「element separation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, in which a trench capacitor and an element separation area can be formed without thickening resist film thickness and increasing a transformation difference in the processing of an element separating groove and the microfabrication of an element and the improvement of characteristics can be served.例文帳に追加

レジスト膜厚を厚くすることなく、且つ素子分離用溝の加工での変換差を大きくすることなく、トレンチキャパシタと素子分離領域を形成することができ、素子の微細化及び特性向上に寄与する。 - 特許庁

To propose a method for preparing a color separation table in which gradation is improved and the formation of a pseudo-contour of a reproduced image is suppressed by introducing a nonlinear interpolation method using a finite element method.例文帳に追加

有限要素法を用いた非線形補間法を導入することにより、階調性が向上し、再現画像の疑似輪郭の発生が抑制された色分解テーブルの作成方法を提案する。 - 特許庁

To provide a membrane element of a membrane separation apparatus for treating waste water having an external through-hole from the side face of a support plate to a water flow path, the membrane separation apparatus using it and its maintenance method.例文帳に追加

下廃水を処理する膜分離装置の膜エレメントで支持板の側面から通水路まで通じる外通孔を有する膜エレメントと、それを用いた膜分離装置及びそのメンテナンス方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of reducing the occurrence of a defective element due to the breakage or chipping off of a crystal in chip separation.例文帳に追加

チップ分離の際の結晶の割れや欠けによる素子不良の発生を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device where cost reduction of an element separation forming process, stabilization of a shape and suppression of a defect are performed simultaneously.例文帳に追加

素子分離形成工程の低コスト化と形状の安定化及び欠陥の抑制を両立する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

SEPARATION AND RECOVERY METHOD FOR RARE ELEMENT FP IN SPENT NUCLEAR FUEL, AND NUCLEAR POWER GENERATION- FUEL CELL POWER GENERATION COEXISTENCE SYSTEM UTILIZING THE SAME例文帳に追加

使用済核燃料中の希少元素ＦＰの分離回収方法およびこれを利用した原子力発電−燃料電池発電共生システム - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the same, permitting inter-element separation, without forming STIs and being capable of integration so as to obtain a high density.例文帳に追加

ＳＴＩを形成することなく素子間の分離を可能にし、高密度に集積化できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical waveguide type polarization separation element which can be easily manufactured and a rise of a manufacturing cost can be suppressed, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

容易に製造でき、製造コストの上昇を抑えることができる光導波路型偏波分離素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which is capable of preventing film thinning of an embedded insulating film upon forming an element separation by STI(Shallow Trench Isolation).例文帳に追加

ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）による素子分離を形成する際、埋め込み絶縁膜の膜べりを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an electronic apparatus and a method of manufacturing the electronic apparatus having controlled separation between a frame material and an element even in the case where temperature change is repeated.例文帳に追加

温度変化が繰り返された場合においても、枠材と素子との剥離が抑制された電子装置および電子装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which the width of an element separation trench can be made smaller without causing deterioration of the crystallinity of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の結晶性の悪化を招くことなく、素子分離トレンチの幅を小さくできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a trench element separation region capable of easily and precisely removing a nitride silicon film liner at the upper part of a trench side wall.例文帳に追加

簡易かつ精度よく、トレンチ側壁上部の窒化シリコン膜ライナーの除去を行うことができる、トレンチ素子分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the method of treating the rare earth element-containing waste water, the rare earth element-containing waste water is mixed with another waste water including at least one component among fluorine, phosphorus and arsenic and the mixed waste water is subjected to solid-liquid separation.例文帳に追加

希土類含有排水と、フッ素、りん、及び砒素のうち１つ以上の成分を含有する他の排水とを混合し、混合排水を固液分離する希土類含有排水の処理方法。 - 特許庁

To provide a gas sensor for suppressing a separation of a terminal electrode from a gas sensor element, and for uniforming a pressing force of a spring terminal for holding the gas sensor element, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ガスセンサ素子の端子電極の剥離を抑制すると共にガスセンサ素子を挟持するバネ端子の押圧力を均一化することができるガスセンサ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an easily manageable and operable manufacturing method of a polarization conversion element that can easily form a retarder, made of thin quartz crystal on a polarization separation element.例文帳に追加

厚さの薄い水晶よりなる位相差板を偏光分離素子上に容易に形成することができるとともに、取り扱い易く、しかも作業性に優れた偏光変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high junction breakdown voltage by preventing reduction in the junction breakdown voltage in a boundary between an element region and an element separation region; and its manufacturing method.例文帳に追加

素子領域と素子分離領域との境界部における接合耐圧の低下を防止することにより高い接合耐圧を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a flash memory element, an element separation film 304 is formed so as to have a protruding portion higher than the surface of an active region 302, supplying a groove on the active region 302.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法は、素子分離膜３０４は活性領域３０２の表面よりも高い突出部を有するように形成されて活性領域３０２上にグルーブを供給する。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device of the present invention includes the steps of: forming the groove portion on the semiconductor substrate; forming a first separation film and a second separation film by growing the oxide film on a bottom surface of a first opening and a bottom surface of the groove portion; and forming the PiP capacitive element on the second separation film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に溝部を形成し、第1の開口部の底面と溝部の底面に酸化膜を成長させて第１の分離膜及び第２の分離膜を形成し、第２の分離膜上にＰｉＰ容量素子を形成する工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for operating the separation membrane module mounted with the spiral membrane element formed by winding the bag-like separation membrane together with the raw water spacer around the outer peripheral surface of a filtrate collecting pipe and which periodically or irregularly changes the flow direction of the raw water of the separation membrane module.例文帳に追加

透過水集水管の外周面に袋状の分離膜を原水スペーサーと共に巻回してなるスパイラル型膜エレメントを装着する分離膜モジュールの運転方法であって、該分離膜モジュールの原水の流れ方向を定期又は不定期に反対方向へ変更する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the field emission element, an emitter 50a is formed by a lift-off method and a separation layer 70 for preventing reaction is formed between a sacrifice layer 60 for emitter patterning and an emitter substance.例文帳に追加

リフトオフ法によってエミッタ５０ａを形成し、エミッタパターニングのための犠牲層６０と、エミッタ物質との間にこれらの間の反応を防止する隔離層７０とを形成する。 - 特許庁

To provide a simple method for recovering a metal element containing a rare earth element that is feasible even at a small scale while eliminating a complicated control or operation, etc. in the separation and recovery of a metal element such as a rare earth element, or the like, from a rare-earth-based magnetic alloy material.例文帳に追加

希土類系磁石合金材料からの希土類元素等の金属元素の分離回収に際し、煩雑な制御や操作等を不要と為し得る、簡便で且つ小スケールからでも実施可能な希土類元素を含む金属元素の回収方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element of high luminance without deterioration, in which electrodes are oppositely installed, separation grooves for chip separation and laser lift-off are formed by etching, and a light emitting region is not damaged, and also to provide a manufacturing method of the light emitting element.例文帳に追加

電極が対向して設けられるとともに、チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝をエッチングにより形成する窒化物半導体発光素子であっても、発光領域に損傷が加わらず、劣化のない高輝度な窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The element separation structure which separates the photodiodes from each other, e.g. an STI structure 7b is formed by a method other than the thermal oxidation of a substrate and a channel stopper layer 6 of a 2nd conductivity type is formed in a semiconductor substrate 1 of a 1st conductivity type surrounding the element separation structure 7b in contact therewith.例文帳に追加

フォトダイオード間を素子分離する素子分離構造、例えばＳＴＩ構造７ｂを基板の熱酸化によらない方法で形成し、素子分離構造７ｂに接してこれを取り囲む第１導電型の半導体基板１中に第２導電型のチャネルストッパ層６を形成する。 - 特許庁

By the method for forming the dummy layer of the semiconductor device, the element separation film 402 for composing the dummy active region 403 is formed in the logic region on the semiconductor substrate 401, the first dummy pattern 404 is formed on the element separation film 402, and the second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404 is formed.例文帳に追加

本発明による半導体素子のダミー層形成方法によれば、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)を形成し、素子分離膜(402)上に第１ダミーパターン(404)を形成し、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)を形成する。 - 特許庁

To measure accurate offset even if element width of separation type heads are different, in a method for measuring offset of the separation type magnetic head for a discrete type magnetic recording medium in which a recording track and a recording disable area are provided alternately.例文帳に追加

記録トラックと記録不能領域が交互に設けられたディスクリート型磁気記録媒体に対する分離型磁気ヘッドのオフセットを測定する方法において、分離型ヘッドの素子幅が異なっても、正確なオフセットを測定する。 - 特許庁

To provide an ink jet recording head which prevents ink leakage due to the warpage and deformation of a recording element board or due to its separation from an ink feeding member, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

記録素子基板の反りやゆがみ、あるいはインク供給部材との剥離によるインク漏れを防止したインクジェット記録ヘッド及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, together with its manufacturing method, which comprises an insulated gate field effect transistor, enclosed with a channel element separation area for high reliability and yield.例文帳に追加

溝素子分離域で囲われた絶縁ゲート電界効果トランジスタを有し高信頼性および高歩留まりを確保できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor which can securely suppress occurrence of a shape defect of an element separation region at the periphery of the end of an active region.例文帳に追加

活性領域の端部周辺における素子分離領域の形状不良の発生を確実に抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element in which separation and particles of a lower-layer organic light emitting layer are suppressed and which has a high quality transparent electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

下層の有機発光層の剥離およびパーティクルを抑え、高品質な透明電極を持った有機電界発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing a void, while preventing damage on the surface of a semiconductor substrate when an element separation region is finely formed.例文帳に追加

微細な素子分離領域の形成に際して、半導体基板の表面のダメージを防止しつつ、ボイドの発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor element capable of recycling a substrate for growth after separation, having sufficient general usage and good cleavage performance and heat dissipating performance.例文帳に追加

分離後の成長用基板を再利用でき、汎用性に富み、良好なへき開性、放熱性を有する窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display for facilitating separation of a film-forming auxiliary member such as a mask or a donor from a substrate while maintaining element characteristics.例文帳に追加

素子特性を維持すると共に、マスクまたはドナーなどの成膜補助部材と基板との分離を容易にすることができる表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After film-forming SiO_2 by about 1/8 of groove width in the element separation groove by a thermal CVD method, an energy is applied obliquely from above to contract an SiO_2 film.例文帳に追加

熱ＣＶＤ法により素子分離溝にＳｉＯ_２を溝幅の１／８程度成膜した後、斜め上方からエネルギーを印加することにより、ＳｉＯ_２膜を収縮させる。 - 特許庁

The separation insulators 2a-2c are formed inside the grooves by a thermal oxidation method, and isolate an element-forming region on the main surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

分離絶縁体２ａ〜２ｃは、熱酸化法を用いて溝の内部に形成され、半導体基板１の主表面において素子形成領域を分離するものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride-based semiconductor element which facilitates device separation by forming an separation trench in a nitride-based semiconductor layer, by a method where no damage is introduced into a crystal owing to collision of plasma and active ions or the like and no much time is required.例文帳に追加

プラズマや活性イオンなどの衝突による結晶へのダメージの導入がなく、且つ多くの時間を必要としない方法で、窒化物系半導体層に分離溝を形成することにより、素子分離を容易にする窒化物系半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

A slurry composition for chemical mechanical polishing for the polycrystalline silicon and the semiconductor element utilizing it are formed, by a method wherein a trench element separation film is ground with the slurry having the grinding selection ratio with respect to the polycrystalline silicon, which is higher compared with the element separation oxide film of an etching prevention film, to form the self aligned floating gate of the flash memory element.例文帳に追加

本発明は、多結晶シリコン用化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing）のためのスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の形成方法に関し、より詳しくはエッチング防止膜の素子分離酸化膜に比べて多結晶シリコンに対し高い研磨選択比を有するスラリーでトレンチ素子分離膜を研磨し、フラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲート（Self Align Floating Gate）を形成する半導体素子の形成方法に関する。 - 特許庁

To provide the pickup method of extremely reducing the separating strength of a delivery element substrate and an adhesion tape in the case of separating the delivery element substrate and the adhesion tape and reducing the damage of the delivery element substrate by enabling the separation of the delivery element substrate from the adhesion tape without necessity of a lifting pin.例文帳に追加

吐出素子基板と粘着テープを剥離する際に、その剥離強度を極めて小さくすると共に、突き上げピンを必要とせず、粘着テープからの剥離を可能にする事により吐出素子基板の損傷を低減させるピックアップ方法および液体吐出ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To expose respective gate electrode formation films and gate wiring formation films formed on an active region and an element separation region with high accuracy, without being affected by the level difference between the active region and the element separation region, in a method for manufacturing a semiconductor device having a full-silicified gate electrode.例文帳に追加

フルシリサイド化されたゲート電極を有する半導体装置の製造方法において、活性領域と素子分離領域との段差による影響を受けることなく、活性領域上と素子分離領域上とに形成されたそれぞれのゲート電極形成膜及びゲート配線形成膜の露出を精度良う。 - 特許庁

To provide a constituent separation element for forming a pillar having a high aspect ratio accurately, forming the density of the pillar extremely finely, and forming the compressional region of the pillar having several stages of density arbitrarily, and forming the pillar in a groove efficiently and quickly, and to provide a method for manufacturing the constituent separation element.例文帳に追加

アスペクト比の高いピラーを正確に形成できると共にピラーの密度を非常に緻密に形成でき、且つ数段階の密度を持ったピラーの疎密領域を任意に形成可能で、しかも溝中にピラーの形成を効率良く短時間で行なうことが可能な成分分離素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a light-emitting device includes: forming a semiconductor film 20 on a substrate for growth, forming element separation grooves reaching the substrate for growth on the semiconductor film 20; and also forming a protective film 50 partially covering the side surface of the semiconductor film 20 exposed by forming the element separation grooves and being apart from the substrate for growth.例文帳に追加

成長用基板の上に半導体膜２０を形成し、半導体膜２０に成長用基板に達する素子分割溝を形成し、素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜２０の側面を部分的に覆い且つ成長用基板から離間している保護膜５０を形成する。 - 特許庁

To provide a hollow-fiber separation membrane element, a hollow-fiber separation membrane module, and a method for manufacturing them by which the element and the module can be manufactured without damaging or disconnecting the hollow fiber membranes even if the hollow-fiber membranes have low elongation and easy to be disconnected.例文帳に追加

本発明は、中空糸分離膜の伸びが小さくて容易に破断する場合でも、中空糸分離膜を破損したり破断することなく容易に製造でき、かつ、耐久性が向上した中空糸分離膜エレメント、中空糸分離膜モジュール、および、その製造方法を提供することを課題としている。 - 特許庁

An HDP film 9 is formed thick enough to fill the groove 18 for element separation, and polishing by a CMP method is carried out to expose a void 9a formed on the side of the first groove 8 for element separation; and a polysilazane film 10 is formed therein to fill it and a polysilazone film 10 which is left outside is removed through CMP processing.例文帳に追加

ＨＤＰ膜９を第２の素子分離用溝１８内が埋められる膜厚で形成し、ＣＭＰ法で研磨して第１の素子分離用溝８側にできたボイド９ａを露出させ、この内部にポリシラザン膜１０を埋め込み形成し、外部に残ったポリシラザン膜１０はＣＭＰ処理で除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, where in forming an element separation region by an STI method, the exposure of a semiconductor substrate at a trench top part is surely prevented, for simplifying the manufacturing process and coping with a finer element.例文帳に追加

ＳＴＩ法によって素子分離領域を形成する際に、トレンチ上端部の半導体基板の露出を確実に防止しながら、製造工程の簡略化、素子の微細化に対応することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with grooved element separation capable of easing the compression stress of a buried insulating film independently of the aperture width of the groove and having uniform and effective element performance, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

溝の開口幅によらずに埋め込み絶縁膜の圧縮応力を緩和できる溝型の素子分離を備え、これにより均一で良好な素子性能を有する半導体装置および、その製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device and its manufacturing method, defects such as penetration dislocation existing in a crystal layer due to selection growth are set to be element isolation surfaces, thus manufacturing the semiconductor device where a flat element separation surface is formed easily.例文帳に追加

本発明では、選択成長によって結晶層中に内在する貫通転位などの欠陥を素子分離面とすることによって容易に、且つ平坦な素子分離面を形成された半導体素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁