| 例文 |
element widthの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1529件
The reflection type liquid crystal display element having a liquid crystal layer interposed between a pair of substrates having electrodes is characterized in that a reflection film 13 is electrically isolated by slits 13B to be electric insulation parts having gap t and a plurality of stripe-shaped reflection films 13A having width W are provided in the direction parallel to the scanning electrode direction COM-D.例文帳に追加
一対の電極付き基板間に液晶層が挟持された反射型液晶表示素子であって、反射膜13が間隙tを有する電気的絶縁部であるスリット13Bで電気的に分離され、幅Wを有するストライプ状反射膜13Aが走査電極方向COM−Dに平行な方向に、複数設けられてなることを特徴とする。 - 特許庁
On one wide-width surface 4a between top and reverse surfaces of the belt-like flexible wiring material 4, an output electrode for connection with the electric load 32 is formed, in a region opposed to the electric load and a connection electrode for mounting the circuit element 50 is formed in a region of the flexible wiring material 4, where a conductor is led out of the electric load 32.例文帳に追加
帯状のフレキシブル配線材4の表裏のうちの一方の広幅面4aでは、電気的負荷と対向する領域に、電気的負荷32と接続するための出力用電極が形成されるとともに、フレキシブル配線材4における電気的負荷32から導線が引き出されている領域に、回路素子50を実装するための接続用電極が形成されている。 - 特許庁
In the semiconductor device 1 in which a wiring pattern 11 on a surface of a base plate 10 is electrically connected with a connecting electrode 3 formed on a connection surface of a semiconductor element 2 and made of a conductive material by face-down packaging, the width of a part of the wiring pattern 11b is set such that a fillet-shaped connecting electrode 3b is formed on the wiring pattern 3b.例文帳に追加
基板10面の配線パターン11と半導体素子2の接続面に形成された導電材料から成る接続用電極3とがフェースダウン実装により電気的に接続されている半導体装置1において、一部の上記配線パターン3bの幅が、上記配線パターン3b上にフィレット形状の接続用電極3bが形成されるように設定されている。 - 特許庁
In the semiconductor laser element comprising an active layer, a plurality of conductive clad layers sandwiching the active layer, and a current block layer having an opening above a predetermined stripe region of the active layer formed on a conductive semiconductor substrate, the opening has a width of 10-30 μm and the transverse mode is multi-mode oscillation.例文帳に追加
導電型半導体基板の上に、少なくとも、活性層と、該活性層を挟む複数の導電型クラッド層と、前記活性層の所定のストライプ状領域の上方に開口部を有する電流阻止層とが積層されてなる半導体レーザ素子において、前記開口部の幅が10[μm]〜30[μm]であり、横モードがマルチモード発振であることを特徴とする。 - 特許庁
This semiconductor device 100 includes: a first transistor 200 of n=1 and a second transistor 202 of n=2 or more each of which is a transistor having n trench(es) 162 each formed so that the depth discontinuously changes in a gate width direction; and an element isolation insulation film 110 formed around regions where the respective transistors are formed and isolating the regions where the transistors are formed.例文帳に追加
半導体装置100は、ゲート幅方向に断続的に深さが変化するように形成されたn個のトレンチ162を有するトランジスタであって、n=1の第1のトランジスタ200とn=2以上の第2のトランジスタ202と、各トランジスタが形成された領域の周囲に形成されて当該トランジスタが形成された領域を区分けする素子分離絶縁膜110と、を含む。 - 特許庁
Subsequently, the transition beam marker position of the selected candidate element is moved to the peak position of the spectrum concerned or the peak position is moved to the marker position along an energy axis (S 23) to eliminate or minimize the energy shift of the spectrum peak concerned and energy inspecting width is reduced to again perform qualitative analysis to perform highly accurate elemental identification.例文帳に追加
次いで、該選出候補元素の遷移線マーカー位置を該当するスペクトルのピーク位置に、あるいはピーク位置をマーカー位置にエネルギー軸に沿って移動させることによって、該当するスペクトルピークのエネルギーシフトをなくすか最小限度に抑え、エネルギーシフトをなくすか最小限度にして、且つエネルギー検索幅を狭くして再度定性分析を行い高精度の元素同定を行う。 - 特許庁
To provide a simply and inexpensive display device in which the afterimage of an image laterally uniform with approximately uniform entire lightness can be watched at all times, the lateral display width of the image is enlarged, and further, a special means for adjusting a light emitting interval or time of a light emitting element is not required at all, and a game machine provided with the display device.例文帳に追加
常に左右均一、かつ全体の明るさが略均一な画像の残像を見ることができると共に、画像の左右表示幅を大きくすることができ、しかも、発光素子の発光の間隔や、時間等を調整する特別な手段を一切必要としないシンプル、かつ安価な表示装置及びその表示装置を備えた遊技機を提供することである。 - 特許庁
In a synapse coupling element for coupling neuron elements, a plurality of pulsed signals from different neuron elements N_1-N_4, common modulation (time window integration or pulse phase/width modulation) is applied to a plurality of prescribed signals in a plurality of relevant pulse signals, and the respective relevant modulated pulse signals are respectively outputted to signal lines to different neuron elements M_1.例文帳に追加
ニューロン素子間を結合するシナプス結合素子において、異なるニューロン素子N_1〜N_4からの複数のパルス状信号を入力し、当該複数のパルス信号のうち所定の複数の信号に対して共通する変調(時間窓積分またはパルス位相・幅変調)を与え、変調された当該各パルス信号をそれぞれ異なるニューロン素子M_1への信号線に出力する。 - 特許庁
In this particulate filter for the diesel engine, a nearly elliptical nonwoven fabric 2 of metallic fiber is alternately unevenly bent in plural bent parts 6 along the width direction of the elliptical shape such that each the bent shape is U shape, and the periphery of the nearly cylindrical filter element 3 formed by the bent nonwoven fabric 2 is disposed with an outer cylinder 4.例文帳に追加
略楕円形状をした金属繊維製不織布2を該楕円形状の幅方向に沿った複数の曲げ部6において交互に山谷曲げし、曲げ形状をU字曲げとし、曲げた金属繊維製不織布によって形成される外周が略円柱形状のフィルタエレメント3の外周に外筒4を配置してなることを特徴とするディーゼルエンジン用パティキュレートフィルタ。 - 特許庁
The MEMS element includes a first electrode 12 provided on a substrate 1, a second electrode 16 provided above the first electrode 12 and mechanically driven toward the first electrode 12, and a beam 21A which supports the second electrode in midair, and includes a sidewall part 22 provided at its end in the width direction, the sidewall part having a downward-facing protrusion.例文帳に追加
本発明の例に関わるMEMS素子は、基板1上に設けられる第1の電極12と、第1の電極12上方に設けられ、第1の電極12に向かって機械的に駆動される第2の電極16と、第2の電極16を中空に支え、幅方向の端部に下向きの凸部分を有する側壁部22が設けられている梁21Aと、備える。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can conduct stress relaxation at trench corners without reducing the area of an active region or the transistor width or stably form the resistance of a semiconductor substrate or a well of opposite conductivity type from that of the semiconductor substrate, in element isolation using an STI (shallow trench isolation) method.例文帳に追加
STI法(Shallow Trench Isolation)を用いた素子分離において、トレンチコーナー部の応力緩和を、アクティブ領域の面積及びトランジスタ幅を減少させること無く実施でき、或いは、半導体基板または半導体基板と導電型が逆タイプのウエルの抵抗を安定に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
It starts to oscillate by a ring oscillator 5 constituted of a MOS transistor circuit using input voltage as bias voltage, and when the output voltage reaches specified voltage, it switches the drive signal of a switching element 16 into the output of a PWM control circuit 12 which controls the pulse width by the output voltage, with the output voltage as bias voltage, thereby oscillating it for control.例文帳に追加
入力電圧をバイアス電圧としたMOSトランジスタ回路によって構成のリングオシレータ回路5により起動発振し、出力電圧が所定電圧に到達すると、スイッチング素子16の駆動信号を、出力電圧をバイアス電圧として、出力電圧によってパルス幅制御するPWM制御回路12の出力に切り替え制御発振する。 - 特許庁
This ceramic substrate for semiconductor production and inspection device is provided with a resistance heating element comprising one or more than two circuits having terminals on both ends of the circuit in the inside or the surface of the ceramic substrate, and the line width adjacent to the terminals on both ends of at least one circuit is larger than those of the other circuits.例文帳に追加
セラミック基板の内部または表面に、その両端に端子部を有する1または2以上の回路からなる抵抗発熱体が形成された半導体製造・検査装置用セラミック基板であって、少なくとも1の回路両端の端子部近傍の線幅は、それ以外の部分の回路の線幅より太いことを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。 - 特許庁
The optical element includes a dielectric layer 2 on a principal surface of a light-transmitting substrate 1, and a plurality of projections 11 formed on the dielectric layer 2, the projections having a width smaller than a wavelength of visible light.例文帳に追加
本発明の光学素子は、光透過性の基材1主面上の誘電体層2と、誘電体層2上の、可視光の波長より幅が小さい複数の突起物11と、を備え、突起物11は、誘電体層2上のAlを含んでなる金属層3と、金属層3上に接し、SiO_2、またはSiO_2を含有するサーメットでなるマスク層4と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁
In a ceramic filter element wherein a filter layer comprising ceramics is formed on a substrate comprising a ceramic fiber, the substrate comprises principally a mullite long filter woven by a filament winding method, a pitch between respective adjoining long fiber bundles in a structure of the woven layer is wider than the width of the long fiber bundle, and the porosity of the substrate is 40-70 vol.%.例文帳に追加
セラミック繊維からなる基材にセラミックからなるフィルター層を形成したセラミックフィルターエレメントにおいて、前記基材は主としてフィラメントワインディング法により製織されたムライト長繊維からなり、その製織された層の構造体中における隣り合う各長繊維束間のピッチが長繊維束幅よりも広く、かつ前記基材の気孔率が40〜70容量%であるもの。 - 特許庁
A drive control circuit selects the pulse width of a switching pulse being generated therefrom such that a plurality of switching elements are driven, respectively, by the switching pulse and the amplitude of a basic wave frequency component ('basic wave' in the figure) among the frequency components of a voltage being applied to an inductance element exceeds the total amplitude of harmonic frequency components ('total harmonics' in the figure).例文帳に追加
駆動制御回路の発生するスイッチングパルスにより複数のスイッチング素子がそれぞれ駆動され、その結果、インダクタンス素子に印加される電圧の周波数成分のうち、基本波周波数成分の振幅(図7の「基本波」)が高調波周波数成分の合計振幅(図7の「全高調波」)より大きくなるように、駆動制御回路が、発生するスイッチングパルスのパルス幅を選択する。 - 特許庁
The optical element 30 has a structure configured such that a periodic structure comprising fine irregularities of a grid layer 33 is spatially varied in structure width (a) (while a period Λ is made constant or while a refractive index is made constant), and transmits or reflects the light having the specified wavelength by using the resonant reflection by the fine irregular structure smaller than the wavelength of the incident light.例文帳に追加
本発明の光学素子30は、格子層33の微細な凹凸による周期構造が(周期Λを一定にした状態又は屈折率を一定にした状態で)構造幅aを空間的に変化させた構造を有し、入射する光の波長以下の微細な凹凸構造による共鳴反射を利用して特定の波長の光を透過又は反射させる。 - 特許庁
When performing on a circuit board the input/output impedance matching of approximately lower than 1 Ω relative to the power amplification element for power amplifying the high-frequency signals of 500 MHz or higher, in order to narrow the pattern width of the transmission line being pattern-formed on a pattern wiring layer of the circuit board, a ground layer is additionally formed in a dielectric layer immediately below the pattern concerned.例文帳に追加
500MHz以上の高周波信号を電力増幅する電力増幅素子に対して回路基板上で概ね1Ω未満の入出力インピーダンスマッチングを行う場合に、前記回路基板のパターン配線層にパターン形成される伝送線路のパターン幅が狭まるように、該当パターン直下の誘電体層内にグランド層を追加形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁
Each heating element 9a of a thermal head 9 provided with the black print data DATA 1 or blue print data DATA 2 is thereby driven for the conduction pulse width of a black strobe signal STROBE1 or blue strobe signal STROBE 2 and a two color thermal print medium is fed by means of a receipt motor to start printing on the two color thermal print medium.例文帳に追加
これにより、黒色印字データ(DATA1)又は青色印字データ(DATA2)が出力されたサーマルヘッド9の各発熱素子9aがそれぞれ黒色ストローブ信号(STROBE1)又は青色ストローブ信号(STROBE2)の通電パルス幅だけ駆動されるとともに、二色発色感熱印字媒体がレシートモータの駆動によって紙送りされ、二色発色感熱印字媒体への印字が行われる。 - 特許庁
To solve the problems that an optimum bias resistance value so as to cover a wide frequency range can not be decided because frequency variable width and negative resistance are changed due to the resistance value of bias resistance and a frequency characteristic is further is held in a voltage controlled piezo-oscillator of a circuit configurations where a piezoelectric resonator and a voltage variable capacitive element are serially connected and the connection is grounded through a bias resistor.例文帳に追加
圧電振動子と電圧可変容量素子が直列に接続され、その接続点がバイアス抵抗を介して接地されている回路構成の電圧制御圧電発振器では、周波数可変幅および負性抵抗が前記バイアス抵抗の抵抗値によって変化し、さらに周波数特性を持つため広い周波数範囲をカバーするような最適なバイアス抵抗値を決めることができない。 - 特許庁
The field emission display element includes a gate electrode 110 and an insulation layer 120 formed on a substrate sequentially; a cathode electrode 130 formed on the insulation layer 120 crossing the gate electrode 110; a carbon nanotube 150 formed on the cathode electrode 130 having a smaller width than that of the gate electrode 110; and an auxiliary electrode 140 formed in parallel with the cathode electrode 130.例文帳に追加
電界放出ディスプレイ素子は、基板上に順次形成されたゲート電極110及び絶縁層120と、前記絶縁層120上に形成され、前記ゲート電極110と交差するカソード電極130と、前記カソード電極130上に形成され、前記ゲート電極110の幅より小さい幅を有するカーボンナノチューブ150と、前記カソード電極130と平行に形成された補助電極140とを含む。 - 特許庁
The tuning fork type crystal vibrator element is provided with ESD resistance countermeasure patterns 21 and 22 formed of fine strip type patterns having smaller in line width and interval than wiring patterns 13a and 14a from electrodes 13 and 14 of a base part 10 than those of other electrodes, and the ESD resistance countermeasure patterns 21 and 22 are formed with the same process as for the electrodes 13 and 14.例文帳に追加
基部10の電極13,14から互いに他方の電極に向かって、配線パターン13a,14aよりも細い線幅及び間隔を有する微細な短冊状のパターンから成るESD耐圧対策パターン21及びESD耐圧対策パターン22とを設け、ESD耐圧対策パターン21及び22は、電極13,14と同一の工程で形成される音叉型水晶振動子素子である。 - 特許庁
The diffraction optical element 201 has a relief pattern formed on a surface of thereof, wherein a fine periodic structure 203 having a pitch shorter than the minimum wavelength of working wavelengths is formed on the relief pattern 202, and by changing parameters such as pitch, width and height (or depth) of the fine periodic structure 203, the wavelength dependency of effective refractive index in the fine periodic structure 203 is adjusted.例文帳に追加
本発明は、表面にレリーフパターンが形成されている回折光学素子201において、前記レリーフパターン202上に、使用する波長の最小波長よりも短いピッチを有する微細周期構造203を形成し、該微細周期構造203のピッチ、幅、高さ(または深さ)などのパラメータを変えることにより微細周期構造203における有効屈折率の波長依存性を調整する。 - 特許庁
To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench.例文帳に追加
本発明は、トレンチの底面に流動性の第1の絶縁膜を満たし、第2の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第2の絶縁膜に含まれるフッ素(F;fluorine;フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁
One electrode is provided on a group III-V compound semiconductor-made buffer layer containing boron(B) and phosphorus(P) or arsenic(As) having a smaller forbidden band width than a lower clad layer, and another electrode is provided on a group III nitride semiconductor layer to obtain a group III nitride semiconductor light emitting element having a high light emission intensity and electrodes displaying good Ohmic characteristics.例文帳に追加
一方の電極を下部クラッド層よりも禁止帯幅を小とする硼素(B)とリン(P)または砒素(As)とを含むIII−V族化合物半導体から構成される緩衝層上に設け、他方の電極をIII族窒化物半導体層上に設けることにより、良好なオーミック特性を発揮する電極を備えた高発光強度のIII族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁
In this method of manufacturing an organic LED element formed by forming the organic films at least containing luminescent material on a substrate by laser beam thermal transfer, in the laser beam transfer, the ratio of the strength of a beam strength profile in a vertical section relative to the scanning direction of laser beam at a position corresponding to both ends of a transfer width to the strength thereof at a center part is 0.5 or more.例文帳に追加
少なくとも発光材料を含む有機膜をレーザー熱転写により基板上に形成して有機LED素子を得ることよりなる有機LED素子の製造方法において、レーザー熱転写に際して、レーザー光の走査方向に対して垂直な断面のビーム強度プロファイルにおける、転写幅の両端に対応する位置の強度を、中心部の強度に対する比で0.5以上としたことを特徴とする有機LED素子の製造方法。 - 特許庁
In the ink jet recorder holding an ink jet print head having a plurality of nozzles for ejecting ink drops and driving elements provided for respective nozzles in order to eject ink drops, output of new data transfer signal dclk, image data hdat, latch signal lt, and driving waveform vcom for the driving element is canceled if the width of the driving waveform vcom is smaller than the period of an encoder signal.例文帳に追加
インク滴を吐出する複数のノズルとこれらのノズルからインク滴を吐出するために各ノズルごとに設けられた駆動素子とを有するインクジェット方式のプリントヘッドを保持するインクジェット記録装置であって、前記駆動素子を駆動させるための駆動波形vcomの幅がエンコーダ信号の周期よりも小さい場合、新たなデータ転送信号dclk,画像データhdat,ラッチ信号lt,および駆動波形vcomの出力をキャンセルする。 - 特許庁
The vibration wave driving apparatus is equipped with: a vibrator containing at least a vibrating body on which a protrusion having a spring characteristic is formed; and an electromechanical energy conversion element, the vibrator moving elliptically so as to drive an object in contact with the protrusion, wherein the protrusion is integrally formed with the vibrating body by one member in a partial area of the vibrating body in longitudinal and width directions via a plurality of slits or cutouts.例文帳に追加
少なくとも、バネ性を有する突起部が形成された振動体と電気−機械エネルギ変換素子とを有する振動子を備え、前記振動子の楕円運動によって前記突起部と接触する被駆動体を駆動する振動波駆動装置であって、 前記突起部が、前記振動体の長手方向と幅方向とにおける一部の領域に、複数のスリット又は切り欠きを介して、一つの部材によって前記振動体と一体的に形成されている構成とする。 - 特許庁
In the image indication element, a plurality of the pixel series are aligned over a range greater than the width of a spatial coherence region of lighting luminous flux.例文帳に追加
本発明の画像投影装置は、射出光の位相を制御可能な画素列を配置した表示素子(15)と、有限の空間的可干渉性を有した照明光束で前記画素列を照明する照明光学系(12,14)と、前記画素列からの射出光を被投影面上に結像する投影光学系(14)と、前記被投影面上に形成される前記画素列の像をその短手方向に移動させる走査手段(16)とを備え、前記表示素子は、前記照明光束の空間的可干渉領域の幅以上の範囲に亘り前記画素列を複数列並べて配置していることを特徴とする。 - 特許庁
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