrate holding part 301; a cathode box 303 storing the magnetic cathode 302A and 302B; and sticking prevention plates 311 and 312 arranged around the magnetic cathodes 302A and 302B.例文帳に追加

スパッタリング装置３００は、基板を保持する基板保持部３０１と、基板保持部３０１とオフアクシスな位置に配置された対向するマグネティックカソード３０２Ａおよび３０２Ｂと、マグネティックカソード３０２Ａおよび３０２Ｂを収容するカソードボックス３０３と、マグネティックカソード３０２Ａおよび３０２Ｂの周囲に配置された防着板３１１および３１２とを備える。 - 特許庁

The sputtering target system is provided with: a backing plate 110 including a central surface and at least one step surface formed, so as to be low by a prescribed step on both the sides of the central surface; a standard target material 120 mounted on the central surface in the backing plate 110; and a reinforcing target 130 mounted on the step surface in the backing plate 110.例文帳に追加

中央表面及び中央表面の両側に所定の段差だけ低く形成される少なくとも１つの段差表面を含むバッキングプレート１１０と、バッキングプレート１１０の中央表面に装着される基準ターゲット材１２０と、バッキングプレート１１０の段差表面に装着される補強ターゲット材１３０とを備える。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a film deposition system where, when a metal fluoride such as MgF_2 is used as a target, and film deposition is performed by a sputtering process, a thin film free from light absorption and also having sufficient mechanical strength can be produced with high film thickness reproducibility even if an erosion shape is changed by the repeated use of a target material.例文帳に追加

ＭｇＦ_２等の金属フッ化物をターゲットとしスパッタリング法で成膜するにあたり、光吸収がなくかつ十分な機械的強度を有する薄膜を、ターゲット材料を繰り返し使用することによりエロージョン形状が変化しても、膜厚再現性良く作製可能にする成膜方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a high quality film and to prevent particles from diffusing in a chamber 3 in a sputtering apparatus of a continuous system that a first target 17a and a second target 17b are arranged to obliquely face a substrate 6 and other targets to form a film while conveying the substrate 6 along a conveying part 15.例文帳に追加

第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂが、それぞれ基板６及び他のターゲットに対して斜めに対向して配置され、基板６を搬送経路１５に沿って搬送しながら成膜する連続方式のスパッタリング装置において、高品質の膜が得られるようにすると共に、粒子のチャンバー３内拡散を防止できるようにする。 - 特許庁

The system has: a base 24 having a vacuum chamber 17 inside; a target 28 attached detachably to the base 24 in such a way to constitute one side of the vacuum chamber 17; and a sputtering-driving section 25 which is provided detachably to the base 24 and presses the target 18 against the base 24 by interposing the target 18 between the base 24 and itself.例文帳に追加

内部に真空漕１７を有する基部２４と、前記真空漕１７の一面を構成するように、前記基部２４に着脱自在に取りつけられたターゲット２８と、前記基部２４に対して着脱自在に設けられ、前記基部２４との間に前記ターゲット１８を挟むことで、前記ターゲット１８を基部２４に対して押し付けるスパッタリング駆動部２５とを有する。 - 特許庁

To provide a composite film deposition system where a thin film for optical use with a multilayer constitution having high quality and excellent optical properties can be produced at a low cost, a magnesium fluoride film part used mainly in the final layer which can not relatively easily be worked by a sputtering film deposition device can be worked by a vacuum deposition device, and also, continuous film deposition is made possible.例文帳に追加

高品質で光学特性の優れた多層構成の光学用薄膜をローコストで作成でき、スパッタリング成膜装置では、比較的安易には加工できない主に最終層で用いられるフッ化マグネシウム膜部分を真空蒸着装置で加工することができ、尚かつ連続成膜が可能な複合成膜装置の提供。 - 特許庁

The sputtering system which includes the magnetic circuit fastened with the permanent magnet at a yoke and is arranged to be supplied with a refrigerant 21 to the magnetic circuit is furnished with at least, film consisting of a first layer of an epoxy resin and a second layer of a fluororesin in the segment of the magnetic circuit, which segment comes into contact with the refrigerant 21.例文帳に追加

ヨークに永久磁石が固着された磁気回路を具備し、前記磁気回路に冷媒２１が供給されるようにしたスパッタリング装置において、前記磁気回路の少なくとも前記冷媒２１と接触する部分に、少なくともエポキシ樹脂の第1層と、フッ素樹脂の第2層から成る膜が具備されているスパッタリング装置。 - 特許庁

To provide a thin film forming system capable of stably forming a thin film of various desired characteristics uniformly in its longitudinal and transverse directions with good reproducibility in thin film formation of continuously forming the thin film (functional thin film) by sputtering treatment on the surface of a long-length film-shaped substrate continuously supplied to a substrate transport route, and to provide a thin film forming method.例文帳に追加

基板搬送経路に連続的に供給される長尺のフィルム状基板の表面に、スパッタ処理により連続的に薄膜（機能性薄膜）を形成する薄膜形成において、求められる諸特性の薄膜をその長手、幅方向において均一に、かつ再現性よく安定させて形成することができる薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering system includes a substrate 2 that is rotatably set, and a target 3.例文帳に追加

回転可能にセットされた基板２と、ターゲット３とを備えたスパッタリング装置において、前記基板２の法線に対する前記ターゲット３の中心軸線Ａのなす角度をθ、前記ターゲット３の中心軸線Ａと前記基板２の表面を含む平面との交点Ｐと基板２の回転軸線Ｂとの距離をＦ、前記交点Ｐと前記ターゲット３の中心との距離をＬとした時に、前記ターゲット３を、以下の条件を満たすと共に、前記基板２の表面を含む平面への前記ターゲット３の投影面が前記基板２の外側となる位置に設けたスパッタリング装置とする。 - 特許庁