「element width」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide the ASK modulator and ASK modulation method of a microwave band capable of being miniaturized, lowering power consumption and satisfying the modulation characteristics of a D/U, an occupancy band width and an ON/OFF ratio, etc., by using a passive element.例文帳に追加

受動素子を用いることにより小型、低消費電力でかつＤ／Ｕ比、占有帯域幅、オンオフ比などの変調特性を満足できるマイクロ波帯のＡＳＫ変調装置及びＡＳＫ変調方法を提供すること。 - 特許庁

To further improve a driving capacity without increasing an element area, with respect to a lateral MOS with a high driving capacity, wherein the gate width per unit area is increased by forming a plurality of trenches horizontally in a gate length direction.例文帳に追加

ゲート長方向に対し水平に複数本のトレンチを形成することにより単位面積当たりのゲート幅を増大させる高駆動能力横型MOSにおいて、素子面積を増加させずに更に駆動能力を向上させる。 - 特許庁

To compensate for reduction of effective gate width generated by formation of an element region of a flash memory in a transistor forming an SRAM, in a semiconductor integrated circuit device in which the SRAM is included and moreover a flash memory is also mounted.例文帳に追加

ＳＲＡＭを含み、さらにフラッシュメモリを混載される半導体集積回路装置において、ＳＲＡＭを構成するトランジスタにフラッシュメモリの素子領域形成に伴って生じる実効的なゲート幅の減少を補償する。 - 特許庁

Sidewalls 28 are formed on side faces of active regions 16 each having a Fin shape, and thereafter a substrate region 40 surrounded by element separation grooves 29, and large in widths in a channel longitudinal direction and a channel width direction relative to the active region 16 is formed.例文帳に追加

Ｆｉｎ形状の活性領域１６の側面に側壁２８を形成した後、素子分離溝２９に囲まれ、活性領域１６よりチャネル長方向およびチャネル幅方向の幅が広い基板領域４０を形成する。 - 特許庁

The positive terminal 16 and the negative terminal 17 have a plane plate shape, and are fit to the power generation element 10a so that the width direction of each of the terminals 16, 17 is almost parallel to the thickness direction of the outer packaging.例文帳に追加

正極端子１６と負極端子１７はそれぞれ平板形状を有し、かつ各端子１６，１７の幅方向が外装体１５の厚さ方向に略平行となるように発電要素１０ａに取り付けられている。 - 特許庁

The element conduction part 71 and connection part 61 are formed of the same layer as the power line 15, and disposed on one side along the width (Y direction) of the power line 15 across the driving transistor Tdr when viewed vertically to the substrate 10.例文帳に追加

素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 - 特許庁

Then the light emitting element emits light having a light emission width longer than the thickness of the printed circuit board 2 from an upper light emission section 84 through an optical fiber 10 horizontally, i.e. toward an upper light reception section 94 opposed with the printed circuit board 2 interposed.例文帳に追加

すると、光ファイバー１０を介して上部発光部８４からプリント基板２の厚さよりも長い発光幅の光を水平方向に、即ちプリント基板２を介して対峙する上部受光部９４に向けて発光する。 - 特許庁

To further improve driving performance without increasing an element area in a high driving performance lateral MOS capable of increasing the gate width per unit area, by horizontally forming a plurality of trenches with respect to a gate length direction.例文帳に追加

ゲート長方向に対し水平に複数本のトレンチを形成することにより単位面積当たりのゲート幅を増大させる高駆動能力横型MOSにおいて、素子面積を増加させずに更に駆動能力を向上させる。 - 特許庁

To obtain a computer of small-scale constitution which can be realized by a single arithmetic operation element, an instruction fetch having only subinstruction width, and an instruction decoder by executing instructions sequentially in subinstruction units constituting the main instruction.例文帳に追加

メイン命令を構成するサブ命令単位にシーケンシャルに命令を実行することにより、単一の演算器およびサブ命令幅だけの命令フェッチおよび命令デコーダの構成で、実現可能な小規模構成の計算機を得る。 - 特許庁

The CPU 120 corrects an adjustment pattern image on the basis of the conducted stripe element width, rewrites contents of a pattern image memory 107 and instructs an image processing section 108 and a liquid crystal light valve drive section 110 or the like to project an image.例文帳に追加

ＣＰＵ１２０は、導き出したストライプ要素幅に基づき、調整用パターン画像を修正して、パターン画像メモリ１０７の内容を書き換え、画像処理部１０８，液晶ライトバルブ駆動部１１０などに画像投射を指示する。 - 特許庁

To provide a bar code reader and a bar code reading method capable of accurately reading a bar code symbol even if unable to generate a bar code signal wherein the element width of a bar code symbol end is accurately expressed.例文帳に追加

バーコード記号端部のエレメント幅を正確に表したバーコード信号を生成することができない場合であっても、バーコード記号を正確に読み取ることができるバーコード読取装置およびバーコード読取方法を提供すること。 - 特許庁

The projection 12 is preferably set to have a height of 0.3-1.0 mm and a width of 0.3-0.5 mm, considering that a gas meter skeleton 34 and the fluidic element 1 are mass produced by use of metal molds, and they are optionally combined together.例文帳に追加

ガスメータ躯体３４およびフルイディック素子１を金型を用いて量産し、これらを任意に組合せることを考慮して、突起１２の高さは０．３〜１．０ｍｍが好ましく、その幅は０．３〜０．５ｍｍが好ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a variable capacitance capacitive element of MOS type structure capable of increasing the variable width in which variation in capacitance can be suppressed for the applying bias, and its method of manufacturing.例文帳に追加

可変幅を大きく取ることができるＭＯＳ型の構造であって、印加バイアスに対する容量の変化量を小さくすることができる容量可変の静電容量素子を有する半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the distance between the electrocast electrodes 10 and 30 in each semiconductor element 20 is narrower than the width of the dicing line, part of the electrocast electrodes 10 and 30 on the dicing line 70 side is exposed from the resin-sealing body 50.例文帳に追加

また、半導体素子２０毎の電鋳電極１０、３０間隔がダイシングライン幅よりも狭いので、ダイシングライン７０側の電鋳電極１０、３０の一部が樹脂封止体５０から露出することを特徴としている。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor light-emitting element comprises: forming a sacrifice part within a width of a street part of a semiconductor laminate; applying wet etching for removing the sacrifice part together with a peripheral part thereof; and removing an etching residue remaining in the street.例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法は、半導体積層体のストリート部の幅以内に犠牲部を形成し、犠牲部とともにその周囲部分を除去するウェットエッチングを施し、ストリートにあるエッチング残存物を除去する。 - 特許庁

To suppress the occurrence of striped display unevenness in a liquid crystal display element when a film is unreeled from a continuous roll having cutting lines in a width direction of an optical functional film, and the optical functional film and a liquid crystal panel are pasted together.例文帳に追加

光学機能フィルムの幅方向に切込線を有する連続ロールからフィルムを繰り出して、光学機能フィルムと液晶パネルとを貼り合せた際に、液晶表示素子にスジ状の表示ムラが発生することを抑制する。 - 特許庁

To provide a measurement gage for contact width of a rolling element, capable of constituting a punch (an ironing punch) to be used when forming a track groove with excellent accuracy, a punch to be formed by using the gage, and a punch forming method.例文帳に追加

トラック溝を成形する際に使用されるパンチ（しごきパンチ）を精度良く構成することができる転動体接触幅測定ゲージ、転動体接触幅測定ゲージを用いて成形されるパンチ、およびパンチ成形方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a magnetic reproducing head of high output by facilitating removal of the reattachment substance adhering to a track width direction side wall face or an element height direction side wall face of a magneto-resistive effect film in a manufacturing process of the magnetic reproducing head.例文帳に追加

磁気再生ヘッドの製造工程において、磁気抵抗効果膜のトラック幅方向側壁面又は素子高さ方向側壁面に付着した再付着物の除去を容易にし、高出力の磁気再生ヘッドを得る。 - 特許庁

To provide a heat exchanger capable of improving cooling performance by dispersing a medium circulated along an inner fin in a passage of an element in the width direction to approximately uniformly flow, and reducing circulating resistance of the circulated medium.例文帳に追加

エレメントの通路内でインナーフィンに沿って流通する流通媒体を幅方向へ分散させて略均一に流すことができ、流通媒体の流通抵抗を減らして冷却性能を向上できる熱交換器の提供。 - 特許庁

The exposure control part 150 performs first correction of adjusting a light emission time of the semiconductor laser element 51 for each dot by modulating the width of the pulse signal to correct density in a main scanning direction and second correction of further correcting the light emission time of the semiconductor laser element 51 about predetermined dots in each block obtained by dividing the main scanning line into a plurality of pieces.例文帳に追加

そして、露光制御部１５０は、パルス信号の幅を変調することにより半導体レーザー素子５１の発光時間をドット毎に調整して主走査方向での濃度を補正する第１補正と、主走査ラインを複数に分割した各ブロックで、所定ドットについて半導体レーザー素子５１の発光時間をさらに補正する第２補正とを行う。 - 特許庁

In the monitoring apparatus of the deterioration of lubricating oil for transmitting visible light generated from a single light source through lubricating oil, receiving light at a single light detection element, and converting it into electric signals to detect the deterioration of the lubricating oil, a single or a plurality of filters having a prescribed center wavelength and a prescribed half-value width are arranged between the light source and the light-receiving element.例文帳に追加

単一の光源から発生した可視光線を潤滑油に透過させ、単一の受光素子で受光して電気信号に変えて潤滑油の劣化を検知する潤滑油劣化モニター装置において、光源と受光素子との間に、所定の中心波長と半値幅を有する単一又は複数のフィルターを配置する。 - 特許庁

The photoelectric conversion apparatus includes: a first semiconductor region having a first conductivity type arranged between the first photoelectric conversion element and the second photoelectric conversion element; and a second semiconductor region having the first conductivity type that is arranged on a region where the plurality of transistors are arranged and that has a width larger than that of the first semiconductor region of the first conductivity type.例文帳に追加

そして、本発明の光電変換装置は、第１の光電変換素子と第２の光電変換素子との間に配された第１導電型の第１の半導体領域と、複数のトランジスタが配された領域に配された、第１導電型の第１の半導体領域よりも幅が広い、第１導電型の第２の半導体領域を有する。 - 特許庁

When a voltage detecting circuit VD detects the application voltage applied to the exciting winding having amounted to set voltage Vr or over, a pulse width modulation control circuit PWM' outputs a control signal Sc for controlling a switching element SW so as to limit the voltage V to be applied to the exciting windings to set voltage Vr to the switching element SW.例文帳に追加

励磁巻線に印加される印加電圧Ｖが設定電圧Ｖｒ以上になったことを電圧検出回路ＶＤが検出すると、パルス幅変調制御回路ＰＷＭ´は励磁巻線に印加する電圧Ｖを設定電圧Ｖｒに制限するようにスイッチング素子ＳＷを制御する制御信号Ｓｃをスイッチング素子ＳＷに出力する。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine metallic pattern of a semiconductor element, based on a damascene technique which can ensure broad width of a metallic layer for improving the operational speed of the element and can easily control steps by etching only the metal layer without etching the metallic layer, anti-diffusion layer and bonding layer at the same time.例文帳に追加

金属膜の幅を広く確保可能として素子の動作速度を向上させることができ、従来のように金属膜，拡散防止膜及び接着膜を同時に蝕刻せずに、金属膜のみを蝕刻することにより工程を容易に制御可能である象嵌技法を利用した半導体素子の微細金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

As to the film thickness in the magnet element 10 of the outermost peripheral side, the side face may be made thicker than the upper face or the upper face may be made thicker than the side face while securing the sufficient film thickness by adequately setting the width and the height of the dummy work 30 and the space between the dummy work and the magnet element 10 of the outermost peripheral side.例文帳に追加

また、ダミーワーク３０の幅、高さ、ダミーワーク３０と最外周の磁石素体１０の間隔を適切に設定することで、最外周側の磁石素体１０における被膜の厚さを、上面よりも側面が厚いもの、あるいは十分な膜厚を確保しつつ、側面よりも上面が厚いものとすることもできる。 - 特許庁

The light of the laser beam source 6 is, according to the pulse intensity and pulse width of the modulation pulses i from the modulation pulse generation circuit 21 inputted to the light quantity modulation driver 7, light quantity modulated in the light quantity modulation element 5, beam-formed in the beam shaping element 3, converged by the pickup 2 and emitted onto the optical disk master disk 1.例文帳に追加

レーザ光源６の光は、光量変調ドライバ７に入力される変調パルス発生回路２１からの変調パルスｉのパルス強度とパルス幅にしたがって、光量変調素子５で光量変調され、ビーム整形素子３でビーム成形されてピックアップ２で集光されて光ディスク原盤１上に照射される。 - 特許庁

Related to the method for manufacturing a semiconductor storage device having a self-align source structure, a process in which an almost linear element separation region, passing through the source region and the gate region, is formed on a silicon substrate, comprises a process in which the width of element separation region of the source region is formed narrower than that of the gate region.例文帳に追加

セルフアラインソース構造を有する半導体記憶装置の製造方法において、シリコン基板上にソース領域とゲート領域とを通る略直線状の素子分離領域を形成する分離領域形成工程が、ソース領域の素子分離領域の幅を、ゲート領域の素子分離領域の幅より狭く形成する工程を含む。 - 特許庁

The actuator comprises a piezoelectric element 300 consisting of a lower electrode film provided on a substrate, a piezoelectric layer 70 provided on the lower electrode film, and an upper electrode film 80 provided on the piezoelectric layer 70 wherein the ratio between the thickness and the width of each crystal grain in the piezoelectric layer 70 constituting the piezoelectric element 300 is in the range of 1-100.例文帳に追加

基板上に設けられる下電極膜と、下電極膜上に設けられる圧電体層７０と、圧電体層７０上に設けられる上電極膜８０とからなる圧電素子３００を具備し、且つ圧電素子３００を構成する圧電体層７０の各結晶粒の厚さと幅との比が１以上１００以下であるようにする。 - 特許庁

A self arc-extinguishing semiconductor switching element is connected in reverse parallel with the diode of a normal converter constituting each single phase of inverter unit so as to constitute a 120° circulation converter, and this inverter device generates a 120° circulation width signal synchronized with input voltage thereby controlling each self arc-extinguishing semiconductor switching element of each phase inverter unit.例文帳に追加

各単相インバータユニットを構成する順変換部のダイオードと逆並列に自己消弧形半導体スイッチング素子を接続して１２０°通流コンバータとし、入力電圧に同期した１２０°通流幅信号を生成して各単相インバータユニットの各自己消弧形半導体スイッチング素子を制御することで回生を可能としたものである。 - 特許庁

Rows of elements 14a, 14b are composed each by arranging a plurality of ultrasonic oscillators along the width direction so as to form element gaps 20 with prescribed intervals and the ultrasonic oscillators 13 forming the second row of the elements 14 are positioned at the points corresponding to the element gaps 20 of the first row of the elements 14a.例文帳に追加

所定間隔の素子間隙２０を形成するように、複数の超音波発振素子を、ガラス基板１０の幅方向に沿って配列して素子列１４ａ・１４ｂを形成し、さらに、第１列目の素子列１４ａの素子間隙２０に対応する位置に、第２列目の素子列１４を形成する超音波発振素子１３を配置している。 - 特許庁

In the CPP type thin film magnetic head wherein a thin film magnetic head element is provided between a lower shield layer and an upper shield layer and a current flows vertically to the film surface of the thin film magnetic head element, a plurality of division parts magnetically divided in a track width direction are provided in at least one of the lower shield layer and the upper shield layer.例文帳に追加

下部シールド層と上部シールド層の間に薄膜磁気ヘッド素子を備え、該薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して垂直に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、下部シールド層及び前記上部シールド層の少なくとも一方に、トラック幅方向に磁気的に分断された複数の分割部を備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetic detecting element comprises the steps of laminating a ferromagnetic layer 19 and a second antiferromagnetic layer 20 on the nonmagnetic layer 18 formed in a predetermined thickness, then digging out the layer 20 to form a recess 22, and thereby forming the magnetic detecting element in which the free magnetic layer 17 can be surely formed in a single domain in the track width direction.例文帳に追加

一定の厚さで形成されている非磁性層１８上に、強磁性層１９及び第２反強磁性層２０を積層した後、第２反強磁性層２０を掘り込んで凹部２２を形成することによって、フリー磁性層１７をトラック幅方向に確実に単磁区化できる磁気検出素子を形成することができる。 - 特許庁

To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.例文帳に追加

ロコス（LOCOS）工程やエス・ティー・アイ（Shallow Trench Isolation：STI）工程時にソース／ドレインの漏洩電流（leakage current）発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ（Refresh）特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）、接合Ｌ／Ｃ及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a control circuit 8 switches a level of one end of the resistor R11 to Low or High corresponding to a load amount of a load 10 to change a width of the ripple to increase the width of the ripple when the load amount of the load 10 is small to reduce an opportunity of turning on the element 6, thereby decreasing the power 7 to be consumed therein.例文帳に追加

このとき、制御回路８は、負荷１０の負荷量に対応して抵抗Ｒ11の一端のレベルをＬｏｗないしＨｉｇｈに切り替えることにより前記リップルの幅を変え、負荷１０の負荷量が小さい場合にはリップルの幅を大きくしてスイッチ素子６がオンとなる機会を少なくし、これにより直流電源７が内部で消費する電力を低減する。 - 特許庁

In this spin-valve thin film magnetic element, the free magnetic layer has, in the surface on the opposite side as to the direction toward a disposed fixed magnetic layer, the groove provided with a track groove, whose width is equal to the track width, and flat parts on both sides thereof.例文帳に追加

本発明は、スピンバルブ型薄膜磁気素子であり、フリー磁性層は、記固定磁性層の配置されている方向と反対側の面にトラック幅に相当する幅のトラック溝が設けられた溝部と、その両側の平坦部とを有し、バイアス層は、フリー磁性層の両平坦部上に配置されるとともに、反強磁性層およびバイアス層は、以下の組成式の相互に異なる合金からなる。 - 特許庁

To provide a washing method of semiconductor substrate for enabling delicate washing process, only with simplified dillution by water in accordance with the size of wiring width and amount of deposition, of the semiconductor substrates in different sizes of the wiring width having excellent deposition peeling property and corrosion-proof characteristic of wires, and also to provide a method of manufacturing a semiconductor substrate or semiconductor element utilizing the same washing method.例文帳に追加

配線幅のサイズやデポの量に併せて簡便に水にて希釈するだけで、デポ剥離性及び配線防食性に優れ、かつ配線幅のサイズの異なる半導体基板をきめ細やかに洗浄処理することが可能な半導体基板の洗浄方法、該洗浄方法を用いる半導体基板又は半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a high output magnetoresistive sensor by suppressing the generation of a lift-off residue of a resist mask and a fence and facilitating the removal of a reattachment attached to the track width direction side wall face or the element height direction side wall face of a magnetoresistive effect film.例文帳に追加

レジストマスクのリフトオフ残りやフェンスの発生を抑え、磁気抵抗効果膜のトラック幅方向側壁面又は素子高さ方向側壁面に付着した再付着物の除去を容易にすることにより、高出力の磁気抵抗センサを提供する。 - 特許庁

This pulse width modulated type power converter has a phase current detector which detects a current flowing to the switching element, and at least two phases of switching elements are turned on at all times, and this can detect a current with arbitrary timing.例文帳に追加

本発明のパルス幅変調型電力変換装置においては、スイッチング素子に流れる電流を検出する相電流検出部を有し、少なくとも二相のスイッチング素子が常時オンし、任意のタイミングで電流検出可能とする。 - 特許庁

In such a case, parts to be locked 81c are provided at both side parts in the width direction of the flexible board 81, and also locking parts 84a locking the parts to be locked 81c via the flexible board 81 are provided in the Hall element holding frame 84.例文帳に追加

その際、フレキシブル基板８１の幅方向の両側部に被係止部８１ｃを設けるとともに、ホール素子保持枠８４にフレキシブル基板８１を挟んだ状態で被係止部８１ｃを係止する係止部８４ａを設ける。 - 特許庁

In a multidomain VAN(vertically aligned nematic) mode, the liquid crystal display device is characterized by partly varying height and width of a furrow-shaped structural body (7), which is to become an element for domain division forming, by heightening the height and by locating the varied part in the vicinity of a pixel edge.例文帳に追加

マルチドメイン型ＶＡＮにおいて、ドメイン分割するための形成要素となる畝状構造体（７）の高さや幅を部分的に変化させたり、高さを高くしたり、変化させた部分を画素エッジ近傍に位置させることを特徴とする。 - 特許庁

A laminated band element with a maximum width of 5 mm comprises at least one flexible graphite film 1 with a maximum thickness of 1 mm and a bulk density from 0.7 to 1.8 g/cm3, and at least one metal film 3 with a thickness from 5 to 50 μm and a minimum tensile strength of 250 MPa.例文帳に追加

積層材の帯材は最大で５ｍｍの幅を持ち、可撓性グラファイト１の少なくとも１枚の層と、少なくとも２５０ＭＰａの引っ張り強度を持つ金属フィルム３の少なくとも１枚の層とから構成されている。 - 特許庁

To assure the reproducibility of a process by easily forming an element isolation film in a trench having a narrow width, wherein a void is formed at a location lower than a substrate surface so that the void does not affect subsequent processes, even if a void is formed within the trench.例文帳に追加

トレンチ内にボイドが形成される場合でも、ボイドが基板の高さより低いところに形成されて後続の工程に影響しないうえ、幅の狭いトレンチに素子分離膜を容易に形成して工程の再現性を確保すること。 - 特許庁

A comparator Z2 and an output circuit 12 output a pulse voltage having a pulse width enlarging gradually based on increase in the output voltage from the m-th stage charge transfer circuit Em to terminals OUT1 and OUT2 being connected with a switching element.例文帳に追加

コンパレータＺ２と出力回路１２は、第ｍ段電荷転送回路Ｅｍの出力電圧の上昇に基づいてパルス幅が徐々に拡大していくパルス電圧を、スイッチング素子が接続される端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２に出力する。 - 特許庁

To provide a light emitting device having a spectral band width of emitted wavelengths remarkably narrower than that of a conventional EL element, having directivity, applicable not only to a displaying body but to optical communications, and capable of emitting light of a plurality of different wavelengths.例文帳に追加

発光波長のスペクトル幅が従来のＥＬ発光素子に比べて格段に狭く、かつ指向性があり、表示体だけでなく光通信などにも適用でき、かつ複数の異なる波長の光を出射できる、発光装置を提供すること。 - 特許庁

The display device including a switching regulator type power source generating circuit determines ON period of a switching element so as to be increased with a predetermined width, in accordance with inversion of signs of display data voltages with respect to a reference voltage.例文帳に追加

スイッチングレギュレータ式電源生成回路を備える表示装置において、基準電圧に対する表示データ電圧の符号が反転するタイミングに応じて、スイッチング素子をＯＮする期間を、さらに、所与の幅によって増加するよう、決定する。 - 特許庁