| 例文 |
element widthの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1529件
To provide a sliding device capable of sliding footboards by a cylinder with a simple structure, increasing an adjustable width of a clearance between left and right footboards by excluding an element reducing a sliding range, and coping with various kinds of heavy machines and vehicles.例文帳に追加
歩み板のスライドをシリンダによる簡単な構成で行え、そのスライド範囲が減縮される要素を排除して左右の歩み板相互の間隔調整幅を増大し、各種重量機械,車輌に対応可能とするスライド装置を提供する。 - 特許庁
At least one of the pair of magnetic shield layers 21 and 22 is provided with roughly linear recessed pats 27 and 28 and/or projected parts formed along the track width direction of the magnetoresistive effect element 24 on at least one main surface side.例文帳に追加
そして、一対の磁気シールド層21,22のうち、少なくとも一方の磁気シールド層は、少なくとも一方主面側に、磁気抵抗効果素子24のトラック幅方向に沿って形成された略直線状の凹部27,28及び/又は凸部を有している。 - 特許庁
A cross-section shape of each unit optical element changes at least at one section along the first direction so as to have its width and height getting larger from a side of light-incident face toward a side of the opposite face.例文帳に追加
各単位光学要素の断面形状は、第1方向に沿った少なくとも一区間において、入光面の側から反対面の側に向けて、幅がしだいに太くなっていくとともに高さがしだいに高くなっていくように、変化する。 - 特許庁
A load adjusting circuit 20 applies a voltage rectified by the rectifying circuit 17a on an LED 21, and performs pulse width control of a switch element Q1 to adjust the current flowing in a circuit bypassing the LED 21 when the voltage of the LED 21 exceeds its predetermined value.例文帳に追加
負荷調整回路20は整流回路17aで整流された電圧をLED21に印加し、LED21の電圧が所定値以上となるとスイッチ素子Q1をパルス幅制御してLED21をバイパスする回路に流れる電流を調整する。 - 特許庁
A load adjusting circuit 18 impresses a voltage rectified by the rectifier 15 onto an LED 14, and performs pulse width control of a switch element G1 to adjust the current flowing into a circuit for bypassing the LED 14 when the voltage of the LED 14 exceeds its predetermined value.例文帳に追加
負荷調整回路18は整流回路15で整流された電圧をLED14に印加し、LED14の電圧が所定値以上となるとスイッチ素子G1をパルス幅制御してLED14をバイパスする回路に流れる電流を調整する。 - 特許庁
Generation of a DC voltage component can be detected, when the integration signal s(sd) is generated; and an inverter pulse generator 3 adjusts the width of a conduction pulse signal to be supplied to each switching element of the inverter INV so that the DC voltage component is reduced.例文帳に追加
積分信号s(sd)が発生すると直流分電圧が発生したことを検出でき、インバータパルス発生器3は、直流分電圧を減少させるように、インバータINVの各スイッチング素子に供給する導通パルス信号の幅を調整する。 - 特許庁
A heat generating element 23 is arranged on the magnetic head of the magnetic recording/reproducing device so as to be opposed to a recording/reproducing medium, and the track of the recording/reproducing medium is instantaneously heated by using a pulse voltage to expand the track width at the reading operation for detecting a reproduction signal.例文帳に追加
磁気記録再生装置の磁気ヘッドに記録再生媒体に対向する様に発熱素子を配置し、再生信号を検出するリード動作時に記録再生媒体のトラックを、パルス電圧を用いて瞬間的に加熱し、トラック幅を膨張させる。 - 特許庁
In the positive temperature coefficient thermistor element 10, a gap from the periphery of a silver metallized layer 34 to that of a nickel plate layer 32 can be uniquely determined by the height H1 of a standing wall 20 which can be formed uniformly using a mold and the width W1 of the lower end face 22 of the standing wall 20.例文帳に追加
正特性サーミスタ素子10は、銀メタライズ層34の外周からニッケルめっき層32の外周までのギャップが、型を用いて均一に形成できる立壁20の高さH1及び下端面22の幅W1により一義的に決めることができる。 - 特許庁
To settle the problem that α, i.e., the element of the principle polynomial of a Galois field must be exponentiated for calculation of a symbol when the data are encoded or decoded on a recording medium and thereby the capacity of a table to be referred to is increased too much for the access width of 16 or 32 bits.例文帳に追加
記録媒体にデータをエンコードしまたデコードする場合のシンボルの演算は、ガロア体の原理多項式の元であるαをべき乗算しなくてはならないため、16ビットや32ビットのアクセス幅の場合、参照すべきテーブルの容量が大きくなりすぎる。 - 特許庁
The rolling element 4 has a width W set to be smaller than its outside diameter D, and the portion 4E of its outer periphery close to a transverse end thereof is machined into a projecting arcuate shape with a radius r4 of curvature slightly smaller than the inner radius r_3 of curvature of an outer cylinder 3.例文帳に追加
転動体4を、外径D寸法に比較して幅W寸法を小さく設定し、外周部の幅方向端部寄り4Eを外筒3内側曲率半径r3に比較して若干小さな曲率半径r4の凸円弧状に加工する。 - 特許庁
To connect a wiring of a large width dimension and a part such as a reactance element of a matching circuit to a terminal of a micro-antenna in a state of a small leakage capacity, and to efficiently input energy into the micro-antenna using a microplasma jet generator.例文帳に追加
マイクロプラズマジェット発生装置において、マイクロアンテナの端子に、幅寸法の大きな配線や整合回路のリアクタンス素子などの部品を、漏れ容量が小さい状態で接続することができ、マイクロアンテナに効率的にエネルギーを入力できるようにする。 - 特許庁
The inverter comprises: the electrolytic capacitor 3 that receives DC power; a series resonance circuit 4 that is connected in parallel with the electrolytic capacitor; and a switching element group 5 that converts the DC power to AC power by switching using the pulse width modulation.例文帳に追加
インバータは、直流電力を受ける電解コンデンサ3と、前記電解コンデンサと並列に接続される直列共振回路4と、パルス幅変調を用いたスイッチングにより前記直流電力を交流電力に変換するスイッチング素子群5とを備える。 - 特許庁
To obtain a magnetoresistive head having a spin valve element, capable of narrowing a track not companied with the reduction of reproducing sensitivity and reproducing recorded signals in high sensitivity from the track having a narrow width of a magnetic recording medium having the signal recorded in a high density.例文帳に追加
スピンバルブ素子を備える磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、再生感度の低下を伴わずに狭トラック化が可能で、信号が高密度記録された磁気記録媒体の幅の狭いトラックから記録信号を高感度で再生することのできるものを得る。 - 特許庁
A terminal extractor 23 is melt stuck at the width of ≥0.5 and ≤2.5 mm so that the end of the terminal extractor 23 is avoided and the battery element 10 is sealed by the laminate film 20 by having side parts provided on both sides of the storage 22 melt stuck.例文帳に追加
端子取り出し部23の端部を避けるようにして、端子取り出し部23を0.5〜2.5mmの幅で熱融着するとともに、収容部20の両側に設けられたサイド部を熱融着して、電池素子10をラミネートフィルム20により封止する。 - 特許庁
The changing of this method for controlling driving is to change the width of pulse of a driving pulse to a recording element of the recording head by a factor determined in accordance with the detected conveying speed, or to change divided driving intervals in divided driving control.例文帳に追加
この駆動制御方法の変更は、検出された搬送速度に応じて決定される係数により記録ヘッドの記録素子への駆動パルスのパルス幅を変更させること、または、分割駆動制御における分割駆動間隔を変更させることである。 - 特許庁
Magnetization vibration can be excited by spin transfer from the magnetization fixed layer to the magnetization free layer through conduction in the direction perpendicular to the surface of the multilayer film, and noise is lowered in the vicinity of oscillation frequency by narrowing the oscillation line width of the magnetic oscillation element.例文帳に追加
多層膜の膜面に対して垂直方向の通電によって磁化固定層から磁化フリー層へのスピントランスファによる磁化振動が励起でき、磁性発振素子の発振線幅を狭くすることによって発振周波数付近の雑音を低下させる。 - 特許庁
Moreover, thickness T of each heat generating portion is made equal, and width W2 of the interposed heat generating portions is smaller than that of each the interposing heat generating element W1 or the interposing heat generating portions are placed at both end parts in a direction in which the heat generating portions are adjacent.例文帳に追加
さらに、各発熱部の厚さTを等しくし、挟まれる方の発熱部の幅W2を、挟む方の各発熱部W1の幅よりも狭くし、または、挟む方の発熱部を、発熱部が隣接する方向の両端部に配置したことを特徴とする。 - 特許庁
In a battery pack, by using a hard laminate film 26 and a soft laminate film 27 having a width smaller than that of the hard laminate film 26 and a recess formed therein, the hard laminate film 26 is overlapped so as to cover an opening of the soft laminate film 27 while housing a battery element in the recess.例文帳に追加
硬質ラミネートフィルム26と、硬質ラミネートフィルム26よりも幅が小さく、凹部が形成された軟質ラミネートフィルム27とを用い、凹部に電池素子を収納した状態で、軟質ラミネートフィルム27の開口を被うように硬質ラミネートフィルム26を重ね合わせる。 - 特許庁
The modulation part generates pulse width modulation signals (OUTPG and OUTNG, etc.) corresponding to input signals, controls the on/off of the respective transistors using the signals, controls the direction of a current flowing to the coil, and selects the capacitive element (C1 or C2) to be charged.例文帳に追加
変調部は、入力信号に応じてパルス幅変調信号(OUTPG,OUTNG等)を生成し、この信号を用いて前記各トランジスタのオンオフを制御してコイルに流れる電流方向を制御するとともに充電されるべき容量素子(C1又はC2)を選択する。 - 特許庁
Prior to the start of component supply, height detection is carried out by lowering a height detection head in a state where the pad of a detection element thereof protrudes from the end of a necessary component storage container scheduled to be actually supplied with a component, toward a free space by a distance equal to a width W1.例文帳に追加
部品供給開始に先立って、高さ検出ヘッドを、その検出子のパッドが、現に部品供給が予定されている必要部品収容器の端から空きスペース側へ幅W1に等しい距離、はみ出した状態で下降させ、高さ検出を行う。 - 特許庁
A restoring element of the damper 2 is preferably formed of a a plate spring placed to turn its width direction in an orthogonal direction to the bearing wall and managing to allow the movement of mass in a wall surface direction and to regulate the movement of mass in the orthogonal direction to a wall surface.例文帳に追加
同ダンパー2は、復元要素が板バネからなり、該板バネが、その幅方向を耐力壁と直交する方向に向け、壁面方向におけるマスの動きの許容と、壁面に直交する方向におけるマスの動きの規制を司るようになされているとよい。 - 特許庁
In a structure from a horizontal transfer part 2 to an output part 3 of a solid-state image pick-up element, there are provided a plurality of barrier steps 81a, 81b; 82a, 82b for reducing a transfer width, in a part from a terminal part 23 to an output part of a horizontal transfer part.例文帳に追加
固体撮像素子の水平転送部2から出力部3にかけての構造において、水平転送部の終端部23の水平転送部から出力部にかけての部分に、転送幅を縮小するための障壁を複数段81a,81b;82a,82b設けた固体撮像素子。 - 特許庁
This method for manufacturing the antenna and antenna array having the desired beam width is applied to a polarization antenna for both single and double polarization and the radiation pattern of the radiation elements of the antenna is controlled and varied by arranging an adequately designed parasitic element nearby them.例文帳に追加
望ましいビーム幅でアンテナとアンテナ・アレイを製造する方法が、単一と二重の両方の偏波アンテナに適用されて、アンテナの放射素子の放射パターンを、それらの近くに適切に設計したパラスティック素子を配置することにより制御し変更する。 - 特許庁
A 1st voltage divider circuit 21 includes a 2nd MOS transistor 3 as a divider element of the same characteristic (having the same gate width and length) as a 1st MOS transistor 4 for sample and hold, and generates a voltage correspondingly to a variation in a resister value of the 2nd MOS transistor 3.例文帳に追加
第1の電圧分割回路21は、サンプルホールド用の第1のMOSトランジスタ4と同一特性(ゲート幅、ゲート長が同一)の第2のMOSトランジスタ3を分圧素子として含み第2のMOSトランジスタ3の抵抗値の変化に応じた電圧を発生する。 - 特許庁
During starting of an internal combustion engine, by feeding a command current having a given period T0 and a given pulse width τ0 to upper and lower coils 38 and 42, initial drive during which by utilizing the vibration characteristics of a movable part, a valve element 14 is displaced to a full closed position is executed.例文帳に追加
内燃機関の始動時に、所定周期T0 および所定パルス幅τ0 の指令電流をアッパコイル38およびロアコイル42に供給することにより、可動部の振動特性を利用して弁体14を全閉位置まで変位させる初期駆動を行う。 - 特許庁
To show the optimization guidance of the width dimension of each element so as to develop a stable cleaning performance over a long period, regarding a cleaning unit where an application member for applying a solid lubricant is disposed on the downstream side of a cleaning blade, and a leveling blade is disposed on the downstream side of the application member.例文帳に追加
クリーニングブレードの下流に固形潤滑剤を塗布する塗布部材を、該塗布部材の下流にならしブレードを設けるクリーニングユニットにおいて、各要素の幅寸法の最適化指針を示し、長期に亘り安定したクリーニング性能を発揮できるようにする。 - 特許庁
To provide a roll, a roll ring, and a method in production of such a roll capable of rotatably installing the composite roll ring of the roll on a roll shaft by an element not occupying the large portion of the usable width of the roll.例文帳に追加
本発明は、ロールの複合的なロールリングが、利用可能なロール幅の大きな部分を占めることのないエレメントによってロールシャフトに対して回転可能に取り付けられることができるようなロール、ロールリング、及びこのようなロールの製造における方法に関する。 - 特許庁
The terminals 6 and 7 have a flat shape, and have salients 10 with a shape where the width between both edges of each of the terminals 6 and 7 in a portion in which the peripheral parts of the laminate films 2 are joined by thermal fusion becomes larger in directions crossing the directions in which the terminals extend from the battery element 3.例文帳に追加
端子6,7は平坦な形状を有しており、ラミネートフィルム2の周縁部が熱融着される部分の端子6,7の両縁間の幅が、電池要素3からの端子延出方向とは交差する方向に広がる形状の凸部10を有する。 - 特許庁
In a ceramic integral substrate 1 which is used in an interposer of a chip-size package and on which a semiconductor element can be mounted, a trapezoidal groove 3 is made in a rear surface of the substrate along a division line, the width of the groove 3 is made larger than that of a blade 14.例文帳に追加
チップサイズパッケージのインターポーザーに用いられ、表面に半導体素子が搭載可能なセラミック集合基板1において、裏面に分割ラインに沿って台形溝3を形成し、台形溝3の幅をブレード14の厚さよりも大きく形成する。 - 特許庁
This lithium ion battery 10 is equipped with fusion bonding margins 24, 25, 26 having the specified width dimension installed in a package 20 so as to envelope a power generating element 14, and insulating films 27, 28 covering the specified positions 15B, 16B of the negative terminal 15, the positive terminal 16 interposed with the fusion bonding margin 26.例文帳に追加
リチウムイオン電池10は、発電要素14を囲むようにパッケージ20に設けられた所定幅寸法を有する融着代24,25,26と、負極端子15,正極端子16の所定位置15B,16Bを被覆するとともに融着代26に挟持される絶縁被膜27,28とを備える。 - 特許庁
The matching transformer is composed of a plurality of stages of matching transformers, controls frequency dependency of an impedance conversion ratio by adjusting the length and width of respective parts of a plurality of stage structures and converts the impedance of the parallel type multijunction element according to frequencies.例文帳に追加
整合トランスは、複数段の整合トランスにより構成して、複数段構造の各々の部分の長さ及び幅を調整することにより、インピーダンス変換比の周波数依存性を制御して、周波数に応じて、並列型多接合素子のインピーダンスを変換する。 - 特許庁
The luminescence region 45 of the organic EL elements constituting the array of the organic EL elements 40, is characteristic in that the width M of each luminescent element in the direction where the elements are arrayed, is not less than 2.5 times the film thickness of an interlayer insulation layer, and not more than 83% of the array pitch P of the elements.例文帳に追加
有機EL素子アレイ40を構成する有機EL素子の発光領域45について、発光素子が並ぶ方向における幅Mを、層間絶縁層の膜厚の2.5倍以上であり、かつ、発光素子の配列ピッチPの83%以下とする。 - 特許庁
In a linear guide bearing apparatus having a rolling-element rolling groove 3 of the guide rail 1 and formed by plastic working, the flatness of the upper surface of the guide rail 1 is at most 0.1 μm, preferably 0.01 μm, within the range of the width corresponding to the diameter of the counter sunk hole 1b.例文帳に追加
案内レール1の転動体転動溝3が塑性変形により加工された直動案内軸受装置において、前記案内レール1の上面のざぐり穴1b径に相当する幅内の平面度を0 .1 以下,好ましくは0.01以下とする。 - 特許庁
The optical element where the semiconductor optical amplifier (SOA) and an optical waveguide are integrated, wherein the optical waveguide includes the same active layer as in the SOA portion and guides optical wave by a ridge structure, thereby forming a ridge width or a ridge depth different from those of the SOA portion.例文帳に追加
半導体光増幅器(SOA)と光導波路を集積した光素子において、前記光導波路は前記SOA部分と同じ活性層を含んでリッジ構造により光導波させ、前記SOA部分とは異なるリッジ幅若しくはリッジ深さとした。 - 特許庁
By adding a 3rd capacitive element for impedance matching purpose to the semiconductor switch circuit in order to match the impedance at the operating frequency when viewing from 1st, 2nd and 3rd terminals with 50 ohms, the gate width of field effect transistors used for the semiconductor switch elements can be reduced.例文帳に追加
第1端子、第2端子、第3端子から見た使用周波数でのインピーダンスを50Ωに合わせるためにインピーダンスマッチング用の第3キャパシタ素子を付加することで、半導体スイッチ素子に用いる電界効果トランジスタのゲート幅を小さくすることができる。 - 特許庁
Furthermore, arrangement relation of each electronic element on a main board, arrangement relation between the main board and the optical disk device and the heat dissipation device are determined by size relation of the length, width and height and thus, the optimal design for minimizing the dimension of the personal computer main body is obtained.例文帳に追加
更に、この長さ、幅、高さのサイズの関係によって、メインボードにおける各電子素子の配置関係と、メインボードと光ディスク装置、放熱デバイスとの間の配置関係を決め、それによりパソコン本体体積を最小限にする最適なデザインを得ることができる。 - 特許庁
While keeping a short distance between the light-emitting elements 4, positions for light-emitting element 4L, 4M and 4S are shifted in the length direction of the substrate 1 so that the wide wiring patterns do not overlap in the width direction of the substrate 1 as much as possible.例文帳に追加
発光素子4間の距離を小さく保ちつつ、基板1の幅方向において幅広の配線パターン部同士ができるだけ重ならないように、基板1の長さ方向において、発光素子4Lと発光素子4Mおよび4Sとの位置をずらせる。 - 特許庁
The optical integrated element 100 is obtained by integrating a DFB (distributed feedback) semiconductor laser 1 and an EA (electroabsorption optical) type modulator 2 on a single semiconductor substrate 10 in such a manner that a width Wa of the former optical waveguide is smaller than that Wb of the latter optical waveguide.例文帳に追加
光集積素子100は、DFB半導体レーザ1とEA型変調器2とが単一の半導体基板10に集積されたものであり、前者の光導波路の幅Waが後者の光導波路の幅Wbよりも大きくされている。 - 特許庁
The optical integrated element 100 is obtained by integrating a DFB (distributed feedback) semiconductor laser 1 and an EA (electroabsorption optical) type modulator 2 on a single semiconductor substrate 10 in such a manner that a width Wa of the former optical waveguide is smaller than that Wb of the latter optical waveguide.例文帳に追加
光集積素子100は、DFB半導体レーザ1とEA型変調器2とが単一の半導体基板10に集積されたものであり、前者の光導波路の幅Waが後者の光導波路の幅Wbよりも小さくされている。 - 特許庁
Output data obtained by compressing digital audio data from a digital audio source or the like by a ΔΣ converter 31 are inputted to a pulse width modulator 33 through a low pass filter 32 and then inputted to a driver control circuit 35 through a delay element 34 to control a driver part 36.例文帳に追加
デジタルオーディオ音源等からのデジタルオーディオデータをΔΣ変換器31により圧縮された出力データを、ローパスフィルタ32を介してパルス幅変調器33に入力し、更に遅延素子34を介してドライバ制御回路35でドライバ部36を制御する。 - 特許庁
When the output voltage of each power-receiving coil 51 drops, the microcomputer 32 operates to reduce the output by executing pulse-width modulation so as to narrow a time duration during which the switching element 33 of the DC/DC converter 31 is turned on, thereby preventing a drop of the power supply voltage.例文帳に追加
マイコン32は、受電コイル51の出力電圧が低下すると、DC/DCコンバータ31のスイッチング素子33をオンにする時間幅を狭くするようにパルス幅変調して出力を低下させるように制御して、電源電圧の低下を防止する。 - 特許庁
The upper part of the lamination structure is formed at the same intervals as stripe-shaped ridges 31a to 31f, channel width is successively set to 2.0 to 3.5 μm in 0.3 μm steps, the equivalent refractive index of the active layer is changed, and the oscillation wavelength of each element is changed.例文帳に追加
積層構造の上部は、同じ間隔で、ストライプ状リッジ31aから31fとして形成され、チャンネル幅は、順次、0.3μm刻みに、2.0μmから3.5μmとし、活性層の等価的な屈折率を変化させ、各素子の発振波長を変える。 - 特許庁
Each section of the photo acceptance element is made as wide as the maximum width of the light spot which is formed on the photo acceptance surface and obtains the maximum or minimum S-curve signals when the longest wavelength light flux is received.例文帳に追加
2分割受光素子における各分割領域の幅は、最も長波長の光束を受光した場合に、Sカーブ信号の極大値又は極小値が得られるときの、受光面に形成される光スポットの最大幅とほぼ等しく設定されている。 - 特許庁
On the other hand, active width Lc of the gate end at the side of a capacitor for information accumulation of the MISFET for memory cell selection is set narrower than the minimum machining dimensions, thus increasing the influence of the boron segregation to the insulating film for composing the element separation region (a).例文帳に追加
一方、メモリセル選択用MISFETの情報蓄積用容量素子側のゲート端の活性幅Lcを最小加工寸法よりも狭くすることにより、素子分離領域aを構成する絶縁膜へのボロン偏析の影響を大きくする。 - 特許庁
The heating face 5 of the planar heating element 1 is divided in a plurality of blocks, and a voltage drop portion by electric resistance in each block is adjusted by a distance between branch electrodes and branch electrode width so that current density is constant or almost constant on the whole heating face 5.例文帳に追加
面状発熱体1の発熱面5を複数のブロックに分け、発熱面5全体で電流密度が一定または略一定になるように、各ブロックにおける電気抵抗による電圧降下分を枝電極間距離および枝電極幅により調整する。 - 特許庁
To provide a head element substrate capable of receiving a plurality of kinds of data such as recording data and a drive pulse width signal transferred from a recording device using common signal wires and terminals and capable of shortening a data receiving period compared with conventional ones.例文帳に追加
本発明の目的は、記録装置から共通の信号線や端子を用いて転送される記録データと駆動パルス幅信号などの複数のデータを受信し、データ受信期間を従来よりも短縮することが可能なヘッド素子基板を提供することである。 - 特許庁
Energy inspecting width is widely taken with respect to a measuring spectrum to perform rough qualitative analysis to temporarily select elements becoming candidates and the transition beam markers of the temporarily selected candidate elements are superposed to be displayed to select a candidate element highest in relevant possibility (S 22).例文帳に追加
測定スペクトルに対してエネルギー検索幅を広くとって粗い定性分析を行い候補となる元素を仮選出し、仮選出された候補元素の遷移線マーカーを重ねて表示して最も該当可能性の高い候補元素を選出する。 - 特許庁
To provide a method of forming a transistor of a NAND flash memory element by which the performance of the transistor in a cell region and a peripheral region is improved by defining an active width wider than a real STI pitch by forming a step STI profile using a spacer.例文帳に追加
スペーサを用いたステップSTIプロファイルを形成して実際STIピッチより広いアクティブ幅を確保することにより、セル領域と周辺領域のトランジスタ性能を向上させるNANDフラッシュメモリ素子のトランジスタ形成方法を提供する。 - 特許庁
A hard laminated film 26 is piled up so as to cover an opening of a soft laminated film 27 while storing a battery element into a recessed section by using the hard laminated film 26 and the soft laminated film 27 having a width smaller than that of the hard laminated film 26 and forming the recessed section.例文帳に追加
硬質ラミネートフィルム26と、硬質ラミネートフィルム26よりも幅が小さく、凹部が形成された軟質ラミネートフィルム27とを用い、凹部に電池素子を収納した状態で、軟質ラミネートフィルム27の開口を被うように硬質ラミネートフィルム26を重ね合わせる。 - 特許庁
Under the control of a timing control part 1, the reference potential is set to 1/2 of the prescribed value during the period of LSB bit width of PWM driving of a display element and the light quantity of the light source is modulated so that output light quantity from each of the RGB light emitting elements 3 to 5 becomes 1/2.例文帳に追加
タイミング制御部1の制御により表示素子のPWM駆動のLSBビット幅の期間基準電位を所定値の1/2とし、RGB各発光素子3,4,5の出力光量を1/2となるよう光源光量変調を行う。 - 特許庁
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