「base type」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The junction interface between the n+ type buffer region 13 and the n- type base region 14 is formed to have unevenness.例文帳に追加

ｎ＋型バッファ領域１３とｎ−型ベース領域１４との接合界面は凹凸を有するように形成されている。 - 特許庁

On the N- type Si layer 6, a P type SiGe layer 7 including intrinsic and external base regions is formed.例文帳に追加

そのＮ−型Ｓｉ層６上に真性ベース領域と外部ベース領域とを含むＰ型ＳｉＧｅ層７が形成されている。 - 特許庁

A low resistance n-type emitter layer 4 in contact with the upper side of the trench 17 is formed over that surface of the p-type base layer 3.例文帳に追加

ｐ型ベース層３の表面内にはトレンチ１７の上部に接する低抵抗のｎ型エミッタ層４が形成される。 - 特許庁

The thin-type greening system construction method comprises planting plants such as flowering plants, fern, moss, grass and/or trees on the surface of the thin-type planting base body.例文帳に追加

並びその表面に草花類、シダ、コケ、草、樹木などの植物を植え付けるようにした薄型緑化工法である。 - 特許庁

The shape type of each face group is judged by referring to a shape type judging rule data base(DB) 21.例文帳に追加

この結果できた各面グループごとに、形状タイプ判定ルールＤＢ（データベース）２１を参照してその形状タイプを判定する。 - 特許庁

On the base, a female type connection terminal to which a male type connection terminal is fit formed on the bottom of the digital camera is arranged.例文帳に追加

台座には、デジタルカメラの底部に備えられた雄型の接続端子を嵌め込む雌型の接続端子が設けられている。 - 特許庁

An n^+ type source region 3 is formed on the p type base region 2 to bury the inside of the trench 21 completely.例文帳に追加

そして、ｎ^＋型ソース領域３をｐ型ベース領域２の上に形成することで、トレンチ２１の内部を完全に埋め込む。 - 特許庁

As an n-type oxide 2, ZnO is used and as the p-type oxide layer 4, NiO doping 1A base elements L1 is used.例文帳に追加

ｎ型酸化物２としてＺｎＯを、ｐ型酸化物層４として１Ａ族元素のＬｉをドープしたＮｉＯを用いている。 - 特許庁

An emitter E, a collector C1 and a sub-collector C2 of a transistor Q1 are formed of n-type regions and a base B is formed of a p-type region.例文帳に追加

トランジスタＱ１のエミッタＥ、コレクタＣ１及びサブコレクタＣ２はｎ型領域からなり、ベースＢはｐ型領域からなる。 - 特許庁

Since the base 1 is E26 type and the glass bulb 4 is A type, the lamp can be substituted for a filament lamp.例文帳に追加

口金１の形式はＥ２６であり、ガラス管球４はＡ型であり、このランプは白熱電球代替として使用できる。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 3, p^+-well region 5, n^++-type source region 6, p^++-type base contact region 7 are formed surrounding the n^++-type drain region 4 in a flat plane.例文帳に追加

平面形状において、ｎ形半導体層３、ｐ^＋形ウェル領域５、ｎ^＋＋形ソース領域６、ｐ^＋＋形ベースコンタクト領域７がｎ^＋＋形ドレイン領域４を囲むように形成されている。 - 特許庁

P-type regions 5 are extendedly provided from a P-type base region 6 toward the direction of a P-type anode region 6, and an n-type region 4, which is used as one part of a drift region, is inserted between these regions 5.例文帳に追加

ｐ型ベース領域６からｐ型アノード領域６方向に向けｐ型領域５を延設し、このｐ型領域５によってドリフト領域の一部となるｎ型領域４を挟み込む。 - 特許庁

A collector 3 made of an N-type diffusion layer, a base 5 made of a P-type diffusion layer, and an emitter 7 made of an N-type diffusion layer are formed in a P-type semiconductor layer 1, to form a bipolar transistor.例文帳に追加

Ｐ型半導体層１に、Ｎ型拡散層からなるコレクタ３、Ｐ型拡散層からなるベース５、Ｎ電型拡散層からなるエミッタ７が形成されてバイポーラトランジスタが形成されている。 - 特許庁

The p^+-type body layer 6 is equipped, thereby preventing punch through due to a depletion layer spreading from between the p-type base region 3 (p^+-type body layer 6) and an n^--type drift layer 2, and withstand voltage can be improved.例文帳に追加

ｐ^+型ボデー層６を備えることによって、ｐ型ベース領域３（ｐ^+型ボデー層６）とｎ^-型ドリフト層２の間より広がる空乏層により、パンチスルーしないようにでき、耐圧を向上できる。 - 特許庁

In this electrode material, fluorite type oxygen ion conductive oxide 112 showing p-type conductivity is added as an additive to a perovskite type oxide 111 serving as a base material and showing p-type conductivity.例文帳に追加

母材であるｐ型伝導性を示すペロブスカイト型酸化物１１１に添加材として、ｐ型伝導性を示す蛍石型酸素イオン伝導性酸化物１１２を添加したものを電極材料とする。 - 特許庁

The element part of semiconductor device 1 comprises an n+ type semiconductor substrate 11; an n- type drift layer 12; a p- type base layer 13; and an n+ type source layer 14 or a p+ type contact layer 15 selectively formed in turn.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置１の素子部は、ｎ＋型半導体基板１１、ｎ−型ドリフト層１２、ｐ−型ベース層１３、及び選択的形成のｎ＋型ソース層１４またはｐ＋型コンタクト層１５を順に有する。 - 特許庁

In this micro-type keyboard, a character input vocabulary group operable by the same finger is set in the keyboard as a matching-type key, a plurality of matching type keys are set on a keyboard base, and the micro-type keyboard is matched by each matching type key.例文帳に追加

マイクロ型キーボードは、キーボード内に同一指で操作できる文字入力語彙群を整合式キーとし、それはキーボード基台上に複数個の整合式キーを設置し、各整合式キーに依ってマイクロ型キーボードを整合する。 - 特許庁

In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁

An n-type well 6 and a p-type well 7 are formed in the silicon layer 4 of the SOI substrate 1 and pluralities of p^+-type diffusion regions 9 (anodes) and n^+-type diffusion regions 10 (base electrodes) are alternately arranged on the surface of the n-type well 6.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１のシリコン層４にＮウエル６及びＰウエル７を形成し、Ｎウエル６の表面に、夫々複数個のＰ^＋拡散領域９（アノード）及びＮ^＋拡散領域１０（ベース電極）を交互に配列する。 - 特許庁

A primer for analyzing the base sequence having a base sequence complementary to the base sequence adjacent to the 3'-side of the base sequence in the specific position in the target nucleic acid and a tag sequence which is a base sequence without binding to the natural type nucleic acid is used.例文帳に追加

標的核酸中の特定位置の塩基配列の３’側に隣接する塩基配列に相補的な塩基配列及び天然型核酸とは結合しない塩基配列であるタグ配列とを有する塩基配列分析用プライマーを用いる。 - 特許庁

An n--type drift layer and a p-type base region are laminated on an n+-type silicon carbide substrate, an n+-type source region is formed in a prescribed area in a surface layer part within a base region, and a gate trench is formed by a trench groove reaching the drift layer.例文帳に追加

本発明は、n+型炭化珪素基板上に、n-型ドリフト層とp型ベース領域を積層すると共に、ベース領域内の表層部における所定領域にn^+型ソース領域を形成し、かつ、前記ドリフト層に達するトレンチ溝によりゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

A MOS thyristor 100 comprises a p+ type anode layer (first semiconductor layer) 10, an n- type base region (second semiconductor layer) 14, a p+ type base region (third semiconductor layer) 16, and an n+ type impurity diffused layer (fourth semiconductor layer) 18 functioning as a source region.例文帳に追加

ＭＯＳサイリスタ１００は、ｐ^+型アノード層（第１半導体層）１０、ｎ^-型ベース領域（第２半導体層）１４、ｐ^-型ベース領域（第３半導体層）１６、およびソース領域として機能するｎ^+型不純物拡散層（第４半導体層）１８を有する。 - 特許庁

Then, the base region 48 of the Tr 38 is formed simultaneously with a p-type well 40, an emitter region 49 is formed simultaneously with n-type source and drain region 42, and a high concentration p-type base region 50 is formed simultaneously with the p-type source and drain region 43.例文帳に追加

このとき、Ｔｒ３５のベース領域４８はｐ型ウェル４０と同時に形成し、エミッタ領域４９はｎ型ソース・ドレイン領域４２と同時に形成し、高濃度ｐ型ベース領域５０はｐ型ソース・ドレイン領域４３と同時に形成する。 - 特許庁

In a trench MOS gate structure, at the side wall of a trench (T) held there between an n-type base layer (1) and an n-type source region (3), a p-type channel layer (12) whose density is higher than a p-type base layer (2) having flat density distribution to the depth wise direction of the trench is formed.例文帳に追加

トレンチＭＯＳゲート構造において、ｎ型ベース層（１）とｎ型ソース領域（３）に挟まれたトレンチ（Ｔ）側壁部に、ｐ型ベース層（２）よりも濃度が高く、トレンチの深さ方向に対してフラットな濃度分布を持つｐ型チャネル層（１２）を形成する。 - 特許庁

Further, a base formation layer 4 is formed on the n-type epitaxial growth layer 2 by epitaxial growth for example, and the base lead high concentration layer (p^+-type) 5 is formed like a stripe so as for the base formation layer to be engaged into the base formation layer 4 from the upper portion of the embedded oxide film (element isolation) 3 for deriving a base electrode.例文帳に追加

さらに、Ｎ型エピタキシャル成長層２の上には、ベース形成層４が例えばエピタキシャル成長によって形成され、埋込酸化膜(素子分離)３の上部からベース形成層４にくい込むように、ベース引出し高濃度層(Ｐ+型)５がベース電極取出しの為にストライプ状に形成されている。 - 特許庁

Furthermore, a collector n^+ type region 18 is formed so that the collector n^+ type region 16 may be connected to the buried n^+ type region 12, while a base sink p-type region 19 is formed so that the emitter n^+ type region 17 may be connected to the buried n^+ type region 12.例文帳に追加

また、コレクタｎ^+ 型領域１６と埋め込みｎ^+ 型領域１２を接続するようにコレクタシンクｎ^+ 型領域１８が形成され、エミッタｎ^+ 型領域１７と埋め込みｎ^+ 型領域１２を接続するようにベースシンクｐ型領域１９が形成されている。 - 特許庁

This method of manufacturing a tuning fork type piezoelectric vibration piece manufactures, from a piezoelectric wafer, a tuning fork type piezoelectric vibration piece 20 including a base part and a pair of vibration arms 21 extending from one end of the base part.例文帳に追加

音叉型圧電振動片を製造する製造方法は、基部とその基部の一端から伸びる一対の振動腕とを有する音叉型圧電振動片を圧電ウエハから製造する。 - 特許庁

The InP semiconductor region 13 can comprise an InP support base of first conductive type and an InP buffer layer of first conductive type provided on the InP support base.例文帳に追加

また、ＩｎＰ半導体領域１３は、第１導電型のＩｎＰ支持基体と、ＩｎＰ支持基体上に設けられた第１導電型のＩｎＰバッファ層と含むことができる。 - 特許庁

A base current supply source 1 is connected to the base of the bipolar transistor 2 and the gates of the P type MOS transistor 5 and N type MOS transistor 6 are connected to a control terminal 4.例文帳に追加

バイポーラトランジスタ２のベースにはベース電流の供給源１が接続され、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ５とＮ型ＭＯＳトランジスタ６の各ゲートが制御端子４に接続される。 - 特許庁

To provide an embedded type sensor base capable of preventing an attaching metal fitting from being deformed in a contact portion contacting with an end part of a nut, when attaching the embedded type sensor base to an attaching hole of a ceiling face.例文帳に追加

埋込型感知器ベースを天井面の取付穴に装着する際、取付金具がナットの端部との接触箇所において変形することのない埋込型感知器ベースを得る。 - 特許庁

The first electrode 1 is a non-sintered type electrode of a metallic three-dimensional porous base board 9 filled with an active material, and provided with a band type connection part 7 the base board 9 exposed.例文帳に追加

第１極板１は、金属３次元多孔体の基板９に活物質を充填している非焼結式電極であって、基板９を露出させている帯状連結部７を有する。 - 特許庁

In the installing structure of the plate type heat pipe, a base plate 2 is attached to a burring machining portion 8 of the plate type heat pipe 1, and a heating element 10 is thermally joined with the base plate 2.例文帳に追加

板型ヒートパイプ１のバーリング加工部８にベース板２が取付けられており、ベース板２に発熱体１０が熱的に接合されている板型ヒートパイプの実装構造。 - 特許庁

Under a boundary section of the base contact region 14, an N-type region 21 having the same conductivity type as the emitter region 13 is formed so as to surround the base contact region 14.例文帳に追加

ベースコンタクト領域１４の境界部の下方には、エミッタ領域１３と同じ導電型を有するＮ型領域２１がベースコンタクト領域１４を包囲するように形成されている。 - 特許庁

There are disclosed a wet tissue-type liniment comprising a base fabric retaining the medicine in the state of moisture retension and a packaged wet tissue-type liniment receiving the base fabric retaining the medicine in the state of moisture retension in a packaging bag.例文帳に追加

薬剤を保湿状態で保持した基布からなるウエットティシュ型塗布薬及び薬剤を保湿状態で保持した基布を包装袋に収納する包装ウエットティシュ型塗布薬。 - 特許庁

A p+-type polysilicon film 7 for base electrode for a vertical bipolar transistor is selectively formed thereon, and openings 101 and 102 made of p+-type polysilicon film 7 for base electrode are formed thereon.例文帳に追加

これらの上には縦型バイポーラ・トランジスタのベース電極用ｐ^+ 型ポリシリコン膜７が選択的に形成され、ベース電極用ｐ^+ 型ポリシリコン膜７からなる開口１０１，１０２がある。 - 特許庁

Most of the time, this will be true anyway,because either your base type will be object, or else you will be adding data members to your base type, and therefore increasing its size.例文帳に追加

ほとんどの場合、あなたのタイプは object か、そうでなければ基底タイプにデータ用のメンバを追加したものでしょうから、したがって大きさはつねに増加するためこの条件は満たされています。 - Python

This radiation type heat exhauster includes a core tube base 1, a plurality of heat exhaust fins 2, and the U-type heat transfer tube 3, and the plurality of heat exhaust fins 2 are connected to an outer peripheral wall of the core tube base 1.例文帳に追加

輻射型排熱器は、コアチューブ座１、複数枚の排熱フィン２、及びＵ型伝熱チューブ３を含み、複数枚の排熱フィン２はコアチューブ座１の外周壁に結合される。 - 特許庁

The cover lift-up type memory card connector includes the insulating base 1 for storing a memory card, and the metal cover 2 to be lifted up in the state of facing the insulating base 1.例文帳に追加

メモリカードを収容する絶縁ベース１と絶縁ベース１と向かい合って持ち上げ可能な金属蓋２とから構成する。 - 特許庁

The etching tape includes a base sheet, and an etching material layer which a gel type etching material is applied and formed on the base sheet.例文帳に追加

本発明のエッチングテープは、ベースシート及びベースシート上にゲルタイプのエッチング物質が塗布されて形成されたエッチング物質層を含む。 - 特許庁

A tuning fork type crystal vibrating piece 50 is comprised of a base 52 and a pair of vibrating arms 53, 54 extending from one end side of the base 52.例文帳に追加

音叉型水晶振動片５０は、基部５２と、この基部５２の一端側から延出する一対の振動腕５３，５４とからなる。 - 特許庁

The tuning fork type vibrating piece 10 has a base part 11 and vibrating arms 12 and 13 formed projecting from the base 11.例文帳に追加

音叉型振動片１０は、基部１１と、この基部１１から突出して形成されている振動腕部１２、１３とを備えている。 - 特許庁

To provide a middle base lid with ventilating hole for middle base type gravestone capable of naturally removing the moisture in a cinerary room or the like.例文帳に追加

納骨堂室内の湿気などを、換気孔により自然に除去する、中台式墓石の換気孔付き中台蓋を提供する。 - 特許庁

A second conduction type of second base layer (7) and a first conduction type emitter layer (8) are placed in the main cell, and a second conduction type buffer layer (9) is placed in each dummy cell.例文帳に追加

メインセル内に第２導電型の第２ベース層（７）と第１導電型のエミッタ層（８）とが配設され、ダミーセル内に第２導電型のバッファ層（９）が配設される。 - 特許庁

On the base 10, a first electrode 111, a p-type polysilicon layer 112, an i-type intermediate layer 113, an n-type amorphous silicon layer 114, and a second electrode 12 are laminated in order.例文帳に追加

基材１０上に、第１電極１１１、ｐ型ポリシリコン層１１２、ｉ型中間層１１３、ｎ型アモルファスシリコン層１１４、第２電極１２を順に積層する。 - 特許庁

A first vertical bipolar transistor 1 is composed of a first N-type emitter region 13, a first P-type base region 12, and a first N-type collector region 11.例文帳に追加

第１縦型バイポーラトランジスタ１は、Ｎ型の第１エミッタ領域１３と、Ｐ型の第１ベース領域１２と、Ｎ型の第１コレクタ領域１１とにより構成されている。 - 特許庁