「element width」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

In a magnetic head provided with a reproducing element for reproducing a signal from a recording medium, two or more reproducing elements 1 and 2 for simultaneously reproducing a signal from the same track are provided in the same magnetic head, and the two or more reproducing elements are arranged with the centers thereof shifted in a track width direction.例文帳に追加

再生素子を備えて記録媒体からの信号を再生する磁気ヘッドにおいて、同一のトラックからの信号を同時に再生する２つ以上の再生素子１，２を同一磁気ヘッドに設け、２つ以上の再生素子はトラックの幅方向にその中心をずらして配置した磁気ヘッド。 - 特許庁

To provide a test contact for inspecting electric characteristics of an electronic component such as a semiconductor element, capable of setting and controlling uniformly the interval between contacts and optionally the interval in accordance with a specification of the electronic component, namely, the electrode width of the electronic component, and securing a necessary insulation degree.例文帳に追加

コンタクト間の間隙を均一に、しかも電子部品の仕様、すなわち電子部品の電極の幅に合せてその間隙を任意に設定制御することができ、必要な絶縁度を確保することができる半導体素子等の電子部品の電気特性を検査するテストコンタクトを提供する。 - 特許庁

According to at least one of at least one point included in the center of a subpixel and a stroke and a line width set for the stroke, a control part 3 sets and controls a color element level corresponding to the subpixel to display a character on the display screen of a display device 2.例文帳に追加

制御部３によって、サブピクセルの中心とストロークに含まれる少なくとも一つの点、およびストロークに設定された線幅の少なくとも一方に基づいて、そのサブピクセルに対応する色要素レベルを設定制御して、表示デバイス２の表示画面に文字を表示させる。 - 特許庁

Two electrodes 6a, 6b which are divided in a width direction are arranged on a retaining member side of one surface of a piezoelectric element 1 wherein two piezoelectric substrates 2, 3 are stuck with each other and one end is fixed with a retaining member 20, an electrode 7 is arranged on a tip side, and the whole electrode 8 is arranged on a facing surface.例文帳に追加

２枚の圧電基板２、３を貼り合わせ支持体２０で一方の端を固定した圧電素子１の一方の面の支持体側に幅向に分割された２つの電極６ａ、６ｂ、先端側に電極７、相対する面に全面電極８を設ける。 - 特許庁

The width L of the current collecting lugs 1a and 2a of the positive electrode plate 1 and the negative electrode plate 2 in the winding type power generation element 4 is widely formed for the outer peripheral side of winding so that the relationship of L=r×θ is satisfied, when a distance from the winding center of the current collecting lugs 1a and 2a is r.例文帳に追加

巻回型の発電要素４における正極板１と負極板２の集電耳１ａ，２ａの幅Ｌを、その集電耳１ａ，２ａの巻回中心からの距離をｒとした場合に、Ｌ＝ｒ×θの関係となるように、巻回の外周側ほど広く形成する。 - 特許庁

With respect to an organic EL element that is an example of a signal supply target, the inclination of a curve of gamma correction gets greater toward a lower-luminance area but by means of the bit width reduction unit 12, gradations is ensured within a range of great inclination, thereby suppressing deterioration of precision of gradation correction within such a range.例文帳に追加

信号供給対象の例である有機ＥＬ素子の場合、ガンマ補正のカーブの傾きは低輝度領域ほど大きいが、このビット幅削減部１２によれば、そのように傾きが大きい範囲の階調を確保でき、その範囲における階調補正の精度劣化を抑制できる。 - 特許庁

To provide a variable capacity circuit capable of maximizing the variable capacity width of a varactor without increasing the element area of the varactor nor converting the level of a control voltage even at a low source voltage, and a control method for variable capacity.例文帳に追加

低電源電圧においても、可変容量素子の素子面積を増大させることや、制御電圧のレベル変換を行うことなく、可変容量素子の可変容量幅を最大限に広げることが可能な可変容量回路および可変容量の制御方法を提供すること。 - 特許庁

In the first nitride semiconductor, an Al content to the total content of a III-group element is 50 atom% or more, its dislocation density if 10^11/cm^2 or less, and a half-value width in an X-ray locking curve on a (002) surface is 200 seconds or less.例文帳に追加

第一の窒化物半導体において、ＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が２００秒以下である。 - 特許庁

In the first nitride semiconductor, the Al content amount is 50 atom% or more against the sum of III element contents, a dislocation density is 10^11/cm^2 or below, and the half band width of an X-ray locking curve on a (002) plane is 200 sec or below.例文帳に追加

第一の窒化物半導体においてＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転移密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が２００ｓｅｃ以下である。 - 特許庁

Width of the first and second element regions which are extended in parallel in which the first and second transfer transistors forming an SRAM is partially expanded toward the side opposed with each other in the part where respective bit contact regions are formed.例文帳に追加

ＳＲＡＭを構成する第１および第２のトランスファトランジスタが形成される、互いに平行に延在する第１および第２の素子領域の幅が、それぞれのビットコンタクト領域が形成される部分において、互いに相反する側に向かって、局所的に拡張される。 - 特許庁

An information processor is provided, which has a prefetch buffer (103) for fetching an instruction with a width more than twice the instruction length and for storing the prefetched instruction; a decoder (105) for decoding the instruction stored in the prefetch buffer; and a computing element (107) for executing a decoded instruction.例文帳に追加

命令長の２倍以上の幅で命令を取り込み、プリフェッチした命令を蓄えておくプリフェッチバッファ（１０３）と、プリフェッチバッファに蓄えられた命令をデコードするためのデコーダ（１０５）と、デコードされた命令を実行するための演算器（１０７）とを有する情報処理装置が提供される。 - 特許庁

This sheet-like member conveyance state detection device 1 detects amount of skewing and amount of positional deviation of a sheet 100 based on changes of output values from a light receiving element 10 arranged in a region where one side 100a of the sheet 100 crossing the direction of width of the sheet 100 orthogonally can pass.例文帳に追加

シート状部材搬送状態検出装置１は、シート１００の幅方向に直交する一辺１００ａが通過し得る領域に配置されている受光素子１０からの出力値の変化に基づいて、シート１００の斜行量及び位置ずれ量を検出する処理を行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a resin sheet capable of obtaining a desired cross-sectional shape when the resin sheet large in the thickness distribution in its width direction at the time of molding is manufactured and especially suitable for use in the light guide plate arranged to the back of a display device of every kind or an optical element of every kind.例文帳に追加

成形時の幅方向の厚さ分布が大きい樹脂シートを製造した際に、所望の断面形状を得ることができ、特に、各種表示装置の背面に配される導光板や各種光学素子に使用するのに好適な樹脂シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate generation of charge leakage between vertically-adjacent light receiving sensors in reading the charge of light sensor to transfer to a vertical transfer register, and additionally can extend the electrode width be tween light receiving sensors of transfer electrodes on a second layer in a CCD solid-state image pickup element.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像素子において、受光センサ部から垂直転送レジスタへの電荷読み出し時における垂直方向に隣り合う受光センサ部間での電荷リークの発生をなくし、且つ２層目の転送電極の上記受光センサ部間における電極幅の拡大を可能にする。 - 特許庁

In a fuel injection valve, a strength is given to the fuel flow in a nozzle and the spray jetted from a jet hole is deflected by making the turning groove of a turning body asymmetric against the axis of a valve element and arranging so that the size of a groove width and groove height is different respectively.例文帳に追加

本発明の燃料噴射弁では、旋回体の旋回溝を弁体の軸線に対して非対称にし、溝幅および溝高さの寸法がそれぞれ異なるように設置することにより、ノズル内の燃料流れに強弱を与えて、噴孔から噴射される噴霧を偏向させる。 - 特許庁

To control an electric field that transfers toner depositing on a contact transfer member to a photoreceptor drum by the detected temperature of the temperature detection element of a fixing unit, thereby preventing the toner from depositing on the backside of a transfer material, even in an image forming device that does not have a transfer material width detection function.例文帳に追加

転写材幅検知機能を有さない画像形成装置においても，定着器の温度検知素子の検知温度により接触転写部材に付着したトナーを感光ドラムへ転移させる電界を制御し，転写材裏にトナーが付着することを防止する。 - 特許庁

In this control device of the hybrid vehicle, a boundary of a continuously variable change gear ratio mode zone and a fixed change gear ratio mode zone has a transition zone having a specific width in the axial direction of required driving force and continuously determining the change of target rotating frequency of a rotary element accompanying the transition of mode.例文帳に追加

ハイブリッド車両の制御装置において、無段変速比モード領域と固定変速比モード領域の境界に、要求駆動力軸方向に所定幅を有し、モード遷移に伴う回転要素の目標回転数変化を連続的に設定する遷移領域を設けた。 - 特許庁

The barcode reader sets three subsets for decoding, consisting of four successive elements in one character of CODE128, while shifting them by one element each, finds totals of width values of elements belonging to the subsets (a), (b), and (c), and discriminates the one character, on the basis of the ratio of the total values.例文帳に追加

バーコード読取装置は、ＣＯＤＥ１２８の１キャラクタ中において、連続する４つのエレメントよりなるデコード用のサブセットを１エレメント数だけずらしながら３つ設定し、各サブセットａ，ｂ，ｃに属するエレメントの幅値の合計を求め、各合計値の比に基づいて１キャラクタの判別を行なう。 - 特許庁

The carbonaceous heating element is formed by baking a plurality of pieces of warp (2a) extended in a length direction, and at least a piece of weft (2b) extended in a width direction at least having one folding, and folded so as to cross a top and a bottom of at least one piece of warp.例文帳に追加

炭素系発熱体は、長手方向に延びる複数の縦糸（２ａ）と、幅方向に延び、少なくとも１回の折返しを有し、縦糸の少なくとも１本の上下をクロスするように折り合わされた少なくとも１本の横糸（２ｂ）と、を焼成して形成される。 - 特許庁

By forming the electroce non-formation sections of the specified width (h) at the ends in the wind-up direction of the first and second electrodes 12, 16, there is no short circuit generated between the first and second electrodes 12, 16 even if a difference in contraction is generated between each layer of the piezoelectric element laminated body when firing the laminated body.例文帳に追加

第１電極１２と第２電極１６の巻き上げ方向端部に所定幅ｈの電極非形成部を形成することで、焼成の際に圧電素子積層体の各層間に収縮差が生じても、第１電極１２と第２電極１６との間で短絡することがない。 - 特許庁

The three light emitting element array boards 1A, 1B, 1C are staggered in two rows so that a desired writing width can be obtained and adjacent boards are linked through connecting members 8a, 8b in the vicinity of switching positions D01, D02 of the writing dots of respective light emitting elements.例文帳に追加

その３つの発光素子アレイ基板１Ａ，１Ｂ，１Ｃを、所望の書込幅が得られるように、２列にジグザグ状に配置し、それらの隣り合うものを、それぞれ発光素子の書込ドットの切り替わり位置Ｄo1とＤo2の近傍で接続部材８ａ，８ｂにより連結する。 - 特許庁

The light emitting element 100 has its light extraction efficiency improved as compared with a configuration wherein only fine unevenness 109 is provided since a surface of an n-type layer 106 on the side of n-type electrodes 107 is subjected to unevenness processing in two stages of recessed portions 108 and fine unevenness 109 which differ in depth and width.例文帳に追加

発光素子１００は、ｎ型層１０６のｎ電極１０７側の面に、凹部１０８と微細な凹凸１０９とによる、深さ、幅の異なる２段階の凹凸加工が施されているため、微細な凹凸１０９のみを施した場合に比べて光取り出し効率が向上している。 - 特許庁

The package for electronic element storage comprises at least the base and the frame adhered to each other with an adhesive layer interposed, and has a recess which is 0.01 to 1.0 mm in width, and 0.01 to 0.5 mm in height at an outer peripheral part of a bottom surface of the frame.例文帳に追加

少なくとも、接着剤層を介して接着された基体と枠体とから成る電子素子収納用パッケージであって、該枠体の底面の外周部分に、巾０．０１〜１．０ｍｍ、高さ０．０１〜０．５ｍｍの凹部が存在することを特徴とする電子素子収納用パッケージ。 - 特許庁

The overall surface of an edge part of an optical surface (upper spherical surface in the drawing) except for specified width of it is covered with the thin film 11 on an upper spherical surface at the first stage to cover and work a resin layer on the upper spherical surface to form the composite optical element on the base material lens 6 made of glass.例文帳に追加

ガラス製の基材レンズ６は複合光学素子を形成するために上球面に樹脂層を被着加工する前段において、その上球面に予め薄膜１１が基材レンズ６の光学面（図の例では上球面）の縁部の所定幅を除く全面に被着されている。 - 特許庁

Heating elements 3 are each arranged in close to melted glass 4 which is made to flow down through side wall faces 2b every prescribed division in lateral width between the heat-insulating wall 1 and the side wall face 2b of the formed body 2 and the output of each heating element 3 can each independently be controlled.例文帳に追加

保温壁１と成形体２の側壁面２ｂとの間に、側壁面２ｂを流下する溶融ガラス４に対して、横幅方向の所定区画毎に発熱体３を近接配置してあり、各々の発熱体３は個々に独立して出力制御が可能である。 - 特許庁

To provide a modulation circuit that has less adjustment positions in comparison with that of a conventional circuit or the like employing a varactor element, reduces the cost and can generate a modulated signal including a frequency modulation component and a pulse width modulation component and to provide a transmitter and a receiver provided with the circuit.例文帳に追加

従来の可変容量素子を用いた回路等に比して調整箇所が少なく、低コスト化を図ることができる、周波数変調成分及びパルス幅変調成分を含む被変調信号を発生し得る変調回路並びに該回路を備えた送信機及び送受信機を提供する。 - 特許庁

The converter is provided with a reference voltage generating circuit which refers to a reference voltage for determination of the pulse width of a drive signal to be supplied to a switching circuit, and the reference voltage generating circuit comprises a current detecting circuit consisting of the first MOS transistor, the second MOS transistor, a resistive element, and an amplifier.例文帳に追加

スイッチング回路へ供給する駆動信号のパルス幅決定のための参照電圧を生成する参照電圧生成回路を設け、前記参照電圧生成回路が第１ＭＯＳトランジスタ、第２ＭＯＳトランジスタ、抵抗素子及び増幅回路からなる電流検出回路を含んでいる。 - 特許庁

To provide a power converter which uses/distributes a plurality of power supplies with no intervention of a DC-DC converter to reduce overall volume/loss, takes a minimum on pulse width which can be realized with a semiconductor element into account, and unnecessarily raises breakdown strength of elements.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータを介さずに、複数の電源電力を利用・配分して、全体の体積・損失を低減することができると共に、半導体素子で実現可能な最小オンパルス幅を考慮し、各素子の耐圧を不要に高くすることのない電力変換装置を提供する。 - 特許庁

In the solid-state image pickup element having a plurality of pad parts for bonding the leads on a semiconductor substrate at a predetermined interval, the plurality of leads fixed on the semiconductor substrate and provided with a width wider than the predetermined interval and a plurality of wiring materials narrower than the predetermined interval are provided.例文帳に追加

半導体基板上にリードをボンディングするための複数のパッド部を所定の間隔で備えている固体撮像素子において、半導体基板上に固定された、所定の間隔より広い幅を有する、複数のリードと、所定の間隔より細い複数の配線材と、を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which improves the drive power of a high drive power lateral MOS transistor without increasing the element plan area; the high drive power lateral MOS transistor having a gate electrode formed in a trench lengthwise parallel to the gate length and a larger gate width per unit plan area.例文帳に追加

長さ方向がゲート長方向と平行なトレンチに形成されたゲート電極を有し、単位平面積当たり大きなゲート幅を有する高駆動能力横型のMOSトランジスタの駆動能力を、平面的な素子面積を増加させずに向上させる半導体装置を提供する。 - 特許庁

When this driving device drives a display panel comprised of matrix-wired plural cold cathode elements, a scanning circuit 102 sequentially selects row wiring to apply a scanning voltage thereto, and a pulse width modulating circuit 106 drives each cold cathode element on the row wiring selected for scanning based on video data.例文帳に追加

複数の冷陰極素子をマトリクス配線してなる表示パネル１０１を駆動するにおいて、走査回路１０２は行配線を順次選択して走査電圧を印加し、パルス幅変調回路１０６は走査選択された行配線上の各冷陰極素子を映像データに基づいて駆動する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a semiconductor film laminated on a conductive support, with the film having anatase titanium oxide, where a half-power band width of the X-ray diffraction peak of the face measured (101) by using a CuK_α line, is ≤0.39°.例文帳に追加

導電性支持体上に、半導体膜が積層されてなる光電変換素子であって、当該半導体膜がＣｕＫ_α線を用いて測定した（１０１）面のＸ線回折ピークの半価幅が０．３９°以下であるアナターゼ型酸化チタンを含有することを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

Related to the code and information bit outputted from the element-coding circuits 101 and 102, a prescribed amount of them is accumulated in the registers 110 and 111, and a data is cut off at a convenient point and written in a buffer memory 104 for settling unconformity of word width between memories.例文帳に追加

また、要素符号化回路１０１，１０２から出力される符号および情報ビットについては、レジスタ１１０，１１１に所定量だけ蓄積した後、区切りのよい位置でデータを切り出してバッファメモリ１０４に書き込み、メモリ間のワード幅の不整合を解消する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical film causing no deformation such as black band and blocking irrespective of its large width and thin film and to provide the optical film manufactured by this manufacturing method, a polarizing plate using this optical film, and a liquid crystal display element using this polarizing plate.例文帳に追加

本発明の目的は、広幅、薄膜の光学フィルムであってもブラックバンドやブロッキングなどのフィルム変形のない光学フィルムの製造方法、該製造方法により製造した光学フィルム、該光学フィルムを用いた偏光板および該偏光板を用いた液晶表示素子を提供することにある。 - 特許庁

When a CTL signal is inputted to an OSC 26 and the OSC 26 starts oscillation, a software starting circuit 28 starts to charge a capacitor 20 for time setting and a driving circuit 24 also outputs a driving signal 32 to a switch element 14 while making the pulse width of a driving pulse large slowly.例文帳に追加

ＣＴＬ信号がＯＳＣ２６に入力され、ＯＳＣ２６が発振を開始すると、ソフトスタート回路２８が時間設定用コンデンサ２０の充電を開始すると共に、駆動回路２４が徐々に駆動パルスのパルス幅を大きくしながら駆動信号３２をスイッチ素子１４へ出力する。 - 特許庁

To avoid the distortion of a semiconductor element pattern due to flares by sectioning a mask in a test pattern region and a chip pattern region and setting a fine pattern having a line width small enough to form no pattern in exposure on the test pattern region.例文帳に追加

本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関し、さらに詳しくは、マスク開口領域を縮小しフレア効果を減少させることにより、望むパターンを歪みなく転写させ得るようにした半導体素子の微細パターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁

In the disk drive using the disk 1 of the perpendicular magnetic recording system having two layer structure, the narrowed width in the half value (PW50) of the differential signal waveform of a read signal is realized by setting the nonlinear degree in the magnetic field responsiveness of the GMR element constituting a read head 30.例文帳に追加

２層構造の垂直磁気記録方式のディスク１を使用するディスクドライブにおいて、リードヘッド３０を構成するＧＭＲ素子の磁界応答性での非線形度を設定することにより、リード信号の微分信号波形の半値幅（ＰＷ５０）の狭小化を実現する。 - 特許庁

In this thin film magnetic head, the magnetic shield layer 34 of the magneto-resistance effect type magnetic head element is formed by a frame plated layer made by using a frame 12 with the frame width larger than 4.0 μm and less than 9.0 μm, and the magnetic shield layer 34 is formed by the high saturation magnetic flux density material.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子の磁気シールド層３４を、フレーム幅ｔが４．０μｍより大きく且つ９．０μｍ未満のフレーム１２を用いて作製されたフレームメッキ層で形成し、且つ磁気シールド層３４を高飽和磁束密度材により形成する。 - 特許庁

The sectional configuration along the retainer radial direction of a part kept into contact with at least a rolling element, of the pocket face 1 of the pillar 3 is formed into the circular arc shape, and a minimum plate width of the side plate 3 on the relief portion 1c is uniform along the radial direction.例文帳に追加

上記柱３のポケット面１における、少なくとも転動体と接触する部分の保持器半径方向に沿った断面形状は円弧形状に形成され、且つ、上記逃げ部１ｃにおける側板３の最小板幅は、半径方向に沿って均一に形成されている。 - 特許庁

Since the pattern part 12b is formed into a pattern having a large width, and its heating value is set lower than that of the pattern part 12a to prevent occurrence of temperature irregularity, so that separation of the heating element 12 from the board 11 based on the difference of the thermal expansion rates can be prevented.例文帳に追加

湾曲パターン部１２ｂは幅広のパターンに形成され、直線状パターン部１２ａの発熱量よりも発熱量が小さくなり温度ムラも発生しにくいので熱膨張率の差に基づく抵抗発熱体１２の基板１１からの剥離を防止できる。 - 特許庁

Here, W2<W1 is satisfied, where W1 is the width in a direction orthogonal to the optical axis of light passing through the wavelength conversion element 312, and W2 is a distance between optical axes of the first laser light LS1 and the second laser light LS2.例文帳に追加

波長変換素子３１２内を透過する光の光軸に直交する線と平行な方向の幅をＷ１とし、外部共振器３１３側の端面における、第一のレーザ光ＬＳ１と第二のレーザ光ＬＳ２との光軸間距離をＷ２としたとき、Ｗ２＜Ｗ１を満たしている。 - 特許庁

In a method of processing a material to be processed which is formed on a semiconductor substrate 101 or a material to be processed which comprises a plurality of multilayer films using a desired double patterning method, processing for defining the element isolation width can be performed twice when a pattern is formed.例文帳に追加

半導体基板上に形成された被加工材料、若しくは複数の積層膜から構成される被加工材料を所望のダブルパターンニング法を用いて加工する製造方法において、パターンを形成する際、素子分離幅を規定する加工を２回行うことで解決できる - 特許庁

A plurality of LED groups are connected in parallel in an LED light emitting part 1 and a transistor as a switching element against each of the LED groups in a LED driving control part 2 is driven by a driving pulse of a pulse width according to an brightness instruction signal S created in a PWM control part 4.例文帳に追加

ＬＥＤ発光部１で複数のＬＥＤ群を並列に接続し、ＬＥＤ駆動制御部２における各ＬＥＤ群に対するスイッチング素子としてのトランジスタを、ＰＷＭ制御部４で生成した明るさ指示信号Ｓに応じたパルス幅の駆動パルスにより駆動する。 - 特許庁

A CPU 111 sets a blurring degree and blurring width with at least one of a focal distance of a photographic lens, a focus distance between the photographic lens and a subject and a diaphragm value limiting a light volume which is made incident on the imaging element as a blurring parameter.例文帳に追加

ＣＰＵ１１１は撮影レンズの焦点距離、撮影レンズと被写体との合焦距離、および撮像素子に入射される光量を制限する絞り値の少なくとも１つをぼかしパラメータとして、当該ぼかしパラメータに応じたぼかし度合いおよびぼかし幅を設定する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor sensing red, green and blue lights easily by varying a back bias voltage being applied to a semiconductor substrate without using a color filter layer thereby varying the width of depletion region of a photodiode, and to minimize the effect of the back bias voltage on an element on the outside of the photodiode.例文帳に追加

カラーフィルター層を使用せず半導体基板にバックバイアス電圧を変えて、フォトダイオードの空乏領域の幅を変え、赤、緑、青光を容易に感知できるＣＭＯＳイメージセンサーを提供し、フォトダイオードの外側の素子にバックバイアス電圧の影響を最小化する。 - 特許庁