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VTを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 545



例文

In a standby state, a voltage control device 11 applies a bias voltage Vb whose magnitude is between that of a minimum discharge voltage Vt and that of ground voltage, and applies a discharge voltage Vd greater than the minimum discharge voltage Vt to a head electrode 42 to create a discharge state to discharge a discharge solution.例文帳に追加

電圧制御装置11によって、待機状態では、最小吐出電圧Vtと接地電圧の間の大きさのバイアス電圧Vbを印加し、ヘッド側電極42に、最小吐出電圧Vtよりも大きな吐出電圧Vdを印加して吐出状態にして吐出液を吐出させる。 - 特許庁

When it is detected that any cell drops lower than a threshold voltage Vt among the cells C1-Cn constituting a battery pack 1 by cell voltage drop detecting circuits B1-Bn, this system starts a timer 3c so as to measure a time ΔT until the average voltage of a cell drops to the threshold voltage Vt or lower.例文帳に追加

セル電圧低下検知回路B1〜Bnによって、組電池1を構成するセルC1〜Cnのうち、いずれかのセルがしきい値電圧Vt以下に低下したことが検出されると、タイマ3cをスタートさせて、セルの平均電圧がしきい値電圧Vt以下に低下するまでの時間ΔTを計測する。 - 特許庁

Moreover, based on a difference voltage (Vp-Vt) between the first voltage Vp generated in the pressure-sensitive resistor, corresponding to the pressure P and the second voltage Vt generated in the temperature-sensitive resistor, the glow plug with a tube inner pressure sensor is equipped with a pressure signal generation output means for outputting the first voltage signal Spp corresponding to the pressure P.例文帳に追加

さらに、圧力Pに応じて感圧抵抗体に生じる第1電圧Vpと感温抵抗体に生じる第2電圧Vtとの差分電圧(Vp−Vt)に基づいて、圧力Pに応じた第1電圧信号Sppを出力する圧力信号生成出力手段を備える。 - 特許庁

This image forming device is provided with a means 13, capable of shifting the changing time right before the image area of developing bias by the specified time when the output value Vt' of a sensor 12 magnetically detects the ratio between the toner and carriers of two-component type developer in a developing means is deviated from the reference value or VT being a reference range.例文帳に追加

この発明は、現像手段内の2成分系現像剤のトナーとキャリアの割合を磁気的に検知するセンサ12の出力値Vt'が基準値もしくは基準範囲であるV_Tを外れている場合に現像バイアスの画像領域直前での変更タイミングを所定の時間だけずらす手段13を備えたものである。 - 特許庁

例文

A microcomputer 23 detects the terminal voltage Vt of an ignition terminal 10, and performs the initial indication (Step S5) when it is determined that the terminal voltage Vt is changed from the voltage lower than the ignition-OFF determination voltage Vo to the voltage higher than that (No in Step S1, and Yes in Step S3 and Step S4).例文帳に追加

マイクロコンピュータ23はイグニッション端子10の端子電圧Vtを検出し、この端子電圧Vtがイグニッションオフ判定電圧Voより低い電圧から高い電圧に変化したと判定したとき(ステップS1でNo、ステップS3及びステップS4でYes)に初期表示処理を行う(ステップS5)。 - 特許庁


例文

The synchronous rectification type DC-DC converter compares an output Voff of an error amplifier and Vt obtained by multiplying a peak voltage of a ramp wave by G2, and when Voff becomes not lower than Vt, determines that a dead time necessary for the switching control of the commutating transistor is insufficient, and prohibits the on-drive of the commutating transistor.例文帳に追加

同期整流型DC/DCコンバータは、エラーアンプの出力Voffと、ランプ波のピーク電圧にG2を乗じて得られるVtとを比較し、VoffがVt以上になると、転流用トランジスタのスイッチング制御に必要なデッドタイムが不足しているものと判定し、転流用トランジスタのオン駆動を禁止する。 - 特許庁

The circuit for correcting temperature characteristic includes correction amplifiers 20, 30 for generating first and second correction voltages Vc1, Vc2 based on a temperature-dependent voltage Vt, comprising predetermined temperature characteristics or an inverted voltage XVt making the temperature-dependent voltage Vt and a reference voltage Vref inverted that is a fixed voltage, regardless of the temperatures.例文帳に追加

所定の温度特性を備えた温度依存電圧Vtあるいはその温度依存電圧Vtを反転させた反転電圧XVtと、温度に関わらず一定電圧である基準電圧Vrefとに基づいて、第1及び第2補正電圧Vc1,Vc2をそれぞれ生成する補正用増幅器20,30を備えた。 - 特許庁

By using the result obtained by comparing the output value Vt with the reference value Vtref, the reference value Vtref is corrected to a new reference value Vtref'.例文帳に追加

また、この出力値Vtと基準値Vtrefとを比較した結果を用いてこの基準値Vtrefを新たな基準値Vtref’に補正する。 - 特許庁

Therefore, it can be guaranteed that a word line potential at a point being more closer to the remote end side than the point (x) exceeds threshold voltage Vt of a memory cell, and correct read-out of a memory cell can be performed.例文帳に追加

このため、×点よりも遠端側のワード電位がメモリセルの閾値電圧Vt以上となることを保証でき、メモリセルの正しい読み出しが可能となる。 - 特許庁

例文

The determination portion 150 determines that the disturbance behavior is a shake received from a road surface and outputs a signal A1 when V>Vt, |θ|>θt, and |Δθ|>Δθt are satisfied.例文帳に追加

判断部150は、V>Vt、|θ|>θt、且つ、|Δθ|>Δθtであるときに、外乱挙動は路面から受けた揺れであると判断し、信号A1を出力する。 - 特許庁

例文

A power supply terminal VT, a reset terminal RT, a clock terminal CT, a data terminal DT, a connection confirmation input terminal CIT and a grounding terminal GT are provided as the connecting terminal.例文帳に追加

接続端子としては、電源端子VT、リセット端子RT、クロック端子CT、データ端子DT、接続確認入力端子CIT、接地端子GTを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method that suppress function of Vt and have an MOSFET, for preventing degree of integration from being reduced.例文帳に追加

Vtの変動を抑制し、且つ集積度を低下させることがないMOSFETを具備した半導体集積回路装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, even if the PND 1 is unable to receive a GPS signal, the PND is able to use the time difference velocity VT as the velocity of the vehicle 9.例文帳に追加

この結果PND1は、GPS信号を受信することができない場合であっても、車両9の速度として当該時間差速度VTを用いることができる。 - 特許庁

When the water pump is in an operation stop mode, the control device executes various controls based on an estimated water temperature VT (solid line) estimated by a first estimation mode (t1 to t2).例文帳に追加

ウォータポンプが運転停止モードであるときには第1推定態様で推定した推定水温VT(実線)に基づいて各種制御を実行する(t1〜t2)。 - 特許庁

The edge 7e of the tread is formed at a position separated inside the radial direction by a distance (h) of 5-40% of the maximum thickness H of the block from the virtual tread surface Vt.例文帳に追加

踏面の縁7eは、仮想トレッド面Vtからブロックの最大厚さHの5〜40%の距離hを放射方向内側に隔てた位置に設けられる。 - 特許庁

To provide a reference voltage generating circuit using a low Vt transistor, or the like in which variation in a delay time caused by variation in processes and variation in temperature can be reduced.例文帳に追加

Vtトランジスタを用いた回路において、プロセスばらつきや温度変動に起因する遅延時間のばらつきを低減可能な基準電圧発生回路等を提供する。 - 特許庁

A control voltage Vt for feedback-controlling an oscillation frequency is input to the other of the terminals of the variable capacitance element of each of the n variable capacitance circuits.例文帳に追加

n個の可変容量回路の可変容量素子の他方端子には、発振周波数をフィードバック制御するための制御電位Vtが共通入力される。 - 特許庁

When detected voltage becomes lower than reference voltage Vt, a connector 35 connects an output end P3 of a DC voltage conversion circuit 31 to a relay 2.例文帳に追加

また、この検出電圧が基準電圧Vtを下回ったときには、接続器35が直流電圧変換回路31の出力端P3をリレー2に接続するようにする。 - 特許庁

The exposure control part 11 changes the tube current value according to the 3D modulation based on the VT signal, and outputs a command to feed the tube current to a high voltage generating part 12.例文帳に追加

曝射制御部11は、VT信号に応じて3Dモジュレーションに従って管電流値を変えて管電流の供給指示を高電圧発生部12に出力する。 - 特許庁

Hereby, a control unit 20 can start air-fuel ratio control in early stages by using the temporary oxygen concentration signal Vt, even if the oxygen pump part 12 is in the un-activated state.例文帳に追加

これにより、コントロールユニット20は、酸素ポンプ部12が未活性状態であっても、暫定酸素濃度信号Vt を用いて空燃比制御を早期に開始することができる。 - 特許庁

The resistance of the resistor 31 varies depending upon the temperature, but the temperature of the temperature detecting voltage VT of a temperature detecting section 40 provided on the same semiconductor substrate also varies depending upon the temperature.例文帳に追加

抵抗31の抵抗値は温度によって変化するが、同一半導体基板上の温度検出部40の温度検出電圧VTも温度で変化する。 - 特許庁

A memory of the electronic control device stores a map for defining a relation between a desired driving speed Vt and a valve displacement X of the engine valve corresponding to an engine non-load time.例文帳に追加

電子制御装置のメモリには、機関無負荷時に対応する機関バルブの目標駆動速度Vtとバルブ変位Xとの関係を定義するマップが記憶されている。 - 特許庁

A differential circuit 123 and an amplification circuit 124 generate a first voltage signal VD' from a difference between a target voltage VT and a detection voltage VR' of an effective value.例文帳に追加

差動回路123及び増幅回路124は、実効値の検出電圧VR’と目標電圧VTの差分により第1の電圧信号VD’を生成する。 - 特許庁

If the voltage level passes a threshold voltage VT of the fourth P-MOSFET 19, drain current flows and increases the gate voltage of the first P-MOSFET 6, which limits the load current.例文帳に追加

第4P−MOSFET19の閾値電圧VTを超えるとドレイン電流が流れ、第1P−MOSFET6のゲート電圧が上昇し負荷電流を制限する。 - 特許庁

On the basis of engine speed ne, throttle opening ta and valve timing vt, a basic intake air quantity eklta is computed referring to an intake air quantity map.例文帳に追加

次にエンジン回転速度ne、スロットル開度ta、及びバルブタイミングvtに基づき、吸入空気量マップを参照して基本吸入空気量ekltaを算出する。 - 特許庁

A trimming value is calculated inside the chip and stored in a nonvolatile memory, trimming data are taken out as necessary, and the Vt level of a reference cell and the frequency of an oscillator are adjusted.例文帳に追加

チップ内部でトリミング値を算出して不揮発性メモリに記憶し、必要に応じてトリミングデータを取り出して、リファレンスセルのVtレベルやオシレータの周波数を調整する。 - 特許庁

Thereby, the variation in the delay time of circuits including the low Vt transistor to which power source voltage based on the reference voltage VCLR is supplied is reduced.例文帳に追加

これにより、基準電圧VCLRに基づく電源電圧を供給される低Vtトランジスタを含む回路の遅延時間のばらつきを小さくすることができる。 - 特許庁

When rotational velocity Vt is inputted, a switching controller 151 that constitutes a feedback control portion 150 performs a judgement process of comparing the rotational velocity with a target rotational velocity Vb.例文帳に追加

フィードバック制御部150を構成する切換制御部151は、回転速度Vtが入力されると、これを目標回転速度Vbと比較する判定処理を行なう。 - 特許庁

In short, instead of the state variable VT(RST) being abnormally increased, the reset procedure functions correctly according to a set protocol parameter MaxRST.例文帳に追加

要するに、状態変数VT(RST)が異常に増分されるのではなく、リセット手続きは設定されたプロトコルパラメータMaxRSTにしたがって正しく機能する。 - 特許庁

A tuning voltage VT is applied to the connection section J1 to control the capacitance of the varactor diodes D2, D3 corresponding to the image frequency to be eliminated.例文帳に追加

接続部J1には同調電圧VTが印加され、可変容量ダイオードD2、D3の容量を除去すべきイメージ周波数に対応して制御可能となっている。 - 特許庁

Once the output voltage Vo increases (VD'>VL), the differential voltage VD' is used to control the output voltage Vo at the target voltage VT.例文帳に追加

その後、出力電圧Voが上昇した段階(VD’>VL)で、これ以降、差分電圧VD’により出力電圧Voが目標電圧VTになるように制御する。 - 特許庁

The respective voltage detectors DET compare potentials of corresponding detection electrodes E2 with prescribed threshold Vt every time the detection drive scanning unit 11 performs the shift operation.例文帳に追加

各電圧検出器DETは、検出駆動走査部11がシフト動作を行うたびに、対応する検出電極E2の電位を所定の閾値Vtと比較する。 - 特許庁

The mute control circuit 12 supplies a ground voltage to the gate of the mute transistor M10 when the voltage level V2 of the audio signal S2 is higher than a predetermined threshold voltage Vt.例文帳に追加

ミュート制御回路12は、オーディオ信号S2の電圧レベルV2が所定のしきい値電圧Vtより高いとき、ミュートトランジスタM10のゲートに接地電圧を供給する。 - 特許庁

A deceleration command time (t=t2 to t3), which is the time the deceleration command becomes 0 from Vt, is the same as the acceleration time τ which is the acceleration control period.例文帳に追加

また、減速指令がVtから0になるまでの時間である減速指令時間(t=t2〜t3)は、加速制御期間長である加速時間τと同じである。 - 特許庁

Thereafter, the means monitors the output of the toner concentration sensor (S 9) at every execution of a toner replenishing cycle (S 8) and checks if Vt falls below Vt10-0.1V.例文帳に追加

その後、トナー補給サイクルを行う毎に(S8)、トナー濃度センサの出力を監視し(S9)、VtVt10−0.1Vを下回ったかどうかをチェックする(S10)。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where electrode oxidation in a gate electrode interface is suppressed, effectual work function deterioration of a gate electrode is suppressed, and threshold voltage Vt is reduced.例文帳に追加

ゲート電極界面における電極酸化を抑制し、ゲート電極の実効的な仕事関数劣化を抑制し、閾値電圧Vtを低減した半導体装置を提供する。 - 特許庁

This sequence is Alt-SysRq followed by a function key (Fn).This prevents the X server trapping the keys used for the default VT switch sequence, which means that clients can access them.例文帳に追加

このオプションは、仮想端末のデフォルトの切り替えシーケンスとして使われるキーのトラップを抑止する。 これにより、クライアントはこれらのキーにアクセスできるようになる。 - XFree86

An elastic wave velocity Vc in a compressive stress direction of concrete and an elastic wave velocity Vt in a tensile stress direction perpendicular to the elastic wave velocity Vc are respectively determined.例文帳に追加

コンクリートの圧縮応力方向における弾性波速度Vcと、これに直行する引張応力方向における弾性波速度Vtとをそれぞれ求める。 - 特許庁

Moreover, a plane DP vertical to the vector VT is generated, and the approach shape is projected to the plane DP so as to be connected to the approach point SP.例文帳に追加

さらに、このベクトルVTに垂直な平面DPを生成させて、この平面DPに前記アプローチ形状をアプローチ点SPに接合するように投影する。 - 特許庁

To prevent the reliability of data protection from deteriorating and a data writing speed from lowering by controlling the distribution of the threshold voltages Vt of a memory cell after data writing for each of respective chips.例文帳に追加

各チップ毎にデータ書き込み後のメモリセルの閾値電圧Vtの分布を制御し、データ保持の信頼性の劣化およびデータ書き込みスピードの低下を防止する。 - 特許庁

An operation part 24 included in a stage controller calculates a target position Xt, a target moving distance D, and a target velocity Vt (=α D/Ts (α<1)) based on an output signal of a manual input device 15 and a linear encoder 14 for each sampling interval Ts, and performs control so as to move a stage 12 at the target velocity Vt.例文帳に追加

ステージ制御装置に含まれる演算部24は、サンプリング間隔Ts毎に、手動入力装置15及びリニアエンコーダ14の出力信号に基づいて目標位置Xt、目標移動距離D、及び目標速度Vt(=α・D/Ts(但しα<1))を算出し、目標速度Vtでステージ12を移動させるように制御する。 - 特許庁

In a MOSFET provided in an element region being divided by a trench element separation region 2 formed on a P-type silicon substrate 1, the center part of a channel region 10 is set to a P--channel region 11 of low Vt, and each of both end parts near the boundary to the trench element separation region 2 is set to a P+-channel region 12 of high Vt.例文帳に追加

P型シリコン基板1に形成されたトレンチ素子分離領域2により区画された素子領域に設けられたMOSFETにおいて、チャンネル領域10の中央部をVtが低いP^- チャンネル領域11にし、トレンチ素子分離領域2との境界近傍の両端部分をそれぞれVtが高いP^+ チャンネル領域12にする。 - 特許庁

In an engine ignition timing determining method of detecting vibration of an engine 1, comparing a detected vibration signal Va with a predetermined threshold signal Vt, generating a timing signal Vc having a value shifting to ignition timing T and determining the ignition timing based on the generated timing signal Vc, the threshold signal Vt is varied based on a crank angle of the engine 1.例文帳に追加

エンジン1の振動を検出し、検出した振動信号Vaを所定の閾値信号Vtと比較して、着火時期Tに値が移行するタイミング信号Vcを生成し、生成したタイミング信号Vcに基づいて着火時期を判定するエンジンの着火時期判定方法において、閾値信号Vtを、エンジン1のクランク角度に基づき変動させる。 - 特許庁

There are arranged an amplification circuit 3 to amplify an end-to-end voltage Vr of a resistor 2 connected in series to a fan motor 1, a triangular wave generation circuit 6 to generate a triangular wave voltage Vt and a comparator circuit 7 which compares the output voltage Vr' with the triangular wave voltage Vt to output a pulse signal of a duty ratio corresponding to the output voltage Vr'.例文帳に追加

ファンモータ1と直列に接続された抵抗器2の両端電圧Vr を増幅する増幅回路3と、三角波電圧Vt を生成する三角波生成回路6と、上記出力電圧Vr ′と三角波電圧Vt とを比較して、上記出力電圧Vr ′に対応したデューティー比のパルス信号を出力するコンパレータ回路7とを備える。 - 特許庁

Thus, the temperature characteristic of the control voltage VC has a prescribed relation to the thermal voltage Vt and can optionally be adjusted, in response to the input voltage VCA.例文帳に追加

これにより、制御電圧VCは、熱電圧Vtと所定の関係を持つ温度特性に設定されるとともに、入力電圧VCAに応じて任意に調節可能となる。 - 特許庁

The control circuits 13, 14, 15 obtain an error between the output signal OUT and a reference signal VT, generates the control signal S1 corresponding to the error and gives the control signal S1 to the inverting circuit 10.例文帳に追加

制御回路13,14,15は、出力信号OUTと基準信号VTとの誤差を求め、この誤差に対応した制御信号S1を生成して反転回路10に与える。 - 特許庁

The first switching transistor 21 is operated by receiving a first control signal SC1 at a gate and is turned to an OFF state in a vertical synchronizing signal VT and horizontal synchronizing signal HT blanking period.例文帳に追加

この第1のスイッチングトランジスタ21は、ゲートに第1の制御信号SC1を受けて動作し、垂直同期信号VT及び水平同期信号HTブランキング期間でオフ状態となる。 - 特許庁

The amount of emitted light is adjusted so that a maximum value of the sum (Va+Vb) of the output signals outputted from the two light receiving areas corresponds to a prescribed value Vt.例文帳に追加

発光光量の調整時には、当該2つの受光領域から出力される出力信号の総和(Va+Vb)の最大値が規定値Vtとなるように調整する。 - 特許庁

The voltage Eo is inputted to the second arithmetic amplifier (comparator) OP.AMP 2 to be compared with a fly-back pulse Vt from the third coil of a fly-back transformer (TBT) T1, to obtain a switching pulse Vsw.例文帳に追加

または、出力電圧E_oを第2の演算増輻器(比較器)OP.AMP2に入力し、フライバックトランス(TBT)T_1の3次巻線からの帰線パルスV_tと比較してスイッチパルスV_swを得る。 - 特許庁

例文

A Vt dependent voltage generation unit applies a voltage corresponding to a threshold voltage Vtn of an MOS transistor included in the unit 2 itself to a substrate of MOS transistors that the capacitive elements M5-M8 include.例文帳に追加

Vt依存電圧発生部2は、自己の有するMOSトランジスタの閾値電圧Vtnに応じた電圧を、容量素子M5〜M8が有するMOSトランジスタの基板に印加する。 - 特許庁




  
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