「VB and」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Three-phase bridge circuits 1A, 1B are connected to a power source comprising a battery Vb and the current smoothing capacitor C in parallel.例文帳に追加

バッテリＶｂと電流平滑用コンデンサＣからなる電源に、３相ブリッジ回路１Ａと１Ｂが並列に接続される。 - 特許庁

Here, they are connected so that the direction of a power voltage Va and the direction of an output end voltage Vb are the same.例文帳に追加

ここで、電源電圧Ｖａの向きと直流電源９の出力端電圧Ｖｂの向きが同じ向きとなるように接続する。 - 特許庁

A reference source control circuit 17 supplies reference voltages VA, VB to reference source terminals of the first and the second D/A converters 15, 16.例文帳に追加

基準電源制御回路１７は、第１及び第２のＤ／Ａコンバータ１５及び１６の基準電源端子に基準電圧ＶＡ、ＶＢを供給する。 - 特許庁

The gate terminal of the MOSFET Qn1 is connected to a gate bias signal input terminal Vb and a gate bias signal is supplied.例文帳に追加

また、ＭＯＳＦＥＴＱｎ１のゲート端子はゲートバイアス信号入力端子Ｖｂと接続され、ゲートバイアス信号が供給されている。 - 特許庁

Next, when the pre-charge signal is started, the input and output lines are pre-charged to a voltage level Vb (balance level).例文帳に追加

次にプリチャージ制御信号ＰＩＯが立ち上がると、入出力線が電圧Ｖｂ（バランスレベル）にプリチャージされる。 - 特許庁

When the power supply voltage VB is less than the second set voltage value V2, the reading and writing operation of the IC card can be stopped.例文帳に追加

電源電圧値ＶＢを第２の設定電圧値Ｖ２未満である場合、ＩＣカード２０の読み書き動作を停止してもよい。 - 特許庁

When a power source Vb is of 9 V or over, a power source Vc 12 is supplied with power through FETs 50 and 52.例文帳に追加

電源Ｖｂが９［Ｖ］以上のとき、電源Ｖｃ１２にはＦＥＴ５０、５２を介して電力が供給される。 - 特許庁

Thus, even when operation before the pre-charge is writing, the potentials of the input and output line promptly reach the voltage Vb.例文帳に追加

このため、このプリチャージ前の動作が書き込みであった場合であっても、入出力線の電位は速やかに電圧Ｖｂに達する。 - 特許庁

The method for producing the polyketone is to react the polyol with hydrogen peroxide in the presence of a metal oxide catalyst which is obtained by reacting hydrogen peroxide with at least one species selected from a group consisting of tungsten metal, molybdenum metal, a tungsten compound comprising tungsten and a IIIb group, IVb group, Vb group or VIb group element and a molybdenum compound comprising molybdenum and a IIIb group, IVb group, Vb group or VIb group element.例文帳に追加

タングステン金属、モリブデン金属、タングステンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびモリブデンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または第VIb族元素とからなるモリブデン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなる金属酸化物触媒の存在下に、前記ポリオール類と過酸化水素とを反応させることを特徴とするポリケトン類の製造方法。 - 特許庁

A power window control device for driving and controlling a motor 11 for opening and closing window glass by supplying the power voltage Vb of a battery 15 for the motor 11 is provided with a motor supply voltage altering circuit 40 for altering the power voltage Vb into a predetermined voltage and supplying it for the motor 11.例文帳に追加

ウィンドウガラスを開閉させるモータ１１にバッテリ１５の電源電圧Ｖｂを供給して同モータを駆動制御するパワーウィンドウ制御装置は、電源電圧Ｖｂを所定の電圧に変更してモータ１１に供給するモータ供給電圧変更回路４０を備える。 - 特許庁

In compliance with request, a composition containing each element of (a) one or more kinds selected from Cu, Ag and Au of, by weight, 3 to 10%, (b) 0.2 to 5% Si, (c) one or more kinds selected from the group IVB and VB and (d) ≤10% Fe is given.例文帳に追加

所望により、(a)Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕから選ばれる１種又は２種以上３〜１０％、(b)Ｓｉ０．２〜５％、(c)第IVB族，VB族から選ばれる１種又は２種以上、(d)Ｆｅ１０％以下の各元素を含有する組成が与えられる（含有量は重量％）。 - 特許庁

The power supply device mounted on a hybrid automobile 1 comprises a battery B which outputs a voltage VB, a boosting unit 20 which is arranged between the battery B and a vehicle load, and outputs a voltage VH to a load circuit by boosting the voltage VB, and a control device 30 which controls the boosting unit 20.例文帳に追加

ハイブリッド自動車１に搭載される電源装置は、電圧ＶＢを出力するバッテリＢと、バッテリＢと車両負荷との間に設けられ、電圧ＶＢを昇圧して負荷回路に電圧ＶＨを出力する昇圧ユニット２０と、昇圧ユニット２０を制御する制御装置３０とを備える。 - 特許庁

A bypass port 22g for communicating only one compression chamber Vb out of a pair of compression chambers Va, Vb for engaging and forming a fixed scroll and a turning scroll with an intake chamber 22e is formed in a fixed substrate part of the fixed scroll.例文帳に追加

固定スクロールの固定基板部に、固定スクロールと旋回スクロールとを係合して形成する一対の圧縮室Ｖａ、Ｖｂのうち、一方の圧縮室Ｖｂのみと吸入室２２ｅとを連通させるバイパスポート２２ｇを形成する。 - 特許庁

And, when the rotational speed exceeds the limit VB, control voltage that makes the motor 12 reverse rotation is outputted to a motor driving circuit 18, the motor 12 is made to be reversely rotated and the speed is forced to decelerate to be less than the limit VB.例文帳に追加

また、この状態で更に使用者がハンディスキャナを速度ＶＡを超えるように走行させた場合には、再び電流が増大するため、この電流の増大を検知して、モータを逆回転させ、走行速度を一定速度Ｖｃに保つ。 - 特許庁

With the on and off operations of the transistor Tr1, only the voltage boosting transformer for positive polarity is driven, to which the output voltage of power supply Vb is applied and thereby a positive high voltage obtained by boosting the output voltage of the power supply Vb is generated at the output terminal 5.例文帳に追加

そして、トランジスタＴr1のオン、オフ動作により、電源Ｖｂの出力電圧が供給されるプラス極性用昇圧トランスのみが駆動され、出力端子５には電源Ｖｂの出力電圧を昇圧したプラスの高圧出力が発生される。 - 特許庁

The switching power supply 72 is selected under the high-humidity environment, and applies to the regulation member 4 the oscillation bias in which the minimum value VBLmin of a regulation bias VBL is smaller than a developing bias Vb and the maximum value VBLmax of the regulation bias VBL is larger than the developing bias Vb.例文帳に追加

スイッチング電源７２は，高湿環境下で選択され，規制部材４に対して，規制バイアスＶＢＬの最小値ＶＢＬｍｉｎが現像バイアスＶｂよりも小さく，規制バイアスＶＢＬの最大値ＶＢＬｍａｘが現像バイアスＶｂよりも大きくなる振動バイアスを印加する。 - 特許庁

When a metal panel and a rubber sheet are passed through the nip between rotating laminating rolls, the peripheral velocity (VA) of the laminating roll A coming into contact with the rubber sheet is made higher than the peripheral velocity (VB) of the laminating roll B coming into contact with the metal panel and a peripheral velocity ratio (VA/VB) is set to 1.01-1.4.例文帳に追加

金属板とゴムシートとを回転するラミネートロール間を通過させて積層する際に、ゴムシートと接するラミネートロールＡの周速（Ｖ_A ）を、金属板と接するラミネートロールＢの周速（Ｖ_B ）より大きくし、周速比（Ｖ_A ／Ｖ_B ）＝１．０１〜１．４に設定する。 - 特許庁

At the time, the difference (the voltage Va - the voltage Vb) between the voltage Va and the voltage Vb is obtained by the voltage Va × the capacitance of a detection capacitor C / (capacitance of the capacitor Co + capacitance of the detection capacitor C), and the influence of the frequency of the transmitter Vc is suppressed.例文帳に追加

この時、電圧Ｖａと電圧Ｖｂの差分（電圧Ｖａ−電圧Ｖｂ）は、電圧Ｖａ×検出容量Ｃの静電容量／（コンデンサＣｏの静電容量＋検出容量Ｃの静電容量）で求められ、発信器Ｖｃの周波数の影響を抑制できる。 - 特許庁

Paying attention to the fact that the signal waveform of even a signal having noise added to the original ideal signal does not vary so much, this device predetermines the signal variation between a low voltage level Va and a high voltage level Vb and measures the time ts of the variation of the signal voltage from Va to Vb.例文帳に追加

本装置は、本来の理想的な信号にノイズが付加された信号でも信号波形はそれほど変化がないことに着目し、信号変化を、低い電圧レベルＶａと高い電圧レベルＶｂを予め定め、信号電圧がＶａからＶｂへ変化する間の時間ｔｓを測定する。 - 特許庁

Then, the microcomputer detects the input signal and VB with a built-in A/D converter (S210, S220), and sets a threshold value Y for determining that the input signal changes from "high" to "low" to be a lower value as a detection value becomes lower according to the detection value of VB (S270).例文帳に追加

そして、マイコンは、その入力信号とＶＢとを内蔵のＡ／Ｄ変換器で検出し（Ｓ２１０，Ｓ２２０）、入力信号がハイからローになったことを判定するための閾値Ｙを、ＶＢの検出値に応じて、その検出値が小さいほど、小さい値となるように設定する（Ｓ２７０）。 - 特許庁

The image sensor 101 having the configuration is exposed at a position Va by a shift amount "0" and a position Vb shifted by six lines to the upper side in the vertical direction, so as to perform focus detection of a phase difference detection system based on data of charge signals generated in the AF line Lf at the respective positions Va and Vb.例文帳に追加

以上のような構成の撮像素子１０１をシフト量「０」の位置Ｖａと垂直方向上側に６ライン分シフトした位置Ｖｂとで露光し、各位置Ｖａ、ＶｂのＡＦラインＬｆで生成される電荷信号のデータに基づき位相差検出方式の焦点検出を行う。 - 特許庁

The process hydrofluorinates chloro(fluoro)butane of the general formula: C_4H_5Cl_xF_5-x (wherein, x=1 to 5) with hydrogen fluoride in the presence of a catalyst chosen from the derivatives of IIIa, IVa, IVb, Va, Vb and VIb metals, especially antimony pentachloride or tin tetrachloride, at 50-150°C and under 2-40 bar.例文帳に追加

周期表IIIa族、 IVa族、 IVb族、Va族、Vb族、及び VIb族元素の金属の誘導体から選ばれる触媒、特に五塩化アンチモン及び四塩化スズの存在下、温度50℃〜150℃で、圧力２〜40barでフッ化水素により一般式Ｃ_4Ｈ_5Ｃｌ_XＦ_5-X（式中、ｘ＝１〜５）のクロロ（フルオロ）ブタンをヒドロフルオロ化する。 - 特許庁

A reference opening VB about EGR opening VR is obtained based on the operating condition of the internal combustion engine (S202), and existence of abnormality in the blow-by gas processing system is determined based on the relation between the reference opening VB and the EGR opening VR (S203-S205).例文帳に追加

内燃機関の運転状態に基づいてＥＧＲ開度ＶＲについての基準開度ＶＢを求め（Ｓ２０２）、同基準開度ＶＢとＥＧＲ開度ＶＲとの関係に基づいてブローバイガス処理システムの異常発生の有無を判定する（Ｓ２０３〜Ｓ２０５）。 - 特許庁

Transistors Q2 and Q3 are turned on to output a bootstrap voltage +VB to a capacitor C3 when a MOSFET 15 is in the on state, and are turned off to cut off the output of the voltage +VB to the capacitor when the MOSFET 15 is in the off state.例文帳に追加

トランジスタＱ２、Ｑ３は、ＭＯＳＦＥＴ１５がオン状態のときにオン状態になりブートストラップ電圧＋ＶＢをコンデンサＣ３に出力し、ＭＯＳＦＥＴ１５がオフ状態のときにオフ状態になり電圧＋ＶＢのコンデンサＣ３への出力を遮断する。 - 特許庁

At the beginning of starting discharging from the capacitor 22, the voltage level Vb at the connecting point B still exceeds a discharge state threshold value TH2, and when the voltage level Vb is lower than the threshold value TH2, the comparator 21 restores to a high level state, and the charging state is again selected.例文帳に追加

コンデンサ２２への放電開始当初は、まだ、接続点Ｂにおける電圧レベルＶｂは、上記放電時閾値ＴＨ２を上回っており、これを下回ったときに、コンパレータ２１がハイ状態に復帰し、再び上記充電動作に切り替わる。 - 特許庁

By increasing the speed Vr of a resist roller 44 and the speed Vb of an electrostatic transfer belt 32 from timing T2 that the trailing edge of transfer material passes through a pre-resist roller 43, the decrease of the speed Vr caused by load variation is canceled, and the speed variation of the electrostatic transfer belt 32 is reduced.例文帳に追加

レジローラ44の速度Vr、及び静電転写ベルト32の速度Vbの速度をレジ前ローラ43を転写材の後端が通過するタイミングT2から増加させることにより、Vrの負荷変動による速度低下が吸収され、静電転写ベルト32の速度変動が低減される。 - 特許庁

The well electrode 46 functions as an electrode to input a back gate bias to the first transistor Q1, a reference potential Vb is connected to the source electrode 43, and an output potential Va higher than the reference potential Vb is input to the well electrode 46.例文帳に追加

このウェル電極４６は、第１のトランジスタＱ１に対してバックゲートバイアスを入力するための電極として機能し、ソース電極４３に基準電位Ｖｂが接続され、ウェル電極４６に基準電位Ｖｂよりも大きい出力電位Ｖａが入力される。 - 特許庁

An ECU 50 acquires the battery voltage VB detected by a voltage detection circuit 48 in the predetermined rotation angle position of the crankshaft 42, and stores the acquired battery voltage VB as the battery voltage corresponding to the rotation angle position in acquiring.例文帳に追加

ＥＣＵ５０は、電圧検出回路４８で検出したバッテリ電圧ＶＢを、クランク軸４２の所定の回転角度位置で取得し、該取得したバッテリ電圧ＶＢを取得時の回転角度位置に対応するバッテリ電圧として記憶する。 - 特許庁

The voltage supply part 33 is constituted to supply the bias voltage Vb of a voltage value specified preliminarily in every of kinds of photoelectric transfer elements 22, and supplies the bias voltage Vb of the assigned voltage value to the photoelectric transfer element 22.例文帳に追加

この場合、電圧供給部３３は、光電変換素子２２の種類毎にその電圧値が予め規定されているバイアス電圧Ｖｂを供給可能に構成されると共に指定された電圧値のバイアス電圧Ｖｂを光電変換素子２２に供給する。 - 特許庁

A sensor for detecting the amount of toner deposition detects the amount of toner deposited on the non-imaging area of a photosensitive drum at the timing the value of the direct current developing voltage Vdc changes from Vb to Vbr and at the timing it changes back from Vbr to Vb.例文帳に追加

直流現像電圧Ｖｄｃの値がＶｂからＶｂｒに切り替わるタイミングと、ＶｂｒからＶｂに戻るタイミングとにおいて、トナー付着量検知センサが、感光ドラムの非画像領域に付着しているトナーの量を所定時間検知する。 - 特許庁

A single crystal free of cracks can be obtained with high reproducibility regardless of a large difference in thermal expansion between a platinum crucible and an LN (lithium niobate) single crystal in the process of growing an LN single crystal by VB (vertical Bridgeman) method, by employing a crucible structure of the present invention having a foil type platinum plate inserted inside the platinum crucible for growing a crystal.例文帳に追加

箔状白金板を結晶育成用の白金ルツボの内側に挿入した本発明ルツボ構造により、VB法でのLN単結晶成長において白金ルツボとLN単結晶の大きな熱膨脹差があるにもかかわらず、再現性良くクラックの無い単結晶を得ることが可能となる。 - 特許庁

A control unit 50 estimates a gravity center velocity Vb_xy_exp1 of a vehicle 1 based on a determination value θbdot_xyz_s of an inclination angular velocity of a base body 9, and estimates a gravity center velocity Vb_xy_exp2 of the vehicle 1 based on a measurement value θbdot_xy_s of the inclination angular velocity of the base body 9.例文帳に追加

制御ユニット５０は、基体９の傾斜角速度の測定値θbdot_xyz_sに基づいて、車両１の重心速度Ｖb_xy_exp1を推定すると共に、基体９の傾斜角速度の計測値θbdot_xy_sに基づいて、車両１の重心速度Ｖb_xy_exp2を推定する。 - 特許庁

When the Voltage V is lower than a battery voltage VB (204), a boosting circuit is interposed between a battery and an IPM, with the battery voltage VB is applied across DC terminals of the IPM, after the battery voltage being once boosted to VI, where V < VI.例文帳に追加

電圧Ｖがバッテリ電圧ＶＢを下回っているときに（２０４）、バッテリとＩＰＭの間に昇圧回路を挿入し、バッテリ電圧ＶＢをＶ＜ＶＩとなる電圧ＶＩまで昇圧したうえでＩＰＭの直流端子間に印加する。 - 特許庁

A DC/DC converter 24 generates a voltage k Vb which is k times larger (where, 0<k<1) than the power supply voltage Vb, and one end of each stator windings Lu, Lv, Lw in the reluctance motor 10 is applied to a connecting point N, which is commonly connected.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータ２４は電源電圧Ｖｂのｋ（但し、０＜ｋ＜１）倍の電圧ｋＶｂを生成して、リラクタンスモータ１０における各固定子巻線Ｌｕ、Ｌｖ、Ｌｗの一端が共通に接続された接続点Ｎに印加する。 - 特許庁

When an interlinking mode is selected by a switch 11, an output corresponding with a dial which is operated first (e.g. 10A) is set as a target output VB, and the motors are feed-back-controlled so that the outputs from the other output sections may become the target output VB.例文帳に追加

スイッチ１１によって連動モ−ドが選択されたとき、最初に操作されたダイアル（例えば１０Ａ）に対応した出力が目標出力ＶＢとして設定されて、他の出力部からの出力が目標出力ＶＢとなるようにモータがフィ−ドバック制御される。 - 特許庁

Braking procedures comprise: first stepwise braking to decelerate the tire in a stepwise manner from an initial speed va to an intermediate speed vb at a first small deceleration rate Δv1; and second stepwise braking to decelerate the tire in a stepwise manner from the intermediate speed vb at a second big deceleration rate Δv2.例文帳に追加

制動手順は、前記タイヤを、初期速度ｖａから中間速度ｖｂまで小な第１の減速巾Δｖ１にて段階的に減速させる第１のステップ制動と、前記中間速度ｖｂから大な第２の減速巾Δｖ２にて段階的に減速させる第２のステップ制動とからなる。 - 特許庁

Thus, even when the level of a bias signal supplied from the power supply Vb is low level and unable to turn on the diode element D, a bias signal (voltage or current) is supplied from the power supply Vb to the base terminal B of the bipolar Tr1.例文帳に追加

したがって、電源Ｖｂから供給可能なバイアス信号レベルが、ダイオード素子Ｄをオンできないような低レベルであっても、抵抗素子Ｒ１を経由してバイポーラトランジスタＴｒ１のベース端子Ｂに、電源Ｖｂからバイアス信号（電圧あるいは電流）を供給できる。 - 特許庁

At the time of writing data for a memory transistor 5 in a semiconductor device 1, a writing voltage Vpp having a value (Vb+Vc1+Vc2) obtained by adding a first capacitor voltage Vc1 and a second capacitor voltage Vc2 to a fixed reference voltage Vb is applied to the control gate 13 of the memory transistor 5.例文帳に追加

半導体装置１では、メモリトランジスタ５に対するデータの書き込み時に、メモリトランジスタ５のコントロールゲート１３に、書き込み電圧Ｖppとして、一定の基準電圧Ｖbに第１キャパシタ電圧Ｖc１および第２キャパシタ電圧Ｖc２を加えた値（Ｖb＋Ｖc１＋Ｖc２）が印加される。 - 特許庁

The feed truck FT comprises a material carrying path, i.e., a trough TF, and a vibrating section VB for vibrating the trough TF wherein the quantity of material being carried through the trough TF can be controlled by controlling the vibration amplitude at the vibrating section VB.例文帳に追加

投入台車ＦＴには、材料の搬送路であるトラフＴＦと、トラフＴＦを振動させる振動部ＶＢとが備わっており、振動部ＶＢの振動振幅を制御することで、トラフＴＦを搬送される材料の量を制御することができる。 - 特許庁

That is, a relationship of size between an output voltage VT and a concentration lowered reference value Vb is discriminated (s3), in the case it is 'VT≥Vb' (Y at s3), that is, when the toner concentration is below a threshold value, toner replenishing action process is executed during the printing action process (s10).例文帳に追加

即ち、出力電圧ＶＴと濃度低下基準値Ｖｂとの大小関係を判断させ（ｓ３）、「ＶＴ≧Ｖｂ」であった場合（ｓ３でＹ）、即ち、トナー濃度が閾値以下であった場合には、プリント動作処理中にトナー補給動作処置（ｓ１０）を実行させる。 - 特許庁

When the power supply voltage VB detected by the voltage sensor 151 is declined to first voltage, the control part 60 controls the parameters including a throttle opening and engine speed to restrict the intake air amount in accordance with the decline in the power supply voltage VB.例文帳に追加

制御部６０は、電圧センサ１５１が検出した電源電圧が第１の電圧より低下した場合に、吸気量を電源電圧の低下に応じて制限するようにスロットル開度やエンジン回転数などを含むパラメータの制御を行なう。 - 特許庁

When a power conversion device 100 is started on connection to a generator 10 being rotated, a comparison circuit selects the limit voltage VL first and turns on a thyristor 101 at timings (sections of VB>VL) when the limit voltage VL crosses a triangular wave voltage VB.例文帳に追加

そして、回転中の発電機１０に電力変換装置１００を接続して起動する際に、比較回路おいて最初はリミット電圧ＶＬが選択されるようにし、このリミット電圧ＶＬと三角波電圧ＶＢとがクロスするタイミング（ＶＢ＞ＶＬの区間）でサイリスタ１０１を導通させる。 - 特許庁

Consequently, even when the input maximum voltage exceeds the driving voltage Vdd for a ground E of the battery voltage VB and the input voltage Vin lower than the battery voltage VB is input to the CMOS device of a CMOS circuit 50, the input voltage Vin can be input within the input permissible voltage width of the CMOS device.例文帳に追加

これにより入力最大電圧がバッテリ電圧ＶＢのアースＥに対する駆動電圧Ｖddを超えてバッテリ電圧ＶＢ以下の入力電圧ＶinがＣＭＯＳ回路５０のＣＭＯＳデバイスに入力されても、入力電圧ＶinをＣＭＯＳデバイスの入力許容電圧幅内で入力できる。 - 特許庁

In an on-board electronic controller having a function of boosting a battery voltage (hereinafter referred to as VB) to generate the operating voltage of the microcomputer, a switch signal, which is set at VB as a high state when the switch is turned on and is set at a ground voltage as a low state when the switch is turned off, is used as an input signal.例文帳に追加

バッテリ電圧（以下、ＶＢ）を昇圧してマイコンの動作電圧を生成する機能を有した車載電子制御装置では、スイッチがオンするとハイ状態としてＶＢになり、そのスイッチがオフするとロー状態としてグランド電圧になるスイッチ信号を、入力信号としている。 - 特許庁

When the estimated voltage value Ve' becomes lower than the limit voltage value Vb, the power source voltage value is predicted as becoming lower than the limiting voltage value Vb during the driving of the shutter, when hereafter, the shutter is driven; and after this prediction, driving of the shutter 39 is inhibited.例文帳に追加

そして、推定電圧値Ｖｅ’が限界電圧値Ｖｂを下回っている場合には、今後シャッタ駆動が行われると、シャッタ駆動中に電源電圧値が限界電圧値Ｖｂを下回ると予測して、この予測以後シャッタ３９の駆動を禁止する。 - 特許庁