「element width」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The perovskite complex oxide is generated by adding a hydroxide of an alkaline earth element to titanium oxide slurry and reacting it therewith, which is obtained by dispersing a titanium oxide powder, for which an integration width of a diffraction peak on a (101) plane to be measured by X-ray diffraction is less than or equal to 2.0°, in water.例文帳に追加

Ｘ線回折によって測定される（１０１）面の回折ピークの積分幅が２．０°以下である酸化チタン粉末を水に分散させた酸化チタンスラリーに、アルカリ土類元素の水酸化物を添加して反応させることによりペロブスカイト型複合酸化物を生成させる。 - 特許庁

Although a decline of breakdown voltage between mutually adjacent element regions is concerned due to the narrowing trench width in the upper part of the deep trench 4, this can be circumvented by forming on the upper part of the deep trench 4 a LOCOS insulator film 6 communicating with the insulator film 5 filled inside the deep trench 4.例文帳に追加

ディープトレンチ４の上部のトレンチ幅が狭くなることにより懸念される互いに隣接する素子領域間の耐圧の低下は、ディープトレンチ４の上部に、ディープトレンチ４の内部に埋め込まれた絶縁膜５と繋がるＬＯＣＯＳ絶縁膜６を形成することによって回避する。 - 特許庁

A hysteresis comparator-type controller 18 compares between an output current value of the inverter and its current command value adding hysteresis characteristics thereto, and determines a generated signal of gate pulse signal for turning on/off a switching element, when the output current value deviates a predetermined hysteresis width.例文帳に追加

ヒステリシスコンパレータ方式制御部１８は、インバータの出力電流値とその電流指令値とをヒステリシス特性を持たせて比較し、出力電流値が所定のヒステリシス幅を逸脱したときスイッチング素子をオンオフするためのゲートパルス信号の生成信号を求める。 - 特許庁

The power converter producing a variable frequency, variable voltage polyphase AC power by connecting at least two outputs of an inverter 11 comprising a switching element comprises a pulse width modulation circuit 18-2 provided for each phase in order to switch the switching elements of the plurality of inverters, and a circuit 18-3 for distributing a gate pulse from the pulse width modulation circuit 18-2 to the inverter.例文帳に追加

スイッチング素子からなるインバータ１１の出力を少なくとも２つ以上接続し、可変周波数、可変電圧の多相交流電力を得る電力変換装置において、前記複数のインバータのスイッチング素子のスイッチングを、各相毎にひとつのパルス幅変調回路１８−２と、このパルス幅変調回路１８−２から出力されるゲートパルスをどのインバータヘ分配するかを決定する分配回路１８−３とを有する。 - 特許庁

This electronic scope has a first substrate plate loaded with a first circuit for applying predetermined processing to the predetermined output signal from the image pickup element to form an analogue image signal to output the same to the processor and a second substrate plate loaded with a first circuit for digitally controlling the image pickup element and the first circuit and the first and second substrate plates are mutually overlapped so as to leave a predetermined width.例文帳に追加

電子スコープは、撮像素子からの所定の出力信号に所定の処理を施してアナログの映像信号を生成し、プロセッサに出力する第一の回路が搭載された第一の基板と、撮像素子と第一の回路とをデジタル制御する第二の回路が搭載された第二の基板とを有し、第一の基板と第二の基板とは、所定の幅をおいて、互いに重ね合わさっている構成にした。 - 特許庁

The portable wireless device comprises an antenna element, an antenna ground plate constituting an antenna together with the antenna element, a ground plate having an area larger than that of the antenna ground plate and constituting a circuit board, and a connection conductor portion for connecting the antenna ground plate and the ground plate wherein the connection conductor portion has a width narrow enough for the wavelength of a radio wave radiated from the antenna.例文帳に追加

アンテナエレメントと、前記アンテナエレメントと共にアンテナを構成するアンテナグランド板と、前記アンテナグランド板より大なる面積を有し、回路基板を構成するグランド板と、前記アンテナグランド板と前記グランド板とを接続する接続導体部と、を備え、前記接続導体部の幅は前記アンテナから放射される電波の波長に対して充分に細いことを特徴とした携帯無線装置が提供される。 - 特許庁

To provide a method of amplifying a luminescent bandwidth of a semiconductor photoelectric element for manufacturing a multiplex quantum well structure, by which preferred temperature characteristics and modulation characteristics can be obtained, when applied to a semiconductor photoelectric element, and the width to be modulated and an amplitude gain can be widened significantly more than those of the semiconductor laser elements of the same kind, when being applied to a semiconductor laser whose wavelength is adjustable.例文帳に追加

半導体光電素子に応用した場合、好ましい温度特性と変調特性を具えさせ、更に波長が調整可能な半導体レーザに応用した場合、同類の半導体レーザ素子に比して変調できる幅と振幅利得を極めて広くする多重量子井戸構造を製造するための半導体素子の発光帯域幅の増幅方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The shape of the trench in the element isolation area in a well or in the well isolation area between wells is devised to form a taper trench close to the surface of a semiconductor substrate and a lower trench connected to the taper trench whose bottom width is more than that of the taper trench.例文帳に追加

本発明では、ウエル内の素子分離領域またはウエル間のウエル分離領域のトレンチの形状を工夫し、半導体基板表面に近い位置には順テーパー状のトレンチを、それに接続する下方のトレンチは底面部の幅が順テーパー状のトレンチの底面幅以上になるような形状に形成する。 - 特許庁

Detector modules 1 having a plurality of detector elements are arranged arcuately around the focus of an X-ray tube and on joints between detector modules 1 and their adjacence parts, three channel-directional collimator plates 2 are formed at intervals corresponding to the width of one detector element 1 while converging on the X-ray tube focus.例文帳に追加

複数の検出器素子を有する検出器モジュール１が、Ｘ線管焦点を中心とした円弧状に配置され、検出器モジュール１のつなぎ目とその隣接部の上部に、検出器素子１個分の幅に相当する間隔で３枚のチャンネル方向コリメータ板２がＸ線管焦点方向に収斂して形成される。 - 特許庁

Consequently, the optical waveguide element 15 is fixed to a housing 5 so that the area where a high-frequency electric signal applied to the signal electrode 3 having length C, width (d), and thickness (e) and a light wave guided in an optical waveguide 2 interact with each other is not in direct contact with a housing 5.例文帳に追加

これによって、長さＣ、幅ｄ、厚さｅで表される信号電極３に印加される高周波電気信号と、光導波路２を導波する光波とが実質的に相互作用する領域が、筐体５に直接接触しないようにして光導波路素子１５を筐体５に固定する。 - 特許庁

To provide an image writing device which operates in the way that a light-emitting element array is driven by variably controlling lighting time while processing image data corresponding a single line across a single main scan line through each light-emitting array unit, and thus, a printing density across a single line width can be increased/decreased to improve a single dot printing rate.例文帳に追加

主走査１ライン間に１ライン分の画像データを各発光素子アレイユニットにデータ処理しながら、点灯時間を可変制御させて、発光素子アレイを駆動させることにより、１ライン間幅に対し印字密度が増減可能になり、１ドット印字率を改善させた画像書込装置を提供する。 - 特許庁

Also, an electron emitting element is equipped with a pair of conductive films 4 disposed on a base 1 at an interval and an organic film 6 disposed on the conductive film 4, and the sticking part of the organic film 6 extruded from the rim side of the conductive film on the base 1 is kept within a width of not more than 5 μm.例文帳に追加

また、基板上に、間隙を隔てて配置された一対の導電性膜と、前記導電性膜上に配置された有機膜とを備える電子放出素子であって、前記有機膜の前記基板上における前記導電性膜縁辺からのはみ出し部分が５μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In the multilayer piezoelectric element 10 composed by alternately laminating piezoelectric bodies and electrodes, control is executed such that A/B is 0.01 to 0.08 at the time of defining the shortest distance from the outer periphery of a dummy layer 11 to the side face of a protective layer 12 on the same surface of a cross section vertical to a laminating direction as A and the width of the protective layer as B.例文帳に追加

圧電体と電極とが交互に積層してなる積層型圧電素子１０において、積層方向と垂直な断面の同一面でダミー層１１の外周から保護層１２の側面までの最短距離をＡ、保護層の幅をＢとした時にＡ／Ｂが０．０１〜０．０８であるように制御する。 - 特許庁

A sensor consisting of element arrays 11a and 11b provided with a plurality of detection elements 11c detects the width of the medium, a control part sets the reading area of the medium by a reading means 10 on the basis of the detection results, and the read means 10 reads described contents from the medium within the set read area.例文帳に追加

複数の検知素子１１ｃを備えた素子列１１ａ、１１ｂからなるセンサーにより媒体の幅を検知し、その検知結果に基づいて制御部が読み取り手段１０による媒体の読み取り領域を設定し、設定した読み取り領域内で読み取り手段１０により媒体から記載内容を読み取る。 - 特許庁

Moreover, the communication antenna can make communication with the RFID tags present in the wider area by changing the direction of a radio wave beam emitted from the antenna array unit or extending the beam width of the radio wave through the deviation of a phase of a high frequency signal applied to each antenna element or the adjustment of the amplitude of the high frequency signal.例文帳に追加

また、各アンテナ素子へ給電される高周波信号の位相をずらしたり、その振幅を調整することにより、アンテナアレイ部から放射される電波のビームの方向を変化させたり、その電波のビームの幅を拡大することで、より一層広いエリアに存在するＲＦＩＤタグとの通信が可能となるようにする。 - 特許庁

In this laminate including at least a pair of mutually contacting layers, a detection peak of 0.01 to 0.7 μm in terms of a full width at a half maximum, with regard to a depth in which an interface region of the mutually contacting layers is recognized when an element quantitative analysis in the depth direction by a glow discharge emission spectroscopic analysis process is performed.例文帳に追加

少なくとも１対の相接する層を有する積層体であって、グロー放電発光分光分析法による深さ方向の元素定量分析において、前記相接する層の界面領域が存在する深さに、半値全幅０．０１〜０．７μｍの検出ピークが認められる積層体。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using a high energy beam, X-ray, electron beam or EUV light and satisfies high sensitivity, high resolution, good line width roughness and process margin at the same time, and a developer used for the method.例文帳に追加

本発明は、高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネス、プロセスマージンを同時に満足するレジストパターン形成方法及びそれに用いる現像液を提供する。 - 特許庁

To increase, a quantity of light received by a light-receiving element by widening a width between a light source and an aperture in a direction where the resolution is not necessary (a direction perpendicular to the direction of the measurement axis) by means of imaging optics while keeping accuracy and characteristics in a direction (a direction of a measurement axis) where resolution of an optical grid on a scale is necessary.例文帳に追加

結像光学系を用いて、スケール上の光学格子の解像が必要な方向（測定軸方向）の精度、特性を維持したまま、当該解像の必要のない方向（測定軸方向に直交する方向）における光源と開口の幅を広げることで、受光素子で受光する光量を増大させる。 - 特許庁

To provide a curable resin composition for a column spacer from which a column spacer having a pattern width in a desired size can be formed while suppressing pattern thickening without decreasing sensitivity to irradiation light, and to provide a column spacer and a liquid crystal display element using the curable resin composition for a column spacer.例文帳に追加

照射光に対する感度を低下させることがなく、かつ、パターン太りを抑制した所望のサイズのパターン幅を有するカラムスペーサを形成することができるカラムスペーサ用硬化性樹脂組成物、該カラムスペーサ硬化性樹脂組成物を用いてなるカラムスペーサ及び液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

Alternatively, using a step-up/step-down chopper circuit or a flyback converter instead of a step-down chopper circuit, the pulse width of the PWM signal for switching on/off the switching element is feed-forward-controlled according to the phase of the pulsating voltage and feed-back-controlled according to the current detecting signal of the light-emitting diode.例文帳に追加

あるいは、降圧チョッパ回路に代えて、昇降圧チョッパ回路またはフライバックコンバータを用いて、そのスイッチング素子をオン・オフするＰＷＭ信号のパルス幅を脈流電圧の位相に応じてフィードフォワード制御すると共に発光ダイオードの電流検出信号に応じてフィードバック制御する。 - 特許庁

The press-bonding device press-bonds a printed wiring board 1 that can be pushed in between guide rails 10, 14 on the upper and lower sides in a printed wiring board insertion casing and an element is provided, which acts on a narrow-width side 2 of the printed wiring board 1, in one of the guide rails 10, 14.例文帳に追加

プリント配線板差込みケーシング内にて上側及び下側の案内レール１０，１４の間に押込み可能なプリント配線板１を圧着する圧着装置であって、前記案内レール１０，１４の一方内に前記プリント配線板１の狭幅側２の上に作用するばねエレメントを設ける。 - 特許庁

In this case, (x) is the deviation value of oscillation light wavelength per unit temperature in a light emission element, Δy is a set light wavelength interval, (z) is wavelength width per cycle of the wavelength/light transmittance characteristics of the optical filter, and (a) is the deviation value of the wavelength/light transmittance characteristics per unit temperature of the optical filter.例文帳に追加

ｚ＝Δｙ（１−ａ／ｘ）・・・・（１） ここで、ｘは発光素子における、単位温度当たりの発振光波長のずれ量、Δｙは設定光波長間隔、ｚは光フィルタの、波長−光透過率特性の１周期当たりの波長幅、ａは光フィルタの、単位温度当たりの波長−光透過率特性のずれ量である。 - 特許庁

An acceleration sensor element 1 has a pair of vibration arms 3, 4 extending in parallel from a base part 2, three detection arms 5-7 elongating in parallel along both sides of the vibration arms and the interval therebetween from a weight part 10 positioned ahead, and connection parts 8, 9 having a narrow width for bonding detection arms on both sides to the base part.例文帳に追加

加速度センサ素子１は、基部２から平行に延出する１対の振動アーム３，４と、その先方に位置する重り部１０から振動アームの両側及び間を平行に延長する３本の検出アーム５〜７と、両側の検出アームと基部とを結合する狭幅の連結部８，９とを有する。 - 特許庁

The one-dimensional image sensor is constituted of a light projecting part for projecting light to the metal band, and a light receiving part installed on the opposite side of the projecting part across the metal band, and a waveform sinal is formed corresponding to the one-dimensional light quantity extending in the width direction including the edge part sensed by a light receiving element of the light receiving part.例文帳に追加

一次元イメージセンサは、金属帯に光を投光する投光部と、前記金属帯を挟んで前記投光部と反対側に設置される受光部から構成され、前記受光部の受光素子が感知するエッジ部を含む幅方向に延びる一次元の光量に応じて波形信号が形成される。 - 特許庁

To this circuit, a discharge pulse impressing circuit 9 in which a capacitor 7 that impresses a discharge pulse voltage of a half-value width of pulse of 0.1 μsec-10 μsec on the electrodes of the rare gas lamp 3 for 100 μsec-5 see after inputting the DC power supply switch 10 and a switching element 8 are connected in series, is connected.例文帳に追加

この回路には直流電源スイッチ１０を入力後１００μ秒〜５秒間、パルスの半値幅が０．１μ秒〜１０μ秒の放電用パルス電圧を希ガスランプ３の電極に印加するコンデンサ７とスイッチング素子８の直列接続された放電用パルス印加回路９が接続された構成である。 - 特許庁

In the air diffuser having a piping element which can cause air leakage interposed between the diffusion pipe 21 to be arranged underwater and its air feeding source, an elastic tube 214 having a plurality of notch holes 213 formed extending along the air blow-out width of a pipe 212 constituting the pipe 21 is mounted to the outside of the pipe 212.例文帳に追加

水中に配置される散気管２１とその空気供給源との間に、空気漏れの発生しうる配管要素が介在する散気装置において、散気管２１を構成するパイプ２１２の外側に、その空気吹き出し幅にわたって複数の切り込み孔２１３が形成された弾性チューブ２１４を装着した。 - 特許庁

After an active layer 3, an etching stopping layer 4, and a cap layer 5 are successively grown on a substrate 1 composed of a III-V compound semiconductor, an element region is separately formed by subjecting it to mesa etching (first process), and a mask having an opening for controlling the width of a gate electrode G is formed on the formed mesa.例文帳に追加

III-Ｖ族化合物半導体からなる基板１上に活性層３、エッチング停止層４、およびキャップ層５を順に成長させた後、メサエッチングを施して素子領域を分離形成し（第１の工程）、上記メサ上にゲート電極Ｇの幅を規定する開口部を有するマスク１１を形成する。 - 特許庁

The electrical/mechanical connecting strength is improved by forming a connecting part between the metalized film and external electrodes in a shape with concave and convex portions having higher rigidity by forming dielectric material layers on both surfaces of the plurality of metalized films constituting the element and moreover winding or laminating the metalized films with certain deviation in the width direction of the films.例文帳に追加

素子を構成する複数からなる金属化フィルムの両面に誘電体層を設け、さらに複数の金属化フィルムを互いに幅方向にずらして巻回又は積層することによって、金属化フィルムの外部電極との接続部を剛性の高い凹凸形状とし、電気的、機械的な接続強度を向上させる。 - 特許庁

A light source and a holographic optical element (HOE) are established so that the HOE in which a half-wavelength width of diffraction peak in a wavelength region of each color of RGB is narrow and ≤20 nm is used and a video light guided by optical pupil through the HOE has intensity peak near a wavelength where color purity of RGB becomes higher.例文帳に追加

ＲＧＢの各色の波長域における回折ピークの半値波長幅がそれぞれ２０ｎｍ以下と狭いＨＯＥを用い、ＨＯＥを介して光学瞳に導かれる映像光が、ＲＧＢの色純度が高くなる波長付近に強度ピークを有するように、光源およびＨＯＥを設定する。 - 特許庁

To solve the following problem: a conventional MONOS having a configuration for accumulating electric charges in SiN has insufficient accumulating quantity of electric charges and cannot have a large threshold change width, and a high density of electric charges by introduction of dopant cannot be realized by a technique for introducing an La-based element into HfO_2, ZrO_2 and TiO_2.例文帳に追加

従来のＭＯＮＯＳは、ＳｉＮに電荷を蓄積する構成であるが、電荷蓄積量が不十分であり閾値電圧変化幅を大きく取れず、またＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，ＴｉＯ_２中へＬａ系元素を導入した技術ではドーパント導入による電荷の高密度化は実現が困難である。 - 特許庁

Among the strips 4, the strips 4 the width of the ends 41 and 42 become wider toward the ends corresponding the shape of the device element CH are provided with extending part 341 and 342, in which the through-cut groove 34 of both sides of the end are extended in the confronting direction to be close to each other in the beginning point or the ending point of that groove.例文帳に追加

これら短冊部４のうち端部４１，４２の幅がデバイス素子ＣＨの形状に応じて端へ向かって広がっている短冊部４において、端部両側の全切溝３４をその始点ないし終点で、互いに接近する対向方向へ所定長だけ延ばして延長部３４１，３４２を形成する。 - 特許庁

Then, each distance counter value and each width counter value are added together, and a resolution is acquired, which is equivalent to the case where a sampling frequency is heightened substantially by utilizing each value by the plurality of thresholds acquired by fluctuation of a signal of a CCD element, to thereby calculate a more accurate distance to the measuring object.例文帳に追加

そして、各距離カウンタ値と前記各幅カウンタ値とを足し上げて、ＣＣＤ素子の信号の揺らぎによって得られる複数の閾値による各値を利用し実質的にサンプリング周波数を高めた場合と同等の分解能を獲得し、より正確な測定対象物との距離を算出することができる。 - 特許庁

Electric resistance of a magnetoresistance effect element of about 51 Ω can be achieved when an MR height is made same dimension with a track width by making an electrode into a two-step structure and using an Rh film of a thickness of about 20 nm for a first electrode layer 5, and an Au film of about 100 nm of film thicknesses for a second electrode layer 6.例文帳に追加

電極を二段構造にし、第１電極層５に厚さ約２０ｎｍのＲｈを用い、第２電極層６に膜厚約１００ｎｍのＡｕを用いることによって、トラック幅と同じ寸法のＭＲ高さとしたときの磁気抵抗効果素子の電気抵抗は約５１Ωを実現することができる。 - 特許庁

An electronic component 1 comprises: a metal substrate 2 on a surface of which an insulation altered layer 12 is formed; at least one cut part 10, over the whole width of which the insulation altered layer 12 is formed in the thickness direction, disposed in the circumference of the metal substrate 2; and an electronic element 3 mounted on the metal substrate 2.例文帳に追加

本発明の電子部品１は、表面に絶縁性変質層１２が形成された金属基板２と、金属基板２の周縁に配置され、厚み方向の全幅にわたり絶縁性変質層１２が形成された少なくとも１つの切断部１０と、金属基板２上に実装された電子素子３を有する。 - 特許庁

This plastic optical element has two or more kinds of light propagation functions by forming, on a plastic material containing a photosensitive dyestuff, plural refractive index modulation parts parallel to each other with modulated refractive index, irradiated with laser having a pulse width of 10^-6 second or lower in one luminous flux or in multi-luminous flux interference.例文帳に追加

プラスチック光学素子は、感光性色素を含有するプラスチック材料に、パルス幅が１０^−６秒以下のレーザーを１光束又は多光束干渉で照射して、屈折率が変調した互いに平行な複数の屈折率変調部を形成することにより、複数種の光伝播機能を有することを特徴とする。 - 特許庁

It is understood that maximum transmittance is changed when a combination of an electrode width L and a distance S between electrodes is changed, and a driving voltage which is a voltage to produce the maximum transmittance is changed, from the result of a simulation of a V-T curve indicating a relationship of transmittance and voltage-transmittance of the FFS structure liquid crystal display element.例文帳に追加

ＦＦＳ構造の液晶表示素子の透過率、電圧−透過率の関係であるＶ−Ｔカーブのシミュレーションの結果から、電極幅Ｌ、電極間隔Ｓの組合せを変えると、最大透過率が変化し、最大透過率を与える電圧である駆動電圧が変化することがわかる。 - 特許庁

The metal heater with wire winding 1 is composed of a core rod 3 made of heat resistant alloy put between beams 9a, 9b laterally crossing the furnace in the direction of width, ceramic pipes 5 divided into two pieces or more through which, the core rod penetrates, and the heater element wire 7 wound around the ceramic pipe 5.例文帳に追加

所定の間隔をおいて炉の幅方向に横断させたビーム９ａ、９ｂ間に架け渡される耐熱金属製の心棒３と、心棒３に貫通される２つ以上に分割された磁器パイプ５と、磁器パイプ５の周りに巻回されたヒーター素線７とから構成される巻線型金属ヒーター１。 - 特許庁

When a scanning line driving circuit 20 holds a scanning line Sj at 0V, an organic EL element 10ij emits light by itself with a pulse width corresponding to a gray scale with a precharge voltage that a constant voltage circuit 36 supplies and a PWM data signal Ipwmi supplied from a constant current circuit 34 successively thereto.例文帳に追加

走査線駆動回路２０によって走査線Ｓｊが０Ｖになると、有機ＥＬ素子１０ｉｊは、定電圧回路３６が供給するプリチャージ電圧、およびそれに引き続き供給される定電流回路３４からのＰＷＭデータ信号Ｉｐｗｍｉによって階調に応じたパルス幅で自発光を行う。 - 特許庁

Each word line 10 constitutes a gate electrode at each memory element, a lower portion of a side surface of each word line 10 in a direction parallel to a direction where the word line 10 extends is perpendicular to a main surface of the semiconductor substrate 1, and an upper portion of the side surface tilts decreasing upward in width.例文帳に追加

各ワード線１０は、各メモリ素子においてゲート電極を構成し、各ワード線１０における該ワード線１０が延伸する方向に平行な方向の側面の下部は半導体基板１の主面に対して垂直であり、側面の上部は上方に向かうほど幅が小さくなるように傾斜している。 - 特許庁

The width of a groove of isolating adjacent shallow groove elements actively forming a desired transistor having the same characteristics is set to the same as the transistors so that stresses generated actively by the adjacent shallow groove element isolation become the same in the transistors, thereby providing the effect of obtaining the transistors having the same characteristics.例文帳に追加

特性が同じであることが望ましいトランジスタを形成したアクティブに隣接する浅溝素子分離の溝幅を、該トランジスタで同じにすることにより、隣接する浅溝素子分離によるアクティブに生じる応力が、該トランジスタどうしで同じになり、同じ特性のトランジスタが得られるという効果がある。 - 特許庁

In this imaging method, an image is recorded on a recording medium by entering data comprising each dot whose "ON" state and "OFF" state are selected and a strobe to a drive circuit of a thermal head and heating a heating element corresponding to the dot whose "ON" state is selected by a time corresponding to the pulse width of the strobe.例文帳に追加

画像形成方法は、各ドットのオン状態／オフ状態が選択されたデータ、および、ストローブを、サーマルヘッドの駆動回路に入力して、オン状態が選択されたドットに対応する発熱素子をストローブのパルス幅に対応した時間だけ発熱させることにより、記録媒体上に画像を記録する。 - 特許庁

When the pass-band width of a band-limiting element in a receiver 20, through which a clock signal to be modulated passes is set to W, so that a modulator 13 in a transmitter 10 modulates the original clock signal to change with a data signal at an interval of 1/W or larger, and the clock signal to be modulated is generated.例文帳に追加

受信機２０の被変調クロック信号が通過する帯域制限要素の通過帯域幅をＷとしたとき、送信機１０では変調器１３により１／Ｗ以上の間隔で原クロック信号をデータ信号により変化させるように変調を行って被変調クロック信号を生成する。 - 特許庁

A tapered surface 15 is formed around the edge of the inner circuit element films, and ceramic paste 17 containing a solvent of 40 to 85 weight % of is applied around the edge of the inner electrodes 13 in a width of 180 μm or less, preferably of 20 to 140 μm.例文帳に追加

内部回路要素膜としての内部電極１３の周縁部に、傾斜面１５を形成し、たとえば溶剤の含有量が４０〜８５重量％のセラミックペースト１７を、内部電極１３の周縁部に１８０μｍ以下の幅をもって、好ましくは２０〜１４０μｍの幅をもって重なるように付与する。 - 特許庁

The discharge gap 19 has a width of 10-50 μm; and the functional film 12 is made of a composition containing ZnO as a main constituent, containing a sub-component selected from Mn, Co, Bi and Sb or a rare-earth element, and containing 10 wt.%-40 wt.% silicon carbide with respect to the composition 100 wt.%.例文帳に追加

放電ギャップ１９は１０μｍ〜５０μｍの幅であり、機能膜１２はＺｎＯを主成分とするとともに、Ｍｎ・Ｃｏ・Ｂｉ・Ｓｂのうちの何れかの副成分或いは希土類元素を含み、この組成物１００ｗｔ％に対し、炭化珪素を１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％含む組成物から成る。 - 特許庁

After the extracted cell body is removed from the binarized image, an image mainly including line elements is obtained, a line thinning process is applied to the image whose cell body is removed and a line thinned image having a line width of one pixel in the line element is obtained, a noise removing process is applied and an image processed by a cell protrusion extraction process is obtained.例文帳に追加

そして抽出された細胞本体部を二値化画像から除去して、線要素を主に含む画像を取得し、細胞本体部が除去された画像に対して細線化処理を行って、線要素の線幅が１画素の細線化画像を得た後、ノイズ除去処理を行って細胞突起抽出処理画像を得る。 - 特許庁