「VT」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The control command output unit 8 of the locomotive control device 2 automatically controls a locomotive 1 to run within a permissible speed Vt until all couplers 10 engage.例文帳に追加

機関車制御装置２の制御指令出力部８は、連結器１０の全てが噛み合うまでの間は、機関車１を許容速度Ｖｔ内で走行させるように自動制御する。 - 特許庁

When the power supply voltage +B is suddenly boosted, voltage V2 is reduced lower than the reference voltage VT and an output signal VCP2 from a power supply voltage sudden boost detection circuit 13 is turned to a low level.例文帳に追加

電源電圧＋Ｂの急上昇時には基準電圧ＶTよりも電圧Ｖ2が低くなり、電源電圧急上昇検出回路１３の出力信号ＶCP2はローレベルになる。 - 特許庁

During water electrolysis (S1), an electrolytic voltage Vt is measured (S2), a temperature y of circulation water is measured (S3), further, an electric current density x is also measured (S4) and each signal is transmitted to a control means.例文帳に追加

水電解中(S1)に、電解電圧Ｖｔを計測する(S2)とともに、循環水温度ｙを計測し(S3)、さらに、電流密度ｘも計測して(S4)、各信号を制御手段に送信する。 - 特許庁

Therefore, gain patterns are changed by a gain pattern changing portion 153 and the size of gain G is changed to a smaller value than the gain immediately before reaching the target rotational velocity Vt.例文帳に追加

これにより、ゲインパターン切換部１５３によって、ゲインパターンの切り換えが行なわれ、ゲインＧの大きさが、目標回転速度Ｖｔに達する直前のものに比べて小さく変更される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can suppress the reduction in effect in high-speed operation due to dynamic VT without adding a power supply circuit or the like even when a first power supply voltage drops.例文帳に追加

電源回路等を追加することなく、第１の電源電圧が低下してもダイナミックＶＴによる高速化の効果の低減を抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The sampling timing setting section inserts the sampling timing of Vq between the sampling timings of two adjacent analogue input voltage signals among Vref3, Vref2, Vref1, and Vt.例文帳に追加

このサンプリングタイミング設定部は、Ｖｑのサンプリングタイミングを、Ｖｒｅｆ３、Ｖｒｅｆ２、Ｖｒｅｆ１、Ｖｔのうち隣合う２つのアナログ入力電圧信号のサンプリングタイミング間に挿入している。 - 特許庁

The timing signal generating circuit 20 includes a D/A converter 21, which converts an input digital value into an analog voltage and a VT converter 22 which converts the analog voltage into a corresponding delay time.例文帳に追加

タイミング信号発生回路２０は、入力デジタル値をアナログ電圧に変換するＤＡ変換器２１と、アナログ電圧を対応する遅延時間に変換するＶＴ変換器２２を備える。 - 特許庁

If the optical swing angle is determine to be smaller than the set value (SA4: Yes), a voltage Vt of a drive signal DS is increased by a voltage variation amount 0.1 volt (SA5).例文帳に追加

光学振れ角の値が、設定角度未満であると判断されると（ＳＡ４：Ｙｅｓ）、駆動信号ＤＳの電圧値Ｖｔが電圧変更幅０．１ボルトの分だけ増大される（ＳＡ５）。 - 特許庁

The second target voltage value (V2) is set to a value where a voltage rise (ΔV) measured after the completion of the primary discharging steps is subtracted from a target voltage (VT) of the battery cell 1.例文帳に追加

第二目標電圧値（Ｖ２）は、電池セル１のターゲット電圧（ＶＴ）から、一次放電ステップ終了後に測定される電圧上昇（ΔＶ）分を減じた値に設定される。 - 特許庁

Thus, as compared with the conventional case of applying a fixed pulse voltage, the drain current ID of the memory transistor 1 is reduced, and the variance in the threshold voltage VT is reduced.例文帳に追加

したがって、一定のパルス電圧を印加していた従来に比べ、メモリトランジスタ１のドレイン電流ＩＤを小さくすることができ、しきい値電圧ＶＴのバラツキを小さくすることができる。 - 特許庁

A calculation part 17 calculates electric voltages Vx and Vy for rotating a mirror 1041 about an x-axis and a y-axis by prescribed amounts, respectively, from the control variable Vt.例文帳に追加

算出部１７は、制御変数Ｖｔからミラー１０４１をｘ軸回りおよびｙ軸回りにそれぞれ所定量回動させるための電圧ＶｘおよびＶｙを算出する。 - 特許庁

To suppress variance on voltage applied to a bit line when an erasure voltage application step is repeatedly executed and to reduce variance on Vt after erasure in a nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置において、消去電圧印加ステップを繰り返し実行する際のビット線への印加電圧のばらつきを抑制し、消去後のＶｔばらつきを低減する。 - 特許庁

A calculation unit 17 calculates axis voltages Vx and Vy for rotating a mirror 1041 on an (x) axis and a (y) axis, respectively, by a prescribed amount from a control variable Vt.例文帳に追加

算出部１７は、制御変数Ｖｔからミラー１０４１をｘ軸回りおよびｙ軸回りにそれぞれ所定量回動させるための軸電圧ＶｘおよびＶｙを算出する。 - 特許庁

The corner edge oxide film 24, added to the dielectric layer 22, is formed on the device corners, thereby increasing the thickness of the oxide film on the device corners, as well as its threshold voltage Vt.例文帳に追加

デバイス・コーナーの上に、誘電体層２２に加えてコーナー・エッジ酸化膜２４が形成されているので、デバイス・コーナーの上の酸化膜の厚さが増加し、そのしきい値電圧（Ｖｔ）が増加する。 - 特許庁

The vehicle driving operation assisting device 1 calculates the risk potential RP from the running environment of the vehicle concerned and calculates the reference vehicle speed Vt when the vehicle is running.例文帳に追加

車両用運転操作補助装置１は、自車両周囲の走行環境からリスクポテンシャルＲＰを算出し、さらに自車両が走行する際の基準車速Ｖｔを算出する。 - 特許庁

Further, a current I6 with temperature characteristic having a prescribed relation with a thermal voltage Vt is divided into two currents (I7, I8), at a rate nearly equal to the rate of the ratio as above.例文帳に追加

また、熱電圧Ｖｔと所定の関係を持つ温度特性を有した電流Ｉ６が、当該分割の割合とほぼ等しい割合で２つの電流（Ｉ７，Ｉ８）に分割される。 - 特許庁

The time for recording the program by both the DVD processing section 4 and the VT processing section 5 is very short, thereby, the power consumption of the apparatus main body can sufficiently be suppressed.例文帳に追加

したがって、ＤＶＤ処理部４と、ＶＴ処理部５の両方が、共に番組を録画している時間がわずかであり、装置本体の消費電力を十分に抑えることができる。 - 特許庁

The determination portion 150 determines that the disturbance behavior is the shake caused by an external force from the vehicular width direction and outputs a signal A2 when V>Vt, |θ|≤θt, and |G|>Gt are satisfied.例文帳に追加

判断部１５０は、Ｖ＞Ｖｔ、｜θ｜≦θｔ、且つ、｜Ｇ｜＞Ｇｔであるときに、外乱挙動は車幅方向からの外力による揺れであると判断し、信号Ａ２を出力する。 - 特許庁

For a period before and after the transistor is turned off, the substrate potential VB is held at a high constant value, and the actual value of the threshold value voltage Vt is held at a low constant value (t4 to t8).例文帳に追加

そして、トランジスタがターンオフする前後の期間は、基板電位ＶＢを高い一定値に保持させ、しきい値電圧Ｖｔの実際の値を低い一定値に保持させる（ｔ４〜ｔ８）。 - 特許庁

The wire traveling speed F is obtained from the formula F=VT×k/δ, and a motor 10 is controlled so that the wire traveling speed is F where k is the machining coefficient according to a material of the work 15.例文帳に追加

ｋをワーク１５の材質に応じた加工係数とするとき、ワイヤ走行速度Ｆを、Ｆ＝Ｖ・Ｔ×ｋ／δにより求め、ワイヤ走行速度がＦになるようにモータ１０を制御する。 - 特許庁

Then, the television screen obtained from the video signal VT is displayed in the television screen display area by fitting the television screen to resolution of the television screen display area by maintaining its aspect ratio.例文帳に追加

そして、テレビ画面表示領域には、映像信号ＶＴから得られるテレビ画面をそのアスペクト比を維持してテレビ画面表示領域の解像度に適合させて表示している。 - 特許庁

To reduce the mismatch of the threshold voltage Vt of a plurality of MOS type field effect transistors (MOSFET) formed in a semiconductor board and contrive the area reduction.例文帳に追加

半導体基体中に形成する複数のＭＯＳ型電解効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のしきい値電圧Ｖｔｈのミスマッチ（不整合）を低減し、且つその面積縮小化を図る。 - 特許庁

Each of the electrodes 20 has a first electrode 21 to which at least a positive voltage Vt is applied and a second electrode 22 to which only 0 or only negative voltages ϕV2, ϕV4 are applied.例文帳に追加

電極２０は、少なくとも正電圧Ｖｔが印加される第１電極２１と、０あるいは負電圧φＶ２，φＶ４のみが印加される第２電極２２とを有する。 - 特許庁

To cancel the fluctuation of the hysterisis width of a voltage comparator owing to temperature by compensating the fluctuation of the threshold voltage VT of a MOS transistor constituting the constant current source of a differential amplifier owing to temperature.例文帳に追加

差動増幅器の定電流源を構成するＭＯＳトランジスタのしきい値電圧ＶＴの温度変動を補償することで、電圧比較器のヒステリシス幅の温度変動を解消する。 - 特許庁

The access transistors have threshold voltages (Vt) lower than those of the pull-down transistors, which enables the SRAM cell to effectively maintain a logic "1" potential during standby.例文帳に追加

アクセス・トランジスタはプルダウン・トランジスタよりも低い閾値電圧（Ｖｔ）を有し、これによって、ＳＲＡＭセルは、スタンバイ中に、論理「１」の電位を効果的に維持することができるようになる。 - 特許庁

The linear velocity Vc of an intermediate transfer belt 8 is made lower than the linear velocity Vr of a pair of registration rollers 12b but made higher than the linear velocity Vt of a pair of fixing rollers 13.例文帳に追加

中間転写ベルト８の線速Ｖｃを、レジストローラ対１２ｂの線速Ｖｒよりも小さく、且つ定着ローラ対１３の線速Ｖｔよりも大きくなるように設定する。 - 特許庁

Thus, since the operation of the mirror having two axes is controlled by a single control variable Vt, crosstalks are reduced and suppression of the "rabbit ear" is suppressed more easily.例文帳に追加

これにより、２つの軸を有するミラーの動作を１つの制御変数Ｖｔによって制御することが可能となるので、より容易に、クロストークの低減とRabbit Earの抑圧を実現することができる。 - 特許庁

A method for reset procedure control sets a clock period of a timer Timer_Status_Prohibit to an appropriate value, so as to prevent an interference from a timer Timer_Status_Periodic against the count of a state variable VT(RST).例文帳に追加

リセット手続きを制御する方法は、状態変数ＶＴ（ＲＳＴ）のカウントに対するタイマＴｉｍｅｒ＿Ｓｔａｔｕｓ＿Ｐｅｒｉｏｄｉｃからの干渉を阻止するために、タイマＴｉｍｅｒ＿Ｓｔａｔｕｓ＿Ｐｒｏｈｉｂｉｔのクロック周期を適切な値に設定する。 - 特許庁

An air flow measurement device includes the TAD that samples reference voltage signals Vref3, Vref2, Vref1, intake air temperature voltage signal Vt, and the airflow voltage signal Vq in an order selected by an analog multiplexer, and converts them to digital data; and a sampling timing setting unit that sets a timing of sampling Vref3, Vref2, Vref1, Vt, and Vq by the TAD.例文帳に追加

アナログマルチプレクサによって選択された順序で、基準電圧信号Ｖｒｅｆ３、Ｖｒｅｆ２、Ｖｒｅｆ１、吸気温度電圧信号Ｖｔおよび空気流量電圧信号Ｖｑをサンプリングしてデジタルデータに変換するＴＡＤと、Ｖｒｅｆ３、Ｖｒｅｆ２、Ｖｒｅｆ１、Ｖｔ、ＶｑをＴＡＤがサンプリングするタイミングを設定するサンプリングタイミング設定部とを備えている。 - 特許庁

At AE bracket photography for consecutively picking up images by an image pickup sensor while changing exposure values to sequentially generate image data with different exposure, fixed reference voltage Vt is held within the range from correct exposure to -2EV, and on the other hand, reference voltage Va lower than Vt is set in -3EV, and reference voltage Vb lower than Va is set in -4EV.例文帳に追加

そして、露出値を変更しつつ撮像センサにより連続的に撮像して露出の異なる画像データを順次に生成するＡＥブラケット撮影の際、適正露出から−２ＥＶまでの範囲では一定の基準電圧Ｖｔに保持する一方、−３ＥＶではＶｔより低い基準電圧Ｖａに設定するとともに、−４ＥＶではＶａより低い基準電圧Ｖｂに設定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of balancing improvement of breakdown strength with suppression of drop of a threshold voltage Vt by stabilizing well potential even when miniaturized, and having a trench gate; and its manufacturing method.例文帳に追加

微細化してもウエル電位を安定化させ、破壊耐量の向上としきい値電圧Ｖｔの低下の抑制とを両立し、トレンチゲートを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for discriminating short circuit of AC pulsed arc welding is designed to set the reference value Vt at a larger value Vtp only in the energizing period Tp of the peak current than in other periods Ten, Tb.例文帳に追加

本発明は、上記の基準値Ｖｔを、上記のピーク電流の通電期間Ｔｐのみ他の期間Ｔen、Ｔｂよりも大きな値Ｖtpに設定する交流パルスアーク溶接の短絡判別方法である。 - 特許庁

The ratio R of the peripheral velocity Vr_1 of the work roll 16a and the peripheral velocity Vr_2 of the work roll 16b to the drawing speed Vt immediately after passing the sizing die 8b is set to be within a range between 1.2 and 5.0.例文帳に追加

その際、ワークロール１６ａの周速度Ｖｒ_１及びワークロール１６ｂの周速度Ｖｒ_２と、サイジングダイス８ｂを通過直後の引き抜き速度Ｖｔとの比Ｒを１．２乃至５．０の範囲内にする。 - 特許庁

When the circuit 11 designates a negative film, the switches 13, 15 respectively give a prescribed value Vt and an output of an ABC circuit 14 that controls a high conversion reference voltage Vrb to the A/D converter 8.例文帳に追加

また、ネガフィルムを指定すると、スイッチ１３、１５は一定値Ｖｔ及び上位変換基準電圧Ｖｒｂを制御するＡＢＣ回路１４の出力をＡ／Ｄコンバータ８に入力する。 - 特許庁

When the valve timing VT is at the lock phase (time t1 to t2), the hydraulic pressure in the oil discharge passage is controlled by low pressure by comparing the valve timing at the lock phase and that at a non-lock phase (on and after t2).例文帳に追加

バルブタイミングＶＴがロック位相であるときに（時刻ｔ１〜ｔ２）、バルブタイミングがロック位相でないときと比較して（時刻ｔ２以降）、吐出油路内の油圧を低い圧力で制限する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which the Vt fluctuation of an unwritten transistor can be suppressed in continuous reading-out at a high temperature without increasing the irradiation time of ultraviolet ray in a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程において紫外線の照射時間を増加させることなく、高温連続読み出し時の未書き込みトランジスタのＶ_t変動を抑制する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The peak factor reduction device is also additionally provided with a function for comparing instantaneous amplitude values of a signal Sout after a peak factor reduction, and the peak factor threshold value Vt, and automatically calculating a peak detection width N so as to suppress the residual of each peak.例文帳に追加

また、ピークファクタ低減後の信号Ｓｏｕｔとピークファクタ閾値Ｖｔの瞬時振幅値を比較し、ピーク残留を抑えるようにピーク検出幅Ｎを自動的に算出する機能を追加する。 - 特許庁

Thus, the reference shift amount is suitably corrected without conducting the processing of obtaining read output Vt' while changing the linear speed, so that increase in user's wait time can be eliminated.例文帳に追加

これにより、線速を変化させながら読取出力Ｖｔ’を取得する処理を実施することなく、基準シフト量を適切に補正するので、ユーザーの待ち時間の増加を解消することができる。 - 特許庁

The temperature detecting voltage VT is given to a reference voltage generating section 50 and the section 50 generates a reference voltage Vref having the opposite temperature characteristic to that of the resistor 31 and the ON-resistances are nearly fixed.例文帳に追加

温度検出電圧ＶＴは基準電圧生成部５０に与えられ、抵抗３１と逆の温度特性を有する基準電圧Ｖｒｅｆが生成され、オン抵抗はほぼ一定に保たれる。 - 特許庁

An image forming apparatus forms an electrostatic image graduation 31a on a photosensitive drum 12a by an exposure device 16a, and transfers it to an intermediate transfer belt 24 by applying a transfer voltage Vt on a primary transfer roller 51.例文帳に追加

露光装置１６ａにより感光ドラム１２ａに静電像目盛り３１ａを形成し、一次転写ローラ５１に転写電圧Ｖｔを印加して中間転写ベルト２４へ転写させる。 - 特許庁

By applying various kinds of G-S reverse biases to the low Vt MOST, a high-speed low-voltage CMOS logic circuit or a memory circuit with less leakage current and at 1 V and under can be achieved.例文帳に追加

低ＶｔのＭＯＳＴに各種のＧ−Ｓ逆バイアスを加えることにより、リーク電流の少ない１Ｖ以下の高速低電圧ＣＭＯＳ論理回路、あるいはメモリ回路が実現される。 - 特許庁

When detecting that an output voltage of at least one single cell 1 of a fuel cell stack 10 has dropped further than a prescribed threshold value Vt, a voltage recovery processing is carried out in a control part 40.例文帳に追加

燃料電池スタック１０の少なくとも１つの単セル１の出力電圧が所定の閾値Ｖ_tより低下したことを検出したときに、制御部４０は電圧回復処理を実行する。 - 特許庁

The resistance of the resistors T1-T8 being components of the variable resistance circuit VT sequentially increases from a terminal N3 and the resistance of the resistor T8 connected to the inverting input terminal is highest.例文帳に追加

可変抵抗回路ＶＴは、端子Ｎ３側から抵抗Ｔ１〜Ｔ８の抵抗値が順次大きくなり、反転入力端子に接続される抵抗Ｔ８の抵抗値が最も大きくなっている。 - 特許庁

The passing speed VT of the vehicle for passing through the intersection without colliding with a moving body approaching the vehicle from the outside of the viewable range is calculated based on a viewable range.例文帳に追加

見通し範囲外から車両に向けて接近してくる移動物体と衝突することなく、交差点を該車両が通過することが可能な通過可能速度ＶＴを、見通し範囲に基づいて算出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of preventing a Vt fluctuation due to UV beam generated in a manufacturing step of the semiconductor storage device with high reliability, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造工程で発生するＵＶ光に起因するＶｔ変動を防止し、信頼性の高い半導体記憶装置、及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁