「dc-bias」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

It has a cleaning mechanism 30, which is equipped with a conductive brush roller 72 driven to be rotated while it abuts on the surface of the intermediate transfer belt, and a DC power source circuit 78 for applying bias voltage to the brush roller, and which electrically and mechanically removes the toner remaining on the intermediate transfer belt after secondary transfer.例文帳に追加

クリーニング機構３０は、中間転写ベルト表面に当接した状態で回転駆動される導電性のブラシローラ７２と、ブラシローラにバイアス電圧を印加する直流電源回路７８とを備え、二次転写後に中間転写ベルト上に残留するトナーを電気的および機械的に除去するクリーニング機構とを有する。 - 特許庁

Blank pulse obtained by intermittently superposing AC voltage to DC voltage is used as developing bias applied to a developing sleeve 3 so as to obtain the image of the excellent quality when an electrostatic latent image on a photoreceptive drum 4M is developed by the developing unit 9M by using the two-component developer at the image forming time of a normal output image.例文帳に追加

通常の出力画像の画像形成時、感光ドラム４Ｍ上の静電潜像を現像器９Ｍにより２成分現像剤を用いて現像する際、高品位な画像を得るために、現像スリーブ３に印加する現像バイアスとして、直流電圧に交流電圧を断続的に重畳したブランクパルスを使用する。 - 特許庁

In the process, an electronic negative gas is introduced to a chamber, and in addition, a positive bias voltage is impressed from a DC pulse power source upon a sample stage, when a prescribed delay time Td elapses, after the plasma generating high-frequency pulse power impressed upon a coil from a high-frequency pulse power source is turned off.例文帳に追加

チャンバー内に電子負性ガスを導入すると共に、高周波パルス電源からコイルに印加されるプラズマ発生用の高周波パルス電力がオフになってから所定の遅延時間Ｔｄが経過した後に、ＤＣパルス電源から試料台に正のバイアス電圧が所定のパルス幅で印加する。 - 特許庁

A high-voltage separation transformer 100 uses a plurality of balun cores 107, 108 for transmitting an AC signal from the first circuit 109 to the output circuit 114 and a high-voltage generator 101, such as a Cockcroft-Walton multiplication circuit, supplying a DC bias to an AC signal while attaining high-level voltage separation between the first circuit 109 and the output circuit 114.例文帳に追加

高電圧分離変圧器１００は、第一回路１０９から出力回路１１４に交流電流信号を転送するための複数のバランコア１０７及び１０８と、第一回路１０９と出力回路１１４との間の高レベルな電圧分離を実現しつつ、交流電流信号に直流電流バイアスを供給する、コッククロフト−ワルトン乗算回路のような高電圧生成器１０１とを利用する。 - 特許庁

(1) In the developing device having a plurality of developer carriers using magnetic one-component developer, the bias of AC and DC components is applied to the respective developer carriers at the time of forming an image, and the developer carrier is rotated in an opposite direction to that at the time of forming the image after finishing a developing stage in an image area.例文帳に追加

１ 磁性一成分現像剤を用いた複数の現像剤担持体を有する現像装置において、画像形成時に各現像剤担持体に交流および直流成分のバイアスを印加することを特徴とし、画像領域の現像工程終了後、画像形成時と反対方向に回転させることを特徴とする現像装置。 - 特許庁

In the image forming apparatus of the cleaner-less process, the expression of (Vb<Va<Vc) is satisfied when potential after the area of an image carrier 1 where image information is written passes a transfer device 5 is defined as Va and the fluctuation range of electrification bias (DC voltage obtained by applying AC) applied to an electrifying member 2A is defined as Vb to Vc.例文帳に追加

クリーナーレスプロセスの画像形において、画像情報が書き込まれた像担持体１の領域が転写装置５を通過した後の電位をＶａ、帯電部材２Ａに印加する帯電バイアス（交流を印加した直流電圧）の変動範囲がＶｂからＶｃであるとき、「Ｖｂ＜Ｖａ＜Ｖｃ」を満たすことを特徴とする画像形成装置。 - 特許庁

In the developing device of a non-contact, one-component development system, when determining the voltage value of a development bias voltage applied between a toner carrier and an electrostatic latent image carrier, the voltage value Vpp of a leak detection voltage overlapped by a DC voltage is increased at a specific rate whenever each of a series of detection steps is carried out.例文帳に追加

非接触の１成分現像方式による現像装置において、トナー担持体と静電潜像担持体との間に印加する現像バイアス電圧の電圧値を決める際、直流電圧を重畳したリーク検知電圧の電圧値Ｖｐｐを複数の連続する検知ステップを実行するごとに所定の割合で高めていく。 - 特許庁

When the first switch circuit SW1 is in an opened state and the second switch circuit SW2 reduces base bias voltage, the bypass route is opened in both DC and AC, an increase in a collector current corresponding to an increase in an input signal can be suppressed and current consumption can be reduced, so that the consumption of a battery can be suppressed.例文帳に追加

一方、第１のスイッチ回路ＳＷ１が開放状態で第２のスイッチ回路ＳＷ２がベースバイアス電圧を低くする場合には、上記バイパス経路は直流的にも交流的にも開放となり、入力信号が増大した際のコレクタ電流の増加を抑制でき、消費電流を少なくすることができるので、バッテリーの消耗を抑えることが可能になる。 - 特許庁

The transition regulating apparatus of the UVLO includes a capacitor 1E for holding a DC voltage, a resistor circuit 2 for dividing a voltage of the capacitor 1E, an IC 3 for stopping an operation when the divided voltage from the resistor circuit 2, applied to an ENABLE terminal 3C becomes a predetermined value, and a supply circuit 4 for supplying bias current to the ENABLE terminal 3 of the IC 3.例文帳に追加

直流電圧を保持するコンデンサ１Ｅと、コンデンサ１Ｅの電圧を分割する抵抗回路２と、抵抗回路２からの分割電圧がＥＮＡＢＬＥ端子３Ｃに加えられ、この分割電圧が所定値以下になると動作を停止するＩＣ３と、ＩＣ３のＥＮＡＢＬＥ端子３Ｃにバイアス電流を流す供給回路４とを備える。 - 特許庁

In amplifier stages except a final stage, a high frequency power amplifier is provided with a bias circuit for a DC power supply where a microwave transmission line 13 with an electric length of λ/4 made of a strip line is arranged in a direction of intensifying the magnetic field on the same surface in a dielectric board 1 having two or more signal line layers 8, 9.例文帳に追加

最終段を除く増幅段において、２層以上の信号線路層８、９を有する誘電体基板１内部に、同一投影面上に磁界を強め合う方向にストリップ線路からなるλ／４電気長のマイクロ波伝送線路１３を配置したＤＣ電源供給用バイアス回路を設けた。 - 特許庁

A substrate is placed direct below a magnetron type discharge electrode where a high frequency electric field applied from the outside intersects a stationary magnetic field at a right angle, a metallic catalyst supported on a support is fixed on the substrate, magnetron plasma is produced under the coexistence of a hydrocarbon gas while heating the substrate by a heater and the single-wall carbon nanotube is formed on the metallic catalyst under the DC bias control of the substrate.例文帳に追加

外部印加の高周波電場と定常磁場とが直交するマグネトロン型放電電極の直下に基板を設置すると共に、該基板上に担体に担持された金属触媒を固定し、該基板をヒーターで加熱しながら炭化水素ガスの共存下にマグネトロンプラズマを発生し、該基板の直流バイアス制御のもとに前記金属触媒上に単層カーボンナノチューブを生成する。 - 特許庁

The cleaning apparatus includes a conductive cleaning brush 31 which is rotationally driven in contact with the surface of an intermediate transfer belt 100 which is rotationally driven in a direction shown by an arrow A, and a DC power source 36 for applying a bias current on the brush 31, and for scavenging the residue on the belt 10 by the brush 31 which is charged with polarity opposite to that of the toner.例文帳に追加

矢印Ａ方向に回転駆動される中間転写ベルト１０の表面に接触した状態で回転駆動される導電性を有するクリーニングブラシ３１と、該ブラシ３１にバイアス電流を印加する直流電源３６を備え、ベルト１０上の残留物をトナーとは逆極性の電荷を注入されたブラシ３１により捕集するクリーニング装置。 - 特許庁

To solve the problem that, in an inverter amplifier constituted of field effect transistors, since an amplification factor is made worse by gate voltage variation in a field effect transistor that is a constant current source and voltage variation is mixed via a DC bias electric wire in multi-stage connection, adverse influences are exerted each other and desired performance can not be obtained.例文帳に追加

電界効果型トランジスタで構成されるインバータアンプは、定電流源である電界効果型トランジスタのゲート電圧変動により増幅率が悪化し、多段接続時には直流バイアス電線を介して電圧変動が混合するため互いに悪影響を及ぼし合い、所定の性能が得られない。 - 特許庁

The image forming device has a conductive or semiconductive removing means 10 which is in contact with a photoreceptor 1 and is provided with a cleaning device 6 which applies a bias voltage formed by superposing an AC voltage on a prescribed DC voltage having the polarity opposite to the charge polarity of the toner remaining on the photoreceptor 1, to the photoreceptor 1 at image formation by performing development of the latent image of the photoreceptor 1.例文帳に追加

感光体１に接触している導電性もしくは半導電性からなる除去手段１０を有し、感光体１の潜像の現像を行う画像形成時に感光体１に対して感光体１上に残留するトナーの帯電極性と反対の極性を有した所定の直流電圧に交流電圧の重畳させたバイアス電圧を印加させるクリーニング装置６を備える画像形成装置である。 - 特許庁

A high pass cut-off differential NRZI signal pair is impressed respectively to two branching paths of a push-pull type intensity modulator 12, the amplitude level of the differential NRZI signal pair and the DC bias level of the light intensity modulator 12 are appropriately set, and thus inverted RZ optical signals for which a phase is inverted for each adjacent mark are generated.例文帳に追加

プッシュプル型光強度変調器１２の２つの分岐路にそれぞれ高域遮断した差動ＮＲＺＩ信号対を印加し、差動ＮＲＺＩ信号対の振幅レベルおよび光強度変調器１２のＤＣバイアスレベルを適切に設定することで、隣接マークごとに位相の反転する反転ＲＺ光信号を生成する。 - 特許庁

The laminated ceramic capacitor having the high electrostatic capacity and also having the excellent DC bias characteristic is obtained by not varying a c/a value of barium titanate in raw ceramic powder as much as possible and keeping a c/a value of the powder after calcining and a variation width of the c/a value of the dielectric layer in the laminated ceramic capacitor within a prescribed value.例文帳に追加

セラミック原料粉末中のチタン酸バリウムのｃ／ａ値をなるべく変化させず、仮焼後の粉末におけるｃ／ａ値、ならびに積層セラミックコンデンサ中の誘電体層のｃ／ａ値の変化幅を所定の値以内とすることにより、静電容量が高くかつＤＣバイアス特性に優れた積層セラミックコンデンサが得られる。 - 特許庁

Mixed gas G0 containing raw material gas is supplied between a holding electrode 1 and an electrode body 10 having an application electrode 2 which are arranged opposite to each other, and the AC voltage is applied to the application electrode 2 while generating the DC bias voltage between the electrode body 10 and the holding electrode 1 as necessary under the atmospheric state.例文帳に追加

対向配置された保持電極１と印加電極２を有する電極体１０との間に原料ガスを含む混合ガスＧ_0を供給し、大気圧雰囲気下において、必要に応じて電極体１０と保持電極１との間に直流バイアス電圧を発生させながら、印加電極２に交流電圧を印加する。 - 特許庁

The pair of electrodes 42, 43 generate a voltage corresponding to a magnetization direction of the nanowire 41 when flowing a DC bias current I_b overlapped with a detected current I_S of a frequency corresponding to a magnetic resonance frequency of the nanowire 41, within a range not reaching critical current density of magnetization reversal, between the electrodes 42, 43.例文帳に追加

１対の電極４２，４３は、該電極４２，４３間に、磁化反転の臨界電流密度に達しない範囲で、直流バイアス電流Ｉ_ｂと、ナノワイヤ４１の磁気共鳴周波数に一致する周波数の検出電流Ｉ_Ｓを重畳させて流した時、ナノワイヤ４１の磁化方向に応じた電圧を示す。 - 特許庁

The terahertz wave generation device comprises: a photoconductive antenna 10 obtained by forming a pair of electrodes (a dipole antenna 102) on a GaAs substrate 101 with a gap G therebetween; a bias power supply 20 for applying a DC voltage to the dipole antenna 102; and light irradiation means for irradiating the gap G of the dipole antenna 102 with optical pulses having a wavelength of 1490-1640 nm.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１上に１対の電極（ダイポールアンテナ１０２）がギャップＧを設けて形成されてなる光伝導アンテナ１０と、ダイポールアンテナ１０２に直流電圧を印加するバイアス電源２０と、ダイポールアンテナ１０２のギャップＧに波長１４９０〜１６４０ｎｍの光パルスを照射する光照射手段と、を備える。 - 特許庁

The values of the resistances R11-R14, R17 and the values of the capacitances C1-C4 are set such that a transmission line for inputting a clock signal to a clock input terminal CK can be impedance-matched and a DC bias voltage required at an input terminal of the next stage circuit can be given to output terminals OT, OC.例文帳に追加

クロック入力端子ＣＫにクロック信号を入力する伝送線路とインピーダンス整合し、かつ次段の回路の入力端子で必要とされるＤＣバイアス電圧を出力端子ＯＴ，ＯＣに与えることができるように、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４，Ｒ１７の値および容量Ｃ１〜Ｃ４の値が設定される。 - 特許庁

A signal to be amplified is input into the gate of the MOS transistor M1, an output of the single amplification circuit 1 is input into the gate of the MOS transistor M2 forming one of the differential pair of the differential amplification circuit 2 via a DC bias cutting capacitor C1, and no input is applied to the other MOS transistor M3.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１のゲートに増幅対象の信号を入力し、シングル増幅回路１の出力をＤＣバイアスカット用のキャパシタＣ１を介して差動増幅回路２の差動対の一方のＭＯＳトランジスタＭ２のゲートに入力し、他方のＭＯＳトランジスタＭ３は無入力とする。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic composition of which the temperature characteristic of dielectric constant is flat, the insulation resistance and high temperature load reliability are superior, and the absolute value of DC bias change rate is small, while having a high dielectric constant, and a laminated ceramic capacitor constituted by using this dielectric ceramic composition.例文帳に追加

高い比誘電率でありながら、誘電体セラミック層を薄層化しても、比誘電率の温度特性が平坦で、絶縁抵抗と高温負荷信頼性に優れ、またＤＣバイアス変化率の絶対値が小さい、誘電体セラミック組成物、及びこの誘電体セラミック組成物を用いて構成される積層セラミックコンデンサを提供する。 - 特許庁

To provide a multibit phase shifter and its manufacturing method in which a micro-electromechanical system (MEMS) switch is utilized to reduce manufacture costs and an insertion loss, a DC bias line is applied to reduce a driving voltage, an open stub and a short-circuiting stub are parallel connected, and an air gap coupler is applied to obtain uniform phase characteristics.例文帳に追加

ＭＥＭＳスイッチを利用して製造費用及び挿入損失を低減し、直流バイアスラインを適用して駆動電圧を低減し、開放スタブと短絡スタブとを並列に連結し、エアギャップカプラを適用して均一な位相特性を得るようにした多重ビット移相器及びその製造方法を提供しようとする。 - 特許庁

The method comprises providing a piezoelectric ultrasound transducer comprising a piezoelectric element operable in flexural mode, receiving an acoustic signal by the piezoelectric element, applying a DC bias to the piezoelectric element prior to receiving the acoustic signal and/or concurrently with receiving the acoustic signal, and generating an enhanced receive signal from the piezoelectric element as a result of receiving the acoustic signal by the piezoelectric element.例文帳に追加

前記方法は、撓みモードで操作可能な圧電性素子を備えている圧電性超音波変換器を提供する段階と、前記圧電性素子によって音響信号を受信する段階と、前記音響信号を受信する段階に先立って、及び／または前記音響信号を受信する段階と同時に、前記圧電性素子にＤＣバイアスを印加する段階と、及び前記圧電性素子による前記音響信号を受信する段階の結果として、前記圧電性素子から増強された受信信号を生成する段階と、を備えている。 - 特許庁