「cu surface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To suppress a variation in the removal of a Cu oxide film on the surface of a Cu wire being carried out before a silicon oxide film is formed on the Cu wire.例文帳に追加

Ｃｕ配線上にシリコン窒化膜を形成する前に行う、Ｃｕ配線の表面のＣｕ酸化膜を除去する前処理におけるＣｕ酸化膜の除去のばらつきを小さくすること。 - 特許庁

A metal conductor (for instance, Cu or a Cu alloy) having a low electrical resistance value and a high linear expansion coefficient is braided into a braided wire, and is connected using a conductive bonding material to a wiring connecting portion on the upper surface of the semiconductor element of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の半導体素子上面の配線接続に、電気抵抗値は低いが線膨張係数が大きい金属（例えばCuあるいはCu合金）の導体を、編み線状にして導電性接合材により接続する。 - 特許庁

Further, the Ti is implanted near the BCB surface and a reaction region 24 between BCB and Ti is formed, for enhanced tight contact between the BCB and Cu.例文帳に追加

さらにBCB表面近傍にTiが注入され、BCBとTiの反応領域２４が形成されることにより、BCBとCuの密着性を高められる。 - 特許庁

One aspect is the sample capturing alloy which has a modified surface, contains Fe, Pt and Cu, and captures samples.例文帳に追加

本発明のあるの側面は、表面が修飾され、Fe、Pt及びCuを含有し、試料を捕捉することを特徴とする試料捕捉合金にある。 - 特許庁

The lead for the external connection is formed of the alloy (42 Alloy) of Fe and Ni and an exterior plating film composed of the alloy of Sn and Cu is formed on the surface.例文帳に追加

外部接続用リードをFeとNiの合金（42Alloy）で形成し、その表面に、SnとCuの合金からなる外装めっき膜を形成する。 - 特許庁

Thus, a minute SiO2 thin film 16 protecting Cu wiring 14 can selectively be formed on the surface of Cu wiring 14.例文帳に追加

その結果、Ｃｕ配線１４を保護できる緻密なＳｉＯ_2 薄膜１６をＣｕ配線１４の表面に選択的に形成できる。 - 特許庁

Then, the semiconductor substrate 1 is heat-treated in a vacuum to remove a Cu oxide formed on the surface of the Cu interconnection 7a.例文帳に追加

次に、半導体基板１を真空中で熱処理を行い、Ｃｕ配線７ａの表面に形成されたＣｕ酸化物を除去する。 - 特許庁

A composite material is a clad material of Cu/Cu-Mo composite alloy/Cu structure composed of a core material 10 of composite alloy consisting of 30 to 70 mass% Cu and the rest consisting substantially of Mo and Cu plates which clad the upper and lower surface of the core material 10.例文帳に追加

複合材料は、３０〜７０質量％のＣｕと残部が実質的にＭｏとからなる複合合金を芯材１０とし、前記芯材１０の上下主平面に夫々Ｃｕ板をクラッドしてＣｕ／Ｃｕ−Ｍｏ複合合金／Ｃｕの構造を形成したクラッド材である。 - 特許庁

In the power module including an organic insulating layer 2 between a Cu base substrate 1 and a Cu substrate 4, a Cu migration preventing layer is formed on a surface of the Cu base substrate and/or the Cu substrate to which a positive voltage is applied, which is brought into contact with the organic insulating layer.例文帳に追加

Ｃｕベース基板１とＣｕ基板４との間に有機絶縁層２を備えるパワーモジュールであって、正電圧が印加されるＣｕベース基板及び／又はＣｕ基板の有機絶縁層と接する面にＣｕマイグレーション防止層が形成されていることを特徴とするパワーモジュールである。 - 特許庁

To provide a method for planarizing a surface containing Cu or a Cu alloy, by which the number of surface defects can be reduced greatly and the leakage between adjacent lines reduced.例文帳に追加

表面の欠陥数が大幅に減少し、近接したライン間の漏洩が減少するようなＣｕおよびＣｕ合金の平坦化を可能にする方法を提供する。 - 特許庁

The deposition rate of the Cu film 107 on the surface of the metal layer 105 is greater than that of the Cu film 107 on the surface of the metal nitride layer 106.例文帳に追加

金属層１０５の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度は、金属窒化層１０６の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度よりも大きい。 - 特許庁

In the semiconductor device, a Cu electrode 12 is formed in the first principal surface of a glass-epoxy substrate 11.例文帳に追加

ガラエポ基板１１の第１主面にＣｕ電極１２が形成されている。 - 特許庁

The Cu-Al alloy 21 has the surface in which Al concentration is controlled to 0.6 to 5%.例文帳に追加

そして、Ｃｕ−Ａｌ合金２１表面のＡｌ濃度を、０．６〜５％とする。 - 特許庁

A protective insulating film (protective film made of a material having a small Cu diffusion coefficient) for preventing the diffusion of Cu into the inside of a wafer 100 is formed around the peripheral portion of the main surface of the wafer 100 and on its outer peripheral surface and back surface.例文帳に追加

ウェーハ主面の周辺部、外周面及び裏面に内部にＣｕが拡散するのを防ぐ保護絶縁膜（Ｃｕ拡散係数の小さい材料からなる保護膜）を形成する。 - 特許庁

A Ti sputtered layer 11 and a Cu sputtered layer 13 are formed on the whole surface of the surface side of a base board 3.例文帳に追加

ベース基板３の表側の表面全体に、Ｔｉスパッタ層１１及びＣｕスパッタ層１３を形成する。 - 特許庁

The specific surface area of Cu is increased by it that Cu and Mn are present in a state of fine particles, which is achieved by virtue of the low temperature calcination, and the surface area in contact with a gas can be maintained due to it that the Cu particle diameters are hardly caused to change by the low temperature calcination.例文帳に追加

また、低温焼成でＣｕとＭｎとが微粒子状態で存在することでＣｕの比表面積を増大すると共に、Ｃｕ粒子径はほとんど変化しないためガス接触面積を維持することができる。 - 特許庁

Thereby, the Cu-diffused ZAS alloy is obtained, in which Cu diffuses to a distance of 0.5 mm or deeper inside from the surface of the ZAS alloy, and the Cu concentration decreases toward the inside of the ZAS alloy from the surface.例文帳に追加

これにより、ＺＡＳ合金の表面からの深さが０．５ｍｍ以上の内部にまでＣｕが拡散し、かつＣｕの濃度がＺＡＳ合金の表面から内部に指向して減少したＣｕ拡散ＺＡＳ合金が得られる。 - 特許庁

The semiconductor device includes an insulating film 21 provided on a semiconductor substrate 10 and having a trench 22, a Cu seed layer 26 provided along an inside surface of the trench 22, a Cu silicide layer 28 provided along a surface of the Cu seed layer 26, and a Cu wiring layer 30 provided on a surface of the Cu silicide layer 28 so as to be embedded in the trench 22.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１０上に設けられた、溝部２２を有する絶縁膜２１と、溝部２２の内面に沿って設けられたＣｕシード層２６と、Ｃｕシード層２６の表面に沿って設けられたＣｕシリサイド層２８と、溝部２２に埋め込まれるように、Ｃｕシリサイド層２８の表面上に設けられたＣｕ配線層３０と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

To provide a decoratively working apparatus which changes the color of the surface of a Cu-Al alloy.例文帳に追加

Ｃｕ−Ａｌ合金の表面の色を変化させる装飾加工装置を提供する。 - 特許庁

The conductive powder, for example, has a surface of Cu-Ni covered with a glass material.例文帳に追加

導電性粉末は、例えば、Ｃｕ−Ｎｉの表面がガラス材で被覆されている。 - 特許庁

Cu-CONTAINING STEEL FOR WELD STRUCTURE SUPERIOR IN SURFACE PROPERTY, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

表面性状に優れた溶接構造用Ｃｕ含有鋼およびその製造方法 - 特許庁

COPPER CURRENT COLLECTOR FOR SECONDARY BATTERY COMPRISING Cu-NITRILE COMPOUND COMPLEX FORMED ON SURFACE THEREOF例文帳に追加

表面にＣｕ−ニトリル化合物錯体が形成された二次電池用銅集電体 - 特許庁

To provide a method for depositing a Cu film capable of depositing a CVD-Cu film having excellent surface property at a high film deposition rate.例文帳に追加

表面性状が良好なＣＶＤ−Ｃｕ膜を高い成膜速度で成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a film deposition method for Cu film by which the surface properties can be improved when a Cu film is deposited by a CVD process.例文帳に追加

ＣＶＤによりＣｕ膜を成膜するにあたり、表面性状を良好にすることができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

A film deposition material consisting of a Cu complex is supplied to the surface of the Ru film thus cleaned, and a Cu film is formed by the CVD method.例文帳に追加

清浄化されたＲｕ膜表面にＣｕ錯体からなる成膜原料を供給してＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 - 特許庁

The metal which can be diffused in Cu is diffused in at least a surface layer of the foundation electrode layer 15 in the first Cu plating film 16.例文帳に追加

第１のＣｕめっき膜１６の少なくとも下地電極層１５側の表層には、Ｃｕに拡散し得る金属が拡散している。 - 特許庁

To form a Ti-based self diffusion barrier film on a wiring surface, even if a Cu-Ti-based sputter film is heat-treated at a temperature lower than the conventional temperatures.例文帳に追加

Cu-Ti系スパッタ膜を従来よりも低い温度で熱処理しても、配線表面にTi系自己拡散バリア膜を形成できるようにする。 - 特許庁

The coating brings about protection against oxidization, increases the adhesive force between Cu and the dielectric, and makes the boundary surface diffusion of Cu reduced.例文帳に追加

そのコーティングは、酸化に対する防御をもたらし、Ｃｕと誘電体の間の密着力を増し、そしてＣｕの界面拡散を減少させる。 - 特許庁

The W cap film is formed selectively on the surface of the Cu wiring film after a pre-treatment, and an upper-layer Cu wiring is further manufactured.例文帳に追加

前処理後、Ｃｕ系配線膜表面上に選択的にＷキャップ膜を形成し、その後さらに上層Ｃｕ配線を製作する。 - 特許庁

The surface of an n-type Si wafer 10 is made hydrophobic by hydrofluoric acid and immersed in a Cu ion aqueous solution having a work function greater than that of the semiconductor, and a Schottky barrier is formed from an Si-Cu contact of one atom level, thereby manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ｎ型Siウエーハ１０の表面をフッ化水素酸で疎水性とし、該半導体より大きな仕事関数を有するCuイオン水溶液に浸漬し、１原子レベルのSi—Cuコンタクトで形成されるショットキー障壁を形成して半導体素子を製造する。 - 特許庁

Then an opening region 15 is formed in the resin film 14, and a Cu plating layer 16 is formed in the resin film 14, and a Cu plating layer 16 is formed by electrolytic plating on an upper surface of the Cu wiring layer 13 which is exposed from the opening region 15.例文帳に追加

そして、樹脂膜１４に開口領域１５を形成し、開口領域１５から露出するＣｕ配線層１３上面に電解メッキ法によりＣｕメッキ層１６を形成する。 - 特許庁

To planarize a Cu layer which is formed by electroplating and has asperities on its surface by slight over-etching in order to prevent remaining of the Cu layer in the asperities after removing excess Cu layer by a damascene method.例文帳に追加

ダマシン配線を電気めっきで形成すると、めっきで形成されたＣｕ層表面の凹凸が大きくＣＭＰでは平坦化できず、この凹凸部にＣｕ層が残留して短絡要因となる。 - 特許庁

Vias 13 reaching a Cu foil 12 are formed into an insulation base 11 of a first printed board 10, and through-conductors 17 are formed in the vias 13, while an adhesive 30 is applied to specified regions of a Cu foil 22 surface of a second printed board 20, except corresponding portions of the foil surface to the through-conductors 17.例文帳に追加

第１プリント基板１０の絶縁基材１１に銅箔１２に届くバイアホール１３を形成し、そのバイアホール１３内に貫通導体１７を形成する。 - 特許庁

The voltage is applied to the target 14 by the RF application device 4 (the pipe 20 is grounded), and discharge is generated between the target 14 and the pipe 20 to deposit Cu on an inner surface of the pipe 20.例文帳に追加

そしてRF印加装置4によりターゲット14に電圧を印加し（パイプ20はグランド接地）ターゲット14、パイプ20間で放電をおこし、Cuをパイプ20内面に付着する。 - 特許庁

In addition, in the case where a metal low resistance layer 26 consisting primarily of Cu is formed on a surface of the barrier film 25, Cu does not diffuse to the semiconductor layer 30.例文帳に追加

また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 - 特許庁

Then, the TaN film 111, the Cu film 112, and the Cu film 113 deposited on the surface of the FSG film 108 are removed by a CMP method.例文帳に追加

次にＦＳＧ膜１０８の表面に堆積されたＴａＮ膜１１１、Ｃｕ膜１１２およびＣｕ膜１１３をＣＭＰ法により除去する。 - 特許庁

The surface of the Cu layer 18 is planarized to embed the first TaN layer 17 and Cu layer 18 into the grooves.例文帳に追加

Ｃｕ配線層１８の表面に対して平坦化処理を行い、溝内に第１のＴａＮ層１７及びＣｕ配線層１８を埋め込み形成する。 - 特許庁

To establish a discharge surface treatment technique to a component and a die having high thermal conductivity of Cu, Cu alloys or the like, and to improve their durability.例文帳に追加

ＣｕやＣｕ合金等の熱伝導率の高い部品や金型への放電表面処理技術を確立し、それらの耐久性を向上させる - 特許庁

The phosphor bronze rod is composed of 3.5-11.0 mass% Sn, 0.03-0.35 mass% P and the balance Cu with inevitable impurities, and 20-200 MPa compressed residual stress exists on the surface.例文帳に追加

Sn：3.5〜11.0 mass%、P：0.03〜0.35 mass%、残部がCuおよび不可避的不純物よりなり、表面に20〜200 MPaの圧縮残留応力が存在することを特徴とするりん青銅条。 - 特許庁

In this case, the Cu electrode layer 2 is formed so that the upper surface 2a of the Cu electrode layer 2 is located higher at position than for the P-SiN film 55.例文帳に追加

このとき、Ｃｕ電極層２の上面２ａの位置がＰ−ＳｉＮ膜５５の上面よりも高い位置となるように、Ｃｕ電極層２を形成する。 - 特許庁

A barrier metal layer 4 consisting of TaN is formed all over the surface, and then a Cu layer 5 is made by electrolytic plating method, using the seed layer consisting of Cu.例文帳に追加

全面にＴａＮからなるバリアメタル層４を製膜した後、Ｃｕからなるシード層を用いて電解めっき法によりＣｕ層５を形成する。 - 特許庁

The Cu foil 1 is wet etched to be removed over the entire surface or into a prescribed shape to form a Cu wiring 13, thereby obtaining a wiring structure 14.例文帳に追加

次に、銅箔１をウエットエッチング法で全面除去か所定の形状にエッチングして銅配線１３を形成して配線構造１４を得る。 - 特許庁

A Cu layer 3 formed on a surface of a substrate 1 is overlaid with a photo resist pattern 4 that constitutes a mask corresponding to Cu wiring to be formed.例文帳に追加

基板１の表面に形成したＣｕ層３上に、形成すべきＣｕ配線に対応したマスクを構成するフォトレジストパターン４を設ける。 - 特許庁

A terminal 3 on a wiring substrate 1 is brought into a four-layer structure comprising an bottom electrode layer 4 made of Cu, etc., an Ni layer 5 formed on the surface of the bottom electrode layer 4, a Cu layer 6 formed on the surface of the Ni layer 5, and an Sn layer 7 formed on the surface of the Cu layer 6.例文帳に追加

配線基板１上の端子部３が、Ｃｕ等の下地電極層４と、該下地電極層の表面に形成されたＮｉ層５と、該Ｎｉ層５の表面に形成されたＣｕ層６と、該Ｃｕ層６の表面に形成されたＳｎ層７とからなる４層構造とされている。 - 特許庁

Subsequently, a Ta film 111 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the film 110, a Cu film 112 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the Ta film 111, and then a Cu film 113 is deposited by electroplating on a surface of the Cu film 112.例文帳に追加

次にＴｉＮ膜１１０表面に物理的気層成長法によりＴａ膜１１１を堆積し、次にＴａ膜１１１表面に物理的気層成長法によりＣｕ膜１１２を堆積した後に、電解メッキ法によりＣｕ膜１１２の表面にＣｕ１１３膜を堆積する。 - 特許庁