「Varistor」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a multilayer semiconductor ceramic capacitor with a varistor function, which improves a product yield while securing an insulation performance enough for practical use, has a good ESD breakdown voltage, and is suitable for mass production.例文帳に追加

実用性に耐えうる絶縁性能を確保しつつ製品歩留まりの向上を図ることができ、かつ良好なＥＳＤ耐圧を有する量産性に適したバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサを実現する。 - 特許庁

The electronic component element such as a varistor or the like which has lead lines is pulled up, after being immersed in the coating formation liquid containing thermosetting resin, and the coating formation liquid adhered to the electronic component element is hardened in semi-cured by being heated.例文帳に追加

バリスタ等のリード線を有する電子部品素子を熱硬化性樹脂を含む外装形成液に浸漬した後に引き上げて、電子部品素子に付着した外装形成液を加熱して半硬化させる。 - 特許庁

What is equivalent to a binder resin for composing the paste is used as a substrate material for making equal heat shrinkage, thus suppressing influence to dielectric characteristics due to heat generated in a subsequent process, varistor characteristics, and conductive characteristics.例文帳に追加

また、基板材料にペーストを構成するバインダー樹脂と同等のものを使用することにより熱収縮を同等にし、後工程で発生する熱による誘電特性、バリスタ特性、導電特性への影響を抑える。 - 特許庁

By connecting the capacitor (capacitive element, varistor, etc.) 3 parallel to the fuse 1, current change ΔI of formula 2, ΔI=V/R... is lowered by making abnormal current just after fusing of the fuse 1 flow to this capacitor 3.例文帳に追加

ヒューズ１へ並列にコンデンサ（容量性素子、バリスタなど）３を接続することによって、ヒューズ１の溶断直後の異常電流をこのコンデンサ３に流すことで電流変化ΔＩ＝Ｖ／Ｒ…（式２）のΔＩを低くする。 - 特許庁

The tabs 51-53 comprise cuts (through slit, through hole, or the like) 511-531 in a plane, and are jointed to the electrodes 42-44 of the varistor element 40 using jointing materials 21-23 supplied to the cuts 511-531.例文帳に追加

タブ５１〜５３は、面内に切欠部（貫通スリット、貫通孔等）５１１〜５３１を有しており、切欠部５１１〜５３１に供給された接合材２１〜３により、バリスタ素子４０の電極４２〜４４に接合されている。 - 特許庁

In a lightning arrestor element 1, an insulation layer is provided on the side of a zinc oxide element 2 electrically connected to the high voltage side and a zinc oxide varistor powder layer 7 is provided in an upper part of the insulation layer.例文帳に追加

避雷器要素１において、高圧側と電気的に接続された酸化亜鉛素子２の側面には絶縁層が設けられており、この絶縁層の上部に酸化亜鉛バリスター粉末層７が施されている。 - 特許庁

Since a varistor voltage drops if the carbon content is decreased too low, more than 7 weight ppm is recommended for a rare earth element, while more than 10 weight ppm is recommend for a Bi system.例文帳に追加

また、炭素の含有量が少なくなりすぎるとバリスタ電圧が低くなってしまうので、希土類元素系では７重量ｐｐｍよりも多く、Ｂｉ系では１０重量ｐｐｍよりも多い方が好ましい。 - 特許庁

To provide conductive paste capable of reducing an air gap occurrent at the interface of an element and an electrode in an electronic component, and to provide an electronic component and a varistor having an electrode formed of that conductive paste.例文帳に追加

電子部品において、素体と電極との界面に生じる空隙を十分に低減できる導電性ペースト、並びに、これから形成された電極を備える電子部品及びバリスタを提供すること。 - 特許庁

The motor 10 is equipped with an armature 14 stored rotatably in a yoke 11; a commutator 22 giving a torque to the armature 14; and the varistor 25 electrically connected with the commutator 22.例文帳に追加

モータ１０は、ヨーク１１に回転可能に収容されるアーマチャ１４と、整流作用によってアーマチャ１４に回転力を与えるコンミテータ２２と、該コンミテータ２２に電気的に接続されるバリスタ２５とを備えている。 - 特許庁

The blank body of a laminated chip varistor is constituted, in such a way that an internal electrode connected to a first external electrode 7 and a counter electrode 3b connected to a second external electrode 8 facing opposite to each other with a gap G in between in the same plane.例文帳に追加

第１の外部電極７に接続された内部電極３ａと、第２の外部電極８に接続された対向電極３ｂとが、ギャップＧを隔てて同一平面上において対向して配置される。 - 特許庁

Thereby, the glass insulating film 13 does not erode in the plating process after protective film formation, and the zinc oxide based laminated chip varistor 10 having good insulation can be obtained with good productivity.例文帳に追加

これにより、保護膜形成後の工程であるメッキ工程にて、ガラス絶縁膜１３が浸食される事が無く、良好な絶縁性を有する酸化亜鉛系積層チップバリスタ１０を良好な生産性で得る事ができる。 - 特許庁

This surge absorbing element 1 is composed by integrally forming a discharge-type surge absorbing element part 2 having internal electrodes 5 opposite to each other interposing a discharge gap with a varistor part 3 by laminating them to connect them in series.例文帳に追加

放電ギャップを間にして対向する内部電極５を有する放電型サージ吸収素子部２と、バリスタ部３が、積層して一体に形成され、直列に接続して構成されるサージ吸収素子１。 - 特許庁

To provide a common choke coil that employs a distributed constant element structure for a varistor to prevent the characteristic impedance from lowering, and takes countermeasures against surges without distorting the waveform of a differential signal.例文帳に追加

バリスタ部分を分布定数素子型の構造にすることにより、特性インピーダンスの低下を防止して、差動信号の波形を歪ませることなくサージ対策を行うことができるコモンモードチョークコイルを提供する。 - 特許庁

Moreover, reduction of the number of parts and cost reduction and device miniaturization resulting from the reduced number of parts are achieved using a LPF (Low-Pass Filter) utilizing impedance of the resistor (inductor), the capacity of the MOSFET, and the capacity of the varistor diode (chip capacitor).例文帳に追加

更に、抵抗（インダクタ）のインピーダンス、ＭＯＳＦＥＴの容量と、バリスタダイオード（チップコンデンサ）の容量によるＬＰＦで、部品点数の削減とそれに伴うコストの削減および装置の小型化が実現する。 - 特許庁

A through-hole 23 penetrating the buffer unit 21 is formed at a part corresponding to the central region of the first main surface 21a in the buffer unit 21, so as to be continued to the through-hole 19 formed on the varistor element 12.例文帳に追加

バッファ部２１における第１の主面２１ａの中央領域に相当する部分には、バリスタ素体１２に形成された貫通孔１９に連続して、バッファ部２１を貫通する貫通孔２３が形成されている。 - 特許庁

An axial terminal S_3 integrally equipped with a commutator piece S, that constitutes the commutator 14, passes in the thickness direction of the core 3, in a state of electrically being insulated from the core 3 and conductively connects a brush slide-contact part S_1 and the varistor 9.例文帳に追加

整流子１４を構成する整流子片Ｓが一体的に具備する軸方向端子部Ｓ_３は、コア３とは電気的絶縁状態でコア３の厚み方向に通り、ブラシ摺接部Ｓ_１とバリスタ９とを導電接続する。 - 特許庁

Windows 64a, 64b for checking connection between power feed side connecting plates 54a, 54b and choke coils 58a, 58b, a choke coil checking windows 65a, 65b and a varistor checking window 66 are each formed on the bottom surface of the housing case 51.例文帳に追加

収容ケース５１の底面には、給電側接続板５４ａ，５４ｂとチョークコイル５８ａ，５８ｂとの接続確認窓６４ａ，６４ｂ、チョークコイル確認窓６５ａ，６５ｂおよびバリスタ確認窓６６が、それぞれ形成されている。 - 特許庁

To very much simplify the connection between the external lead-out lead wire of an insulating cover, led out of a storage case for storing a zinc oxide type varistor and a lead-out conductor in the storage case, and to connect them with continuously stable, high mechanical strength.例文帳に追加

酸化亜鉛形バリスタを収納する収納ケースから引き出す絶縁被覆の外部引出しリード線と収納ケース内の引出し導体との接続を極く簡便にして、かつ、常に安定した高い機械的強度で接続する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for the inspection of a motor, where at least one from among the defect and the absence of a varistor arranged and installed at an armature can be determined, and to provide a method of manufacturing the motor.例文帳に追加

本発明の目的は、アーマチャに配設されるバリスタの欠損と欠品の有無のうち少なくとも一方を判定することができるモータ検査装置及びモータ検査方法並びにモータ製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In the composite elements 15a-15d, varistor sections containing varistors 11a-11d and 12a-12d and inductor sections containing inductors 13a-13d are respectively arranged in parallel in the direction perpendicular to the direction of lamination of the laminate 2.例文帳に追加

複合素子１５ａ〜１５ｄのそれぞれは、バリスタ１１ａ〜１１ｄ，１２ａ〜１２ｄを内蔵したバリスタ部とインダクタ１３ａ〜１３ｄを内蔵したインダクタ部を、積層体２の積層方向に対して直交する方向に並設している。 - 特許庁

To obtain a varistor where unnecessary apertures are not formed at its cover and the immersion of small foreign materials can be prevented and further there is no risk of causing deformation in a slider that is an internal component when assembling the cover to a substrate.例文帳に追加

カバーに不必要な開口部が形成されることがなく、微細な異物の侵入を防止でき、また、基板に対するカバーの組付け時に内部部品である摺動子が変形を受けるおそれのない可変抵抗器を得る。 - 特許庁

In the fluid varistor in which zinc oxide powder is dispersed into a nonconductive liquid and which has fluidity, silicone oil is used as the nonconductive liquid, and the mean grain size of zinc oxide powder is 0.1-100 μm.例文帳に追加

非導電性液体中に酸化亜鉛粉末を分散せしめてなる流動性を有する流体バリスターであって、該非導電性液体がシリコーンオイルであり、また、前記酸化亜鉛粉末の平均粒子径は０．１〜１００μｍである。 - 特許庁

Because the relation to the characteristic and capability of the 1st overvoltage protective element included in the semiconductor integrated circuit chip is taken into consideration in the varistor, it is possible to easily make an electrostatic destruction prevention effect due to it effective.例文帳に追加

バリスタには、半導体集積回路チップに内蔵された第１の過電圧保護素子の特性や能力との関係が考慮されているから、それによる静電破壊防止効果を容易に実効あるものとすることができる。 - 特許庁

To provide a superior structure which can prevent the occurrence of short circuits between external electrodes by forming a high-quality insulating layer which can be formed efficiently with accuracy, on the surface of a ceramic chip varistor element except for an external electrode section.例文帳に追加

セラミックチップバリスタ素子の外部電極部以外の表面に、効率的かつ精度よく形成可能な高品質の絶縁層を形成することにより、外部電極間の短絡を防止可能な優れた構造を提供する。 - 特許庁

To provide a zinc oxide varistor which can absorb surges and noises on a higher level, has reduced variation in voltage nonlinear coefficients, has a high production yield, and has a small change in voltage even in pulse operation.例文帳に追加

サージやノイズの更なる高レベル吸収が可能であり、電圧非直線係数のばらつきが小さく工程歩留まりが高く、かつ酸化亜鉛バリスタのパルス動作においてもバリスタ電圧変化率が小さい酸化亜鉛バリスタを提供する。 - 特許庁

The varistor has a porcelain composition which contains a first crystal particle having ZnO as a main component, and a second crystal particle having oxide containing Zn, Co and Si as a main component; and a pair of electrode plates for pinching the porcelain composition.例文帳に追加

ＺｎＯを主成分とする第一結晶粒、及び、Ｚｎ、Ｃｏ及びＳｉを含む酸化物を主成分とする第二結晶粒を含む磁器組成物と、磁器組成物を挟む一対の電極板とを有するバリスタである。 - 特許庁

In addition, at least a part of an internal electrode 3a overlaps an internal electrode 4a which is connected to the second external electrode 8 via a varistor layer at different heights in the laminating direction Y.例文帳に追加

内部電極３ａの少なくとも一部が、バリスタ層を介して異なる高さ位置で第２の外部電極８に接続されて配置される内部電極４ａに、積層方向Ｙで重なり合うように、バリスタ素体２が構成される。 - 特許庁

A varistor consisting of pn junctions 3 and 5 is fabricated and a GaN based III-V nitride semiconductor is employed as the semiconductor material of p-type semiconductor layers 2 and 6 and an n-type semiconductor layer 4 constituting the pn junctions 3 and 5.例文帳に追加

ｐｎ接合３、５からなるバリスタを作製し、ｐｎ接合３、５を構成するｐ型半導体層２、６及びｎ型半導体層４を構成する半導体材料にＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いる。 - 特許庁

To provide a laminated varistor which can be kept high in surge resistance as required and restrained from increasing unnecessarily in electrostatic capacitance, even if internal electrodes is displaced in a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程において内部電極の位置ずれが生じた場合にも、所望のサージ耐量を確保することが可能で、しかも、静電容量が必要以上に大きくなることを抑制することが可能な積層型バリスタを提供する。 - 特許庁

It is desirable that a process for immersing the varistor after the ground electrode is formed in fatty acid water solution or fatty acid salt water solution and drying it is disposed between the ground electrode forming process and the primary plating process.例文帳に追加

また、下地電極形成工程と前記一次メッキ工程の間に、前記下地電極形成後のバリスタを脂肪酸水溶液または脂肪酸塩水溶液に浸漬させた後に乾燥させる工程をさらに備えることが好ましい。 - 特許庁

Then, in the battery pack 1, a ground (wiring L_6) in the circuit board 20 and the outer surface (a part structured of the metal material) in the second case member 12 are connected with each other through a varistor 206 as a surge control element.例文帳に追加

そして、パック電池１では、回路基板２０におけるグランド（配線Ｌ_６）と、第２ケース部材１２における外表面（金属材料で構成された部分）とが、サージ抑制素子としてのバリスタ２０６を介して接続されている。 - 特許庁

Furthermore, a varistor 71 is interposed between the circumferentially adjoining inner circumferential side terminals 51b, 52b and is integrally formed with the inner circumferential side terminals 51b, 52b so as to electrically connect the mutual inner circumferential side terminals 51b, 52b.例文帳に追加

そして、内周側端末５１ｂ，５２ｂには、周方向に隣り合う内周側端末５１ｂ，５２ｂ間に介在されて当該内周側端末５１ｂ，５２ｂ同士を電気的に接続するようにバリスタ７１が一体成形されている。 - 特許庁

A noise prevention means 54 having a pair of choke coils 55a and 55b and a bidirectional varistor 56 is contained in the containing case 51, and the noise prevention means 54 is connected between the power supply terminal of a connector provided on the gear case 26 and a brush.例文帳に追加

収容ケース５１に一対のチョークコイル５５ａ，５５ｂと双方向性バリスタ５６とを備えた雑音防止手段５４を収容し、この雑音防止手段５４をギヤケース２６上に設けられたコネクタの給電端子とブラシとの間に接続する。 - 特許庁

The first and second external electrodes 53, 54 are formed on the major surfaces 22, 23 of the varistor element 21 connected physically and electrically with the end faces 31b, 33b and 41b of the corresponding first or second internal electrodes 31, 33, 41.例文帳に追加

第１及び第２の外部電極５３，５４は、対応する第１又は第２の内部電極３１，３３，４１の端面３１ｂ，３３ｂ，４１ｂと物理的且つ電気的に接続されるようにバリスタ素体２１の主面２２，２３に形成されている。 - 特許庁

To provide a non-linear voltage resistor porcelain composition allowed to be sufficiently sintered and capable of reducing electrostatic capacity even when circuit voltage is dropped and to provide an electronic component such as a laminated chip varistor using the porcelain composition.例文帳に追加

焼結を十分に行うことが可能であり、かつ回路電圧を低下させても、静電容量を低下させることができる電圧非直線性抵抗体磁器組成物、および該組成物を用いた積層チップバリスタなどの電子部品を提供すること。 - 特許庁

The varistor 25 is spaced apart from the commutator 22, in the thrust direction of the armature 14 and is electrically connected and mounted on a fixture 26 connected with the commutator 22 so as to have continuity, and as a result of this, is electrically connected with respect to the commutator 22.例文帳に追加

バリスタ２５は、アーマチャ１４のスラスト方向にコンミテータ２２とは離間して設けられ、該コンミテータ２２に導通接続される取付具２６に電気的に接続されて装着され、これによりコンミテータ２２に対して電気的に接続されている。 - 特許庁

The resistant RAM comprises a lower electrode wire 40, an upper electrode wire 46 that intersects with the lower electrode wire, and a lamination provided at the intersection of the upper electrode wire and the lower electrode wire, and the lamination comprises a varistor 42 and a resistor 44.例文帳に追加

下部電極配線４０、下部電極配線と交差する上部電極配線４６、及び上部電極配線と下部電極配線との間の交差部分に備えられた積層物を備え、積層物は、バリスタ４２と抵抗体４４とを備える。 - 特許庁

First through third main electrodes are provided on one major surface 10 of an annular varistor element 1, having a high resistance layer 1b comprising an oxide on the surface of a semiconductor layer 1a, and an annular auxiliary electrode 5 is provided on the other major surface 11.例文帳に追加

半導体層１ａの表面上に酸化物から成る高抵抗層１ｂを有するリング状バリスタ素体１の一方の主面１０の上に第１〜第３の主電極を設け、他方の主面１１にリング状の補助電極５を設ける。 - 特許庁

Concretely, the insulated layers 41 and 42 and coil pattern 43 are laminated on a magnetic substrate 40 to form a first coil block 4, and the static protection layer 5 formed using the varistor materials is laminated on the insulated layer 42, covering the entire coil pattern 43.例文帳に追加

具体的には、磁性体基板４０上に絶縁層４１，４２とコイルパターン４３とを積層して、第１コイルブロック４を形成し、バリスタ材料で形成した静電保護層５をコイルパターン４３全体を覆うように絶縁層４２上に積層した。 - 特許庁

This active part comprises two fittings for connection located spaced from each other along an axis, at least a cylindrical varistor columnar body arranged between two fittings for connection, and at least a dielectric loop.例文帳に追加

能動部は、互いに距離を置いて軸に沿って配置された二つの接続用取付部品と、二つの接続用取付部品の間に配備された少なくとも一つの円筒形のバリスタ柱状体と、少なくとも一つの誘電体巻線を有する。 - 特許庁

A device with an overvoltage protection function has a varistor 5, and is connected to a high potential of a circuit device 2 via a first line 30 by a first connection part 7, and a second connection part 8 is connected to the ground via a second line 10.例文帳に追加

過電圧保護機能を備えたデバイスは、バリスタ５を有し、第一の接続部７により、第一のライン３０を介して回路装置２の高電位に接続され、また第二の接続部８は第二のライン１０を介してアースに接続される。 - 特許庁

Thereby, at least two serial connection objects of the varistors 6, 9, 12 operate on a surge between lines, and the serial connection objects of these varistors, the varistor 13 and the gas arrestor element 14 operate on a surge to the ground, protecting equipment from the surges.例文帳に追加

これにより、線間のサージに対しては、バリスタ６，９，１２のいずれか少なくとも二つの直列接続体が動作し、対地間のサージに対してはそれらのいずれかとバリスタ１３とガスアレスタ素子１４との直列接続体が動作して、これらサージから機器を防護する。 - 特許庁

A surge absorbing element has the prime body 1 formed by laminating a plurality of functional layers (inductor layer, varistor layer, and protective layer), a first coil conductor 11; a second coil conductor 13 arranged in the prime body 1; and the direction discrimination mark 55 arranged in the prime body 1.例文帳に追加

サージ吸収素子は、複数の機能層（インダクタ層、バリスタ層及び保護層）が積層された素体１と、素体１内に配された第１のコイル導体１１及び第２のコイル導体１３と、素体１内に配される方向識別マーク５５とを備えている。 - 特許庁

The amount of light to be received by a light-receiving circuit 11 exceeds a threshold showing that the varistor 8 abnormally generates heat due to the failure or the like, a voltage detection circuit 12 blows out a fuse 4 by supplying power to an insulated blowing-out circuit 7.例文帳に追加

受光回路１１の受光量が、バリスタ８が故障等によって異常発熱したことを示すしきい値を超えたとき、電圧検出回路１２はヒューズ溶断回路７を絶縁状態から通電状態に切り換えることによって、ヒューズ４を溶断する。 - 特許庁

A semiconductor built-in board 100 is such that a semiconductor device 40 is embedded in an upper part of a conductive pattern 112b inside a resin layer 120 stacked on a substrate 110 and the ceramic varistor 3 is disposed concentrically around the semiconductor device 40.例文帳に追加

半導体内蔵基板１００は、基材１１０上に積層された樹脂層１２０内の導電パターン１１２ｂの上方に半導体装置４０が埋設配置されたものであり、セラミックバリスタ３が、半導体装置４０の周囲に同芯状に設けられている。 - 特許庁