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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > bias relationの意味・解説 > bias relationに関連した英語例文

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bias relationの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 38



例文

In a secondary transfer bias power source 39 outputting a superposition bias superposed with an offset voltage Voff to an AC component having a peak-to-peak voltage Vpp as a secondary transfer bias, a bias having the relation of 1/6×Vpp>|Voff| is output as the second transfer bias.例文帳に追加

2次転写バイアスとして、ピークツウピーク電圧Vppを具備する交流成分に、オフセット電圧Voffを重畳した重畳バイアスを出力する2次転写バイアス電源39において、2次転写バイアスとして、「1/6×Vpp>|Voff|」という関係を具備するものを出力させるようにした。 - 特許庁

The current output units 30, 32 controls the amplifiers AMP1, AMP2 so that the bias currents Ibias1, Ibias2 have a complementary relation.例文帳に追加

電流出力部30、32は、バイアス電流Ibias1、Ibias2が相補的な関係となるように増幅部AMP1、AMP2を制御する。 - 特許庁

To correct bias errors, with higher accuracy, generated in relation to the temperature, contained in the output of an optical fiber gyro.例文帳に追加

光ファイバジャイロの出力に含まれる、温度に関連して生じるバイアス誤差をより精度よく補正。 - 特許庁

A plurality of principal matrix axes have a given bias includ angle in relation one another, such that the matrix-like configuration is preferably a rhomboid-shaped configuration.例文帳に追加

複数の主マトリックス軸は、マトリックス状配置形態が好ましくは菱形形状であるように互いに対して所定の偏り角度を有する。 - 特許庁

例文

To control air fuel ratio in a downstream of a catalyst to air fuel ratio having desired bias in relation to theoretical air fuel ratio while suppressing cancellation by I control of intentional bias of air fuel ratio by P control in relation to air fuel ratio control device for an internal combustion engine.例文帳に追加

この発明は、内燃機関の空燃比制御装置に関し、P制御による意図的な空燃比の偏りがI制御によって打ち消されるのを抑制しつつ、触媒下流の空燃比を理論空燃比に対して所望の偏りを持たせた空燃比に制御することを目的とする。 - 特許庁


例文

Further, in the low concentration side adjusting processing (Step S5), the developing bias is changed according to the relative relation while the electrifying bias is changed and, thus, the second patch picture is formed.例文帳に追加

そして、低濃度側調整処理(ステップS5)では、帯電バイアスを変化させつつ、上記相関関係にしたがって現像バイアスを変化させながら、第2パッチ画像を形成している。 - 特許庁

In the reverse bias application period, the potential of a power supply line (V) and the potential of a counter power source 109 are inverted in high/low relation and a reverse bias is applied to the light emitting element while a TFT 115 for erasure is held ON.例文帳に追加

なお逆バイアス印加期間においては、消去用TFT115がオン状態を保持した状態で、電源供給線(V)の電位と、対向電源109の電位の高低を逆にして、発光素子に逆バイアスを印可する。 - 特許庁

The intake branch 10 is formed in a turn flow shape in which an upstream side branch bias part 14 and an upstream side branch bias part 15 are inclined or bent in the same direction in relation to the branch straight line part 13.例文帳に追加

吸気ブランチ10を、上流側ブランチ偏向部14と下流側ブランチ偏向部15とがブランチ直線部13に対して同方向に傾斜又は湾曲するターンフロー形状とする。 - 特許庁

In addition, before the low concentration side adjusting processing (Step S5), the relative relation between electrifying bias and developing bias for maintaining the optimum contrast voltage is set in accordance with the attenuation characteristic of surface voltage of a photoreceptor 21.例文帳に追加

しかも、低濃度側調整処理(ステップS5)前に最適コントラスト電位を維持するための帯電バイアスと現像バイアスとの相対関係を感光体21の表面電位の減衰特性に基づき設定している。 - 特許庁

例文

Based on the residual amount calculated by the residual amount calculation part 24 and the relation stored in the degradation degree table 22, the value of the developing bias is set by a developing bias setting part 26.例文帳に追加

そして、残量算出部24により算出される残量および劣化度テーブル22に記憶されている関係に基づいて、現像バイアス設定部26より、現像バイアスの値が設定される。 - 特許庁

例文

The image forming apparatus is characterized by deciding either execution or inexecution of image density control in accordance with relation between developing bias before changing processing speed and a developing bias variable range.例文帳に追加

プロセス速度変更前の現像バイアスと現像バイアス可変範囲との関係に応じて画像濃度制御の実施又は非実施のどちらかを判断することを特徴とする。 - 特許庁

Then, when DC voltage of the developing bias or effective AC voltage is assumed to be a voltage DC1, and the DC voltage of blade bias or the effective AC voltage is assumed to be a voltage DC2, the voltage DC2 is made to reverse polarity against the electrified polarity of the toner in relation to the voltage DC1.例文帳に追加

そして現像バイアスの直流電圧値または交流電圧実効値を電圧値DC1とし、ブレードバイアスの直流電圧値または交流電圧実効値を電圧値DC2としたときに、電圧値DC2が電圧値DC1に対しトナーの帯電極性と逆極性側になるようにした。 - 特許庁

The respective duty ratios D1 and D2 of a first AC bias used for development, between the developing roller 2 and the photoreceptor 3 and a second AC bias forming the toner thin layer 6 onto the developing roller 2, between the developing roller 2 and the magnetic roller 1 satisfy the relation of D1>100-D2.例文帳に追加

現像ローラ2と感光体3間における現像に用いる第1の交流バイアスと、現像ローラ2と磁気ローラ1間における現像ローラ2上へのトナー薄層6を形成する第2の交流バイアスとの各デューティ比D1、D2をD1>100−D2の関係にする。 - 特許庁

Referring to an expression or table defining a relation between a photoreceptor surface potential change and a development bias voltage in a developed image area and non-image area, a development bias voltage is determined so that ΔV defined by ΔV=|(potential of the photoreceptor image part)-(potential of the photoreceptor non-image part)| has the optimum value.例文帳に追加

そして、現像された画像部と非画像部それぞれの感光体表面電位変化と現像バイアス電圧との関係式またはテーブルを参照して、△V=|(感光体画像部の電位)−(感光体非画像部の電位)|で定義される△Vを最適な値になるような現像バイアス電圧を決定する。 - 特許庁

Based on such relation, the target value Vtgt of the reverse contrast potential is set in accordance with the operation amount of the photoreceptor at the point of time when the image is formed at such a time, and the developing bias and charging bias are controlled to maintain the target value.例文帳に追加

この関係に基づき、画像を形成するときにはその時点の感光体の稼動量に応じて逆コントラスト電位差の目標値Vtgtを設定し、この目標値を維持するように、現像バイアスおよび帯電バイアスを制御する。 - 特許庁

Detection efficiency and a residual birefringence rate of the crystal 17 and each distribution of influence of scattering of the probe pulse light are evaluated from the relation of the bias voltage and the image signal every pixel.例文帳に追加

各画素毎のバイアス電圧と画像信号との関係から、結晶17の検出効率、残留複屈折率、及び、プローブパルス光の散乱の影響の、各分布を評価する。 - 特許庁

Alternatively, it is constituted so that the relation between the saturation magnetization Ms_f of the free layer and the saturation magnetization Ms_b of the hard bias layer 11 satisfy Ms_f≤8*Ms_b.例文帳に追加

或いは、フリー層の飽和磁化Ms_fと、ハードバイアス層11の飽和磁化Ms_bとの関係を、Ms_f≦0.8*Ms_bを満たすように構成する。 - 特許庁

The concentration distribution in a p-clad layer is measured by finding the relation between the reverse bias voltage and the depletion layer capacity immediately below the Schottky electrode 108.例文帳に追加

逆バイアス電圧とショットキ電極108直下の空乏層容量との関係を求めることにより、Pクラッド層中の不純物濃度分布を測定する。 - 特許庁

Then, a patch that is reference is formed based on Vpp decided from a map showing relation between the resistance of the magnetic brush and amplitude Vpp of AC bias, and the density of the patch is detected, thereby deciding a toner supply amount.例文帳に追加

次に、磁気ブラシ抵抗と交流バイアス振幅Vppの関係を示すマップから決定されたVppに基づいて、基準となるパッチを作成し、パッチの濃度を検知することでトナーの補給量を決定する。 - 特許庁

The control part 30 determines whether to stir the toner based on the relation between the amount of toner deposited of the test pattern and the developing bias voltage applied by the voltage application part 32 when the test pattern is formed.例文帳に追加

制御部30は、テストパターンのトナー付着量、及び、該テストパターンの形成時に電圧印加部32に印加させた現像バイアス電圧との関係に基づいて、トナーの撹拌の要否を判定する。 - 特許庁

Particularly, a relation of t2≥1.5×t1 or t3≥1.5×t1 holds, wherein t1 is the conductor thickness of the input signal pattern, t2 is the conductor thickness of the output signal pattern, and t3 is the conductor thickness of the bias pattern.例文帳に追加

特に、入力信号パターンの導体厚みt1、前記出力信号パターンの導体厚みt2、バイアスパターンの導体厚みt3において、t2≧1.5×t1またはt3≧1.5×t1の関係にあることを特徴とする。 - 特許庁

When the product of a residual magnetization of the hard bias layers 9, 10 and the thickness is expressed as Mrt1, and an intensity of a medium magnetization of the disk medium is expressed as Mrt2, relation of (Mrt1/Mrt2)≥3.0 needs to be satisfied.例文帳に追加

そして、ハードバイアス層9,10の残留磁化と厚みとの積をMrt1とし、ディスク媒体の媒体磁化の強さをMrt2とした場合に、(Mrt1/Mrt2)≧3.0なる関係を満たすようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a reproducing head which can stabilize the magnetic status of a bias application layer and thereby can stabilize reproduction output, in relation to the reproducing head equipped with a magneto-resistance effect type reproducing element.例文帳に追加

磁気抵抗効果型再生素子を備える再生ヘッドに関して、バイアス印加層の磁性状態を安定させ、再生出力を安定させることが可能な再生ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

Similarly, the current output units 34, 36 control the amplifiers AMP3, AMP4 so that the bias currents Ibias3, Ibias4 have a complementary relation.例文帳に追加

同様に、電流出力部34、36は、バイアス電流Ibias3、Ibias4が相補的な関係となるように増幅部AMP3、AMP4を制御する。 - 特許庁

To provide a low heat buildup rubber composition by optimizing a relation between the modulus of elasticity of a breaker coating rubber and the modulus of elasticity of a carcass ply coating rubber, and to provide a large-sized pneumatic bias tire using the same and excellent in weather resistance.例文帳に追加

ブレーカーコーティングゴムの弾性率とカーカスプライコーティングゴムの弾性率との関係を適正化した低発熱性ゴム組成物、及びこれを適用した耐久性に優れる大型空気入りバイアスタイヤの提供。 - 特許庁

A pressure in the chamber 10 is selected within a range of 1 to 100 mTorr to satisfy relation of y≥-1.7x+295 wherein x is the pressure (mTorr) and y is the absolute value of a self-bias voltage (volt) generated in the susceptor 12.例文帳に追加

そして、チャンバ10内の圧力を1mTorr〜100mTorrに選び、圧力(mTorr)をx、サセプタ12に生成される自己バイアス電圧(ボルト)の絶対値をyとすると、y≧−1.7x+295の関係が満たされるようにする。 - 特許庁

The relation among magnetic attraction on a developer carrier, magnetic attraction distribution, development bias, charge potential of an image region, charge potential of a non-image region, etc., is set at a proper value.例文帳に追加

現像剤担持体上の磁気吸引力、磁気吸引力分布、現像バイアス、画像部帯電電位、非画像部帯電電位等の関係を適正な値に設定する。 - 特許庁

When a bias is applied on the sense transistors (44 and 50) upon reception of sample value signals from a DUT, signal relation is changed, and an operation state of the DUT is displayed by the change.例文帳に追加

センス・トランジスタは、前記DUTからサンプル値信号を受信しバイアスがかかると、前記信号関係が変化し、その変化によって、DUTの動作状態が表わされる。 - 特許庁

The magnetic sensor is constituted of four MRE bridges 50-53, and the MRE bridges 50 and 53 are arranged symmetrically in relation to the magnetic center shaft (the center line 56 of a board 55) of a bias magnet 41, and the MRE bridges 51 and 52 are respectively arranged at the intermediate position between the MRE bridges 50, 53 and the bias magnet 41.例文帳に追加

4個のMREブリッジ50〜53から磁気センサを構成し、MREブリッジ50,53をバイアス磁石41の磁気的中心軸(基板55の中心線56)に対して線対称位置に配置し、MREブリッジ51,52をMREブリッジ50,53とバイアス磁石41の磁気的中心軸との中間位置にそれぞれ配置する。 - 特許庁

Parameters specifying a function showing the relation between a bias current and a modulating current to be supplied to a laser diode 12 are stored in a storage part 26; and the bias current and modulating current are supplied through a laser driving circuit 18 to make a laser diode emit light and a monitor means 20 monitors the quantity of light of the laser diode emitting the light.例文帳に追加

本発明では、レーザダイオード12に供給するべきバイアス電流と変調電流との関係を示す関数を特定するパラメータを格納部26に格納しておき、レーザ駆動回路18を介してバイアス電流と変調電流とを供給してレーザダイオードを発光させ、その発光しているレーザダイオードの光量をモニタ手段20がモニタする。 - 特許庁

For the value of the capacitor 7 for through-current prevention, an optimum value exists from the relation among the gate capacity value of an n-channel power MOSFET 9, the gate capacity value of a p-channel power MOSFET 12, and the resistance value of a PNP emitter follower bias.例文帳に追加

貫通電流防止用コンデンサ7の値はNチャンネルパワーMOSFET9のゲート容量値とPチャンネルパワーMOSFET12のゲート容量値とPNPエミッタフォロワーバイアス抵抗値の関係から最適な値が存在する。 - 特許庁

To accurately control the positional relation between a magneto- resistance effect element and a soft magnetic layer and the dimension of the soft magnetic layer in a magneto-resistance effect device including the magneto- resistance effect element and the soft magnetic layer which has the functions of guiding a signal magnetic flux and inducing a bias magnetic field.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と、信号磁束を導く機能とバイアス磁界を誘導する機能とを有する軟磁性層とを含む磁気抵抗効果装置において、磁気抵抗効果素子と軟磁性層との位置関係や軟磁性層の寸法を精度よく制御できるようにする。 - 特許庁

To provide a receiver IC for preventing loss of a received radio wave signal, so as to improve the reception sensitivity by configuring an input resistor connected to a bias power supply supplied to a Post amplifier, in a way so as to be capable of establishing a relation between Q value and the impedance of a crystal filter to be held to a proper value.例文帳に追加

Postアンプに供給されるバイアスの電源に接続される入力抵抗を水晶フィルタのQ値とインピーダンスとの関係を適性値に設定できるように構成することにより受信した電波信号の損失を防ぎ受信感度を向上させる。 - 特許庁

In a bias current control circuit 100 for controlling the current to be supplied to a plurality of amplifiers AMP1-AMP4, a current generator 10 generates a first current Ic1 that varies with time, and a second current Ic2 that has a complementary relation with the first current.例文帳に追加

複数の増幅部AMP1〜AMP4に供給する電流を制御するバイアス電流制御回路100において、電流生成部10は、時間とともに変化する第1電流Ic1と、第1電流と相補的な関係を有する第2電流Ic2を生成する。 - 特許庁

A computer 20 attaches a previously created texture of a prescribed pattern to the three-dimensional model, renders it, analyzes an already rendered image obtained as a bitmap image, and sets a correspondence relation between coordinates (x, y) of the already rendered image and coordinates (Xt(x, y), Yt(x, y)) of the texture, a gain Gc, t(x, y) and a bias Bc, t(x, y).例文帳に追加

コンピューター20は、予め作成した所定パターンのテクスチャーを3次元モデルに貼り付けてレンダリングし、ビットマップ画像として得られたレンダリング済み画像を解析してレンダリング済み画像の座標(x,y)とテクスチャーの座標(Xt(x,y),Yt(x,y))との対応関係やゲインGc,t(x,y),バイアスBc,t(x,y)を設定する。 - 特許庁

Guide surfaces 33a and 33b are provided with gas injection holes 40 and 41 to float the paper sheets 14 from the guide surfaces 33a and 33b, and as a result, friction resistance of the paper sheets 14 in relation to the guide surfaces 33a and 33b is reduced to prevent the generation of jam and bias feeding of the paper sheets 14.例文帳に追加

そこで、ガイド面33a,33bに気体噴出孔40,41を設けることで、ガイド面33a,33bに対して紙葉類14を浮かせることができ、その結果として、ガイド面33a,33bに対する紙葉類14の摩擦抵抗が低減し、紙葉類14のジャムや斜行の発生を防止することができる。 - 特許庁

The reference voltage generating circuit 7 includes a bias circuit 41 changing an intercept showing a relation of the characteristic line between the input voltage Vin and the reference voltage in accordance with the ambient temperature of discharge lamp 4A, 4B, and a voltage dividing circuit 42 changing inclination of the characteristic line in accordance with the ambient temperature of the discharge lamps 4A, 4B.例文帳に追加

ここでの基準電圧生成回路7は、入力電圧Vinと基準電圧との関係を表わす特性線の切片を、放電ランプ4A,4Bの周囲温度に応じて変化させるバイアス回路41と、特性線の傾きを放電ランプ4A,4Bの周囲温度に応じて変化させる分圧回路42とを備える。 - 特許庁

例文

The method for sorting the zener diode for generating noise comprises a stage for sorting conforming zener diodes for generating noise, based on the randomness of the generated noise; and a stage for inspecting similarities in the relation between inverse bias voltage and detection noise voltage and sorting a target zener diode as a new conforming article, when the similarity is large to some extent.例文帳に追加

本発明に係わる雑音発生用ツェナーダイオードの選別方法は、発生させた雑音のランダム性に基づき雑音発生用ツェナーダイオードの良品を選別する段階と、この選別した良品のツェナーダイオードと選別対象のツェナーダイオードについて、逆バイアス電圧と検波雑音電圧との関係の類似性を検査し、この類似性がある程度大きい場合にはこの選別対象のツェナーダイオードを新たな良品として選別する段階とを有する。 - 特許庁

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