「buffer cap」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A buffer layer 102, a channel layer 103, an electron supply layer 104, a barrier layer 105, and a cap layer 106 are successively laminated on a substrate 101; and a gate electrode 108 is formed on the cap layer 106.例文帳に追加

基板１０１上に、バッファ層１０２、チャネル層１０３、電子供給層１０４、バリア層１０５およびキャップ層１０６が順に積層され、キャップ層１０６上にゲート電極１０８が形成される。 - 特許庁

This sheet body comprises the base material layer 3, a base film 14 compounded with the base layer 3 and the buffer layer 4 having a cap film 15 with a plurality of cap parts for forming a plurality of hermetically sealed air cells 18 between the cap film 15 and the base film 14 through compounding both films 14 and 15.例文帳に追加

基材層３と、基材層３に複合された、ベースフィルム１４、およびベースフィルム１４に複合されることによってベースフィルム１４との間で複数の密閉空気室１８を形成するための複数のキャップ部が形成されたキャップフィルム１５を備えた緩衝層４とを有する。 - 特許庁

This FET 1 is provided with a substrate 2, a buffer layer 3, a first doped layer 4, an undoped layer 5, a second doped layer 6, an undoped layer 7, a cap layer 8, and a surface layer 9.例文帳に追加

ＦＥＴ１は、基板２、バッファ層３、第１ドープ層４、アンドープ層５、第２ドープ層６、アンドープ層７、キャップ層８、および表面層９を有する。 - 特許庁

The cap layer 106 roughly matches the buffer 102 in a-axis lattice constant, and is constituted of GaN wherein the AlN mixed crystal ratio is lower than in the barrier layer 105.例文帳に追加

キャップ層１０６は、バッファ層１０２とａ軸格子定数がほぼ整合し、かつ、バリア層１０２よりもＡｌＮの混晶比が小さいＧａＮで構成される。 - 特許庁

Consequently, a buffer space which is connected to a suction pump 142 while unconnected to an ink ejection port of the face surface 22Ks is formed inside the cap frame 52.例文帳に追加

これにより、吸引ポンプ１４２につながる一方、フェイス面２２Ｋｓのインク吐出口にはつながらないバッファ空間がキャップフレーム５２の内部に形成される。 - 特許庁

The cap member 26 is fitted into a lower end part of the cylinder 2 and is fixed by a nut 25 to attach the fork bracket 24 to a hydraulic buffer 1.例文帳に追加

キャップ部材２６をシリンダ２の下端部に嵌合し、ナット２５によって固定することにより、フォークブラケット２４を油圧緩衝器１に取付ける。 - 特許庁

On an undoped GaN buffer layer 2, there are formed an n-type AlGaN electron-donor layer 3, and an n-type InAlGaN cap layer 4 successively.例文帳に追加

アンドープＧａＮバッファー層２の上に、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層３及びｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４が順に形成されている。 - 特許庁

The ink flowing into the buffer tank 92 is held in a position where its balance is kept by a fall and prevented from flowing back to the cap 52.例文帳に追加

バッファタンク９２に流入したインクは、水頭差によりバランスが保てる位置で保持されるので、キャップ５２内に逆流することが防止される。 - 特許庁

This semiconductor laser 10 has a double-heterojunction multiplayer structure of a 1st buffer layer 14, a 2nd buffer layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer/guide layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type cap layer 24 on a substrate 12.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、基板１２上に、第１バッファ層１４、第２バッファ層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層／ガイド層２０、ｐ型クラッド層２２、及びｐ型キャップ層２４のダブルヘテロ接合積層構造を備える。 - 特許庁

The semiconductor layer 30 comprises an upper Si film 12 and an Si buffer layer 13, an SiGe film 14, and an Si cap layer 15 which are epitaxial-grown, respectively.例文帳に追加

半導体層３０は、上部Ｓｉ膜１２と、各々エピタキシャル成長されたＳｉバッファ層１３，ＳｉＧｅ膜１４，Ｓｉキャップ層１５とから構成されている。 - 特許庁

The timing recovery device for the CAP/QAM MODEM including a equalizer filter, which is resigned to monitor movement of filter coefficients in a memory buffer and to adjust a relative position in the filter coefficients in the memory butter so that the coefficients are placed substantially at the center in the buffer.例文帳に追加

ＣＡＰ／ＱＡＭモデム用のタイミング・リカバリ装置は、メモリ・バッファ内のフィルタ係数の移動をモニタし、係数がバッファ内で実質的に中心に置かれるようにメモリ・バッファ内でのフィルタ係数の相対的位置を調整するように設計された等化器フィルタを含む。 - 特許庁

To provide an electromagnetic switching device capable of reducing impact propagated from a fixed iron core to a cap through a buffer member when a movable iron core collides with the fixed iron core.例文帳に追加

可動鉄芯が固定鉄芯に衝突する際に固定鉄芯から緩衝部材を介してキャップに伝播される衝撃を低減することができる電磁開閉装置を提供する。 - 特許庁

The InAlGaN cap layer is formed of InAlGaN of a composition lattice-matching with a buffer layer, and generating secondary electrons on the interfacial surface between the barrier layer and the channel layer by spontaneous polarization.例文帳に追加

ＩｎＡｌＧａＮキャップ層は、バッファ層と格子整合し、自発分極により、障壁層とチャネル層の界面に二次元電子を発生させる組成のＩｎＡｌＧａＮで形成する。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type clad layer, an active layer 38, a p-type clad layer and a p-type cap layer are sequentially laminated on an n-type substrate, and an (n) electrodes 44 is provided on a lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上に、ｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、活性層３８、ｐ型クラッド層、及びｐ型キャップ層を順次積層し、基板の下面にｎ電極４４を設ける。 - 特許庁

Since solidified photoresist is difficult to remove after reflow step, a sacrificial buffer layer 21 is provided between a photoresist mask 51 and the cap layer 14, thus facilitating removal of a photoresist 51.例文帳に追加

フォトレジストが固くなり、硬化しリフローステップの後は除去しづらくなるために、犠牲バッファ層２１が、フォトレジストマスク５１とキャップ層１４の間に配置され、フォトレジスト５１の除去を容易にする。 - 特許庁

An n-type InP buffer layer 22, a reflector layer 23, an i-type InGaAs photo-absorption layer 24, and an n-type InP cap layer 28 are laminated on an n-type InP substrate, and zinc(Zn) is diffused in the n-type InP cap layer 28 to form a p-type diffusion region 32 as a photo-receiving portion.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２，反射鏡層２３，ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４，ｎ−ＩｎＰキャップ層２８が積層され、ｎ−ＩｎＰキャップ層２８内に亜鉛（Ｚｎ）が拡散されて、受光部となるｐ型拡散領域３２が形成されている。 - 特許庁

A cold-insulation buffer sheet 1 is constituted by facingly disposing an upper sheet 11 with a thickness of substantially 200 μm disposed with a plurality of columnar cap parts 100, on a lower sheet 10, filling the interiors of the cap parts 100 with cold-insulation gel 15 impregnated with a predetermined amount of sodium polyacrylate and sealing the interiors.例文帳に追加

下面シート１０の上に、円柱状のキャップ部１００が多数配された厚み約２００μｍの上面シート１１を対向配置させ、キャップ部１００の内部に所定量のポリアクリル酸ナトリウムを含水させた保冷ゲル１５を充填し、内部封止して保冷緩衝シート１を構成する。 - 特許庁

A CCD 26 image picks up dispersed lights passing through an exchange zoom lens on which a white cap is mounted, and picture data outputted from the CCD 26 are stored in a buffer memory 30.例文帳に追加

ＣＣＤ２６は白キャップ９３(図１)を装着した交換ズームレンズ９０(図１)を通過した拡散光を撮像し、ＣＣＤ２６から出力された画像データがバッファメモリ３０に記憶される。 - 特許庁

Ink discharged from an ink discharge opening of a recording head 22K temporarily gathers in the cap 52 but flows into a buffer tank 92, passing through an ink channel 86, an air release valve 88 and an ink channel 90.例文帳に追加

記録ヘッド２２Ｋのインク吐出口から排出されたインクは、キャップ５２内に一時的に貯まるが、インク流路８６、大気開放弁８８、及びインク流路９０を通ってバッファタンク９２に流れ込む。 - 特許庁

There are formed a GaN buffer layer 22, the lower AlGaN barrier layer 23, a GaN channel layer 24, the upper AlGaN 25, and a GaN cap layer 26 on a dielectric substrate 21 in order.例文帳に追加

絶縁性の基板２１上において、ＧａＮ緩衝層２２、下側ＡｌＧａＮ障壁層２３、ＧａＮチャネル層２４、上側ＡｌＧａＮ障壁層２５、及びＧａＮキャップ層２６を順次に形成する。 - 特許庁

An n-GaAs active layer 3 is grown on a GaAs substrate 1 via an AlGaAs high-resistance buffer layer 2, and an n-InGaP etching stopping layer 4 and an n+-GaAs cap layer 5 are grown (first step).例文帳に追加

ＧaＡs基板１上にＡlＧaＡs高抵抗バッファ層２を介してｎ-ＧaＡs活性層３を成長させ、更にｎ-ＩnＧaＰエッチング停止層４、ｎ^+-ＧaＡsキャップ層５を成長させる（第１の工程）。 - 特許庁

An inkjet printer is equipped with a head unit 2 which includes both an inkjet head 5 and a buffer tank 4 with both an ink chamber 6 for storing ink and a communication valve 26, a purge mechanism 20 with a purge cap 21 for forming a closed space between an ink discharge face 40a and the cap, and a wiper for wiping the ink discharge face 40a.例文帳に追加

インクジェットプリンタは、インクジェットヘッド５と、インクを貯溜するインク室６と連通弁２６とを備えたバッファタンク４とを含んだヘッドユニット２と、インク吐出面４０ａとの間に閉鎖空間を形成するパージキャップ２１を備えたパージ機構２０と、インク吐出面４０ａを払拭するワイパーとを備えている。 - 特許庁

The non- inverting output terminal and inversion output terminal of the differential transconductance circuit are respectively connected through a capacitor Cap to a ground point and is connected via a buffer to output terminals Vop and Von.例文帳に追加

差動トランスコンダクタンス回路の非反転出力端子及び反転出力端子は、それぞれ、コンデンサＣａｐを経由して、接地点に接続されると共に、バッファを経由して、出力端子Ｖｏｐ，Ｖｏｎに接続される。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 2, n-A1GaAs clad layer 3, AlGaAs active layer 4, p-AlGaAs clad layer 5 and p-GaAs cap layer 6 are laminated on an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６が順に積層されている。 - 特許庁

A flexible diaphragm 22 is arranged together with the end cap 18, and the buffer plate 24 dividing the inside of the mount 2 into an upper chamber A and a lower chamber B filled with liquid is held on an inner side of a pressing part 20.例文帳に追加

可撓性のダイアフラム２２がエンドキャップ１８とともに配置され、液体で満たされる上部室Ａと下部室Ｂにマウント２の内部を分割している緩衝板２４も圧着部分２０の内側で保持されている。 - 特許庁

A buffer layer (GaN) 12, a channel layer (GaN) 13, a carrier supply layer (n-AlGaN) 14 and a Schottky layer (AlGaN) 15 are sequentially laminated on a sapphire substrate 11, and a cap layer (GaN) 16 is laminated on the Schottky layer 15.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、バッファ層（ＧａＮ）１２、チャネル層（ＧａＮ）１３、キャリア供給層（ｎ−ＡｌＧａＮ）１４、ショットキ層（ＡｌＧａＮ）１５を順次積層し、そのショットキ層１５の上に、キャップ層（ＧａＮ）１６を積層する。 - 特許庁

In the manufacturing method, there are formed successively on a substrate 11, a buffer layer 12, a channel layer 13, a spacer layer 14, a barrier layer 15, a well layer 16, a barrier layer 17, a floating region 18, a gate barrier layer 19, a cap layer 20, and a gate electrode 21.例文帳に追加

基板１１の上にバッファ層１２、チャネル層１３、スペーサ層１４、障壁層１５、井戸層１６、障壁層１７、浮遊領域１８、ゲート障壁層１９、キャップ層２０およびゲート電極２１を順次形成する。 - 特許庁

On a periphery of a memory card 1A, whose part of the outline is formed without having a cap by a sealing part 2c made of thermosetting resin formed by transfer mold, a buffer 3 is provided.例文帳に追加

キャップを有することなく、トランスファモールドで形成された熱硬化性樹脂からなる封止部２ｃにより外形の一部が形成されるメモリカード１Ａの外周面に、プラスチック射出成形法で形成された熱可塑性樹脂からなる緩衝部３を設けた。 - 特許庁

To provide a preserving cap for solid formulations that pressures the solid formulations by, as conventionally being used, a buffer material so as not to break or damage the solid formulations, can be used for different sizes of solid formulations, has versatility, and can reduce cost.例文帳に追加

従来の緩衝材にように、緩衝材によって固形剤を押さえつけて固形剤を破損損傷することがなく、サイズの異なる固形剤に使用でき、汎用性を有し、コストを低減することができる固形剤用保護キャップを提供する。 - 特許庁

After a dummy gate resist pattern 24 is formed on a GaAs substrate 11 on which a buffer layer 12, a channel layer 13, a Schottky layer 15 and a cap layer 16 have been stacked, an SiO2 film 26 having a gate opening 25 is formed through evaporation and lift off.例文帳に追加

バッファ層１２とチャネル層１３と電子供給層１４とショットキ層１５とキャップ層１６とを積層したＧａＡｓ基板１１上にダミーゲートレジストパターン２４を形成後、蒸着、リフトオフによりゲート開口部２５を持つＳｉＯ_2膜２６を形成する。 - 特許庁

After forming a dummy gate resist pattern 24 on a GaAs substrate 11 for which a buffer layer 12, a channel layer 13, an electron supply layer 14, a Schottky layer 15 and a cap layer 16 are laminated, an SiO2 film 26 provided with a gate-opening part 25 is formed by vapor deposition and lift-off.例文帳に追加

バッファ層１２とチャネル層１３と電子供給層１４とショットキ層１５とキャップ層１６とを積層したＧａＡｓ基板１１上にダミーゲートレジストパターン２４を形成後、蒸着、リフトオフによりゲート開口部２５を持つＳｉＯ_2膜２６を形成する。 - 特許庁

A semiconductor laser device 50 is equipped with a laminated structure composed of an N-type buffer layer 52, an N-type clad layer 53, an active layer 54, a P-type clad layer 55, a P-type intermediate layer 56, and a P-type cap layer 57 which are successively and epitaxially grown on an N-type substrate 51.例文帳に追加

本半導体レーザ素子５０は、ｎ型基板５１上に、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ型バッファ層５２、ｎ型クラッド層５３、活性層５４、ｐ型クラッド層５５、ｐ型中間層５６、及びｐ型ｓキャップ層５７の積層構造を備える。 - 特許庁

A buffer layer 12, a first electron supply layer 13, a channel layer 14, a second electron supply layer 15, a diffusion layer 16, and a cap layer 17 are laminated in order on a substrate 11 consisting of a semi-insulation single crystal GaAs to form a semiconductor lamination part 10.例文帳に追加

半絶縁性単結晶ＧａＡｓよりなる基板１１上に、バッファ層１２、第１電子供給層１３、チャネル層１４、第２電子供給層１５、拡散層１６、キャップ層１７が順次積層されて半導体積層部１０が形成される。 - 特許庁

A buffer layer 102, a first contact layer 103, a first clad layer 104, a first optical guide layer 107, an active layer 108, a cap layer 109, a second optical guide layer 110, a second clad layer 111 and a second contact layer 112 are formed in order on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、バッファ層１０２、第１のコンタクト層１０３、第１のクラッド層１０４、第１の光ガイド層１０７、活性層１０８、キャップ層１０９、第２の光ガイド層１１０、第２のクラッド層１１１、及び第２のコンタクト層１１２を順次形成する。 - 特許庁

The device has a sapphire substrate 1 whose c-surface is nitrided, a GaN buffer layer 2, an N-polarity GaN layer 3, an N-polarity AlN layer 4, an N-polarity InN/InGaN multilayer device structure 5, an Al-polarity AlN 6 and a GaN cap layer 7.例文帳に追加

本発明によるデバイスは、表面を窒化したｃ面サファイア基板１と、ＧａＮバッファ層２と、Ｎ極性ＧａＮ層３と、Ｎ極性ＡｌＮ層４と、Ｎ極性ＩｎＮ／ＩｎＧａＮ多重層デバイス構造５と、Ａｌ極性ＡｌＮ６と、ＧａＮキャップ層７とを有する。 - 特許庁

This canvas cap for carrying/storing the canvas has such a constitution that at least two or more buffer pieces consisting of wood or synthetic resin are provided in prescribed parts of the upper-face inner wall of a body formed into a box shape whose bottom face is opened according to the dimensions of the canvas.例文帳に追加

キャンバスを運搬・収納するためのキャンバスキャップであって、キャンバスの大きさに応じて底面を開放した箱状に成形された本体の上面内壁所定箇所に、木あるいは合成樹脂等からなる少なくとも２以上の緩衝片を設けた構造を採用する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a multilayer film structure composed of: a semiconductor substrate 1; a buffer layer 2 formed on the semiconductor substrate; the electron traveling layer 3 formed on the buffer layer; a spacer layer 4 formed on the electron traveling layer; an electron supply layer 5 formed on the spacer layer; a barrier layer 6 formed on the electron supply layer; and a cap layer 7 formed on the barrier layer.例文帳に追加

半導体基板１と、この半導体基板上に形成されたバッファ層２と、このバッファ層上に形成された電子走行層３と、この電子走行層上に形成されたスペーサ層４と、このスペーサ層上に形成された電子供給層５と、この電子供給層上に形成されたバリア層６と、このバリア層上に形成されたキャップ層７とからなる多層膜構造を備えている。 - 特許庁

Buffer layers 101 and 102, a first lower clad layer 103 and a second lower clad layer 104, an active layer 105, a first upper clad layer 106, an etching stop layer 107, a second upper clad layer 108, an intermediate band gap layer 109, and a cap layer 110 are laminated in this sequence on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００の上にバッファ層１０１、バッファ層１０２、第１下側クラッド層１０３、第２下側クラッド層１０４、活性層１０５、第１上側クラッド層１０６、エッチングストップ層１０７、第２上側クラッド層１０８、中間バンドギャップ層１０９、キャップ層１１０がこの順で積層してある。 - 特許庁

An HEMT has an i-InAlAs buffer layer 2, an i-InGaAs channel alyer 3, an i-InAlAs spacer layer 4, a δ-dope sheet 5, a barrier layer 6, and an n-InGaAs cap layer 7 that are sequentially formed on an InP substrate 1, and a drain electrode 8 as well as a source electrode 8 that are formed on the n-InGaAs cap layer 7.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１上に順次形成したｉ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層２、ｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層３、ｉ−ＩｎＡｌＡｓスペーサ層４、δ−ドープシート５、バリア層６、ｎ−ＩｎＧａＡｓキャップ層７、およびｎ−ＩｎＧａＡｓキャップ層７上に形成されたソース電極８並びにドレイン電極９を有するＨＥＭＴのゲート電極１１を、バリア層６およびδ−ドープシート５を貫通してｉ−ＩｎＡｌＡｓスペーサ層４に達するように形成する。 - 特許庁

In a channel layer 103 made of SiGe containing C, a Ge composition is linearly changed from 0 to 50% from the end section of a silicon buffer layer side 102 toward that of the side of a silicon cap layer 104, and C is selectively contained by 0.5% in a region with 40 to 50% Ge composition, namely, a region where the Ge composition exceeds 30%.例文帳に追加

Ｃを含むＳｉＧｅからなるチャネル層１０３において、Ｇｅ組成は、シリコンバッファ層側１０２の端部からシリコンキャップ層１０４側の端部に向かって０％から５０％に直線的に変化し、ＣはＧｅ組成が４０％から５０％の領域（つまり３０％を越える領域）に選択的に０．５％含有されている。 - 特許庁

The semiconductor optical element comprises an n-type buffer layer 102, an undoped InAlAs carrier travel layer 103, an n-type InAlAs field relaxation layer 104, an undoped InAlAs multiplication layer 105, a p-type InAlAs field relaxation layer 106, a p-type concentration gradient InGaAs absorption layer 107, and a p-type InP cap layer 108 formed on an n-type InP substrate 101.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、アンドープＩｎＡｌＡｓキャリア走行層１０３、ｎ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０４、アンドープＩｎＡｌＡｓ増倍層１０５、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０６、ｐ型濃度勾配ＩｎＧａＡｓ吸収層１０７、ｐ型ＩｎＰキャップ層１０８で構成されている。 - 特許庁

The keyboard structure includes a thin-film circuit board having a plurality of switches, at least one key cap having a plurality of contact parts corresponding to each of the switches of the thin-film circuit board, and a bottom plate having a plurality of holes corresponding to each switch and each contact part and to be formed a buffer part along the holes up to a bent part of the bottom plate.例文帳に追加

本発明のキーボード構造は、複数のスイッチを有する薄膜回路基板と、各々の接触部が前記薄膜回路基板のそれぞれの前記スイッチに対応している複数の前記接触部を有する少なくとも一つのキーキャップと、複数の孔を有し、各々の前記孔が前記スイッチ及び前記接触部ごとに対応しており、前記孔に沿って前記底板の曲がり目まで緩衝部が形成する底板とを備えている。 - 特許庁