「active layer formation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The peripheral buried part is provided at the outer side of at least one of a formation region of the active layer and a formation region of the first electrode.例文帳に追加

周縁埋設部は、活性層の形成領域または第一電極の形成領域の少なくとも一方の外側に設けられている。 - 特許庁

An active substance layer 3 including particles 2 of an active substance with a high formation capability for a lithium compound is provided between the surfaces 1.例文帳に追加

前記面間に、リチウム化合物の形成能の高い活物質の粒子２を含む活物質層３を備えている。 - 特許庁

The electrode active material layer contains a void formation agent comprising at least an active material, a conductive agent, a binder and a coil-like substance.例文帳に追加

その電極活物質層は、少なくとも、活物質、導電剤、結着剤およびコイル状物質から成る空隙形成剤を含有している。 - 特許庁

To provide a high quality GaN-based light-emitting element, in which a GaNP layer or a GaNAs layer is used as an active layer and to provide its formation method.例文帳に追加

ＧａＮＰやＧａＮＡｓを活性層とした良質なＧａＮ系発光素子およびその作成方法を提供すること。 - 特許庁

The porus support body obtained by the support body formation process is subjected to alkali treatment before the intermediate layer formation process, and/or the porous support body equipped with the intermediate layer obtained by the intermediate layer formation process is subjected to alkali treatment before the active layer formation process.例文帳に追加

支持体形成工程で得られた多孔質支持体を中間層形成工程の前にアルカリ処理する、および／または、中間層形成工程で得られた中間層を備えた多孔質支持体を活性層形成工程の前にアルカリ処理する。 - 特許庁

The method of manufacturing the negative electrode plate for the lithium ion secondary battery includes: an active material layer formation step of forming a negative active material layer containing negative active material particles and a metallic oxide as a binding material, on a current collector; and a reduction step of performing reduction treatment of the metallic oxide contained in the active material layer formed in the active material layer formation step.例文帳に追加

集電体上に、負極活物質粒子と、結着物質としての金属酸化物とを含む負極活物質層を形成する活物質層形成工程と、前記活物質層形成工程で形成された前記活物質層に含まれる金属酸化物を還元処理する還元工程とを有する。 - 特許庁

To provide a coating liquid for positive electrode formation for lithium secondary battery in which dispersion condition of active material particles is improved, and coagulation and deposition of the active material particles due to preservation for a long period are prevented, and high density filling of the active material in the active material layer is realized at the time of forming the active material layer.例文帳に追加

リチウム二次電池の正極形成用塗工液における、活物質粒子の分散状態を改良し、長期間の保存による活物質粒子の凝集および沈殿を防止するとともに、活物質層を形成する場合に、活物質層における活物質の高密度充填を可能にする。 - 特許庁

RESISTANCE LAYER FORMATION SUPPRESSION COAT LAYER COVERED POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL, AND ALL SOLID LITHIUM SECONDARY BATTERY USING IT例文帳に追加

抵抗層形成抑制コート層被覆正極活物質およびそれを用いた全固体リチウム二次電池 - 特許庁

The active material is firmly fixed to the surface of the collector by connecting active materials without using the binder, and the electrode active material layer made of at least two layers of an accurate layer formed by the active material and substantially having no gap and a gap formation layer is formed.例文帳に追加

結着材を用いずに活物質同士を接合させることにより該活物質を集電体表面に固着させるとともに、当該活物質から構成される実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層の少なくとも２層から電極活物質層を構成する。 - 特許庁

An electrode active material layer 5 is formed by bonding active materials together without using a binder to fix the active materials onto a surface of a collector 2 and comprises at least a dense layer 3 made of the active materials and having substantially no void, and a void formation layer 4.例文帳に追加

結着材を用いずに活物質同士を接合させることにより該活物質を集電体２表面に固着させるとともに、当該活物質から構成される実質的に空隙を有しない緻密層３と、空隙形成層４の少なくとも２層から電極活物質層５を構成する。 - 特許庁

A lower layer formation solution 25L is produced by mixing a surface active agent 26 having a lower-layer functional group 26a and an upper-layer functional group 26b in a lower-layer solvent, and lower-layer droplets 25D formed of the lower-layer formation solution 25L are dried to form a hole transportation layer.例文帳に追加

下層溶媒に下層官能基２６ａと上層官能基２６ｂを有する界面活性剤２６を混和して下層形成溶液２５Ｌを生成し、同下層形成溶液２５Ｌからなる下層液滴２５Ｄを乾燥して正孔輸送層を形成した。 - 特許庁

The positive electrode plate for nonaqueous secondary battery has an electrode active material layer installed on a current collector by jointing active materials containing lithium and manganese without using a resin binder, and the electrode active material layer is provided with a dense layer which is positioned on the current collector side and does not have a void substantially and a void formation layer.例文帳に追加

樹脂製結着材を用いずに、リチウムとマンガンとを含む活物質同士が接合することにより集電体上に電極活物質層が設けられており、該電極活物質層は、上記集電体側に位置する実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層とを備えて構成される。 - 特許庁

The positive electrode plate for nonaqueous secondary battery has an electrode active material layer installed on a current collector by jointing active materials containing lithium and iron without using a resin binder, and the electrode active material layer is provided with a dense layer which is positioned on the current collector side and does not have voids substantially and a void formation layer.例文帳に追加

樹脂製結着材を用いずに、リチウムと鉄とを含む活物質同士が接合することにより集電体上に電極活物質層が設けられており、該電極活物質層は、上記集電体側に位置する実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層とを備えて構成される。 - 特許庁

A semiconductor layer laminate ST including a first cladding layer 11, an active layer 12, and a second cladding layer 13 is formed on a substrate 10; and an irregularity formation layer 16 is formed with the light output surface on the laminate.例文帳に追加

基板１０上に、第１クラッド層１１、活性層１２及び第２クラッド層１３を含む半導体積層体ＳＴが形成されており、その上に、光取り出し面を有する凹凸形成層１６が形成されている。 - 特許庁

To provide an electrode plate for a nonaqueous electrolyte secondary battery cathode equipped with a cathode active material layer free from deformation of a coated film or formation failure of an active material layer in drying the coated film formed as coating liquid for the cathode active material layer is coated on a collector.例文帳に追加

正極活物質層用塗工液が集電体上に塗工されて形成された塗膜を乾燥させる際に、塗膜の変形や活物質層の形成不良が生じない正極活物質層を備える非水電解液二次電池正極用電極板を提供することにある。 - 特許庁

It is preferable that the metal material 6 with low formation ability of lithium compound penetrate in all the regions in thickness direction of the active material layer 3.例文帳に追加

リチウム化合物の形成能の低い金属材料６は、活物質層３の厚み方向全域にわたって浸透していることが好ましい。 - 特許庁

Then, the channel formation area 14 of the silicon active layer 3 is made smaller in thickness than the impurity diffused layers 12 and 13.例文帳に追加

その後、シリコン活性層３のチャネル形成領域１４の厚さを、不純物拡散層１２、１３の厚さよりも薄くなるように加工する。 - 特許庁

By this manufacturing method, the positive electrode body wherein formation of abnormally grown portions is suppressed in the positive active material layer 12 can be manufactured.例文帳に追加

この製造方法によれば、正極活物質層１２において異常成長箇所の形成が抑制された正極体を製造できる。 - 特許庁

To provide a formation process of an as-grown-p-type active group III-V nitride compound layer, which does not require a separate activating process.例文帳に追加

本発明は別個の活性化工程を必要とせずにａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物層の形成工程を提供する。 - 特許庁

A reflecting mirror 38 is formed only at the opposite position to the formation side of the light emitting part 21 of the both end positions interposing the active layer 32.例文帳に追加

活性層３２を挟んだ両側の位置のうち、出射部２１が形成された側と反対側の位置のみに反射鏡３８が形成されている。 - 特許庁

In the formation process of the as-grown-p-type active group III-V nitride compound layer, a board is introduced into a reaction chamber, and is heated.例文帳に追加

ａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物層の形成工程において、反応チャンバ内に基板を導入し、加熱する。 - 特許庁

A mask 4 for active region formation is formed in a part on an Si layer 2 via a thermal oxide film 3.例文帳に追加

半導体領域となるＳｉ層２の上の一部に、熱酸化膜３を介して活性領域形成用マスク４を形成する。 - 特許庁

A p-type or n-type element to be added in the thin-film formation of an active layer is changed for every cell in correspondence with the change of the desorbed gas.例文帳に追加

脱離ガスの変化に対応して活性層製膜中に添加するｐ型あるいはｎ型の元素をセル毎に変化させる。 - 特許庁

To enable to restrain formation of pits in a quantum well active layer of a group III nitride semiconductor light emitting element and improve injection efficiency of electrons and holes in the quantum well active layer.例文帳に追加

III 族窒化物半導体発光素子の量子井戸活性層に生じるピットの生成を抑制できるようにすると共に、電子及びホールの量子井戸活性層への注入効率を向上させられるようにする。 - 特許庁

In this case, an electrolytic copper foil with roughly processed top surface is used as a negative electrode collector 12 to form the active material layer on the negative electrode collector 12, where an active material layer formation surface is held in the concave surface shape against a vapor deposition source 3.例文帳に追加

この際、負極集電体１２として表面が粗化された電解銅箔などを用い、活物質層形成面が蒸着源３に対して凹面形状に保持された負極集電体１２に活物質層を形成する。 - 特許庁

Since the first current constriction layer 17 requiring the oxidation process is formed at a portion separated from the active layer 14, effect of strain (stress) incident to formation of an Al oxide layer 17B as the first current constriction layer 17 on the active layer 14 is reduced.例文帳に追加

酸化工程を要する第１の電流狭窄層１７が活性層１４から離れた部位に形成されるので、この第１の電流狭窄層１７としてのＡｌ酸化層１７Ｂを形成する際、その生成に伴う歪（応力）が活性層１４に与える影響が軽減される。 - 特許庁

With this structure, formation of a depletion layer at an interface between the sulfide particle and a positive electrode active material can be restrained, and thus, formation of a depletion layer in the vicinity of an interface between the positive electrode layer and the solid electrolyte layer can also be restrained.例文帳に追加

この構成により、硫化物粒子と正極活物質との界面における空乏層の形成を抑制することができ、もって、正極層と固体電解質層との界面近傍における空乏層の形成をも抑制することができる。 - 特許庁

An active layer 7 is formed of a multi-quantum well(MQW) that is formed by alternately laminating two kinds of InGaN layers that serve as a barrier layer and a well layer, and a variety of semiconductor layers which contain the active layer 7 are formed on a transparent sapphire substrate 1 for the formation of a semiconductor laser.例文帳に追加

この半導体レーザーは、透明なサファイア基板１上に障壁層および井戸層となる２種のＩｎＧａＮ層を交互に積層した多重量子井戸（ＭＱＷ）から成る活性層７を含む各種の半導体層を形成して成る。 - 特許庁

To provide: an organic semiconductor device having suitable layer constitution that gives no damage to an active layer, especially, during the formation of an interlayer dielectric and through-hole processing in an active substrate composed of an organic transistor; a method of manufacturing the same; and an active matrix display device using the organic semiconductor device.例文帳に追加

有機トランジスタからなるアクティブ基板作製において、特に層間絶縁膜の形成やスルーホール加工によって活性層にダメージを与えない最適な層構成の有機半導体装置及びその製造方法、並びに該有機半導体装置を用いたアクティブマトリクス表示装置を提供する。 - 特許庁

A buffer layer 2, an n-AlGaInP clad layer 3, an active layer 4, a p-AlGaInP clad layer 5, a p-GaInP step-punching generation layer 6, and a p-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 7, are epitaxially grown on an n-type GaAs substrate 1, and a mesa structure is formed.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰステップバンチング発生層６、ｐ−ＧａＩｎＰ秩序構造形成層（自然超格子層）７をエピタキシャル成長させ、メサ構造を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing composite particles for electrochemical element which is superior in roll formation, and by which the active material layer of an electrochemical element electrode can be manufactured at high formation speed.例文帳に追加

ロール成形性に優れ、電気化学素子電極の活物質層を高い成形速度で製造することが可能な電気化学素子電極用複合粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent characteristics from changing at the time of start and finish of cell formation, which is caused by the change of the amount of impurities in an active layer attendant on the change of desorbed gas in a continuous cell-formation by a plasma enhanced CVD.例文帳に追加

プラズマＣＶＤによるセル連続形成において、脱離ガスの変化に伴って活性層中の不純物量が変化し、セル形成開始時と終了時とで特性が変動するのを防止する。 - 特許庁

By controlling the quantity of a water in the paste active material for the positive electrode, the porosity of the positive electrode active material layer after formation in a battery jar is set to 58-65%.例文帳に追加

そして、正極用ペースト状活物質中の水分量を調整することにより、電槽化成後における正極活物質層の多孔度を58〜65%にする。 - 特許庁

This formation method of an active material layer for a battery is characterized by forming a plating base point on a surface of a collector, and by growing an active material from the plating base point to fix it to the collector by plating.例文帳に追加

集電体表面にメッキ基点を形成し、活物質を前記メッキ基点から成長してメッキにより該集電体に固定することを特徴とする電池用活物質層の形成方法。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2, an active layer 3, and an n-type InP clad layer 4 formed on a p-type InP substrate 1 are processed through a first dry etching process for the formation of a ridge 6.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１の上に形成された、ｐ型ＩｎＰバッファ層２、活性層３およびｎ型ＩｎＰクラッド層４を第１のドライエッチングにより加工して、リッジ部６を形成する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor array in which alignment is easy and a sealing layer of a high yield is included in formation of the sealing layer on a semiconductor layer, and to provide its manufacturing method and an active matrix display.例文帳に追加

半導体層上の封止層形成において、アライメントが容易かつ歩留まりの高い封止層を有する薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法、ならびにアクティブマトリスクディスプレイを提供することにある。 - 特許庁

The antireflection film has an active ray curable resin layer and a low refractive index layer on the cyclo-olefin polymer film formed by melt-casting film formation, directly or via the other layer.例文帳に追加

特に、取り扱い性が難しいシクロオレフィンポリマーフィルムを用いながら収率に優れる偏光板を提供し、これを用いた視認性に優れた表示装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

An active layer 4 constituted of a wetting layer 3 and a quantum dot 1 as a self-formation quantum dot is formed on a substrate, and a low band gap layer 2 is formed so as to be brought into contact with the periphery of the quantum dot 1.例文帳に追加

基板上にウェッティング層３と自己形成量子ドットである量子ドット１からなる活性層４を設けるとともに、量子ドット１の周囲に接するように低バンドギャップ層２を設ける。 - 特許庁

In one pixel P, at least a semiconductor layer 6 in an element forming area A1 where an active element 3 is formed, is formed of a transparent metal oxide, and a transparent metal oxide layer 16 is formed on the semiconductor layer 6 side of a non-element formation area A2 where no active element 3 is formed.例文帳に追加

一画素Ｐ内において、アクティブ素子３が形成されている素子形成領域Ａ１の少なくとも半導体層６を、透明な金属酸化物で形成し、アクティブ素子３が形成されていない非素子形成領域Ａ２の半導体層６側方に、透明な金属酸化物層１６を形成する。 - 特許庁

The light emitting element includes a substrate 10 made of a p-type semiconductor, an active layer 20 formed on the substrate and formed by laminating a plurality of layers of quantum dot layers 18 each made of a three-dimensional growth island in which self-formation is performed with an S-K mode, and an n-type semiconductor layer 22 formed on the active layer.例文帳に追加

ｐ形半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された三次元成長島より成る量子ドット層１８を複数層積層して成る活性層２０と、活性層上に形成されたｎ形半導体層２２とを有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a bonded silicon wafer, which stops polishing in thin film formation with sufficient accuracy, improves variation in the thickness of an active layer of the bonded silicon wafer, and prevents overetching of an oxygen ion implanted layer in the silicon wafer for the active layer.例文帳に追加

薄膜化の際の研磨ストップを精度よく行い、貼り合わせシリコンウェーハの活性層厚さのばらつきを改善し、活性層用シリコンウェーハ中の酸素イオン注入層がオーバーエッチングされることを防止する貼り合わせシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

When a semiconductor light-emitting device is to be constituted lamination is successively made so that a light emission layer formation part for pinching an active layer with smaller band gap than a clad layer is composed of an n-type cladding layer consisting of, for example, the ZnO compound semiconductor layer and a p-type cladding layer.例文帳に追加

半導体発光素子を構成する場合には、たとえばＺｎＯ系化合物半導体層からなるｎ形クラッド層とｐ形クラッド層とで、クラッド層よりバンドギャップの小さい活性層を挟持する発光層形成部を構成するように順次積層される。 - 特許庁

The positive electrode plate for nonaqueous secondary battery has an electrode active material layer installed on a current collector by jointing active materials containing lithium and nickel without using a resin binder, and the electrode active material layer is provided with a dense layer which is positioned on the current collector side and does not have a void substantially and has a void formation layer.例文帳に追加

樹脂製結着材を用いずに、リチウムとニッケルとを含む活物質同士が接合することにより集電体上に電極活物質層が設けられており、該電極活物質層は、上記集電体側に位置する実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層とを備えて構成される。 - 特許庁

The positive electrode plate for nonaqueous secondary battery has an electrode active material layer installed on a current collector by jointing active materials containing at least lithium and two or more metal elements selected from a group of cobalt, nickel, and manganese without using a resin binder, and the electrode active material layer is provided with a dense layer which is positioned on the current collector side and does not have a void substantially and has a void formation layer.例文帳に追加

樹脂製結着材を用いずに、少なくともリチウムと、コバルト、ニッケルおよびマンガンからなる群から選択される２以上の金属元素と、を含む活物質同士が接合することにより集電体上に電極活物質層が設けられており、該電極活物質層は、上記集電体側に位置する実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層とを備えて構成される。 - 特許庁

The lithium battery uses lithium nickelate as a positive electrode active material to constitute the positive electrode layer 13, so that the inclination of lithium ions in the vicinity of interface of the positive electrode layer 13 and the SE layer 15 is alleviated and formation of a depletion layer in the SE layer 15 is controlled.例文帳に追加

このリチウム電池1は、正極層13を構成する正極活物質としてニッケル酸リチウムを用いることで、正極層13とSE層15との界面近傍におけるリチウムイオンの偏りを緩和し、SE層15に空乏層が形成されることを抑制する。 - 特許庁