「current source type」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a circuit for interrupting a large DC current of a resistance welding machine of a thyrister type inverter using a battery as a power source, at a time of welding completion.例文帳に追加

蓄電池を電源としたサイリスタ型のインバータの抵抗溶接機では直流を電源としていることから、溶接完了時には、その直流大電流を遮断する回路を提供する。 - 特許庁

The lateral diffusion region 14B of the p-type diffusion region 14 reaches to a point just under the gate electrode 6, so that a surface leakage current occurring between the n^+-source region 7 and the n^+-drain region 8 can be reduced.例文帳に追加

また、横方向拡散１４Ｂがゲート電極６の直下まで到達することでＮ＋ソース領域７とＮ＋ドレイン領域８との間の表面リーク電流を低減する。 - 特許庁

A means which detects currents flowing between a high voltage power source and a panel and estimates the life of the panel based on the detected current values or the change of the currents is provided in the self-light emission type display.例文帳に追加

自己発光型平面ディスプレイにおいて、高圧電源とパネルの間に流れる電流を検知し、該電流値またはその変化に基づいて、寿命を推測する手段を設ける。 - 特許庁

To reduce the power consumption of a power source unit for driving a matrix type liquid crystal display device driven in alternating current mode accompanying display driving and to stably perform display operation.例文帳に追加

交流化駆動されるマトリクス型液晶表示装置駆動用電源装置において、その表示駆動に伴う消費電力を低減するとともに、表示動作を安定して行うこと。 - 特許庁

To provide a switching power source capable of, even though it is of a switching type, output control without making a feedback of output voltage and output current to the primary side of an output transformer.例文帳に追加

スイッチング型でありながら、出力電圧及び出力電流を出力トランスの一次側へフィードバックしないで出力制御可能なスイッチング電源装置を提供する。 - 特許庁

A current change is detected by the power source of the PWM type when a PWM issue is not carried out, thereby detecting the degree of the sneak path of a discharge bias and a change in transfer voltage.例文帳に追加

ＰＷＭ型電源でＰＷＭ発行無しの時の電流変動を検知し、除電バイアスの回込みがどの程度で、どの程度転写電圧が変動したかを検出する。 - 特許庁

To provide a field emission type electron source and its manufacturing method whereby it is possible to establish a large emission current, a high electron emitting efficiency, and a less spread of the energy distribution of emitted electrons.例文帳に追加

エミッション電流が大きくて電子放出効率が高く、放出電子のエネルギ分布の広がりが小さな電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a field emission type display device having a matrix for specifying electron emission positions, while preventing the flow of a current in a fine wire with the emission of electrons from the electron source.例文帳に追加

電子源からの電子放出にともなう電流を微細配線に流さないように電子放出箇所を特定するマトリクスを構成した電界放出型表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide an on-chip type monitor circuit that is only made up of digital signal processing circuits, which individually measures a current between a source and drain of an NMOS and PMOS in a semiconductor device.例文帳に追加

デジタル信号処理回路だけで構成でき、半導体装置内のＮＭＯＳおよびＰＭＯＳのソースドレイン間電流を個別に測定できるオンチップ型のモニタ回路を提供する。 - 特許庁

The compensation circuit 30 is composed of e.g., a current output type differential amplifier circuit and causes a compensation current Ic corresponding to a voltage between both terminals of the resistance element 22 to flow to the inter-power-source path 40 so as to compensate for a variation in the potential-divided voltage Vr1.例文帳に追加

補償回路３０は、例えば電流出力型の差動増幅回路で構成され、分圧電圧Ｖr1の変化が補償されるように抵抗素子２２の両端間電圧に応じた補償電流Ｉcを電源間経路４０に流す。 - 特許庁

To provide a reflection-type semiconductor optical amplifier which is applicable as a light source for amplifying, modulating, and transmitting a signal through a WDM-PON (Wavelength Division Multiplexing Passive Optical Network), and shows a high gain even under the condition of a low operating current by a low threshold current to reduce power consumption.例文帳に追加

ＷＤＭ-ＰＯＮで信号を増幅及び変調して伝送する光源として好適な、低い動作電流の条件でも利得が高く、低い閾値電流により電力消費が少ない反射型半導体光増幅器を提供する。 - 特許庁

The voltage generation circuit has a resistor R1 connected to the ground level and an n-type MOS transistor T1 in which a reference voltage V1 generated by applying a constant current to the resistor R1 from a constant current source Io is input to the gate.例文帳に追加

その電圧発生回路は、接地電位に接続された抵抗Ｒ１と、定電流源Ｉｏから抵抗Ｒ１に定電流を流すことにより発生する基準電圧Ｖ１がゲートに入力されるｎ型ＭＯＳトランジスタＴ１とを有している。 - 特許庁

When potential of the collection electrode 19 is increased, the p-MOS type FET 181 is turned into a ON condition, while source potential is increased to the impressed direct current voltage when the direct current voltage is impressed between a circuit GND and the drain terminal.例文帳に追加

捕集電極１９の電位が上昇した場合、ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１がオン状態になると共に、回路ＧＮＤ−ドレイン端子間に直流電圧を印可しておくでソース電位が印可している直流電圧まで上昇する。 - 特許庁

The display device has an interrupting circuit Tr3 which is provided between a current driven type optical element OLED (organic light emitting diode) 1 and a power source Vdd and a potential changing circuit C2 for pulling down the potential of one end nearer to the power source of the optical element OLED 1.例文帳に追加

表示装置は、電流駆動型の光学素子ＯＬＥＤ１と電源Ｖｄｄとの間に設けられた遮断回路Ｔｒ３と、光学素子ＯＬＥＤ１の電源に近い方の一端の電位を引下げる電位変動回路Ｃ２とを有する。 - 特許庁

A constant current circuit can be operated when a power supply voltage VDD is higher than the addition voltage of the voltage Vds 10 between a drain and a source of a depletion type NMOS transistor 10 and voltage Vgs 15 between a gate and a source of an NMOS transistor 15.例文帳に追加

電源電圧ＶＤＤがディプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ１０のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓ１０とＮＭＯＳトランジスタ１５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ１５との加算電圧よりも高ければ、定電流回路は動作できる。 - 特許庁

The current source includes a resistor R having one end connected to a first power source node VSS, and a depression type transistor TR in which the other end of the resistor R is connected to a source and the first power source node VSS is connected to a gate, wherein the threshold voltage of the transistor TR has negative temperature characteristics and the resistance value of the resistor R has positive temperature characteristics.例文帳に追加

電流源は、一端が第１の電源ノードＶＳＳに接続される抵抗Ｒと、ソースに抵抗Ｒの他端が接続され、ゲートに第１の電源ノードＶＳＳが接続されるデプレッション型のトランジスターＴＲとを含み、トランジスターＴＲのしきい値電圧は負の温度特性を有し、抵抗Ｒの抵抗値は正の温度特性を有する。 - 特許庁

When the measurement of element admittance is performed by detecting a change in the current flowing through the admittance measuring resistor Ra provided to the sensor current detection circuit 6 is detected, a voltage higher than the voltage of a command voltage source 61 is applied to the gate terminals of two MOS type FETs to set two MOS type FETs to a continuity state.例文帳に追加

センサ電流検出回路６に設けたアドミタンス測定用抵抗Ｒａに流れる電流変化を検出して、素子アドミタンスの測定を行う際には、指令電圧源６１の電圧よりも高い電圧を、２つのＭＯＳ型ＦＥＴのゲート端子に印加して、２つのＭＯＳ型ＦＥＴを導通させる。 - 特許庁

The CPU 4041 controls the amount of current to be supplied to the light source unit by selecting the limit resistance having the correspondence to such the optical unit that is instructed to be switched to the turn-on state among the light source units, in the device-type information about the identified device type of the illuminating device 9.例文帳に追加

ＣＰＵ４０４１は、識別した照明装置９の機種についての当該機種情報において、これらの光源ユニットのうち点灯状態へと切替える指示がされているものに対応付けられている制限抵抗を選択することにより、光源ユニットへ供給する電流量を制御する。 - 特許庁

According to this, an N channel type MOSFET 17 in a sense amplifier circuit 12 becomes an off state from an on state, and a P channel type MOSFET 18 becomes the on state from the off state, and even when FETs 15, 16 become a floating state, a penetration current from a positive source VDD to a negative source VSS doesn't flow.例文帳に追加

これに伴いセンスアンプ回路１２内のＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１７はオン状態からオフ状態へ、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１８はオフ状態からオン状態となり、ＦＥＴ１５，１６がフローティング状態になっても正電源ＶＤＤから負電源ＶＳＳへの貫通電流は流れない。 - 特許庁

By such a structure, the gate electrode 12 is made to have a gate voltage potential and a channel region is made to be on, which enables a current to flow easily between an n^+-type drain region 10 and an n^+-type source region 9.例文帳に追加

このような構造により、サージが印加されたときに、ゲート電極１２にゲート電位を持たせることができ、チャネル領域をオンさせられるため、ｎ^+型ドレイン領域１０とｎ^+型ソース領域９との間で電流が流れ易くなるようにできる。 - 特許庁

The semiconductor laser equipment has: a current drive type semiconductor laser 2 utilizing emission light generated by current injection to an active layer 23 for laser oscillation as a pumping light source; and an optically pumped semiconductor laser 3 utilizing emission light generated by application of laser beams radiated from the current drive type semiconductor laser 2 to the active layer 34 for laser oscillation, as an optically pumped laser.例文帳に追加

励起光源として、活性層２３への電流注入によって生じる発光光を利用してレーザ発振する電流駆動型半導体レーザ２を備え、光励起レーザとして、電流駆動型半導体レーザ２から射出されたレーザ光の活性層３４への照射によって生じる発光光を利用してレーザ発振する光励起型半導体レーザ３を備える。 - 特許庁

To realize the sufficient supply of load current necessary at stationary operation time, by using a rush current suppressing device for preventing the generation of rush current certainly from flowing into the load at the time of turn-on of a power source supply in such a case as a load of a capacitor input type and the like.例文帳に追加

コンデンサインプット型の負荷などのように、電源投入時に突入電流が発生する負荷へ電源供給を行うにあたって用いられる突入電流防止装置において、突入電流の発生を確実に防止しつつ、定常動作時には必要な負荷電流を充分に供給できるようにする。 - 特許庁

The high hall voltage V_H is generated by disposing the hall element H in the area in which the high magnetic flux density B is generated even if the source current I of the power N type MOSFET is several amperes.例文帳に追加

この高い磁束密度Ｂの発生領域にホール素子Ｈを配置することにより、パワーＮ型ＭＯＳＦＥＴのソース電流Ｉが数Ａ程度でも大きなホール電圧Ｖ_Ｈを発生する。 - 特許庁

To provide an inverting type charge pump circuit and a power supply unit capable of outputting a certain negative voltage regardless of a voltage value of a voltage source, the value of a load current, and fluctuations of the values.例文帳に追加

電圧源の電圧値及び負荷電流の値、それらの値の変動に関わらず一定の負電圧を出力することができる反転型チャージポンプ回路及び電源装置を提供すること。 - 特許庁

An FET 1 of which the gate an input signal is applied to, a depletion-type FET 2 of which the gate a prescribed gate bias voltage is applied to, a current source FET 5, and a load are connected in series.例文帳に追加

ゲートに入力信号が印加されるＦＥＴ１と、ゲートに所定のゲートバイアス電圧が印加されるデプリーション型のＦＥＴ２と、電流源ＦＥＴ５と、負荷とを直列に接続した。 - 特許庁

The power source circuit comprises a first NMOS type current mirror circuit comparing a first potential with a second potential, a second NMOS type current mirror circuit comparing the first potential with a third potential, and a potential setting circuit setting the first potential based on an output of the first and the second NMOS type current mirror circuit, control is performed so that the first potential is set between the second potential and the third potential.例文帳に追加

本発明による電源回路は、第１の電位を第２の電位と比較する第１のＮＭＯＳ型のカレントミラー回路と、第１の電位を第３の電位と比較する第２のＮＭＯＳ型のカレントミラー回路と、第1及び第２のＮＭＯＳ型のカレントミラー回路の出力に基づいて第１の電位を設定する電位設定回路を含み、第２の電位と第３の電位の間に第１の電位が設定されるように制御する。 - 特許庁

The voltage controlled oscillation circuit 1 includes a voltage/current conversion circuit 3 having a first depression type MOS transistor 13, wherein controlling force voltage is input to a gate, and a second depression type MOS transistor 15 for compensating an offset when a voltage between the gate and the source of the first depression type MOS transistor 13 is 0V to generate bias current corresponding to a control voltage.例文帳に追加

電圧制御発振回路１は、制御力電圧がゲートに入力される第１のデプレッション型ＭＯＳトランジスタ１３と、その第１のデプレッション型ＭＯＳトランジスタ１３のゲート・ソース間電圧が０Ｖのときのオフセットを補償する第２のデプレッション型ＭＯＳトランジスタ１５を有し、制御電圧に応じたバイアス電流を発生する電圧電流変換回路３を備える。 - 特許庁

To provide an electron source which is a thin film type electron source having a lower electrode and an upper electrode and an electron acceleration layer comprising an insulator or a semiconductor between them starting a diode current at lower threshold voltage than in the prior art and capable of securing a diode current required for electron emission even at low voltage, and to realize an image display device having a long service life and low power.例文帳に追加

下部電極と上部電極、その間に絶縁体や半導体からなる電子加速層を有する薄膜型電子源で従来よりダイオード電流が低い閾値電圧で立ち上がり、低電圧でも電子放出に必要なダイオード電流が確保できる電子源を提供し、長寿命、低消費電力の画像表示装置を実現すること。 - 特許庁

In the charge/discharge control circuit, a constant current circuit serving as an intermediate terminal disconnection detection circuit is provided to a terminal to which secondary batteries are connected, and includes a depletion type metal oxide semiconductor (MOS) transistor and a resistor connected between a gate terminal and a source terminal of the depletion type MOS transistor.例文帳に追加

充放電制御回路の２次電池が接続される端子に設けられた中間端子はずれ検出回路の定電流回路を、デプレッション型ＭＯＳトランジスタと、デプレッション型ＭＯＳトランジスタのゲート端子とソース端子間に接続した抵抗とで構成する。 - 特許庁

To provide a highly reliable and high-speed semiconductor device by preventing the reduction of the source/drain current of a p-channel type transistor even in the case of forming a silicon nitride film for self-aligned contact by using the single wafer type heat CVD system of a cold wall type so as to cope with the micronization of a transistor.例文帳に追加

トランジスタの微細化に対応するためにコールドウォール型の枚葉式熱ＣＶＤ装置を用いてセルフ・アラインコンタクト用のシリコン窒化膜を成膜した場合においても、ｐチャネル型トランジスタのソース・ドレイン電流の減少を防ぎ、信頼性が高く、かつ高速な半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

In an arrangement of driving an N-ch depression type FET 1 by a single positive power source 3, a first (NPN) transistor Q1 for controlling a source voltage is connected between a source of the FET 1 and a ground, and a second (PNP) transistor Q2 for supplying to a base an adjusting current according to a drain current of the FET 1 is connected to the base of the first transistor Q1.例文帳に追加

Ｎ−ｃｈディプレッション型ＦＥＴ１を単一の正電源３で駆動する構成において、ＦＥＴ１のソースと接地との間に、ソース電圧を制御するための第１（ＮＰＮ）トランジスタＱ1 が接続され、この第１トランジスタＱ1 のベースには、このベースにＦＥＴ１のドレイン電流の大きさに応じた調整用電流を供給するための第２（ＰＮＰ）トランジスタＱ2 が接続される。 - 特許庁

The lighting drive power sources I1 to In comprise a constant current source of an attraction type to attract the lighting drive current of the light emitting elements from a cathode terminal side of the light emitting elements in a scanning state toward a reference potential point.例文帳に追加

点灯駆動電源Ｉ１〜Ｉｎは、データドライバ側の切り換え手段Ｓｋ１〜Ｓｋｎを介して、走査状態の発光素子におけるカソード端子側より発光素子の点灯駆動電流を基準電位点に向かって吸い込む吸い込み型の定電流源により構成される。 - 特許庁

The motor drive unit, comprising a voltage chopper circuit 10 that provides a current source and a single-phase bridge current type inverter 20 with a clamp circuit comprised of a capacitor absorbing an induced voltage and a switch, includes a drive circuit 40 of each phase of a motor connected in parallel to the capacitor and the switch of the clamp circuit.例文帳に追加

電流源を実現する電圧チョッパ回路１０と、誘起電圧を吸収するコンデンサとスイッチとからなるクランプ回路を備えた単相ブリッジ電流型インバータ２０とを備え、前記クランプ回路のコンデンサとスイッチに並列に、モータの各相の駆動回路４０を接続する。 - 特許庁

To apply effective cathodic corrosion prevention by a constant potential control type external power source cathodic corrosion prevention system to an object for corrosion prevention in a local region where electric resistance to DC stray current is lower than that of the circumference thereof, and also the value of DC stray current is made high under prescribed conditions.例文帳に追加

直流迷走電流に対する電気抵抗が周囲に比べて低く且つ所定の条件下で直流迷走電流の値が大きくなる局所的な領域の防食対象に対して、定電位制御型外部電源カソード防食システムによる効果的なカソード防食を行う。 - 特許庁

When the circuit device is operated, a predetermined constant current i is supplied to the resistive element group 13 from a constant current source 19, voltage is generated between both ends of the restive element group 13, the voltage is read by a voltage detecting analog-to-digital converter 21, and the vehicle type is discriminated.例文帳に追加

回路装置を動作させると、定電流源１９から所定の一定電流ｉが抵抗素子群１３に供給され、抵抗素子群１３の両端に電圧が発生し、電圧を検出するアナログディジタル変換器２１でその電圧を読取り車種を判別する。 - 特許庁

A socket 1 comprises: a housing 5 which has a pin insertion port 522 into which a terminal pin 22 is inserted; a fluorescent lamp contact piece 4a which conductively contacts with the terminal pin 22 of a straight tube type fluorescent lamp 2; and a direct-current contact piece 4b which conductively contacts with a terminal pin of a direct-current light source device.例文帳に追加

ソケット１は、端子ピン２２が挿入されるピン挿入口５２２を有するハウジング５と、直管型の蛍光灯２の端子ピン２２に接触導通する蛍光灯用接触子４ａと、直流光源装置の端子ピンに接触導通する直流用接触子４ｂとを有する。 - 特許庁

1st, 2nd amplifier sections are constituted by respectively setting 1st, 2nd capacity means and 1st, 2nd conductivity-type 1st, 2nd current source MOSFET, to a first common source of 1st, 2nd conductivity type 1st, 2nd differential MOSFET couple, in which respective gates are connected to a pair of a 1st input terminal.例文帳に追加

一対の第１入力端子にそれぞれゲートが接続された第１及び第２導電型の第１及び第２差動ＭＯＳＦＥＴ対の第１共通ソースにそれぞれ第１及び第２容量手段及び第１及び第２導電型の第１及び第２電流源ＭＯＳＦＥＴを設けて第１及び第２増幅部を構成する。 - 特許庁

A bias power supply 5 as a gate bias generating means is connected between the source Sp and the gate Gp of a P channel MOS transistor 1 of a CMOS type circuit through a bias resistor Rb, and the bias power supply 5 at this time is a direct current voltage source of (VTP+αp(≥βp))≤power supply voltage VDD.例文帳に追加

ＣＭＯＳ型回路のＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１のソースＳｐ・ゲートＧｐ間にゲートバイアス発生手段としてのバイアス電源５をバイアス抵抗Ｒｂを介して接続し、このときのバイアス電源５を、（ＶＴＰ＋αｐ（≧βｐ））≦電源電圧ＶＤＤの直流電圧源とした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a leakage current between source and drain electrodes is suppressed low under the gate-off condition while obtaining the characteristics of a normally-off type semiconductor device and the concentration of a two-dimensional carrier gas and its mobility can be enhanced.例文帳に追加

ゲートオフ時におけるソース・ドレイン電極間のリーク電流を低く抑制しつつノーマリーオフ型の特性を得ると共に、２次元キャリアガスの濃度とその移動度を高めることのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To suppress increase of dispersion of a TFT characteristic in forming a top contact type TFT using dry etching for processing of a source-drain electrode, degradation of a yield, and reduction in a TFT on-current.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極の加工にドライエッチングを用いてトップコンタクト型ＴＦＴを形成する際のＴＦＴ特性バラツキの増大、歩留まりの低下、さらにはＴＦＴオン電流の低減を抑制することにある。 - 特許庁

To prevent a large current from flowing to a ribbon when a cable connector connected to a phantom power source is inserted and drawn so as to protect the ribbon from being damaged or loosened, and also to prevent occurrence of noise, in a ribbon type microphone.例文帳に追加

リボン型マイクロホンにおいて、ファントム電源につながるケーブルコネクタの挿抜時にリボンに大きな電流が流れることを防止して、リボンが破損しあるいは弛緩することを防止し、異音が発生することを防止する。 - 特許庁

A display device has a plurality of pixel circuits each of which includes a current-driven type optical element OLED (organic light emitting device) 1, a power source Vdd for supplying electric power to each optical element OLED 1, and a potential control part 20.例文帳に追加

表示装置１０は、それぞれ電流駆動型の光学素子ＯＬＥＤ１を含む複数の画素回路と、各光学素子ＯＬＥＤ１に電力を供給する電源Ｖｄｄと、電位制御部２０を有する。 - 特許庁

To provide an image reader, having a simple configuration, without the need for providing current adjustment means by modes of a light-emitting element for each original lighting, in the case of reading a black-and-white original with a color image sensor of a light source changeover type.例文帳に追加

光源切り替え型のカラーイメージセンサで白黒原稿を読み取る場合に、各原稿照明用の発光素子のモード別の電流調整手段を設けることなく、簡単な構成で装置の高寿命化を図る。 - 特許庁

In the voltage current converter circuit 1, a constant voltage power source 9 is connected to the input on a positive side of a differential amplifier 6, while the gate electrode of an n-type MOS transistor 7 is connected to the output of the differential amplifier 6.例文帳に追加

電圧電流変換回路１では、差動増幅器６のプラス側の入力に定電圧電源９が接続され、差動増幅器６の出力にｎ型ＭＯＳトランジスタ７のゲート電極が接続されている。 - 特許庁

To propose an optical communication system capable of favorably being used without damaging a laser element by utilizing a surface emitting type semiconductor laser element chip in which an operating voltage, an oscillation threshold current or the like can be lowered as a light emitting light source.例文帳に追加

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、レーザ素子が破損しないで良好に使用できる光通信システムを提案することにある。 - 特許庁