「bl -」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, the device has a common line path transistor PT connected between a bit line BL and a supply node of the prescribed voltage, and drive circuits 5, 10A, 12 driving the memory cell by controlling each of a BL voltage, a PL voltage, a prescribed voltage, and a voltage of a control node of the common line path transistor PT.例文帳に追加

ビット線ＢＬと所定電圧の供給ノード間に接続された共通線パストランジスタＰＴと、ＢＬ電圧、ＰＬ線電圧、所定電圧、および、共通線パストランジスタＰＴの制御ノードの電圧をそれぞれ制御して、メモリセルを駆動する駆動回路５,１０Ａ,１２と、を有する。 - 特許庁

Either of the pre-charge signals BRS0, BRS1 is pre-set before one cycle, at the same time the other is set, short circuit operation of a pair of bit line/BL-BL is started, at the time of finish of short circuit operation, a preset side is reset and short circuit operation is finished.例文帳に追加

プリチャージ信号ＢＲＳ０、及びＢＲＳ１のうちの何れか一方を、１サイクル前からプリセットしておき、他方をセットすると同時にビット線対／ＢＬ−ＢＬのショート動作を開始し、ショート動作の終了時にはプリセットした側をリセットしてショート動作を終了する。 - 特許庁

A threshold detection method for detecting threshold values of a nonvolatile semiconductor memory cell comprises performing bit line sensing at two different timings during discharge of a memory cell bit line BL or a SEN node corresponding to the bit line BL while the potential of a memory cell word line WL is kept constant.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリセルの閾値を検出するためのメモリセルの閾値検出方法であって、メモリセルのワード線ＷＬの電位を一定に保持している間に、メモリセルのビット線ＢＬ又は該ビット線ＢＬに対応するＳＥＮノードの放電中に異なる２つのタイミングでビット線センスを行う。 - 特許庁

This method for correcting luminescent spot defects is provided with a process of mounting a back light BL on the rear face side of a liquid crystal panel LCP and a process for emitting laser beams LB to luminescent spot defects included in the liquid crystal panel LCP from an image display side of the liquid crystal panel LCP after mounting the back light BL.例文帳に追加

本輝点欠陥の修正方法は、液晶パネルＬＣＰの裏面側にバックライトＢＬを取り付ける工程と、バックライトＢＬの取り付け後に、液晶パネルＬＣＰの画像表示側から、液晶パネルＬＣＰに含まれる輝点欠陥にレーザ光ＬＢを照射する工程とを備える。 - 特許庁

In the state of reading operation, with timing after the sense amplifier 11 is started and before the data line DL and the bit line BL are connected with each other by the switch 12, the additional capacity C1 and the bit line BL are connected with each other by the switch Qn7.例文帳に追加

読み出し動作状態において差動増幅型センスアンプ１１が起動された後であってカラム選択スイッチ１２によってデータ線ＤＬとビット線ＢＬとが接続される前に、容量制御スイッチＱｎ７によって付加容量Ｃ１とビット線ＢＬとが接続される。 - 特許庁

In LB layers having set wiring directions orthogonal to wiring directions of LC layers wherein bridge wiring BL is created, wiring grids wherein no wiring is created are extracted as space areas 42 to create in the space areas 42 the bridge wirings BL extended along the wiring directions of the LC layers.例文帳に追加

ブリッジ配線を作成するＬＣ層の配線方向と直交する配線方向が設定されたＬＢ層において配線が作成されていない配線グリッドを空き領域４２として抽出し、空き領域４２間にＬＣ層の配線方向に沿って延びるブリッジ配線ＢＬを作成した。 - 特許庁

When a bit line BL is defective due to short-circuiting to the line of the ground potential GND, the P-channel MOS transistor 34 is made non-conductive, the current is prevented from leaking from the line of a power source potential VCC to the line of the ground potential GND through the defective bit line BL.例文帳に追加

ビット線ＢＬが接地電位ＧＮＤのラインにショートした不良ビット線である場合は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ３４は非導通になり、電源電位ＶＣＣのラインから不良ビット線ＢＬを介して接地電位ＧＮＤのラインに電流がリークすることが防止される。 - 特許庁

An interconnection (e.g. M2a) connected to a first bit line BL (e.g. BL2a) is formed as a second-layer interconnection M2 on a second layer different from a layer on which the bit line BL is formed, and they are connection in a connection region 2 between a memory-cell formation region 2 and a sense amplifier region.例文帳に追加

第１のビット線ＢＬ（例えば、ＢＬ２ａ）と接続される配線（例えばＭ２ａ）をビット線ＢＬが形成される層と異なる第２の層に第２層配線Ｍ２として形成し、メモリセル形成領域２とセンスアンプ領域との間の接続領域２において接続する。 - 特許庁

This device is provided with a memory cell 1 holding ternary data of H, M, L, sense amplifiers 18a, 18b, a pair of bit line BL, /BL, sense amplifier side bit lines BL1, BL2 being nodes for holding data, sense amplifier side bit lines /BL1, /BL2 being nodes for referring, and transfer gates 16, 17, 19.例文帳に追加

Ｈ，Ｍ，Ｌの３値データを保持できるメモリセル１と、センスアンプ１８ａ，１８ｂと、ビット線対ＢＬ，／ＢＬと、データ保持用ノードとなるセンスアンプ側ビット線ＢＬ１，ＢＬ２と、参照用ノードとなるセンスアンプ側ビット線／ＢＬ１，／ＢＬ２と、各トランスファーゲート１６，１７，１９とを備えている。 - 特許庁

A capacitor (Cs) or a resistor (Rs) is connected intentionally to either of a pair of input/output node of a sense amplifier circuit amplifying potentials of bit lines (BL, /BL) being a pair in a memory array, and time constant of the pair of input/output node of the sense amplifier circuit is made unbalance.例文帳に追加

メモリアレイ内の互いに対をなすビット線（ＢＬ，／ＢＬ）の電位を増幅するセンスアンプ回路（ＳＡ）の一対の入出力ノードのいずれか一方に、意図的に容量（Ｃｓ）もしくは抵抗（Ｒｓ）を接続して、センスアンプ回路の一対の入出力ノードの時定数をアンバランスにさせるようにした。 - 特許庁

In an associative memory cell shown in figure 2, magnetoresistive elements TR101-TR104 are a TMR film used for a MRAM, and have a resistance value on accordance with a magnetizing direction by current magnetic fields of a pair of bit line (BL, /BL), an uncoincidence detecting line ML, and a reference current output line MSL.例文帳に追加

図２に示す連想メモリセルにおいて磁気抵抗素子ＴＲ１０１〜ＴＲ１０４はＭＲＡＭに用いられるＴＭＲ膜であり、ビット線対（ＢＬ，／ＢＬ）、不一致検出線ＭＬおよび基準電流出力線ＭＳＬの電流磁界による磁化方向に応じた抵抗値を有する。 - 特許庁

A comparator circuit 5, connected to the bit-line BL, through which the memory cell information is transmitted, compares a voltage value corresponding to the current value flowing through the bit-line BL driven by the load circuit 4, with a reference voltage and read out the value for the memory cell information from its output terminal.例文帳に追加

コンパレータ回路５は、メモリセル情報が伝達されるビット線ＢＬと接続されており、負荷回路４により駆動されてビット線ＢＬに流れる電流値に対応する電圧値を所定の基準電圧値と比較して、その出力端からメモリセル情報の値を読み出す。 - 特許庁

The apparatus designates a boundary line BL including the point PS and point PE and crossing the frame of the editing region 202, and depicts background images 212 and 213 different from each other in the regions 202A and 202B divided by the boundary line BL in the editing region 202.例文帳に追加

画像撮影編集装置は、点ＰＳ及び点ＰＥを含み、編集領域２０２の枠と交差する境界線ＢＬを指定し、編集領域２０２内の境界線ＢＬで分割された各領域２０２Ａ、２０２Ｂのそれぞれに異なる背景画像２１２及び２１３を描画する。 - 特許庁

To each of the pair of local bit lines BL a selection MOS transistor composed of one enhancement type MOS transistor (STE) and one depression type MOS transistor (STD) is connected in series to select either of the local bit lines BL by turning on/off the selection MOS transistor.例文帳に追加

一対のローカルビット線ＢＬのそれぞれには、１個のエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタ（ＳＴＥ）と１個のデプレッション型ＭＯＳトランジスタ（ＳＴＤ）とからなる選択ＭＯＳトランジスタが直列に接続され、選択ＭＯＳトランジスタのオン／オフによって、いずれか一方のローカルビット線ＢＬが選択される。 - 特許庁

This opening/closing control device puts a motor M and opening/ closing lamps BL, RL in the locked state to become inoperative, and releases the lock to put the motor M and the opening/closing lamps BL, RL in the operative state only when an operating switch is pressed for a preset fixed time or longer.例文帳に追加

開閉制御装置は、モータＭ及び開閉ランプＢＬ、ＲＬをロック状態として動作不能とするとともに、予め設定された一定時間以上、操作スイッチを押し操作した場合のみ、ロックを解除してモータＭ及び開閉ランプＢＬ、ＲＬを動作可能とする。 - 特許庁

And at the time of read-out of data, potential difference caused between the bit lines BL and the reference bit line BLr is read out using the sense amplifier 53.例文帳に追加

そして、データの読み出し時に、ビット線ＢＬと参照ビット線ＢＬｒとの間に生じた電位差をセンスアンプ５３を用いて読み出す。 - 特許庁

The first voltage is applied between a diffusion layer and a back gate of a first MOS transistor TE included in the first selection circuit (BL-E).例文帳に追加

第１選択回路（ＢＬ−Ｅ）に含まれる第１ＭＯＳトランジスタＴＥの拡散層とバックゲートとの間には、第１電圧が印加される。 - 特許庁

To provide a digital modulation wireless relaying device that can grasp a accurate transmission state by a BL (Before Limiter) tone monitor function.例文帳に追加

ＢＬトーンモニタ機能による常に的確な伝送状況の把握が得られるようにしたディジタル変調無線中継装置を提供すること。 - 特許庁

Then, a drawing region outside the borderline BL is expanded so that the drawing line DL can be extended to the outside (first deformation).例文帳に追加

そして境界線ＢＬ外側の描画領域を膨張処理させることによって、描画線ＤＬを外側へ拡大させる（第１変形）。 - 特許庁

The differential amplifier type sense amplifier 11 has MOS transistor columns Qp1 and Qp2 connecting the power source of the sense amplifier and the bit lines BL.例文帳に追加

差動増幅型センスアンプ１１は、該センスアンプの電源とビット線ＢＬとを接続するＭＯＳトランジスタ列Ｑｐ１及びＱｐ２を有する。 - 特許庁

Therefore, potential variation of the bit line BL and the reference bit line BLr by an off-leak current is eliminated and erroneous read are not caused.例文帳に追加

従って、オフリーク電流によるビット線ＢＬ及び基準ビット線ＢＬｒの電位変化が排除され、読み出し誤りは発生しない。 - 特許庁

Without solidification of a resin with the bubbles BL left in contact with the cavity 11, the method thus enables control of poor molding of optical elements.例文帳に追加

従って、キャビティ１１に気泡ＢＬが接触したまま樹脂が固化することがなく、光学素子の成形不良を抑制することができる。 - 特許庁

A sense node SA is connected to a selected bit line BL of a memory cell array 1 through a NMOS transistor QN1 for clamp and a column 2.例文帳に追加

センスノードＳＡは、クランプ用ＮＭＯＳトランジスタＱＮ１を介し、カラム２を介して、メモリセルアレイ１の選択されたビット線ＢＬに接続される。 - 特許庁

An ion sensor 110 and CCD cameras 120 mounted on the caisson 100 detect the state of collection of mineral by the bioleaching liquid BL.例文帳に追加

ケーソン１００に搭載されているイオンセンサ１１０，ＣＣＤカメラ１２０がバイオリーチング液ＢＬによる鉱物採取の状態を検出する。 - 特許庁

The LED driver 200 includes an inductor L1, a diode D1, a capacitor C1, and a backlight BL in addition to an LED drive IC 100.例文帳に追加

ＬＥＤ駆動装置２００は、ＬＥＤ駆動ＩＣ１００のほか、インダクタＬ１、ダイオードＤ１および容量Ｃ１、およびバックライトＢＬを含む。 - 特許庁

A current mirror circuit 2b in a column control circuit 2 limits a current flowing through the bit lines BL to a predetermined upper limit Icomp or less.例文帳に追加

カラム制御回路２中のカレントミラー回路２ｂは、ビット線ＢＬに流れる電流を所定の上限値Ｉｃｏｍｐ以下に制限する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a memory cell 10, a bit line BL, a write circuit 11, a transfer control circuit 12, and a sense amplifier 13.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、メモリセル１０、ビット線ＢＬ、書き込み回路１１、転送制御回路１２、センスアンプ１３を備えて構成される。 - 特許庁

Memory transistors MT have sources connected to the corresponding bit lines BL and have floating gates between control gates and conduction channels of drains and sources.例文帳に追加

メモリトランジスタＭＴは、ソースが対応するビットラインＢＬに接続され、コントロールゲートとドレインソース間の伝導チャネルとの間にフローティングゲートを有する。 - 特許庁

Extending directions of the bit lines BL in each of the MTJ memory cell arrays 10a-10f are the same direction on the system LSI 100.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルアレイ１０ａ〜１０ｆのそれぞれにおけるビット線ＢＬの延在方向は、システムＬＳＩ１００上で同一方向である。 - 特許庁

When a VHF band is operated, supply voltage is supplied from the BL+BH terminal and supply voltage is not supplied from the Bu terminal.例文帳に追加

一方、ＶＨＦバンド動作時には、ＢＬ＋ＢＨ端子から電源電圧が供給され、Ｂｕ端子からは電源電圧が供給されない。 - 特許庁

In this state, a bit line BL is charged by a sense amplifier 3 to a first voltage Vb (precharged stated above and required for readout of memory cell).例文帳に追加

この状態で、センスアンプ３によりビット線ＢＬを第１の電圧Ｖｂに充電（メモリセルの読み出しに必要な既述のプリチャージ）する。 - 特許庁

Besides, one bit line BL to be connected to two NAND type memory cell units ND1 and ND2 is formed through a layer insulating film 30.例文帳に追加

また、２個のＮＡＮＤ型メモリセルユニットＮＤ１、ＮＤ２に接続する１本のビット線ＢＬを、層間絶縁膜３０を介して形成する。 - 特許庁

The second voltage is applied between the diffusion layer and the back gate of a second MOS transistor TD included in the second selection circuit (BL-D).例文帳に追加

また、第２選択回路（ＢＬ−Ｄ）に含まれる第２ＭＯＳトランジスタＴＤの拡散層とバックゲートとの間には、第２電圧が印加される。 - 特許庁

Both ends N11, N12 of the cell block MCB0 are connected to a pair of bit lines BL, BBL through selection gates Q10, Q11.例文帳に追加

セルブロックＭＣＢ０の両端Ｎ１１，Ｎ１２は、それぞれブロック選択ゲートＱ１０，Ｑ１１を介してビット線対ＢＬ，ＢＢＬに接続される。 - 特許庁

Furthermore, the non-drawing region inside the borderline BL is reduced so that the drawing line DL can be returned to the inside (third deformation).例文帳に追加

さらに境界線ＢＬの内側の非描画領域を縮小処理することによって、描画線ＤＬを内側へ広げ戻す（第３変形）。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a reset pulse-control circuit RSTCTL which applies a reset voltage Vreset to a selected bit line BL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、選択ビット線ＢＬにリセット電圧Ｖｒｅｓｅｔを印加するリセットパルス制御回路ＲＳＴＣＴＬを備える。 - 特許庁

To provide a column for obtaining purification efficiency of BL-angiostatin equal to or more than a sepharose system carrier in a carrier other than the sepharose system carrier.例文帳に追加

セファロース系担体以外の担体においても、セファロース系担体と同等以上のＢＬ−アンジオスタチンの精製効率が得られるカラムの提供。 - 特許庁

Consequently, it can be prevented that half chuck phenomenon in which the tip part 132a3 is caught between boundary parts BL.例文帳に追加

この状態にすることによって、境界部ＢＬの間に先端部１３２ａ３が挟まってしまう、ハーフチャック現象を防止することができる。 - 特許庁

Thereby, the bottom level BL output from the bottom detecting part 12 is transposed to a bottom level based on the newest incoming signal IN.例文帳に追加

これにより、ボトム検出部１２から出力されるボトムレベルＢＬは、最新の入力信号ＩＮに基づいたボトムレベルに置き換えられる。 - 特許庁

A semiconductor device includes plural magnetic memory cells MC, plural digit lines DL, a digit line drive circuit 28B, plural bit lines BL [0:95].例文帳に追加

半導体装置は、複数の磁気メモリセルＭＣと、複数のディジット線ＤＬと、ディジット線ドライブ回路２８Ｂと、ビット線ＢＬ［０：９５」とを備える。 - 特許庁

The Peltier element 51 receives a part of the electric power that has flowed to a power transistor Q1 from the branch line BL and outputs to the electrode plate 108.例文帳に追加

そして、ペルチェ素子５１は、パワートランジスタＱ１に流される電力の一部を分岐線ＢＬから受けて電極板１０８へ出力する。 - 特許庁

The object measurement apparatus computes integral values of the integration of perpendicular components (Y-direction components) of the motion vectors V to the borderline BL.例文帳に追加

物体計測装置は、その動きベクトルＶの境界線ＢＬに対する垂直成分（Ｙ方向成分）を積分した積分値を求める。 - 特許庁

To reduce moving picture blurring of a liquid crystal display device in combination of a blinking BL system and a black insertion drive type liquid crystal display element.例文帳に追加

ブリンキングＢＬ方式と黒挿入駆動型液晶表示素子とを組み合わせた液晶表示装置における動画ぼやけを低減する。 - 特許庁

According to operation by the player, the position of the button image displayed in the button image display area BL or BR is moved in a vertical direction.例文帳に追加

また、遊技者の操作に応じて、ボタン画像表示領域ＢＬまたはＢＲ内に表示させたボタン画像の表示位置を上下方向に移動させる。 - 特許庁

A BL (backlight) control area temperature unevenness determination part 103 determines by the brightness control value whether or not temperature variation is generated according to each of the control areas.例文帳に追加

ＢＬ（バックライト）制御エリア温度ムラ判定部１０３は輝度制御値から制御エリア毎に温度ばらつきが発生するか否かを判定する。 - 特許庁