「element width」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The width W1 of a curve 3 of the piezoresistance element R where the flow direction of a current is different from the direction of stress to applied pressure is made larger than the width W2 of the position (straight part 4) of the piezoresistance element R where a current flows almost in parallel to the stress.例文帳に追加

電流の流れる方向が印加圧力に対する応力の方向と異なるピエゾ抵抗素子Ｒの湾曲部３の幅寸法Ｗ１を、応力と略平行な方向に電流が流れるピエゾ抵抗素子Ｒの部位（直線部４）の幅寸法Ｗ２よりも大きく形成する。 - 特許庁

Furthermore, whether the pulse width of the pulsed light received by a light-receiving element 13 coincides with the pulse width irradiated by the light-emitting device 12 is determined by a pulse width detection circuit 16; and if it is determined that it does not coincident, it is determined that the detection light has misdetected external disturbance light.例文帳に追加

さらに、受光素子１３にて検知されたパルス光が、発光素子１２から照射されるパルス幅に一致するか否かをパルス幅検知回路１６によって判定し、一致しない場合にはその検知光が外乱光を誤検知したものであると判定する。 - 特許庁

A light-receiving element block 5 is so worked that its length is L-α against L of a light-receiving element, its width being equal to W of the light-receiving element, and its height is a prescribed value which satisfies relationship with a light-emitting part 3a of a light-receiving part 4a in terms of height.例文帳に追加

受光素子ブロック５を、長さは受光素子のＬ対してＬ−αに、幅は受光素子のＷと等しく、高さは受光部４ａの発光部３ａとの高さ関係が所定の値になるような寸法に加工しておく。 - 特許庁

To provide a semiconductor element and a method of forming the element, in which an area for an active region in a semiconductor substrate is easily assured, a resistance of a stored electrode contact is reduced, and a line width of the semiconductor element is also efficiently reduced.例文帳に追加

半導体基板で活性領域の面積の確保が容易であり、格納電極コンタクトの抵抗を減少させることができ、半導体素子の線幅を効果的に減少させることができる半導体素子及びその形成方法の提供。 - 特許庁

In the manufacturing method of this surface heating element, the surface heating element 6 is obtained by removing only the metallic thin foil 1 of the prescribed width along the outer edge of the metallic thin foil 1 which becomes the surface heating element 6 by means of the etching treatment.例文帳に追加

面状発熱体６となる金属薄箔１の外縁に沿った所定巾の金属薄箔１のみを前記エッチング処理により前記基板部２上から除去することで前記面状発熱体６を得る面状発熱体の製造方法。 - 特許庁

The spherical rolling elements B after the sphericity processing and the global rolling element A are mounted on a first conveyance chute 2 and are conveyed, and both of the rolling elements A, B are sorted by utilizing the difference between a diameter D of the spherical rolling element B and a width W of the global rolling element A.例文帳に追加

真球加工後の真球転動体Ｂと球状転動体Ａを、第一搬送シュート２上に乗せて搬送し、真球転動体Ｂの径Ｄと球状転動体Ａの幅Ｗとの差を利用して、両転動体Ａ，Ｂを選別する。 - 特許庁

A baffle plate 18 extending in the axial direction of the valve element 11 is arranged in the valve element 11 in such a manner that gaps 18a are defined between both side edge of the baffle plate 18 in the width direction thereof and an inner peripheral wall surface of the peripheral wall of the valve element 11.例文帳に追加

弁体１１内に、弁体１１の軸方向に延在する邪魔板１８が、邪魔板１８の板幅方向両側の各側縁と弁体１１の周壁部の内周面との間に隙間１８ａを生ずるように設けられる。 - 特許庁

Each metal element 60 provides a pair of pulley contact surfaces 82 at a section including a thickness-directional middle section with both side faces in the width direction of facing a pair of pulley elements organizing a pulley on both side faces in the width direction.例文帳に追加

各金属エレメント６０は、幅方向両側面に、プーリを構成する一対のプーリ要素と対向する幅方向両側面の、厚さ方向中間部を含む部分に、一対のプーリ接触面８２を設ける。 - 特許庁

A length of the power supply path 30 is adjusted so as to secure a phase difference between emission from the dipole element 10 and emission from the power supply circuit, and the half width of horizontal plane directivity is made 90° or smaller in the electric field half width.例文帳に追加

この給電線路30の長さを、ダイポール素子10からの放射と給電回路からの放射との間に位相差をつけるように調整し、水平面指向性の半値幅を電界半値幅で90°以下とする。 - 特許庁

To provide a pulse width measuring apparatus for measuring a pulse width more accurately by an inexpensive circuit structure without using any high-sped clock signal obtained by multiplying a reference clock signal or any element of poor temperature characteristics.例文帳に追加

本発明は、基準クロック信号を逓倍した高速クロック信号や温特の悪い素子を使用することなく、安価な回路構成で、より正確にパルス幅を測定できるパルス幅計測装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pulse width adjustment device capable of precisely adjusting the pulse width of a clock without being affected by a change in temperature or voltage or the delay quantity of a circuit element.例文帳に追加

この発明は、パルス幅調整装置に関し、温度や電圧の変化、回路素子の遅延量に影響されずに、クロックのパルス幅を正確に調整することのできるパルス幅調整回路を提供することを課題とする。 - 特許庁

Since a pair of measuring sensor elements 2A constitute the Fabry-Perot etalon, a full width at a half maximum of a transmission spectrum of light transmitted from the measuring sensor element can be made narrower than a full width at the half maximum of a conventional reflection spectrum.例文帳に追加

一対の測定用センサ素子２Ａがファブリペローエタロンを構成することになるため測定用センサ素子から透過される光の透過スペクトルの半値全幅を従来の反射スペクトルの半値全幅より狭くできる。 - 特許庁

The solid imaging element also has a plurality of layered leads with a first width part wider than the predetermined interval, whose end is formed of a second width part narrower than the predetermined interval.例文帳に追加

この固体撮像素子には、所定の間隔より広い幅である第１の幅部を有し、さらに、端部が、所定の間隔より狭い幅である第２の幅部で形成された複数のリードの各々が積層されている。 - 特許庁

A pulse width control circuit 24 controls the pulse width of a control signal Sc by comparing a value Ds obtained adding the waveform value to the output voltage value DVo with a reference value Dr and exerting on/off-control of the switch element SW.例文帳に追加

そして、パルス幅制御回路２４は、出力電圧値ＤＶｏに波形値を加算した値Ｄｓと基準値Ｄｒとを比較してスイッチ素子ＳＷをオンオフ制御する制御信号Ｓｃのパルス幅を制御する。 - 特許庁

In the control method of the scanning motor, the vibration width of the rotor 201 is detected based on a signal level obtained from the Hall element 203 and energy applied to the coil 202 is varied to sustain a constant vibration width.例文帳に追加

本発明のスキャンモータの制御方法は、ホール素子２０３より得られた信号レベルからロータ２０１の振動幅を検出し、一定の振動幅になる様にコイル２０２に与えるエネルギー量を可変させるものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which can suppress the generation of its kink and emit its laser beam having a desired horizontally radiating angle, by specifying the width of its ridge, i.e., the width of its stripe and the thickness of its current blocking layer.例文帳に追加

リッジ幅すなわちストライプ幅および電流阻止層厚を規定することによってキンクの発生の抑制および所望の水平放射角のレーザ光を発射可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To prevent a groove near the terminal edge part thereof from being dropped rather than the upper surface of a substrate at the upper part of a trench element isolating region and to form the groove of width narrower than opening width formable in a resist pattern.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域の上部における溝の端縁部の近傍が基板上面より落ち込むのを防止するとともに、レジストパターンにおける形成可能な開口幅以下の幅の溝を形成する。 - 特許庁

The processing method for piezoelectric element by a cutting device includes a first slicing process for slicing the piezoelectric element at a plurality of times in a first direction in a predetermined width at a predetermined interval, and a second slicing process for slicing the piezoelectric element at a plurality of times, in a second direction that is orthogonal to the first direction in a predetermined width at a predetermined interval.例文帳に追加

切削装置による圧電素子の加工方法であって、圧電素子を第１の方向に所定の幅及び所定の間隔で複数回スライスする第１スライス工程と、圧電素子を第１の方向と直交する第２の方向に所定の幅及び所定の間隔で複数回スライスする第２スライス工程とから構成される。 - 特許庁

A voltage pulse is applied to the heating element 2d by the control section 23a increasing the determined voltage pulse width data by "4" in the case that a temperature rise near the heating element 2d is lower than 1°C in 0.5 s when applying the voltage pulse of the determined voltage pulse width to the heating element by the control section 23a.例文帳に追加

そして、決定された電圧パルス幅データの電圧パルスを制御部２３ａにより発熱体２ｄに印加した際に、発熱体２ｄ近傍の温度上昇が０．５ｓｅｃ内に１℃未満である場合には、決定された電圧パルス幅データを「４」だけ増加させて制御部２３ａにより発熱体２ｄに電圧パルスを印加する。 - 特許庁

This method is provided with a process for forming a lower conductive element 14, having a lower contact block 18 equipped with width which is not essentially wider than the adjacent block of the lower conductive element 14.例文帳に追加

本方法は、下側伝導性要素１４の隣接区分２２の幅よりも本質的に広くない幅を備える下側コンタクト区分１８を有する下側伝導性要素１４を形成する工程を含む。 - 特許庁

Additionally, the cMUT includes at least one element formed in the gap, where the at least one element is arranged to provide a second gap width between the diaphragm and the lower electrode.例文帳に追加

加えて、ｃＭＵＴは間隙内に形成した少なくとも一つの要素を含み、この少なくとも一つの要素が隔膜と下部電極の間に第２の間隙幅をもたらすよう配置してある。 - 特許庁

At least one side of the second gate electrode 114b in the gate-width direction is retracted toward the element region side with respect to the second insulating films 113b on the groove-type element separation insulating film 12.例文帳に追加

第２のゲート電極１１４ｂは、ゲート幅方向の少なくとも一方側の端部が溝型素子分離絶縁膜１２上の第２絶縁膜１１３ｂに対して素子領域側に後退している。 - 特許庁

Electrodes 21, 22 are formed on front and rear surfaces of an intermediate part 20 obtained in this way, and the intermediate part 20 on which the electrodes 21, 22 are formed is cut by an element width to obtain the piezoelectric element 1.例文帳に追加

こうして得られた中間部品２０の表裏面に電極２１，２２を形成し、電極２１，２２を形成した中間部品２０を素子巾で切断することにより、圧電素子１を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film element, which controls the width of the (lower) layer of a reverse side of a stacking direction in a layered structure formed on the element forming surface of a substrate.例文帳に追加

基板の素子形成面に形成された積層構造にあって積層される方向とは逆側の（下部の）層の幅をより小さく制御することが可能な薄膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Within a period of time when the endmost heating element is changed, namely within a dot width Wh, the density of the endmost picture element is corrected in accordance of the amount of movement of the side edge of the recording paper 11 in the main scanning direction.例文帳に追加

最端発熱素子が切り替わる期間内、すなわち、記録紙１１の側端縁が１ドット分幅Ｗｈ内で、主走査方向に移動する移動量に応じて最端画素の濃度を補正する。 - 特許庁

The well region of first conductive type intrudes the well area of second conductive type across the element isolation region or intrudes the region of second conductive type by a half of the width of the element isolation region.例文帳に追加

第１導電型ウエル領域は、素子分離領域を越えて第２導電型ウエル領域に入り込んでいるか素子分離領域の幅の半分より第２導電型領域側に入り込んでいる。 - 特許庁

To provide an optical element where the thickness and the phase difference in each area can be made equal and the width of a selective reflection band is adjustable, regarding the optical element constituted by using liquid crystal.例文帳に追加

液晶を用いて構成される光学素子の各領域の厚みや位相差を等しくすることや、選択反射帯域の幅を調整することが可能な光学素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

A thick wall part 13 as a reinforcement part projecting to an inside of a guide rail 1 greater than the minimum width L of the guide rail 1 is formed out of resin as one unit with a rolling element retaining part of the rolling element retainer 9.例文帳に追加

案内レール１の最小幅Ｌよりも案内レール１の内側に突出する補強部としての厚肉部１３を転動体保持器９の転動体保持部と一体に樹脂成形した。 - 特許庁

The width of the electrodes is increased, and the electrodes are formed in line-symmetric patterns, as the electrode interval s is increased to both of the extending parts of the one light-emitting element group and the other light-emitting element group.例文帳に追加

一方の発光素子群と他方の発光素子群との双方の延在部に対し、電極間隔ｓが長くなるにしたがって、その幅を広くするとともに、線対称にパターン形成している。 - 特許庁

The coming-off prevention means (7) includes at least one elastic element working roughly orthogonally to the side walls (2), and an inner width of the accommodating space (4) is at least partially reduced by the elastic element.例文帳に追加

抜け出し防止手段（７）は，側壁（２）に対して略直角に作用する少なくとも一つの弾性素子を具え，該弾性素子が収容スペース（４）の内幅を少なくとも部分的に狭める。 - 特許庁

The island shape is provided such that the island width is made wider toward the center part in the major axis direction with a larger displacement amount according to the displacement amount of the piezoelectric element tip end as the contact point of a piezoelectric element and an island part.例文帳に追加

アイランドの形状が、圧電素子とアイランド部が当接する、圧電素子の先端の変位量に合わせて、変位量が大きい長軸方向の中央部ほどアイランドの幅を広くした。 - 特許庁

If the line width of the element 12 is set as (w), the shielding and enhancing functions are secured when w≤4.λ.e-4.5 and w>4.λ.e-4.5 are satisfied respectively.例文帳に追加

アンテナエレメント１２の線幅をｗとすると、ｗ≦４・λ・ｅ^-4.5のときシールド機能を、ｗ＞４・λ・ｅ^-4.5のとき、エンハンス機能が得られる。 - 特許庁

A molded form 5 in which a capacitor element 2 is packaged is formed in an approximately rectangular parallelepiped having a longitudinal size longer than a width and a height.例文帳に追加

コンデンサ素子２をパッケージしたモールド体５を、その長さ寸法が幅寸法及び高さ寸法よりも長い略直方体状に形成する。 - 特許庁

A constant current is supplied from a P channel FET 14 to the display element 15, and an on/off ratio is controlled with a pulse width control circuit 12.例文帳に追加

表示エレメント１５にＰチャネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４から定電流を供給しパルス幅制御回路１２がオン／オフ比を制御する。 - 特許庁

To provide a high-reliability semiconductor laser element, in which a kink level is improved by cutting of a primary transverse mode without making the ridge width narrow.例文帳に追加

リッジ幅を狭くすることなく、１次横モードをカットオフして、キンクレベルを向上させ、且つ信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The element substrate includes a substrate and two or more transistor elements provided on the substrate and formed such that each gate width is arranged in the same direction.例文帳に追加

基板と、当該基板上に設けられ、互いのゲート幅が同一方向に揃うように形成された複数のトランジスタ素子とを備える。 - 特許庁

The switching power unit is equipped with a comparator circuit 20 which decides the drive pulse width of the switching element TR1 by comparing the smoothed voltage with the sawtooth wave voltage.例文帳に追加

平滑化電圧とのこぎり波電圧とを比較して、スイッチング素子ＴＲ１の駆動パルス幅を決定する比較回路２０を備える。 - 特許庁

The beam width of the antenna elements 1a, 2a is selected to be, e.g. 120 degrees, and the element interval of the antenna elements 1a, 2a is selected to be a value from 0.3 wavelength to 0.7 wavelength.例文帳に追加

アンテナ素子１ａ、２ａのビーム幅を例えば１２０度、素子間隔を０．３波長から０．７波長までのいずれかの値にする。 - 特許庁

The switching power unit includes a main switching element drive circuit 24 which performs pulse width modulation on the basis of output of the error amplifier 44 to output a drive pulse Vg22.例文帳に追加

誤差増幅器４４の出力を基にパルス幅変調し、駆動パルスＶｇ２２を出力する主スイッチング素子駆動回路２４を備える。 - 特許庁

Elements 1a, 1b are formed by blanking a long size metal plate 12 while oppositely arranging head of an element 1 and in two lines in its width direction.例文帳に追加

長尺の金属製の板材１２をエレメント１のヘッドを対向させてその幅方向に２列に打ち抜きエレメント１ａ，１ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has an element peripheral edge portion with a narrow width and having a high electric field relaxing function and high induced electric charge blocking performance.例文帳に追加

素子周縁部幅が狭く、電界緩和機能および誘起電荷遮断性能の高い素子周縁部を備える半導体装置の提供。 - 特許庁

By this structure, the width W1 of the gap in the lower surface of the semiconductor element 2 is maintained constantly, and the properties of filling the gap with a resin is improved.例文帳に追加

この構造により、半導体素子２下面の隙間の幅Ｗ１が一定に保たれ、その隙間への樹脂の充填性が向上される。 - 特許庁

In the compound semiconductor multilayer structure 8 of the semiconductor laser element, the width of its stripe 13 is determined based on the correlation of its laser beam to its horizontally radiating angle.例文帳に追加

化合物半導体多層構造においてストライプ部の幅を、レーザ光の水平放射角との相関関係に基づいて決定する。 - 特許庁

Place another Horizontal Join/Fork element below the Update Account Info and Notify Customer invocation elements and lengthen the bar to span the width of both invocations. 例文帳に追加

別の水平の結合/分岐要素を Update Account Info 呼び出し要素と Notify Customer 呼び出し要素の下に配置し、両方の呼び出しにかかるようにバーを伸ばします。 - NetBeans

Place another Horizontal Fork element below the Update Account Info and Notify Customer invocation elements and lengthen the bar to span the width of both invocations. 例文帳に追加

別の水平の分岐要素を Update Account Info 呼び出し要素と Notify Customer 呼び出し要素の下に配置し、両方の呼び出しにかかるようにバーを伸ばします。 - NetBeans