「element separation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a separation analytical device for analyzing a micro impurity element in material efficiently in a short time, a continuous flow analytical method, high purity tantalum or a high purity tantalum compound, and a highly dielectric membrane formed by using it.例文帳に追加

材料中の微量不純物元素を短時間で効率的に分析する分離分析装置、連続流れ分析方法、高純度タンタルまたは高純度タンタル化合物及びそれを用いて形成された高誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a sheet-like composite semi-permeable membrane sufficiently securing a flow path sectional area of a feed side flow path while keeping prevention performance, and a manufacturing method therefor, and a separation membrane element using the sheet-like composite semi-permeable membrane.例文帳に追加

阻止性能を維持しながら、供給側流路の流路断面積を十分確保することができるシート状複合半透膜及びその製造方法、並びにそのシート状複合半透膜を用いた分離膜エレメントを提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor substrate 41 includes a step of forming support holes 21, 22 on an element separation layer 12, burying a support forming layer 27 in the support holes 21, 22, forming the layer 27 to cover a silicon layer 16, and then completing a support 26.例文帳に追加

半導体基板４１の製造方法は、素子分離層１２上に支持体穴２１，２２を形成し、支持体形成層２７を支持体穴２１，２２の中に埋めるとともにシリコン層１６が覆われるように形成した後、支持体２６を完成させる。 - 特許庁

To provide a method of forming an element separation film of semiconductor elements which removes an FSG film produced at etching of a first oxide film by an etching process using oxygen to prevent fluorine from diffusing, thereby avoiding the characteristics deterioration of the elements.例文帳に追加

第１酸化膜のエッチング時に生成されるＦＳＧ膜を、酸素を利用したエッチング工程により除去することによって、フッ素の拡散を防止して、素子の特性劣化を防止できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that shavings occurring in a field layer during CMP process of an embedded dielectric in an element separation process using an STI method cause the occurrence of the leak current and the thinner line of a gate electrode mask, and thereby cause a decrease in yield and reliability.例文帳に追加

ＳＴＩ方式を用いた素子分離工程において、埋め込み絶縁膜の平坦化研磨時にフィールド層で発生する削りこみが、リーク電流発生や、ゲート電極マスクの細線化の原因となり、歩留まり低下や信頼性低下を招いている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic photoelectric conversion element, in which materials are not wasted and carrier path formation effective in providing concentration gradients of a p-type semiconductor and an n-type semiconductor of a photoelectric conversion layer and in making micro p-type/n-type layer separation can be controlled.例文帳に追加

製造方法として、材料の無駄を発生せず、光電変換層のｐ型半導体、ｎ型半導体の濃度勾配を設けたり、ｐ型、ｎ型がミクロ的に層分離する際に有効なキャリアパス形成のコントロールし得る製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving characteristics by stabilizing an effective base region by regulating ion implantation by keeping a film thickness variation portion of an element separation oxide film in a predetermined film thickness, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、素子分離酸化膜の膜厚変化部位を所定の膜厚に保持してイオン注入を規制することにより、実効ベース領域の安定化による特性向上を図る半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method for measuring the aerosol particles in gas sample, especially in exhaust gas from a diesel engine, includes at least indirect separation of the aerosol particles on a piezoelectric vibration crystal and determination of a vibration factor of piezoelectric excited vibration of a crystal element.例文帳に追加

ガス状試料中、特にデイ−ゼル機関の排ガス中のエアゾ−ル粒子を測定する方法は、圧電振動結晶上のエアゾ−ル粒子の少なくとも間接的分離と、結晶要素の圧電式に励起された振動の振動要因の決定とを包含する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents variations in film thicknesses of the peripheral nitride films of the trench from being generated by etching in digging deeply a trench up to a depth for complete separation so that variations in film thicknesses of the element separating films are suppressed.例文帳に追加

トレンチを完全分離の深さに深掘する際のエッチングによって、当該トレンチの周辺の窒化膜の膜厚にばらつきが生じることを抑制し、これにより素子分離膜の膜厚のばらつきを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical element provided with a polymer photonic crystal containing a micro domain having a lamellar configuration oriented nearly in parallel to the principal plane of the crystal in a micro phase separation structure and capable of improving optical characteristics as compared with conventional ones.例文帳に追加

結晶の主面に対して略平行に配向したラメラ状のミクロドメインをミクロ相分離構造に含む高分子フォトニック結晶を備え、従来に比して光学特性を向上させることが可能な光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This provides a method for manufacturing the semiconductor device having the logic and the flash memory more microscopic than a level of 0.18 μm capable of easily and accurately manufacturing the groove element separation, and this provides the semiconductor device.例文帳に追加

従って、０．１８μｍレベルよりも微細なロジックとＦｌａｓｈメモリを混載した半導体装置において、溝型素子分離の製造を容易な方法で高精度に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することができる。 - 特許庁

In the semiconductor device manufactured by an SBSI (separation by bonding silicon island) method, an element isolation layer 13 is formed into a planar shape of "surrounding an element forming region 10, segmenting an SOI forming region 1a from an SOI forming region 1c within the surrounded region and segmenting an SOI forming region 1b from an SOI forming region 1d therewithin".例文帳に追加

ＳＢＳＩ法よって製造される半導体装置であって、素子分離層１３を「素子形成領域１０を囲み、囲んだ範囲内でＳＯＩ形成領域１ａとＳＯＩ形成領域１ｃとの間を仕切ると共に、ＳＯＩ形成領域１ｂとＳＯＩ形成領域１ｄとの間を仕切る」平面形状に形成している。 - 特許庁

To provide a passive matrix drive top-emission organic EL element and its manufacturing method wherein uniform light emission in a pixel is enabled without causing malfunction to the pixel by the work pieces generated when an electrode is separated while sufficiently securing the electrical separation of a transparent electrode.例文帳に追加

透明電極の電気的な分離を十分に確保しつつ、該電極の分離時に発生する加工片で画素に不具合を生じさせることなく、画素内の均一な発光を可能にするパッシブマトリックス駆動のトップエミッション型有機ＥＬ素子およびその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having both a logic more microscopic than a level of 0.18 μm and a flash memory, capable of easily and accurately manufacturing a groove type element separation, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

０．１８μｍレベルよりも微細なロジックとＦｌａｓｈメモリを混載した半導体装置において、溝型素子分離の製造を容易な方法で高精度に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which enables the easy manufacture of a hollow fiber membrane element that has uniform separation performance and filtration performance where hollow fiber membranes are uniformly disposed and is also excellent in solvent resistance and mechanical property and a hollow fiber membrane module using the same scarcely affected by the temperature of an atmosphere.例文帳に追加

中空糸膜が均等に配され均一の分離性能及び濾過性能を有し、耐溶剤性及び機械的特性にも優れた中空糸膜エレメント及び同エレメントを用いた中空糸膜モジュールを雰囲気温度に左右されずに容易に製造することのできる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a spectral measurement array, a spectral image measurement device provided with the same, and a spectral image measurement method provided with a spectral element, capable of simultaneously observing temporal change and the spatial change of the spectrum, capable of separation of light by a pixel unit, and capable of high-speed operation with a small/simple structure.例文帳に追加

画素単位での分光が可能になるとともに、小型・簡素な構造で高速の作動が可能となり、スペクトルの時間的変化と空間的な変化とを同時に観測可能な分光素子アレイ及びこれを備えた分光画像測定装置並びに分光画像測定方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an element 3 of a structure separated vertically and laterally by an insulation member 2a in units of elements, wells and circuits is formed, and which has a high separation breakdown strength and further can be manufactured at low cost without using a SOI substrate; and its manufacturing method.例文帳に追加

素子、ウェル、および回路単位で縦横方向が絶縁部材２ａで分離された構造の素子３が形成された半導体装置において、高い分離耐圧を有し、さらにＳＯＩ基板を使わずに低コストで製造できる半導体装置、および、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a supply side passage material which is capable of reducing the pressure loss of the supply side passage and which is hard to cause problems such as inhibition and clogging of the flow of the supply side passage, to provide a manufacturing method thereof and to provide a spiral type separation membrane element using the supply side passage material.例文帳に追加

供給側流路の圧力損失を低減でき、しかも供給側流路の流れの阻害や閉塞の問題がより生じにくい供給側流路材およびその製造方法、並びに当該供給側流路材を用いたスパイラル型分離膜エレメントを提供する。 - 特許庁

The catalyst separation method includes a step (I) of preparing the hydride by a hydrogenation reaction of rubber latex in the presence of the platinum group element-containing catalyst, and a step (II) of mixing a counter ion of a platinum group element, an oxidizing agent and a reaction mixture obtained at the step (I) to oxidize the reaction mixture so that the platinum group element-containing catalyst contained/insolubilized in the reaction mixture is redissolved.例文帳に追加

白金族元素含有触媒の存在下におけるゴムラテックスの水素化反応により水素化物を調製する工程（Ｉ）、及び上記工程（Ｉ）で得られた反応混合物と該白金族元素の対イオンと酸化剤とを混合して酸化処理することにより該反応混合物中に含まれる不溶化した白金族元素含有触媒を再溶解させる工程（ＩＩ）を含むことを特徴とする触媒分離方法に関する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor and its manufacturing method, capable of improving light receiving characteristics such as low illuminance characteristics, by implanting impurity ion in the part where the silicon lattice structure of a trench inner wall in an element separation region is damaged, to prevent a photodiode from being damaged, for protecting the surface of a photodiode region.例文帳に追加

素子分離領域のトレンチ内壁のシリコン格子構造が損傷された部分に不純物イオンを注入してフォトダイオードが損傷されるのを防止してフォトダイオード領域の表面を保護し、低照度特性などの受光特性を向上させることができるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a spiral membrane element constituted so as to enhance the adhesion among a separation membrane, a supply side flow channel material and a permeation side flow channel material, wherein a resin is hardly peeled in the sealing parts provided to both end parts in the axial direction thereof even if reversal washing operation is repeated, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

巻回体内部で分離膜と供給側流路材と透過側流路材の密着性を高めると共に、逆洗運転が繰り返し行われる場合でも、軸方向両端部に設けられた封止部で樹脂が剥離しにくいスパイラル型膜エレメント、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the membrane washing method, membrane washing particles 4 in which each surface is hydrophilized, and has ruggedness of ≥100 μm are charged inside a bioreaction tank 1, are made to flow by the air lift effect of bubbles jetted from a diffuser 3, and are made to scratch off depositions on the surface of a separation membrane element 2.例文帳に追加

請求項１の発明は、表面が親水化されており、表面の凹凸が１００μｍ以上である膜洗浄粒子４を生物反応槽１中に投入し、散気装置３から噴出する気泡のエアリフト効果により流動させ、分離膜エレメント２の表面の付着物を掻き取らせる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents an outbreak of a chipping or unauthorized cleavage and makes an element separation at a high yield when the semiconductor device having a wurtzite type crystal structure having relatively low Mohs hardness such as a ZnO-based crystal and the like is cut into individual pieces from a wafer state to a chip state.例文帳に追加

ＺｎＯ系結晶等の比較的モース硬度の低いウルツ鉱型の結晶構造を有する半導体装置をウエハ状態からチップ状態に個片化する際にチッピングや不正劈開の発生を防止して、高歩留りで素子分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a storage node formation method for a semiconductor device capable of uniformly maintaining capacitor capacitance and improving the reliability of an element by minimizing the loss difference of a conductive film at the center part and peripheral part of a cell area generated by an etch- back process at the time of separation of a storage node 26.例文帳に追加

ストレージノード２６の分離時にエッチバック工程によって発生するセル領域の中央部と周辺部の導電膜が損失差異を最小化させることによって、キャパシタ容量を均一に維持でき、素子の信頼性を向上させることができる半導体装置のストレージノード形成方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a laser element includes: an overlapping step of alternately overlapping a laser bar and a spacer; a film formation step of forming a dielectric film on the laser bar and the spacer; and a separation step of separating the laser bar and the spacer by allowing the laser bar and the spacer to slide relative to each other.例文帳に追加

本願の発明に係るレーザー素子の製造方法は、レーザーバーとスペーサを交互に重ねる重ね合わせ工程と、該レーザーバーと該スペーサに誘電体膜を形成する成膜工程と、該レーザーバーと該スペーサとを相互にスライドさせて該レーザーバーと該スペーサを分離する分離工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The method for measuring the element distribution in a depth direction has a process for adding an alkali metal to the surface of the sample, a process for irradiating the measuring region of the surface of the sample with primary ions comprising alkali metal ions and a process for performing the mass separation of secondary ions discharged from the measuring region by irradiation with primary ions and measuring the discharged quantity of specific secondary ions to analyze the element distribution.例文帳に追加

試料の表面にアルカリ金属を含有させる工程と、前記アルカリ金属のイオンよりなる一次イオンを前記試料の表面の測定領域に照射する工程と、前記一次イオンの照射により前記測定領域から放出された二次イオンを質量分離し、特定の二次イオンの放出量を測定して元素分布を分析する工程とを有する深さ方向元素分布測定方法によって解決する。 - 特許庁

With a projection 106a, remaining at the upper end part of the boarder part between the insulation separation groove 104 and an active element 105 region, a second insulation film 108 formed by the bias ECR-CVD method is deposited by a film-thickness of equal almost to the height of the projection 106a, so that the projection 106a is eliminated for complete planarization over the entire wafer surface.例文帳に追加

この時絶縁分離溝１０４とアクティブ素子１０５領域の境界部に上端部に突起１０６ａが残留するが、さらにバイアスＥＣＲ−ＣＶＤ法で形成された第２の絶縁膜１０８を、突起１０６ａの高さと同程度の膜厚で堆積させることにより、突起１０６ａを無くしウェハー全面を完全平坦化する。 - 特許庁

A separation method includes: an oxidation treatment step of obtaining an oxidized raw material by applying oxide treatment; a carbon source mixing step of mixing a carbon source; and a heat treatment step of heat-treating in a chlorine atmosphere after the oxidation treatment step and the carbon source mixing step, with respect to the raw materials containing the rare earth elements and the metal element other than the rare earth elements.例文帳に追加

希土類元素と当該希土類元素以外の金属元素とを含む原料に対して、酸化処理を行うことで酸化された原料を得る、酸化処理工程と、炭素源を混合する、炭素源混合工程と、酸化処理工程及び炭素源混合工程の後に塩素雰囲気下で加熱処理する、加熱処理工程とを行う方法とする。 - 特許庁

A luminescence layer, an electron transportation layer 13 and a cathode are uniformly deposited by a vacuum deposition method, the developer used for the separating barrier ribs is removed by transfer after deposition, a layered product of the luminescence layer, an electron transportation layer 13 and a cathode is selectively removed together, and picture element formation is made after luminescence pattern formation and cathode separation.例文帳に追加

次いで、真空蒸着法により発光層、電子輸送層、陰極を一様蒸着し、その蒸着後、分離隔壁に用いた現像剤を転写により取り去ることにより、発光層、電子輸送層、陰極の積層体も一緒に選択的に除去して、発光パターン形成、陰極分離を行って、画素形成を行う。 - 特許庁

For the method of increasing the degree of separation of reflected light of the bilateral optical-fiber element 10 equipped with an input optical fiber 14, an output optical fiber 15, an optical fiber pigtail 11, a collimator 12, and a 1st thin film 13, a 2nd thin film 16 is installed in a pass through which a reflected light beam of 2nd wavelength travels.例文帳に追加

本発明の双光ファイバ素子１０の反射光の分離度を高める方法は、入力光ファイバ１４と、出力光ファイバ１５と、光ファイバ・ピグテール１１と、コリメータ１２と、第一薄膜１３とを備える双光ファイバ素子１０のものであって、反射された第二波長の光線が経由するパスに第二薄膜１６を設置する。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride semiconductor element by dividing a semiconductor wafer where a nitride semiconductor is formed on a substrate includes: a step for forming a separation part where the semiconductor wafer is partially thin by removing a part of the nitride semiconductor; a step for forming a break line in the substrate by irradiating the separation part internally with a laser beam; and a step for dividing the semiconductor wafer along the break line.例文帳に追加

本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記窒化物半導体の一部を除去して、前記半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い分離部を形成する工程と、前記分離部内にレーザーを照射して、前記基板の内部にブレイク・ラインを形成する工程と、前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a silicon single crystal wafer that simply and effectively reduces minute waviness in a nanotopography region existing on the surface of a general (mirror surface-polishing) silicon wafer, reduces the manifestation of film thickness irregularity of a thin film by the CMP polishing treatment, and has improved nanotopography flatness where reduction in performance in the CMP process is not induced when performing the STI device element separation method.例文帳に追加

ＳＴＩデバイス素子分離手法を実施するに際し、一般のミラー（鏡面研磨）シリコンウエハ表面に存在するナノトポグラフィー領域の微小うねりを簡易に、かつ、有効に減少させ、前記ＣＭＰ研磨処理により形成する薄膜の膜厚ムラの発現を減少させ、ＣＭＰ工程におけるパフォーマンス低下を誘引することがないナノトポグラフィー平坦性が改善されたシリコン単結晶ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic compound such as dimethylzinc and a gas element compound such as oxygen are used for starting materials, which are dissociated and ionized by non-resonant multiple photon absorption not through an intermediate level by emission of an excimer laser 21, and impurities are separated from the ionized elements by the mass separation method using an electromagnetic field 55 to deposit only the prescribed ionized elements onto a target 61.例文帳に追加

ジメチル亜鉛などの有機化合物及び酸素などの気体元素化合物を出発原料として、エキシマレーザー２１照射により中間準位を経ない非共鳴の多光子吸収により解離及びイオン化し、イオン化された元素を電磁場５５による質量分離法により不純物を分離して所定のイオン化元素のみをターゲット６１上に堆積させる。 - 特許庁

The method includes a step of forming the element separation groove 2 having a crystal orientation different from that of a surface of the semiconductor substrate 1 in the semiconductor substrate 1, a step of depositing a metal 3 accelerating generation of an oxygen radical or a film containing the metal 3 on the semiconductor substrate 1, a step of oxidizing the semiconductor substrate 1, and a step of removing the metal or the metal-containing film.例文帳に追加

半導体基板１に半導体基板１表面とは異なる結晶面方位有する素子分離溝２を形成する工程と、半導体基板１上に酸素ラジカル発生を促進する金属３又は酸素ラジカル発生を促進する金属３を含む膜を堆積する工程と、半導体基板１を酸化する工程と、金属または金属を含む膜を除去する工程とを有する。 - 特許庁

The method for producing a transition metal hydroxide comprises the step of obtaining slurry containing a precipitate component mainly consisting of a transition metal hydroxide by bringing a solution containing a transition metal element into contact with an alkali, the step of obtaining a wet cake by feeding the slurry obtained by the preceding step into a filter press where solid/liquid separation is effected by filtration and press dewatering, and the step of drying the wet cake obtained by the preceding step.例文帳に追加

遷移金属元素を含む溶液をアルカリと接触させることにより遷移金属水酸化物を主成分とする沈殿物成分を含むスラリーを得る工程と、該工程で得られたスラリーをフィルタープレスに供給し、ろ過および圧搾脱水により固液分離してウェットケークを得る工程と、該工程で得られたウェットケークを乾燥する工程と、を有する遷移金属水酸化物の製造方法。 - 特許庁

To solve problems in the conventional measurement method of an oxygen ion amount implanted to a SIMOX (separation by implanted oxygen) substrate that the desired thickness of a BOX (buried oxide film) layer and of an active layer in a final SIMOX product cannot be obtained because the amount of monitored element or over is implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明はＳＩＭＯＸ基板の酸素イオン注入量の測定に関し、通常ファラデーカップを用いるイオン注入量のモニター方法は、照射されるイオン全てが電荷を有していることが前提であり、イオン照射工程中の異常（例えば真空度の低下，異常放電等）により、電荷を有しない電気的に中性な元素の状態で照射された場合はファラデーカップ法では測定できない。 - 特許庁