「VT」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A color adjustment judging section 43 compares the parameter related to color held in the parameter holding section 42 with a predetermined threshold Vt and judges whether color adjustment is permitted or not depending on the comparison result.例文帳に追加

色調整判定部４３は、パラメータ保持部４２に保持されている色に関するパラメータを所定の閾値Ｖｔと比較し、当該比較の結果に応じて色調整の許可／不許可を判定する。 - 特許庁

Which STS signal is sent to the VT exchange module 24 or the ATM exchange module 25 is preset by the operator by using a central control module 32 based on intelligence of the network.例文帳に追加

いずれのＳＴＳ信号をＶＴ交換モジュール２４やＡＴＭ交換モジュール２５に送るかは、オペレータが集中制御モジュール３２を使い、ネットワークに関する知識を基に予め設定する。 - 特許庁

The input signal of the power amplifier is increased or decreased according to a sum signal obtained as the sum of an integral value signal VL of the output of the power amplifier 1 and a temperature detection signal VT of the power amplifier.例文帳に追加

パワーアンプ１の出力の積分値信号ＶL と前記パワーアンプの温度検出信号ＶT との和として得られる和信号に応じて、前記パワーアンプ１の入力信号を増減させる。 - 特許庁

A difference in gate-source voltage between two MOS transistors having gates having the same temperature characteristic of a threshold voltage Vt and different impurity densities is output as a reference voltage Vref.例文帳に追加

スレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性が共に等しく、不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタにおけるゲート・ソース間電圧の差を基準電圧Ｖrefとして出力する。 - 特許庁

To provide a reference voltage generating circuit maintaining stable operation even if voltage Vt required for turning on a transistor constituting a start-up circuit is relatively high.例文帳に追加

スタートアップ回路を構成するトランジスタがオン状態となるために必要な電圧Ｖｔが比較的高い場合であっても、安定した動作を維持することができる基準電圧発生回路を提供する。 - 特許庁

The accelerator pedal reaction force is controlled so that the obtained reaction force control amount is generated, and the information on the risk potential RP and the reference vehicle speed Vt is transmitted to the driver through the touch sense.例文帳に追加

算出した反力制御量を発生するようにアクセルペダル反力を制御し、リスクポテンシャルＲＰおよび基準車速Ｖｔに関する情報を触覚を介して運転者に伝達する。 - 特許庁

A word line driver WDa activates the word line W with a lower potential (Vcc-Vt) than a supply potential (Vcc) of the memory cell MC at the time of the initial stage of conduction between this node and the bit lines B, /B.例文帳に追加

ワード線ドライバＷＤａは、このノードとビット線Ｂ及び／Ｂとの導通初期、メモリセルＭＣの給電電位（Ｖｃｃ）よりも低い電位「Ｖｃｃ−Ｖｔ」にてワード線Ｗを活性化する。 - 特許庁

When a resistance value of a resistor 28 is defined as Re, a resistance value of resistors 29 and 30 is defined as 2R and emitter voltage of a transistor 23 is defined as Vo', the voltage Vo' is expressed as an equation:Vo'=2 Vbe 1+2(R/Re).1n(n).Vt.例文帳に追加

抵抗２８の抵抗値をＲｅとし、抵抗２９と抵抗３０の抵抗値を２Ｒとし、トランジスタ２３のエミッタ電圧をＶｏ’とすると、この電圧Ｖｏ’は、下記式のように表される。 - 特許庁

On the other hand, in writing of data "1", the MOSFET is turned in an OFF state by by raising a threshold Vt while pouring charges into the floating gate electrode 36 of the MOSFET having the channel width W_B.例文帳に追加

一方、データ「１」の書き込みでは、チャネル幅Ｗ_ＢのＭＯＳＦＥＴのフローティングゲート電極３６に電荷を注入して、しきい値電圧Ｖｔを上げ、ＭＯＳＦＥＴをオフ状態とする。 - 特許庁

Therefore, when the value of the resistor 43 is set so as to exceed Vt of the NMOS transistor 33 before the potential of the output node N1 becomes an essential reference voltage, even if the Vt of the transistor 33 constituting the start-up circuit is relatively high, the reference voltage generating circuit does not output voltage exceeding the reference voltage, and can promptly start and stably maintain the reference voltage.例文帳に追加

よって、出力ノードＮ１の電位が本来の基準電圧になる前に、ＮＭＯＳトランジスタ３３のＶｔを超えるように抵抗４３の値が設定されれば、スタートアップ回路を構成するトランジスタ３３のＶｔが比較的高い場合であっても、基準電圧発生回路は基準電圧を超える電圧を出力することなく、速やかに立ち上がって基準電圧で安定させることができる。 - 特許庁

If a fetching speed vtmax is lower than the propagation speed vi and the processing speed vs, the maximum fetching speed is suitable, and the others are lower; the fetching speed vt is changed according to the lowest speed.例文帳に追加

取込速度ｖｔｍａｘが伝播速度ｖｉ及び処理速度ｖｓよりも遅いときは、最速の取込速度が適正であり、他が遅い場合には、最も遅い速度に合わせて取込速度ｖｔを変更する。 - 特許庁

When current supplied from a constant current source is defined as I1, current difference between the base and emitter of transistors Q1 and Q2 is defined as Vbe1 and potential difference VB5 for bias is I1>I3, VB5=2×Vbe1-A×Vt.例文帳に追加

定電流源から供給される電流をＩ_1 とし、トランジスタＱ１，Ｑ２のベースとエミッタ間の電位差をＶｂｅ_1とし、バイアス用電位差ＶＢ_5は、Ｉ_1＞＞Ｉ_3 であれば、ＶＢ_5＝２×Ｖｂｅ_1 −Ａ×Ｖｔとなる。 - 特許庁

After an elapse time TD1, since a delay circuit 207 raises the potential of one end of a capacitor 208 by Vcc, the gate potential of the transistor 201 is turned into 2Vcc-Vt, and a source line is charged at a high speed.例文帳に追加

遅延時間Ｔ_D1経過後に、遅延回路２０７がキャパシタ２０８の一端の電位をＶｃｃだけ引き上がるので、トランジスタ２０１のゲート電位は２Ｖｃｃ−Ｖｔとなり、ソース線が高速で充電される。 - 特許庁

An insulating object which is made of the same material as the insulating member 18 is mounted as insulation testing piece 10 on a insulating member 18 covering a conductive part 17 connecting VCB 7 and VT 8 in a high voltage equipment 30.例文帳に追加

高電圧機器３０内のＶＣＢ７とＶＴ８とを接続する導電部１７を覆う絶縁部材１８上に、この絶縁部材１８と同じ材質の絶縁物を絶縁試験片１０として取り付ける。 - 特許庁

When a clock signal CK is 'L', an input changeover switch 2 is switched to an input voltage Vi side and PMOSs 6 and 7 are also turned on to set the electric potential of an internal node NA in a threshold voltage Vt of an inverter 4.例文帳に追加

クロック信号ＣＫが“Ｌ”のとき、入力切替スイッチ２は入力電圧Ｖｉ側に切り替えられると共に、ＰＭＯＳ６，７がオンとなって内部ノードＮＡの電位は、インバータ４の閾値電圧Ｖｔにセットされる。 - 特許庁

To provide a recess gate forming method of a semiconductor device which can improve a process failure and minimize the amount of the movement of a cell Vt while obtaining the linewidth of a desired target with respect to a first recess gate region.例文帳に追加

第１のリセスゲート領域に対し望むターゲットの線幅が得られながらも工程不良の改善、及びセルＶｔの移動量を最少化することができる半導体素子のリセスゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

The correction function setter 6A selects map correction data most suitable to the NMR probe 4 from these functions and transmits them to a magnetic field correction device 6, and the magnetic field correction device 6 corrects the total static magnetic field according to the VT temperature.例文帳に追加

補正関数設定器６Ａはこれらの関数から、そのＮＭＲプローブ４に最適なマップ補正データを磁場補正装置６へ送り、磁場補正装置６はトータルの静磁場をＶＴ温度に応じて補正する。 - 特許庁

The treatment liquid staying in the liquid supply pipe 2 and the treatment liquid distribution path 21 can be exhausted to a suction/exhaust path 41 by opening the treatment liquid supply valve VT and a treatment liquid suction valve VV.例文帳に追加

処理液供給管２および処理液流通路２１に残留した処理液は、処理液供給バルブＶＴおよび処理液吸引バルブＶＶを開くことで、吸引排出路４１へと排出できる。 - 特許庁

The control of avoiding the collision is activated at appropriate timing while considering speed which can be taken by a driver in response to the viewable range since the passing speed VT is calculated according to the magnitude of the viewable range.例文帳に追加

見通し範囲の大きさに応じた通過可能速度ＶＴを算出するので、見通し範囲に応じて運転者が取り得る速度を考慮しつつ、衝突回避の制御を適切なタイミングで発動させる。 - 特許庁

When the position at the present time is within the entire edge region (Step S14 is affirmative), the acceleration DVc is calculated based on the present moving speed Vc(m) and the previous target speed Vt(m-1) (Step S22).例文帳に追加

現時点の位置が全エッジ領域内である場合（ステップＳ１４が肯定）、今回の目標速度Ｖｔ（ｍ）及び前回の目標速度Ｖｔ（ｍ−１）に基づき加速度ＤＶｃを算出する（ステップＳ２２）。 - 特許庁

Furthermore, a control voltage Vt of 0 to 5 V is applied to a cathode of a varactor Cv DC-cut by capacitors C1 and C2, and a reference voltage, for example, the reference voltage of -5V is applied from a reference voltage source 6 to an anode.例文帳に追加

また、コンデンサＣ1 ，Ｃ2 でＤＣカットされたバラクタＣｖのカソードに、０〜５Ｖの制御用電圧Ｖｔを印加すると共に、アノードに、基準電圧源６から例えば−５Ｖの基準電圧を印加する。 - 特許庁

Then, when the moving speed of the grid 100 is denoted as v and elapsed time from the point of time of starting the movement of the grid 100 is denoted as t, the grid moving mechanism 108 moves the grid 100 so that vt is constant.例文帳に追加

そして、グリッド移動機構１０８は、グリッド１００の移動速度をｖ、グリッド１００の移動開始時点からの経過時間をｔとしたとき、ｖｔ＝一定となるようにグリッド１００を移動させる。 - 特許庁

Since this circuit part can be driven by a voltage that is a threshold voltage VT of the transistor QH plus the voltage VDS between the drain and the source of the transistor Q7 without requiring any other voltage, the reliability of the operation can be ensured even when low-voltage-driving.例文帳に追加

この回路部分では、トランジスタＱＨの閾値電圧ＶＴ＋トランジスタＱ７のドレイン−ソース間電圧ＶＤＳのみで駆動できるため、低電圧駆動時でも動作の信頼性を確保できる。 - 特許庁

And besides, a signal change-over switch 19 outputs a temporary oxygen concentration signal Vt between the electrodes 9, 14, when the oxygen pump part 12 is un-activated, and outputs the air-fuel ratio signal VOUT, after the oxygen pump part 12 is activated.例文帳に追加

さらに、信号切換器１９は、酸素ポンプ部１２が未活性であるときに電極９，１４間の暫定酸素濃度信号Ｖt を出力し、酸素ポンプ部１２が活性化した後には空燃比信号Ｖ_OUT を出力する。 - 特許庁

In the reference voltage source circuit of a low voltage operation, difference of voltage between a gate and a source in two MOS transistors having gates in which both temperature characteristics of threshold voltage Vt are equal to each other and impurities concentration is different from each other is output as reference voltage Vref.例文帳に追加

スレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性が共に等しく、不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタにおけるゲート・ソース間電圧の差を基準電圧Ｖrefとして出力する。 - 特許庁

On the other hand, when the output value Vt of the toner concentration sensor 191 is higher than the threshold Vref, the control part 198 displays an error message that the developer is present in the developing device on the operating display part 194 or the like, and terminates the procedure.例文帳に追加

一方、閾値Ｖｒｅｆよりもトナー濃度センサ１９１の出力値Ｖｔが高い場合は、操作表示部１９４などに現像装置内に現像剤がある旨を警告表示して、終了する。 - 特許庁

A control voltage Vt for feedback control of an oscillation frequency is applied to back gate terminals of variable capacitance elements 121, 122, 131, 132, 141 and 142 of the variable capacitance circuits 120, 130 and 140.例文帳に追加

各可変容量回路１２０、１３０、及び１４０の可変容量素子１２１、１２２、１３１、１３２、１４１、及び１４２のバックゲート端子には、発振周波数をフィードバック制御するための制御電位Ｖｔが印加される。 - 特許庁

In the case where the state that vehicle speed is equal to zero continues for a predetermined time Tc or more, the step is advanced from S8 to S9, and the present quantity Vt of remaining fuel is computed on the basis of the resistance value of a liquid level sensor.例文帳に追加

車速＝０の状態が所定時間Ｔｃ以上継続した場合には、ステップＳ８からステップＳ９に進み、液面センサの抵抗値に基づき、現時点の燃料残量Ｖｔを算出する。 - 特許庁

Then, when the moving speed of the grid 100 is denoted as v and elapsed time from the point of time of starting the movement of the grid 100 is denoted as t, the grid moving mechanism 108 moves the grid 100 so that vt is constant.例文帳に追加

そして、グリッド移動機構１０８は、グリッド１００の移動速度をｖ、グリッド１００の移動開始時点からの経過時間をｔとしたとき、ｖｔ＝一定となるようにグリッド１００を移動させる。 - 特許庁

The transfer part 68 is constituted of a photoreceptor 22 rotated at an outer circumferential speed Vd and a transfer roll 24 rotated at a rotation speed Vt, and a toner image is transferred to the continuous paper 11 in the transfer part 68.例文帳に追加

転写部６８は、外周速度Ｖｄで回転する感光体２２と回転速度Ｖｔで回転する転写ロール２４とによって構成され、この転写部６８で、トナー画像が連続紙１１に転写される。 - 特許庁

To provide a highly reliable nonvolatile semiconductor storage device by preventing variation in Vt caused by UV light generated in the manufacturing process of a semiconductor storage device, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造工程で発生するＵＶ光に起因するＶｔ変動を防止し、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When a coordinate system comprising the X-axis directing in the reverse traveling direction from the mechanical origin and the Z-axis perpendicular to the X-axis and directing in the height direction is set, the tomographic wave front can be shown as Z(X+Vt).例文帳に追加

機械的原点から逆進行方向に向くＸ軸とそのＸ軸に直交して高さ方向に向くＺ軸からなる座標系上が設定されれば、その地形波面はＺ（Ｘ＋Ｖｔ）で表され得る。 - 特許庁

A data collection part 15 collects the X rays detected by an X-ray detector 14 as projection data in association with a data collection control signal (a VT signal) output from a control part 10.例文帳に追加

データ収集部１５は、Ｘ線検出器１４により検出されたＸ線を、制御部１０から出力されたデータ収集制御信号（ＶＴ信号）に対応させて投影データとして収集する。 - 特許庁

In this idling stop device 1, the microcomputer 2 is reset when the voltage of the battery 51 is lowered and the voltage VCC of the power supply of the microcomputer 2 is less than the minimum operating voltage Vt of the microcomputer 2.例文帳に追加

アイドリングストップ装置１においては、バッテリ５１の電圧が低下して、マイクロコンピュータ２の電源の電圧ＶＣＣがマイクロコンピュータ２の最低動作電圧Ｖｔ未満となった場合に、マイクロコンピュータ２がリセットされる。 - 特許庁

By using the reset voltage as initial voltage, the VT converter 22 charges an integration capacitor 77 with a constant current, from a constant-current source 76 and outputs a timing signal, when an integrated voltage of the capacitor exceeds the analog voltage.例文帳に追加

ＶＴ変換器２２は、リセット電圧を初期電圧として定電流源７６からの定電流を積分キャパシタ７７で充電し、その積分電圧がアナログ電圧を超えたときにタイミング信号を出力する。 - 特許庁

The differential current ir and the rate of change id are the input of a current fuzzy control unit 10, the fuzzy inference is effected based on these two inputs, and its output is given as the terminal voltage Vt of the motor 9.例文帳に追加

これら差電流ｉ_r および変化率ｉ_d が電流ファジイ制御ユニット１０の入力とされ、これら２入力に基づいてファジイ推論が行われて、その出力はモータ９の端子電圧Ｖ__t として与えられる。 - 特許庁

A DC filament voltage Vt is applied to a filament 16 of a fluorescent display tube 12 in such a manner that the polarities at both ends of the filament 16 are alternately changed over.例文帳に追加

この発明が適用された表示装置１０によれば、蛍光表示管１２のフィラメント１６に対して、当該フィラメント１６の両端の極性が交互に切り換わるように、直流のフィラメント電圧Ｖｆが印加される。 - 特許庁

A dummy doll requiring time required for movement of the dummy doll 100 from an initial position to a collision scheduled position D3 is calculated from moving speed Vt of the dummy doll 100 and the collision scheduled position D3.例文帳に追加

また、ダミー人形１００の移動速度Ｖｔと衝突予定位置Ｄ３とから、ダミー人形１００が初期位置から衝突予定位置Ｄ３まで移動するのに要するダミー人形所要時間を算出する。 - 特許庁

On the basis of a function indicating a correlation between the change value (Vt-Va) and the second change value Rp, an electrical conductivity Va is derived [(7)], and the concentration of the treatment solutions for the substrate can be measured precisely.例文帳に追加

そして、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示す関数に基づいて真の導電率Ｖａを導出して（ ）、基板の処理液の濃度を正確に測定することができる。 - 特許庁

To provide a MOS solid-state imaging apparatus which is capable of ensuring stable operation even if Vt of a transistor consisting of a black crush suppression circuit of the MOS solid-state imaging apparatus is varied from a designed value.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置の黒つぶれ抑圧回路を構成するトランジスタのＶｔが設計値から変動した場合にも安定した動作を確保できるＭＯＳ型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

If an output terminal 11d connected to an electromagnetic coil becomes in a released state, an index voltage output circuit 17 outputs an index voltage VT equal to a voltage VTref of a node N1 from the output terminal 11d.例文帳に追加

指標電圧出力回路１７は、電磁コイルが接続される出力端子１１ｄが開放状態になると、ノードＮ１の電圧ＶＴrefに等しい指標電圧ＶＴを出力端子１１ｄから出力する。 - 特許庁

Triangulart waveform engine speed detection voltage VN is generated by giving a rectangular wave signal VT generated from a monostable multivibrator at the time when voltage is induced on a primary coil of an ignition coil 2 to an integrating circuit 10.例文帳に追加

点火コイル２の一次コイルに電圧が誘起したときに単安定マルチバイブレータから発生させた矩形波信号ＶT を積分回路１０に与えて三角波形の回転数検出電圧ＶN を発生させる。 - 特許庁

The exceeding of this undershoot over the negative side of a first threshold value VT is level-determined, and then the exceeding thereof over the positive side of a second threshold value VT2 is level-determined, whereby the recorded information signal is verified.例文帳に追加

このアンダーシュートが、第１の閾値Ｖ_Ｔを負側に越えたことをレベル弁別し、次に第２の閾値Ｖ_Ｔ２を正側に越えたことをレベル弁別することにより、記録された情報信号のベリファイを行う。 - 特許庁

To provide a C voltage dividing type VT which suppresses the change of capacitance even when there is a temperature change or the change of an insulation gas density or the like and accurately dividing and outputting a main circuit voltage corresponding to a prescribed transformation ratio.例文帳に追加

温度変化や絶縁ガス密度の変化等がある場合にも静電容量の変化を抑制し、主回路電圧を所定の変圧比に応じ正確に分圧して出力するＣ分圧式ＶＴを提供する。 - 特許庁

A threshold voltage VT is generated by a feedback amplifying circuit composed of a differential type comparing part 30 and an amplifying part 40, based on a reference voltage VR, to be fed to a gate of a PMOS 12 in an input part 10.例文帳に追加

差動型の比較部３０と増幅部４０で構成される帰還増幅回路により、基準電圧ＶＲに基づいて閾値電圧ＶＴが生成され、入力部１０のＰＭＯＳ１２のゲートに与えられる。 - 特許庁