「diffusion electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

A precious metal tip 16 is welded on a center electrode 3 of the spark plug for an internal combustion engine, and on a surface 21 of the precious metal tip 16 contacting with the center electrode 3, a diffusion preventing layer 19 made of either metal of Ag, Au, Mg, Ti, and Zr (a simple metal or a compound of that metal) is formed.例文帳に追加

内燃機関用スパークプラグの中心電極３上に貴金属チップ１６が溶接されるが、その貴金属チップ１６と中心電極３とが接する貴金属チップ１６の面２１にＡｇ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒの何れか１種類の金属（単体金属又はその金属の化合物）による拡散防止層１９を形成する。 - 特許庁

In a switching element using the photonic crystal resonator, electrode regions are formed in regions opposed to each other through a resonator portion in a photonic crystal substrate and two-photon absorbing carriers generated in the resonator are extracted by applying an electric field to the electrode regions to remove the carriers of the resonator faster than the dispersion of carriers due to diffusion.例文帳に追加

本発明は、フォトニック結晶共振器を用いたスイッチ素子において、フォトニック結晶基板中に、共振器部位を挟んで対向する領域に電極領域を設け、共振器に発生させた二光子吸収キャリアを、電極領域に電界を印加して引き抜くことにより、該共振器のキャリアを、拡散によって散逸するよりも早く除去する。 - 特許庁

Silicide layers 47a and 47b of the MOS transistor of a fuse element 11 are formed on impurity diffusion layers 46a and 46b at a predetermined distance from sidewalls 49a and 49b, respectively, and a silicide layer 47d is formed on the contact area of a gate electrode 44 so as to avoid the area of the gate electrode 44 on the a gate oxide film 43.例文帳に追加

ヒューズ素子１１のＭＯＳトランジスタのシリサイド層４７ａ、４７ｂは、サイドウォール４９ａ、４９ｂからそれぞれ所定の間隔を隔てて不純物拡散層４６ａ、４６ｂ上に形成するとともに、シリサイド層４７ｄは、ゲート酸化膜４３上のゲート電極４４上を避けるようにしてゲート電極４４上のコンタクト領域に形成する。 - 特許庁

To provide a fuel cell which prevents an internal pressure of a fuel electrode from excessively increasing by efficiently discharging generated gas generated in the fuel electrode to the outside of the fuel cell with a short diffusion distance and reduces partial pressure differences of the generated gas in a generated gas discharging passage, which starts from the fuel electrode and leads to the outside of the fuel cell, thereby achieving high output and excellent output stability.例文帳に追加

燃料極で生じた生成ガスを効率的に、かつ短い拡散距離で燃料電池外部へ排出することによって燃料極内圧の過度の上昇を防止することができるとともに、燃料極から燃料電池外に至るまでの生成ガス排出経路内における生成ガスの分圧格差を低減することができ、もって、高出力を示し、出力安定性にも優れる燃料電池を提供する。 - 特許庁

At least one of the pair of diffusion layers is provided with a plate-like member, having a plurality of pores making reaction gas pass and diffuse through the reaction gas to each electrode, and linear members embedded in the plate-like member.例文帳に追加

この燃料電池の一対の拡散層のうち少なくとも一方の拡散層は、反応ガスを通過させて電極のそれぞれに反応ガスを拡散させる複数の気孔を有する板状部材と、板状部材に埋め込まれた線状部材とを備えている。 - 特許庁

To prevent penetration of a coating solution into pores of a gas diffusion layer laminated on the surface of a membrane-electrode assembly when the coating solution is poured into a gas manifold included in a fuel cell stack for coating the inner wall of the gas manifold.例文帳に追加

燃料電池スタックが備えるガスマニホールドの内部にコーティング溶液を注入して、ガスマニホールドの内壁にコーティングを施す際に、膜電極接合体の表面に積層されたガス拡散層が有する細孔へのコーティング溶液の浸入を防止する。 - 特許庁

To provide a lead-acid storage battery capable of remarkably increasing a utilization rate without causing early capacity drop, which is achieved by forming a conductive oxide such as a tin oxide in porous silica gel as to satisfy both of the conductivity and a diffusion path of electrolytic solution in a positive-electrode active material.例文帳に追加

多孔シリカゲルに導電性の酸化スズ系酸化物を形成し、正極活物質中に導電性と電解液拡散パスを両立させることにより、早期容量低下なしに正極利用率を飛躍的に高めた鉛蓄電池を提供する。 - 特許庁

The oxygen-consuming electrode includes a support in the form of a sheet-like structure and a coating including a gas diffusion layer and a catalytically active component, wherein the support is based on a material having a conductivity at 20°C of less than 1,000 S/cm.例文帳に追加

シート様構造物状の支持体、並びにガス拡散層および触媒活性成分を含んでなる被膜を含んでなる酸素消費電極であって、支持体が２０℃で１０００Ｓ／ｃｍ未満の導電率を有する材料に基づく酸素消費電極。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of forming an epitaxial layer 35a as a base layer of the bipolar transistor, in a state in which a gate electrode 31 of the insulated gate field effect transistor having at least a compound film of a high melting point metal is covered with a diffusion preventive film 57 of the high melting point metal.例文帳に追加

高融点金属の化合物膜を少なくとも含む絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極３１を高融点金属の拡散防止膜５７で覆った状態で、バイポーラトランジスタのベース層としてのエピタキシャル層３５ａを形成する。 - 特許庁

For example, a hydrocarbon group polymerized elastomer, or a solution of the same, or a suspension of the same, having a structure like a stylene group thermoplastic elastomer in which, negative ion exchanging group is introduced, hardly soluble in water and methanol, are used as the ion conductivity imparting agent for gas diffusion electrode.例文帳に追加

例えば、スチレン系の熱可塑性エラストマーに陰イオン交換基を導入したような構造を有し、水及びメタノールに難溶な炭化水素系高分子エラストマー、又はその溶液或いは懸濁液をガス拡散電極用イオン伝導性付与剤として使用する。 - 特許庁

A gas diffusion electrode substrate for the solid polymer fuel cell has a carbon short fiber paper sheet including carbon short fibers and a carbon material for bonding the carbon short fibers to each other, where a degree of orientation of the carbon short fibers is 1.6 or more in a tow-dimensional plane.例文帳に追加

炭素短繊維と、炭素短繊維同士を結着させる炭素材とを含む炭素短繊維の抄紙体を有し、二次元平面内における該炭素短繊維の配向度が１．６以上である固体高分子型燃料電池用ガス拡散電極基材。 - 特許庁

To provide a glass for a flat panel display substrate and a flat panel display substrate, where yellowing caused by the diffusion of metallic Ag colloids in the substrate glass is effectively suppressed when an electrode is formed by painting an Ag paste on the substrate glass and then heating.例文帳に追加

基板用ガラス上にＡｇペーストを塗布し、焼成して電極を形成した場合に、金属Ａｇのコロイドが基板用ガラス中に拡散して黄変することを効果的に抑制したフラットパネルディスプレイ基板用ガラス及びフラットパネルディスプレイ基板を提供する。 - 特許庁

A diffusion layer region 131 of a transistor 13, constituting a switch of a memory cell and a storage node 151 constituting one electrode of a capacitor 15 are formed of a thin layer 151a, containing oxygen and a layer 151b in which oxygen is not contained.例文帳に追加

メモリセルのスイッチを構成するトランジスタ１３の拡散層領域１３１と容量１５の一方の電極を構成するストレージノード１５１を酸素を含有する薄い酸素含有層１５１ａと酸素を含有していない酸素非含有層１５１ｂとから形成する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly excellent in joining property on the interface between a catalyst layer and a diffusion layer and high in durability when an electrolyte membrane in which a contraction percentage when dried from a swelling state to a dry state is 5% or more is used.例文帳に追加

膨潤状態から乾燥状態まで乾燥したときの収縮率が５％以上である電解質膜を用いたときに、触媒層と拡散層との界面接合性が良好で、優れた耐久性を有する膜電極接合体を提供する。 - 特許庁

After a transistor composed of a gate electrode 10, a heavily doped diffusion layer 12 and the like is formed on a silicon substrate 1, second wiring 22 electrically connected with the transistor is formed and then a plasma nitride film 23 is formed on the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ゲート電極１０及び高濃度不純物拡散層１２等から構成されるトランジスタを形成した後、該トランジスタと電気的に接続する第２の配線２２を形成し、その後、シリコン基板１の上にプラズマ窒化膜２３を形成する。 - 特許庁

After a ferroelectric substance 11 connected to one diffusion layer of the MOS transistor 4b, the wiring, an electrode 17 and the like are formed, heat treatment is performed about 300-500°C for about 5-60 minutes in nitrogen as second heat treatment.例文帳に追加

そして、ＭＯＳトランジスタ４ｂの一方の拡散層に接続する強誘電体容量１１、配線及び電極１７等を形成した後、第２の熱処理として窒素中で３００乃至５００℃程度の温度で５乃至６０分程度の熱処理をする。 - 特許庁

A membrane electrode assembly 1 of a fuel cell is equipped with an electrolyte membrane 2; catalyst layers 3, 5 formed on each surface of the electrolyte membrane 2; and diffusion layers 6, 7 formed so as to cover each of the catalyst layers 3, 5 on both sides of the electrolyte membrane 2.例文帳に追加

燃料電池の膜電極接合体１は、電解質膜２と、電解質膜２の両面にそれぞれ形成された触媒層３，５と、電解質膜２の両面側にて各触媒層３，５をそれぞれ覆うように形成された拡散層６，７とを備える。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device at least having a portion of capacitor electrodes 14, 16 or an information memory part above a gate electrode 5, a MISFET has at least one first plug 9 respectively connected to each of source/drain diffusion layers 7.例文帳に追加

ゲート電極５より上方に少なくともキャパシタ電極１４，１６または情報記憶部の一部を有する半導体集積回路装置において、ＭＩＳＦＥＴは、ソース・ドレイン拡散層７に接続する少なくとも１つずつの第１のプラグ９を有する。 - 特許庁

A nickel silicide layer 114 is formed on the gate electrode in a silicide formation region A and on the source drain diffusion layer, and the first side wall 108 has resistance to an etching material when the second side wall 109 is etched.例文帳に追加

シリサイド形成領域Ａにおけるゲート電極の上部及びソースドレイン拡散層の上部にはニッケルシリサイド層１１４が形成されており、第１のサイドウォール１０８は、第２のサイドウォール１０９をエッチングする際のエッチング材に対して耐性を有している。 - 特許庁

The parameter determining unit specifically determines parameters on mechanical stress applied to a transistor having a gate serving as a gate electrode according to the layout pattern of a plurality of gates when the gates are provided in the same diffusion region.例文帳に追加

パラメータ決定手段は、同一の拡散領域内に複数のゲートが設けられている場合において、ゲート電極として機能するゲートを有するトランジスタにかかる機械的応力に関するパラメータを、複数のゲートのレイアウト形状に応じて一意に決定する。 - 特許庁

To restrain degradation of power generation performance by restraining an uneven condition of power generation generated on an electrode surface through restraint of differences generated in flow volumes of gas moving through a gas diffusion layer from a gas supply groove flow channel to a gas exhaust groove flow channel.例文帳に追加

ガス供給用溝流路からガス排出用溝流路へガス拡散層を介して移動するガス流量に発生する差異を抑制することにより、電極面内において発生する発電の不均一状態を抑制して、発電性能の低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode with a metallic frame or a gas chamber capable of constituting an electrolytic cell of brine which may be easily replaced with a conventional hydrogen generating cathode and extremely hardly gives rise to the occurrence of liquid leakage and gas leakage and an electrolytic cell of brine using the same.例文帳に追加

従来の水素発生陰極と容易に置き換え可能で、液漏れ、ガス漏れも極めて起こりにくい食塩電解槽を構成できるような金属枠又はガス室付きガス拡散電極とこれを使用した食塩電解槽を提供する。 - 特許庁

An extension part 18a of the gate electrode covers a part of gate insulating film 17b on the second element region 15, and is connected to the n+ diffusion layer 16 on the second element region 15 through an opening 17c provided to the gate insulating film 17b.例文帳に追加

ゲート電極の延出部１８ａは、第２の素子領域１５上のゲート絶縁膜１７ｂの一部を被覆しており、ゲート絶縁膜１７ｂに備えられた開口部１７ｃを通じて、第２の素子領域１５上のｎ＋拡散層１６に接続されている。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a piezoelectric actuator in which sufficient crystallinity is imparted to a piezoelectric film by sintering the piezoelectric film at a high temperature of 700°C-1,200°C, and diffusion of a lower electrode forming material can be prevented, and to provide a piezoelectric actuator.例文帳に追加

高温、例えば、７００℃〜１２００℃程度の温度で圧電体膜を焼成して、当該圧電体膜に十分な結晶性を付与すると共に、下電極形成材料の拡散を防止できる圧電アクチュエータの製造方法及び圧電アクチュエータを提供する。 - 特許庁

To provide an excellent reference electrode capable of acquiring excellent diffusion of internal liquid in an external sample by stabilizing an outflow quantity of the internal liquid, suppressing an inter-liquid potential error caused by adhesion of the sample, and performing highly accurate measurement.例文帳に追加

内部液の流出量を安定させて外部のサンプルでの内部液の良好な拡散を得ることができ、しかもサンプルの付着などに起因する液間電位誤差を抑制して、精度の高い測定をすることができるといった、優れた参照電極を提供する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode junction element for direct methanol type fuel cell (MEA for DMFC) capable of improving diffusion performance of fuel in the catalyst layer of the anode and discharge performance of CO_2 generated, and to provide a DMFC that uses the MEA.例文帳に追加

アノードの触媒層における燃料の拡散性および生成したＣＯ_２の排出性を向上させることが可能な直接メタノール形燃料電池用膜／電極接合体（ＤＭＦＣ用ＭＥＡ）およびそのＭＥＡを用いたＤＭＦＣを提供する。 - 特許庁

To provide a translucent positive electrode for a compound semiconductor light-emitting device that does not need alloying heat treatment under electron radiation, high temperature annealing or oxygen atmosphere, and has proper translucency and low contact resistance, being superior in diffusion of electric current.例文帳に追加

電子線照射や高温アニールまたは酸素雰囲気下での合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用正極を提供すること。 - 特許庁

A low-concentration diffusion region is such that a first part 3a coming into contact with the element isolation region 6 is as deep as or shallower than the element isolation region 6, and a second part 3b on a side of a gate electrode 1 as compared with the first part 3a is deeper than the element isolation region 6.例文帳に追加

低濃度拡散領域は、素子分離領域６に接する第１部分３ａは素子分離領域６と同じ深さであるか又はそれよりも浅く、第１部分３ａよりもゲート電極１側の第２部分３ｂは素子分離領域６よりも深い。 - 特許庁

Next, the piezoelectric layer is formed on the upper face of the anti-diffusion layer formed with the lower electrode by the AD method (S106), and successively the piezoelectric layer is heated at 850°C, thereby performing an annealing processing which grows a crystal of a piezoelectric material constituting the piezoelectric layer (S107).例文帳に追加

次に、下部電極が形成された拡散防止層の上面にＡＤ法により圧電層を形成し（Ｓ１０６）、続いて、圧電層を８５０℃で加熱することにより、圧電層を構成する圧電材料の結晶を成長させるアニール処理を行う（Ｓ１０７）。 - 特許庁

To provide a membrane-electrode assembly 1, which can effectively prevent short-circuit due to piercing of a fibrous material forming a diffusion layer 5 into an electrolyte film 2, and can be manufactured with high productivity.例文帳に追加

拡散層５を形成する繊維状物質が電解質膜２に突き刺さって短絡が生じるのを効果的に阻止することのできる膜電極接合体１であって、高い生産性のもとで製造することのできる膜電極接合体を提供することを課題とする。 - 特許庁

When viewed from a lamination direction, an electrolyte-electrode assembly and a separator are joined so that a site B in which the gas diffusion layer 14b is not crushed is coincident with a convex part 20bS of the separator 20, and so that a crushed site A is coincident with a recessed part 20bR of the separator 20.例文帳に追加

電解質−電極接合体とセパレータとを、積層方向から見たとき、ガス拡散層１４ｂのつぶれていない部位Ｂがセパレータ２０の凸部２０ｂＳと一致し、つぶれた部位Ａがセパレータ２０の凹部２０ｂＲと一致するように接合する。 - 特許庁

To provide an electrode structure for a solid polymer fuel cell capable of suppressing reduction of the power generation property of the fuel cell by suppressing deposition of a ruthenium component at an anode diffusion layer even in a condition of shortage of fuel and in a high voltage operation.例文帳に追加

燃料不足状況および高電位運転においても、Ｒｕ成分のアノード拡散層での析出を抑え、燃料電池の発電性能の低下を抑制することができる固体高分子型燃料電池用電極構造体を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the gas diffusion layer electrode base material for the polymer electrolyte fuel cell, a paper-shaped body including carbon short fiber is impregnated with carbon precursor resin to harden it, through-holes with different densities and/or pore sizes in the plane direction are opened on it, and later, it is carbonized.例文帳に追加

炭素短繊維を含む紙状体に炭素前駆体樹脂を含浸して硬化し、密度及び／又は孔径が面方向に異なる貫通孔を開け、その後に炭素化する高分子電解質型燃料電池用ガス拡散層電極基材の製造方法。 - 特許庁

A bonding layer 3 is formed above a conductive support substrate 21, a reflective layer made up of an oxide silicon layer 15' and a reflective electrode layer 16' is formed above the bonding layer 3, and a current diffusion layer 14' is formed between the reflective layer and light emitting layers 11, 12 and 13.例文帳に追加

導電性支持基板２１上方に接合層３を形成し、接合層３の上方に酸化シリコン層１５’及び反射電極層１６’よりなる反射層を形成し、反射層と発光層１１、１２、１３との間に電流拡散層１４’を形成する。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a circuit 6 for phase compensation which uses an MOS capacitance of a structure, having an insulating film between a gate electrode formed on a semiconductor substrate and a diffusion layer, wherein the circuit for phase compensation consists of first and second MOS capacitances 14, 15.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたゲート電極と拡散層間に絶縁膜を有する構造のＭＯＳ容量を用いた位相補償用回路６を備え、位相補償用回路は第１および第２のＭＯＳ容量１４、１５により構成される。 - 特許庁

To provide a fuel cell system capable of keeping the water content held in a cathode catalyst layer or a cathode gas diffusion layer composing a membrane electrode assembly in an optimum range, and keeping stable output for a long time.例文帳に追加

膜電極接合体を構成するカソード触媒層やカソードガス拡散層の中に保持される水量を適切な範囲に維持することができ、長期間に亘って安定した出力を維持することができる燃料電池システムを提供することを目的とする。 - 特許庁

The oxygen electrode 20 has a laminated structure of a diffusion layer 22 and a catalyst layer 23 on a current collector 21, and for example, palladium (Pd) and palladium alloy as a selective catalyst which is not reacted with a fuel and reacts with oxygen is included in the catalyst layer 23.例文帳に追加

酸素電極２０を、集電体２１上の拡散層２２および触媒層２３の積層構造とし、触媒層２３には、燃料とは反応しないが酸素と反応する選択性触媒として、例えばパラジウム（Ｐｄ）、およびパラジウム系の合金を含ませる。 - 特許庁

To provide a practically durable thin film piezoelectric element inexpensively by forming a diffusion preventive layer between a substrate and an electrode material formed thereon thereby forming a piezoelectric thin film having high piezoelectric characteristics on an iron based general purpose substrate.例文帳に追加

基板と基板上に形成した電極材料との間に拡散防止層を形成することによって、鉄系の汎用基板上で高い圧電特性を有する圧電薄膜を形成することを実現し、実用に耐えうる薄膜圧電素子を安価に提供する。 - 特許庁

The nickel mesh body is preferably composed of the structure which is formed to many fine corrugation shapes in a direction orthogonal with the flow of the oxygen and which allows the oxygen to be stirred and to uniformly come into contact with the gas diffusion electrode in these corrugation shape parts.例文帳に追加

前記ニッケル製メッシュ体が、酸素の流れと直交する方向に、多数の細かい波形形状に形成され、その波形形状部において酸素が攪拌され、均等にガス拡散電極に酸素が接触できる構造に構成したものが好ましい。 - 特許庁

After pulverizing and mixing particles by adding mechanical energy to a mixture of electrode reaction catalyst particles and catalyst carrier particles as starting materials, solution of proton conductive polymers is added, and further, mixing/diffusion treatment is carried out.例文帳に追加

出発原料となる電極反応触媒粒子、触媒担体粒子の混合物に機械的エネルギーを加えることで粒子の粉砕および混合をした後、プロトン伝導性高分子の溶液を添加し、さらに混合・分散処理を行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon nitride oxide film which can stably form a thin silicon nitride oxide film having excellent characteristics, and can reliably suppress diffusion of boron atoms during formation of a gate electrode of a P type semiconductor element.例文帳に追加

優れた特性を有する薄いシリコン窒化酸化膜を安定して形成することができ、しかも、ｐ形半導体素子のゲート電極形成におけるボロン原子の拡散を確実に抑制することを可能にするシリコン窒化酸化膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To decrease a diffusion resistance of each gas flowing toward each electrode in each electrochemical cell, and also to control deterioration of material for connecting parts of the electrochemical cells next to each other in an electrochemical device which has a structure consisted of plural electrochemical cells connected electrically to each other.例文帳に追加

複数の電気化学セルを電気的に接続してなる構造の電気化学装置において、各電気化学セルの各電極に至るまでの各ガスの拡散抵抗を減らし、かつ、隣接する電気化学セルの接続部分の材質の劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a power MOSFET which is capable of forming a body layer without performing a thermal diffusion treatment carried out at a high temperature for a long time, and preventing impurities contained in a gate electrode from diffusing into a semiconductor substrate through a gate insulating film.例文帳に追加

高温、長時間の熱拡散処理を行わずにボディ層を形成することができ、ゲート電極中に含まれる不純物がゲート絶縁膜を通して半導体基板中に拡散することを防止できるパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

Wirings, an electrode, and a method for forming the same are provided which comprises removing unwanted region of the seed layer and a first metal diffusion-preventing film, and selectively forming a second metal diffusion-preventing film, by the electroless plating method so as to cover the surfaces including the side surfaces of the seed layer, the metal wiring layer and the first metal diffusion-preventing film.例文帳に追加

本発明は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、シード層の形成に続いて、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成と、により形成される配線及び電極及び、これらの形成方法である。 - 特許庁

The vertical transistor has a semiconductor region, a columnar region provided on the semiconductor region, a gate insulating film provided covering a side face of the columnar region, a gate electrode provided on the gate insulating film, a first impurity diffusion region provided over the columnar region, and a second impurity diffusion region provided in the semiconductor region to surround the columnar region.例文帳に追加

縦型トランジスタは、半導体領域と、半導体領域上に設けられた柱状領域と、柱状領域の側面を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、柱状領域の上部に設けられた第１の不純物拡散領域と、半導体領域内に柱状領域を囲むように設けられた第２の不純物拡散領域と、を有する。 - 特許庁