「dry film thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In this method, after the over protective layer is once formed greater than the desired film thickness, the layer is removed by dry etching to form the layer with the final film thickness.例文帳に追加

このとき、上地保護層を、一旦所望の膜厚よりも厚く形成した後、ドライエッチングで除去して、最終の膜厚に形成する。 - 特許庁

An arithmetic processor 14 estimates the dry film thickness in accordance with the measured wet film thickness and regulates a coating weight by controlling the coating application rate.例文帳に追加

演算処理装置１４は、測定された湿潤膜厚に基づいて乾燥膜厚を推定し、塗布速度を制御して塗布量を調整する。 - 特許庁

The Ni foil is formed into the thin film having a prescribed thickness by wet etching or dry etching.例文帳に追加

このＮｉ箔をウエットエッチングまたはドライエッチングによって所定の厚さに薄膜化する。 - 特許庁

When the transfer sheet is coated, the thickness of a dry coating film is adjusted to be 5-10 μm.例文帳に追加

転写シートに塗布する際は、乾燥膜厚が５〜１０μｍとなるように塗布する。 - 特許庁

Each of gate insulating films 31, 66 is then dry etched to give a predetermined difference of film thickness.例文帳に追加

各ゲート絶縁膜31，66のそれぞれを、所定の膜厚差となるまでドライエッチングする。 - 特許庁

The dry film thickness of the first coating material is preferably ≥30 μm and the dry thickness of the second coating material is preferably one or more times the thickness of the first coating material.例文帳に追加

また、第１の塗料の乾燥膜厚が３０μｍ以上であり、第２の塗料の乾燥膜厚が第１の塗料の膜厚の１倍以上であることが好ましい。 - 特許庁

The insulating film 8 is formed thicker than a necessary film thickness, and a recessed portion 8a having a bottom is formed in the insulating film 8 by dry etching.例文帳に追加

絶縁膜８については必要膜厚よりも厚く形成しておき、ドライエッチングの際、絶縁膜８に有底の凹部８ａを形成する。 - 特許庁

The thickness of dry film is 20-50 μm and at film peeling, the printed wiring board is applied with a film peeling liquid at 40-70°C.例文帳に追加

ドライフィルムの厚みは２０〜５０μｍであり，かつ剥膜処理は，温度４０〜７０℃の剥膜液を上記プリント配線板に施すことにより行う。 - 特許庁

A dry coating material deposited quantity which is a volume of a dry coating material deposited on a work is determined based on a film thickness distribution value and a work surface which are obtained as a result of a film thickness simulation (S300, S330).例文帳に追加

膜厚シミュレーションの結果として取得される膜厚分布値とワーク面積とに基づき、ワークに付着する乾燥塗料の体積値である乾燥塗料付着量を求める（Ｓ３００〜Ｓ３３０）。 - 特許庁

An in-line film thickness measuring unit M measures the film thickness of a wafer before and after execution of dry etching, and calculates a dry etching time of the process chamber P by setting the measured value as a parameter.例文帳に追加

インライン膜厚測定ユニットＭは、ドライエッチング実行時点の前後においてウェーハの膜厚を測定し、この測定値をパラメータとしてプロセスチャンバーＰのドライエッチング時間を算出する。 - 特許庁

Dry light Bd from the light source is modulated according to the liquid film data, based on film thickness intensity conversion data relating the liquid film data with light wave information of light, and the modulated dry light Bd is emitted to the liquid film F0 to dry the liquid film F0.例文帳に追加

そして、液膜データと光の光波情報とを関連付ける膜厚強度変換データに基づいて光源からの乾燥光Ｂｄを液膜データに応じて変調し、変調した乾燥光Ｂｄを液膜Ｆ０に照射して液膜Ｆ０を乾燥する。 - 特許庁

Corona discharge of 200 W/m2/min or more is applied to the surface of the coating film of the coated metal panel to modify the surface of the coating film and a hydrophilic film having a thickness of 0.01-3 μm as dry film thickness is formed on the modified surface of the coating film.例文帳に追加

塗装金属板の塗膜表面に２００Ｗ／ｍ^2／分以上のコロナ放電を施して、この塗膜表面を改質し、その上に乾燥膜厚として０．０１μｍ以上３μｍ以下の親水性皮膜を形成する。 - 特許庁

The tantalum film 15 is dry-etched to a specified film thickness while using the silicon oxide films 16 as masks.例文帳に追加

次に、この酸化シリコン膜１６をマスクにして、タンタル膜１５が所定の膜厚になるまでドライエッチングする。 - 特許庁

Next, the obtained soft magnetic coating is applied on a polypropylene film by a knife coater, and an original printing of a dry coating film having a thickness of 0.2 mm is obtained.例文帳に追加

つぎに、この得られた軟磁性塗料を、ナイフコーターにてポリプロピレンフィルムに塗布し、乾燥塗膜厚み０．２ｍｍの原反を得た。 - 特許庁

A film thickness of the silicon oxide film formed by the thermal treatment in the dry oxygen atmosphere is 10% or less of the entire film thickness of the silicon oxide film formed finally by the thermal treatment in the dry oxygen atmosphere and the thermal treatment in the atmosphere containing water vapor.例文帳に追加

乾燥酸素雰囲気中での熱処理により形成された酸化シリコン膜の膜厚は、乾燥酸素雰囲気中での熱処理および水蒸気を含む雰囲気中での熱処理により最終的に形成された酸化シリコン膜の全膜厚の１０％以下である。 - 特許庁

To obtain an excellent dry film free of a crack or a variation of a thickness by controlling a residual amount of a solvent of a photosensitive epoxy resin dry film.例文帳に追加

感光性エポキシ樹脂ドライフィルムの残溶剤量を制御し、クラックや膜厚変動のない良好なドライフィルムを得ることを目的とする。 - 特許庁

By discharging the second dispersion, a dry film pattern formed on a substrate can be minutely adjusted to have the desired film thickness, the film thickness is made uniform, and the shapes of the edges are improved {Fig. 6 (e)}.例文帳に追加

第２の分散液を吐出することにより、基板上に形成する乾燥膜パターンは、所望の膜厚へと微調整することができ、膜厚も均一化し、エッジ形状も良好なものとなる（図６（ｅ））。 - 特許庁

After the conductive film of not less than 1 to 10 μm in film thickness containing aluminum or aluminum alloy is etched to a predetermined film thickness using wet etching, the rest is etched by dry etching to suppress side etching and a decrease in film thickness of a mask.例文帳に追加

膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑える。 - 特許庁

A trimming-window opening 19 and an opening 21 for film-thickness monitoring are formed simultaneously through dry etching ((a-3), (b-3)).例文帳に追加

ドライエッチングにより、トリミング窓開口部１９及び膜厚モニタ用開口部２１を同時に形成する（（ａ−３），（ｂ−３））。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for manufacture of a semiconductor device excellent in transparency, dry etching resistance and uniformity in film thickness.例文帳に追加

透明性、ドライエッチング耐性、膜厚均一性が優れた半導体デバイス製造用感放射線性樹脂組成物。 - 特許庁

To secure a sufficient lithography margin and the thickness of a film which is used as a mask in the dry etching.例文帳に追加

十分なリソグラフィマージンが確保し、かつ、ドライエッチング時のマスク材としての膜厚を確保する。 - 特許庁

To form at least two fine hole patterns which are arranged in the vicinity to each other to a film thickness which is thick enough to obtain sufficient dry etching resistance.例文帳に追加

近接配置される少なくと２つの微細ホールパターンを、ドライエッチング耐性が十分得られる膜厚に形成する。 - 特許庁

To dry resist liquid coating a substrate as quickly as possible in a short time so that film thickness after drying is quickly formed uniform.例文帳に追加

基板上に塗布されたレジスト液を、乾燥後の膜厚が可及的に均一なものとなるように、可及的に短時間で乾燥すること。 - 特許庁

(3) A compositional soln. moreover contg. a lubricator to the compositional soln. described in (1) or (2) is applied with the resin dry film thickness of 0.1 to 5 μm.例文帳に追加

（３）前記（１）または（２）記載の組成液に更に潤滑剤を含有した組成液を、樹脂乾燥膜厚で０．１〜５μｍ塗布する。 - 特許庁

To provide a dry etching method which rapidly etches a magnetic film having a thickness of 200-500 nm and is capable of excellent microfabrication.例文帳に追加

２００〜５００ｎｍの厚さの磁性膜を高速エッチングし、良好な微細加工が可能なドライエッチング方法を提供することである。 - 特許庁

The piezoelectric material 11 is then surface-worked by dry etching to have a three-dimensional shape 15 that copies the film-thickness distribution of the projection-shaped mask 14.例文帳に追加

次いで、ドライエッチングすると、隆起マスク１４の膜厚分布を倣った三次元形状１５に圧電材料１１が表面加工される。 - 特許庁

Thus, the dry condition remains the same across the whole surface of the substrate 1, whereby the optical element with the reduced film thickness unevenness can be obtained.例文帳に追加

このため、乾燥状態が基板１全面にわたって同一となるため、膜厚ムラの少ない光学素子を得ることができる。 - 特許庁

(1) In the ablation type image forming material comprising an image forming layer, and a protective layer of a cured layer laminated on a transparent support, a dry film thickness ratio of the forming layer to the protective layer is 1:3 to 10:1, and a total dry film thickness is 5 μm or below.例文帳に追加

透明支持体上に画像形成層と硬化層である保護層が積層されたアブレーション型画像形成材料で、画像形成層と該保護層のドライ膜厚比が１：３〜１０：１で、全ドライ膜厚が５μｍ以下である。 - 特許庁

The photosensitive dry film including a soluble polyimide composed of polysiloxane diamine of 1-70 mol% in whole amount of amine is employed, and following equation is satisfied: [modulus of (base film + adhesive)]×(thickness of base film + thickness of adhesive)≥(modulus of photosensitive dry film)×(thickness of photosensitive cover lay).例文帳に追加

ポリシロキサンジアミンを全アミン量の１〜７０モル％含む可溶性ポリイミドを含有してなる感光性ドライフィルムを用い、下記式を満足することにより充分な機械強度を有しつつ、耐熱性に優れ、更に加工性、接着性、特には低吸湿性に優れた感光性成物からなるカバーレイフィルム及びその製造法を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method for improving the uniformity of a formed film thickness and reproducibility by suppressing a variation in the uniformity of the formed film thickness caused by the deformation of a susceptor when a treatment chamber of a substrate treatment apparatus is subjected to dry cleaning.例文帳に追加

基板処理装置の処理室のドライクリーニングを行った場合の、サセプタの変形に伴う成膜膜厚の均一性の変動を抑制し、成膜膜厚の均一性、再現性を向上させる方法を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 106 is removed, until its thickness becomes 10-50% of its original thickness through anisotropic dry etching, and the remaining portion of the film 106 is removed by isotropic wet etching.例文帳に追加

異方性のドライエッチングで層間絶縁膜１０６の膜厚の５０〜９０％まで除去し、残りを等方性のウェットエッチングで除去する。 - 特許庁

To provide a method in which it is very easy to determine whether the thickness of a coating film during coating has reached a predetermined thickness, thereby forming an even antifouling film having a predetermined thickness of a dry film in a more accurate and simple way.例文帳に追加

塗装中の塗膜が所定の膜厚に達したかどうかを極めて容易に判定することができ、これにより、所定の乾燥膜厚を有する均一な防汚塗膜を、より正確にかつより簡便に形成することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of accurately and easily forming a coating film corresponding to each target dry film thickness an article to be coated with different film thickness requirements according to the coating region of a ship or the like and capable of forming a coating film having no hue difference in different film thicknesses.例文帳に追加

船舶のように塗装部位によって要求される膜厚が異なる被塗物に対して、各目標乾燥膜厚に応じた塗膜を正確かつ容易に形成することができ、さらに異なる膜厚においても色相に差のない塗膜を形成できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photomask blank which is capable of shortening the dry-etching time by increasing the dry-etching speed of a light shielding film, reducing the film reduction of a resist film, improving resolution and pattern accuracy (CD accuracy) by reducing the thickness of the resist film, and forming a light shielding film pattern having a good cross-sectional shape due to the reduction of the dry-etching time.例文帳に追加

遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減することができ、レジスト膜を薄膜化して解像性、パターン精度（ＣＤ精度）を向上でき、ドライエッチング時間の短縮化による断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランクを提供する。 - 特許庁

Under conditions where a maximum etched amount does not exceed the total value of the minimum film thickness of a sacrificial oxide film and the film thickness of the monocrystal semiconductor layer, wet drying is performed after dry etching, whereby the sacrificial oxide film can completely be removed.例文帳に追加

最大エッチング量が犠牲酸化膜の最小膜厚と単結晶半導体層の膜厚との合計値を超えない条件下で、ドライエッチングの後にウエットエッチングを行うことにより、犠牲酸化膜を過不足なく完全に除去できる。 - 特許庁

The metallized polyimide film is obtained by forming a metal layer having 0.5-5 μm thickness and formed on at least one surface of a polyimide film having 0.1-100 ppm content of a residual solvent according to the dry film-forming method.例文帳に追加

残存溶媒量が０．１〜１００ｐｐｍであるポリイミドフィルムの少なくとも片面に乾式製膜方法によって形成された厚さ０．５μｍ〜５μｍの金属層が形成された金属化ポリイミドフィルム。 - 特許庁

The sand blast treatment or the dry etching treatment is carried out until the overcoat film 3 disappears, and after fluctuations in film thickness are made uniform within ± 5%, pattern formation is carried out on that exothermic body film 2c.例文帳に追加

オーバーコート膜３がなくなるまでサンドブラスト処理又はドライエッチング処理し、膜厚のばらつきを±５％以下に均一化した後、その発熱体膜２ｃにパターン形成する。 - 特許庁

A halftone/shading layer 2 consisting of a zirconium oxide film having the same film thickness as the film thickness of shading regions is formed by reactive sputtering, etc., on a transparent substrate 1 and is subjected to a patterning treatment by dry etching, etc., by which the shading regions 2a and a translucent layer 2c is formed.例文帳に追加

透明基板１上に遮光領域膜厚と同じ膜厚を有する酸化ジルコニウム膜からなるハーフトーン兼遮光層２を反応性スパッタ等で形成し、ドライエッチング等にてパターニング処理して遮光領域２ａ及び半透明層２ｃを形成する。 - 特許庁

The dry film is obtained by stacking a laminated film having a radiation-sensitive resin composition layer of 2-200 μm thickness on a base film and a cover film having a self-adhesive resin layer on a film in such a way that the radiation-sensitive resin composition layer and the self-adhesive resin layer come in direct contact with each other.例文帳に追加

ベースフィルム上に厚さ２〜２００μｍの感放射線性樹脂組成物層を有する積層フィルムと、フィルム上に自己粘着性樹脂層を有するカバーフィルムとが、感放射線性樹脂組成物層と自己粘着性樹脂層とが直接接触するように積層されているドライフィルム。 - 特許庁

Thereby, when the thickness of the interlayer insulation film in the outer peripheral part of the semiconductor wafer is smaller than that at the center part of thereof, plasma charge to the gate insulation film in dry etching is restrained.例文帳に追加

その為、層間絶縁膜の膜厚は半導体ウェハの中央部に比べて外周部が薄くなっている場合において、ドライエッチング時のゲート絶縁膜へのプラズマチャージを抑制する。 - 特許庁

This cellulose ester film 20-60 μm in thickness on a dry basis is produced by solution casting film formation method, and is characterized by being ≤0.05 mass% in residual solvent content when wound and rolled.例文帳に追加

溶液流延製膜方法により製造された乾燥膜厚が２０〜６０μｍのセルロースエステルフィルムにおいて、巻き取り時の残留溶媒量が０．０５質量％以下であることを特徴とするセルロースエステルフィルム。 - 特許庁

The etching temperature is lowered from approximately 300°C to approximately 100°C, and a dry etching is conducted at a stage when the tantalum film 15 reaches the specified film thickness or less and begins to be partially isolated.例文帳に追加

その後、タンタル膜１５が所定の膜厚以下になって部分的に孤立し始めた段階で、エッチング温度を約３００℃から約１００℃に下げてドライエッチングする。 - 特許庁

Thickness of the dry film is 20-50 μm, and the film stripping processing is performed by applying liquid stripper consisting of amine system solution at temperature of 40-70°C to the printed circuit board.例文帳に追加

ドライフィルムの厚みは２０〜５０μｍであり、かつ剥膜処理は、温度４０〜７０℃のアミン系水溶液からなる剥膜液を上記プリント配線板に施すことにより行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film transistor capable of performing desired etching without dependence of the film thickness of an ohmic contact layer or an etching rate during dry etching.例文帳に追加

オーミックコンタクト層の膜厚やドライエッチング時のエッチングレートに依存せず所望のエッチングが可能となる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the polarizing film is characterized in that polyvinyl alcohol film having a thickness of 10-50 μm and a width of 2-3.5 m is drawn by a dry process using a drawing roll at 80-140°C.例文帳に追加

厚みが１０〜５０μｍ、フィルム幅が２〜３．５ｍであるポリビニルアルコールフィルムを８０〜１４０℃の延伸ロールを用いて乾式法で延伸することを特徴とする偏光フィルムの製造法。 - 特許庁