「and W is」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When a maximum width part of the groove width is W_MAX, a minimum width part of the groove width is W_MIN and an average length along the tread width direction TW of the main groove 50 is A, relation of (W_MAX-W_MIN)/A≤0.25 is satisfied.例文帳に追加

溝幅の最大幅部分をW_MAXとし、溝幅の最小幅部分をW_MINとし、主溝５０のトレッド幅方向ＴＷに沿った平均長さをＡとした場合、（W_MAX−W_MIN）／Ａ≦０．２５の関係を満たす。 - 特許庁

An output T_W of MAC_W comprising the UF functions F_L, U and the block encryption E_K is calculated using the incidental data H^→ and plain text M_W as inputs to verify whether an output T_W and the authenticator T coincide with each other.例文帳に追加

付帯データＨ^→と平文Ｍ_wとを入力として、ＵＨ関数Ｆ_L,Uとブロック暗号Ｅ_Kとで構成されるＭＡＣ_wの出力Ｔ_wを求め、出力Ｔ_wと認証子Ｔとが一致するか否かを検証する。 - 特許庁

Let X_org, Y_org, Z_org be input tristimulus values, and x_w, y_w be xy chromaticity values of a white color point in an image, then X,Y,Z is located on a straight line passing through two points of the X_org, Y_org, Z_org and the x_w, Y_org, y_w.例文帳に追加

Ｘ_org ，Ｙ_org ，Ｚ_org を入力三刺激値、ｘ_w ，ｙ_w を画像中の白色点のｘｙ色度値とし、かつＸ，Ｙ，ＺをＸ_org ，Ｙ_org ，Ｚ_org と、Ｘ_w ，Ｙ_org ，Ｚ_w の２点を通る直線上にあるとする。 - 特許庁

(wherein, t is sheet thickness of steel strip (m); w is sheet width of steel strip (m); and S is the rate of silicon addition (wt.%/min)).例文帳に追加

S≦4.58×10^5×t^1.56／（W^2.64） t：鋼帯板厚（m）、w：鋼帯板幅（m）、S：けい素添加速度（wt％/min） - 特許庁

The antenna weight W_null(m) of a two-element array for generating a null in a null direction θ_null(m) (m=1,..., M) is next calculated, and the antenna weight W_beam1 and W_beam2 of two N-M element array antennas are calculated by using the W_beam and W_null(m).例文帳に追加

次に、ヌル方向θ_null(m)（m=1,…,M）にヌルを生成する２素子アレーのアンテナウェイトW_null(m)を計算し、W_bea_mとW_null(m)を用いて２つのＮ−Ｍ素子アレーアンテナのアンテナウェイトW_beam_1とW_beam2を計算する。 - 特許庁

Week 1 is the first week in which day d occurs and week 5 is the last week in which day d occurs. 例文帳に追加

w = 1 は所属する d が存在する最初の週、w = 5 は最後の週である。 - JM

The width W of the furrow is 10-20 μm, and the height H is not more than 1 μm.例文帳に追加

溝の幅Wは１０〜２０μｍで、高さHは１μｍ以下である。 - 特許庁

To provide a method for reproducibly producing a spherical metal powder having a mean diameter in a region of a submicron order and a micron order, so as to have such a narrow particle size distribution that σ_W/W which is a ratio of the standard deviation σ_W to the target weight W (metal quantity) of the metal powder is in the range satisfying σ_W/W≤1/2.例文帳に追加

サブミクロンオーダー、ミクロンオーダーの領域の平均粒径を有する球状の金属粉末を、金属粉末の目標重量Ｗ（金属量）と標準偏差σ_Wの比率：σ_W／Ｗが、σ_W／Ｗ≦１／２の範囲であるような、狭い粒径分布で、再現性よく製造する方法の提供。 - 特許庁

A polyimide film is formed on the wafer W, and after the wafer W is subjected to a side rinsing treatment, the periphery of the wafer W is irradiated with a laser beam to solidify the film formed on the periphery of the wafer W.例文帳に追加

ポリイミド膜が形成されてサイドリンスされた後，レーザ光を周辺部に照射して周辺部の膜を固化する。 - 特許庁

The heat resistant alloy having the oxidation resistance is composed of, by mass, 0.5 to 40% Mo, 5 to 45% Cr and 0.5 to 15% Pd, and the balance W.例文帳に追加

Mo：0.5〜40mass%、Cr：5〜45mass%、Pd：0.5〜15mass%、残部がWからなる耐酸化性の耐熱合金。 - 特許庁

By applying voltage between an internal electrode 3 and a wafer W to be attracted, there is electrostatic force appearing between them and the wafer W is attracted to the electrostatic chuck 100.例文帳に追加

内部電極３と被吸着物としてのウエハWとの間に電圧を印加すると、静電気力が発生してウエハWを吸着する。 - 特許庁

Note: In nano's help texts the Ctrl-key is represented by a caret (^), soCtrl+W is shown as ^W, and so on. 例文帳に追加

注意:nanoのヘルプテキストでは、Ctrlキーはキャレット(^)で表されています。 そのため、Ctrl+Wは^Wと表示され、その他も同様です。 - Gentoo Linux

A water film W is formed on its surface by condensing steam generated in the storage tank 41 by exchanging heat with an inner wall surface 32, and discharging is performed on the water film W by a water purifying discharge part 31, and a toxic substance included in this water film W is decomposed and removed by an active species, and the water film W is purified.例文帳に追加

貯留タンク（41）内で生成された水蒸気を内壁面（32）と熱交換させて凝縮させることでその表面に水膜（W）を形成し、水浄化用放電部（31）により水膜（W）に対して放電を行うことで、この水膜（W）に含まれる有害物質等を活性種で分解除去し、水膜（W）を浄化する。 - 特許庁

A verifier calculates K=H1(W) and m= DKs(C) to obtain the plain text m and calculates V=gavbmod p and verifies whether H3(W VjWimod p gjeimod p m)=i is true or not.例文帳に追加

検証者はK=H_1(W), m=D_K^s(C)を計算して平文mをもとめ、V=g^ay^bmod p,を計算し、H_3(W‖V^jW^imod p‖g^je^imod p‖m)=iが成立するかを検証する。 - 特許庁

A catalyst is constituted of two or more metals and/or metal compounds selected from Ru, Ti, Mo, W, V, Ir, Nb, W, Cu, Ni, La, Ca, Cu, Zr, and Ta.例文帳に追加

触媒を、Ru、Ti、Mo、W、V、Ir、Nb、W、Cu、Ni 、La、Ca、Cu、 Zr及びTaから選ばれる２種以上の金属及び／又は金属化合物から構成する。 - 特許庁

This alcoholic drink having the good flavor and fresh invigorating feeling is obtained by blending an acidulant containing 5-55 w/w% phosphoric acid.例文帳に追加

リン酸が5〜55 w/w%である酸味料を配合することで、良好な香味と爽快なスッキリ感を有するアルコール飲料が得られる。 - 特許庁

In this method, the scattering coefficient S_W' with respect to the blend of a colored matter and white pigment is denoted as a function of the white pigment's mixing ratio C_W.例文帳に追加

被着色物と白色顔料の混合物に対する散乱係数Ｓ_W'を、白色顔料の調合率Ｃ_W の関数で表現する。 - 特許庁

A guide member 7 is provided between a wire supply part 8 and the first bush 1 for holding down the wire w, so that the wire w lies extended along the shaft part 4.例文帳に追加

線材供給部(8)と第１のブッシュ(1)との間には線材(w)が軸部(4)に沿うように線材(w)を押さえるガイド部材(7)が備えられている。 - 特許庁

Differential of a target turned angle δ_W* and the wave-filtered detected turned angle δ_W is inputted to a PID control part 25.例文帳に追加

目標転舵角δ_W ^* と濾波された検出転舵角δ_W との偏差が、ＰＩＤ制御部２５に入力される。 - 特許庁

In this chemical mechanical polishing method, in relation to the magnitude relation between the rotation frequency f_W of the semiconductor wafer 10 and the rotation frequency f_P of the polishing pad 30, 3f_P<f_W is used as a lower-limit condition, and 4f_P<f_W<8f_P is used as an optimum condition.例文帳に追加

本発明の化学的機械研磨方法は、半導体ウエハ１０の回転数ｆ_Wと研磨パッド３０の回転数ｆ_Pとの大小関係に関して、３ｆ_P＜ｆ_Wを下限条件とし、４ｆ_P＜ｆ_W＜８ｆ_Pを最適条件とする。 - 特許庁

A model of the viewing participant (W') is rotated based on the physical and virtual directions to render a view of the viewing participant (W') such that the viewing participant (W') is facing the viewed object in the immersive virtual environment.例文帳に追加

閲覧参加者（W'）が没入型仮想環境において被閲覧オブジェクトに面するように、閲覧参加者（W'）のモデルは物理的な方向および仮想方向に基づいて回転されて、閲覧参加者（W'）のビューがレンダリングされる。 - 特許庁

A ratio r_i/D_W of a groove radius r_i of an inner ring raceway 10 to diameter D_W of each of the balls 11, 11 is set to be 52 to 55%, and a ratio of a groove radius r_e of an outer ring raceway 9 to D_W is set to be 53 to 60%.例文帳に追加

これと共に、内輪軌道１０の溝半径ｒ_i と上記各玉１１、１１の直径Ｄ_W との比ｒ_i ／Ｄ_W を５２〜５５％、且つ、外輪軌道９の溝半径ｒ_e とＤ_W との比を５３〜６０％とする。 - 特許庁

In that case, in step S220, balance coefficients w_bc, w_bm, w_by, w_bk, w_blc, and w_blm are given on an ink-by-ink basis, and the weight of a small residual quantity of ink is increased.例文帳に追加

その際に、ステップＳ２２０にてインク別にバランス係数ｗ_bc，ｗ_bm，ｗ_by，ｗ_bk，ｗ_blc，ｗ_blmを与え、残量の少ないインクについては重みを大きくする。 - 特許庁

This device is provided with an imaging means 10 for imaging an inspection object (work W), lighting means 20, 30 for irradiating the work W with light when imaged, and an image processing means 41 for processing an obtained image of the work W to determine the quality of the work W, based on a processed result.例文帳に追加

この装置は、検査対象(ワークW)を撮像する撮像手段10と、撮像時にワークWに光を照射する照明手段20,30と、得られたワークWの画像を処理して、この処理結果に基づいてワークWの外観の良否を判定する画像処理手段41とを具える。 - 特許庁

The maximum standard deviation σ_max[W/m^2] among the obtained standard deviations σ_k to k+n-1[W/m^2] and a prescribed value σ_0 [W/m^2] are compared, thus longitudinal cracking is detected.例文帳に追加

複数求めた上記標準偏差σ_k〜k+n-1[W/m^2]のうち最大の標準偏差σ_max[W/m^2]と、所定の値σ_o[W/m^2]と、を比較することによって縦割を検知する。 - 特許庁

A long product W is discontinuously fed, and, when the feed of the long product W is stopped, a movable die 13 is acted on the long product W, and, when the long product W is fed, the movable die 13 is not acted on the long product W.例文帳に追加

長尺材Ｗを断続的に送り、長尺材Ｗの送りを止めるときに可動ダイス１３を長尺材Ｗに作用させ、長尺材Ｗを送るときに可動ダイス１３を長尺材Ｗに作用させないようにする。 - 特許庁

A substrate transfer device is stopped if a substrate W is moved on an arm support base and the substrate W is detected by detecting sensors 90a and 90b.例文帳に追加

基板搬送装置は、基板Wがアーム支持台上を移動し、検出センサ９０ａ、９０ｂで基板Ｗを検知したら停止する。 - 特許庁

Furthermore, the melting points of the MgO and W metal are as high as 3100 K and 3700 K, respectively, and the infrared light source is not damaged even if it is heated to 3000 K.例文帳に追加

しかも、MgO、W金属の融点は3100K、3700Kと高く、3000Kに加熱されても破損しない。 - 特許庁

While a magnetic member W is rotated in a state where the member W is held by a spindle device, 1 the member W is magnetized by passing magnetic fluxes through the member W from magnetizing yokes 9 facing the front and rear surfaces of the member W.例文帳に追加

磁性部材Ｗをスピンドル装置１で保持して回転させながら、磁性部材Ｗの表裏に対面する着磁ヨーク９により、磁性部材Ｗに磁束を通して着磁を行う。 - 特許庁

The weight ratio W/C is 4.0 or higher (wherein W is water, and C is the cement).例文帳に追加

また、水ＷとセメントＣとの重量比Ｗ／Ｃが４．０以上である。 - 特許庁

When the substrate W is transfered in and out, the substrate W is positioned at a height TH which is approximately the same as the inlet/ outlet of the substrate W.例文帳に追加

基板Ｗの搬出入の際には基板搬出入口１０ａとほぼ同じ高さの搬出入高さＴＨに基板Ｗを位置させる。 - 特許庁

An integer w equal to or larger than 0 and smaller than p is included in a secret key, and the g_2 is g_1^w.例文帳に追加

０以上ｐ未満の整数ｗが秘密鍵に含まれ、ｇ_２はｇ_１^ｗである。 - 特許庁

The rear surface of a wafer W is sucked and held by a plate 2 and the wafer W is rotated.例文帳に追加

プレート２によって、ウエハＷの裏面を吸着保持して、そのウエハＷを回転させる。 - 特許庁

In addition, AC% is an abbreviation for atomic concentrate % and is the percentage of the number of atoms of the oxide of W with respect to the total number of atoms of W and the oxide of W.例文帳に追加

なお、ＡＣ％とはatomic concentrate % の略で、Ｗの酸化物の原子数のＷおよびＷの酸化物の総原子数に対する％をいう。 - 特許庁

When a work W is conveyed, pins 5a are raised to receive the work W and then lowered, and the work W is thus placed on a work stage 4.例文帳に追加

ワークＷが搬送されると、ピン５ａが上昇し、ワークＷを受け取りピン５ａが下降する。 - 特許庁

After the window W is expanded and brought in contact with another window w_i (b), the window w_i is moved with the expansion of the window W so as not to overlap with the window W (c).例文帳に追加

拡大されて、ウィンドウＷが他のウィンドウｗ_ｉと接した後（ｂ）、ウィンドウｗ_ｉはウィンドウＷの拡大に伴って、ウィンドウＷと重ならないように移動されていく（ｃ）。 - 特許庁

Then, substrate W is placed on the stage 41, and a film is formed on the substrate W.例文帳に追加

その後、基板Ｗはステージ４１上に載置され、基板Ｗ上に膜が形成される。 - 特許庁

Then, a specified range is surrounded by a frame W and the frame W is moved in the pattern of (1)→(2)→(3).例文帳に追加

そして、特定の範囲を枠Ｗで囲み、その枠Ｗを → → というパターンで移動させる。 - 特許庁

The guiding groove 6c is made wider in the width (W) on the front side and is made narrower on the back side width (w).例文帳に追加

誘導溝６ｃは前側の横幅Ｗが広く、後側の横幅ｗが狭く形成されている。 - 特許庁

After that, the wafer W is rotated at a high speed, and the coating liquid on the wafer W is spread to the entire surface of the wafer W.例文帳に追加

その後ウェハＷを高速度で回転させ，ウェハＷ上の塗布液がウェハＷ全面に広げられる。 - 特許庁

The exposure section 20 applies the liquid immersion exposure processing to the substrate W and thereafter the substrate W is carried to the cleaning section 40, wherein the substrate W is cleaned.例文帳に追加

露光部２０にて基板Ｗの液浸露光処理を行った後に、その基板Ｗを洗浄部４０に搬送して洗浄する。 - 特許庁

When the wire W is inserted into the through-hole 32, a peripheral part 35 of the through-hole closely contacts with the wire W, and the periphery of the wire W is sealed.例文帳に追加

挿通孔３２に電線Ｗを挿通すると、その周縁部３５が電線Ｗに密着することで電線Ｗ周りのシールが図られる。 - 特許庁

A workpiece W is arranged to face to the opening part 12E and the workpiece W is held by imparting floating force to the workpiece W by negative pressure at a center of the turning flow.例文帳に追加

開口部１２Ｅに対面してワークＷを配置し、旋回流中央の負圧によりワークＷに浮揚力を与え保持する。 - 特許庁

When the wafer W is reciprocated, a stripping solution is supplied with a low pressure from a nozzle 11 to the wafer W, and a film formed on the surface of the wafer W swells up.例文帳に追加

基板Ｗの往復移動中に、まずノズル１１から低圧で剥離液が基板Ｗに供給されて、その表面の被膜が膨潤される。 - 特許庁

As described above, in a state of retaining the substrate W, the substrate W is rotated and the end face of the substrate W is cleaned by an end face cleaning brush 41.例文帳に追加

このように基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させて基板Ｗの端面を端面洗浄ブラシ４１で洗浄処理する。 - 特許庁